GB/T 8760-2020砷化鎵單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試方法

ICS77040

H21.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T8760—2020

代替

GB/T8760—2006

砷化鎵單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試方法

Testmethodfordislocationdensityofmonocrystalgalliumarsenide

2020-09-29發(fā)布2021-08-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T8760—2020

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)代替砷化鎵單晶位錯(cuò)密度的測(cè)量方法本標(biāo)準(zhǔn)與

GB/T8760—2006《》。GB/T8760—2006

相比除編輯性修改外主要技術(shù)變化如下

,:

修改了標(biāo)準(zhǔn)范圍中的規(guī)定內(nèi)容和適用范圍見(jiàn)第章年版的第章

———(1,20061);

增加了規(guī)范性引用文件見(jiàn)第章

———(2);

刪除了位錯(cuò)位錯(cuò)密度的術(shù)語(yǔ)和定義增加了引導(dǎo)語(yǔ)界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于

———、,“GB/T14264

本文件見(jiàn)第章年版的

”(3,20062.1、2.2);

刪除了方法原理中采用擇優(yōu)化學(xué)腐蝕技術(shù)顯示位錯(cuò)的內(nèi)容見(jiàn)第章年版的第章

———“”(4,20063);

增加了除非另有說(shuō)明測(cè)試分析中僅使用確認(rèn)為分析純及以上的試劑所用水的電阻率不小

———“,,

于見(jiàn)第章

12MΩ·cm”(5);

修改了氫氧化鉀硫酸過(guò)氧化氫的要求見(jiàn)第章年版的第章

———、、(5,20064);

修改了拋光液的要求見(jiàn)年版的

———(5.4,20065.3);

儀器設(shè)備中增加鉑坩堝或銀坩堝見(jiàn)

———“”(6.3);

修改了試樣制備的要求見(jiàn)第章年版的第章

———(7,20065);

增加了使用帶數(shù)碼成像的金相顯微鏡測(cè)試時(shí)的視場(chǎng)面積和測(cè)試點(diǎn)選取的要求見(jiàn)

———(8.2.2、8.3.1);

增加了位錯(cuò)腐蝕坑較多且有重疊時(shí)的計(jì)數(shù)方法以及形貌圖見(jiàn)

———(8.4.2);

試驗(yàn)數(shù)據(jù)處理中的計(jì)算公式用S-1代替C見(jiàn)第章年版的第章

———(9,20068);

修改了章標(biāo)題并增加精密度的技術(shù)要求見(jiàn)第章年版的第章

———,(10,20069)。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位有研光電新材料有限責(zé)任公司云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司國(guó)合通用測(cè)試

:、、

評(píng)價(jià)認(rèn)證股份公司中國(guó)電子科技集團(tuán)第四十六研究所廣東先導(dǎo)稀材股份有限公司雅波拓福建新

、、、()

材料有限公司

。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人趙敬平林泉于洪國(guó)惠峰劉淑鳳姚康許所成許興馬英俊王彤涵

:、、、、、、、、、、

趙素曉韋圣林陳晶晶付萍

、、、。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為

:

———GB/T8760—1988、GB/T8760—2006。

Ⅰ

GB/T8760—2020

砷化鎵單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試方法

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了砷化鎵單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試方法

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于面砷化鎵單晶位錯(cuò)密度的測(cè)試測(cè)試范圍為-2-2

{100}、{111},0cm~100000cm。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

4方法原理

砷化鎵單晶中位錯(cuò)周?chē)木Ц駮?huì)發(fā)生畸變當(dāng)用某些化學(xué)腐蝕劑腐蝕晶體表面時(shí)在晶體表面上的

,,

位錯(cuò)露頭處腐蝕速度較快進(jìn)而形成具有特定形狀的腐蝕坑在顯微鏡下觀察并按一定規(guī)則統(tǒng)計(jì)這些

,。

具有特定形狀的腐蝕坑單位視場(chǎng)面積內(nèi)的腐蝕坑個(gè)數(shù)即為位錯(cuò)密度

,。

5試劑

除非另有說(shuō)明測(cè)試分析中僅使用確認(rèn)為分析純及以上的試劑所用水的電阻率不小于

,,12MΩ·cm。

51氫氧化鉀質(zhì)量分?jǐn)?shù)不小于

.(KOH),85%。

52硫酸質(zhì)量分?jǐn)?shù)為

.(H2SO4),95%~98%。

53過(guò)氧化氫質(zhì)量分?jǐn)?shù)不小于

.(H2O2),30%。

54拋光液硫酸過(guò)氧化氫水的混合液體積比為現(xiàn)用現(xiàn)配