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  • 1988-02-25 頒布
  • 1989-02-01 實施
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GB/T 8760-1988砷化鎵單晶位錯密度的測量方法_第1頁
GB/T 8760-1988砷化鎵單晶位錯密度的測量方法_第2頁
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文檔簡介

UDC661.868.1.46：620.18H24中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)GB8760—88砷化鏢單晶位錯密度的測量方法GalliumarsenidesinglecrystalDeterminationofdislocationdensity1988-02-25發(fā)布1989-02-01實施家標(biāo)準(zhǔn)局國發(fā)布

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)UDC661.868.1.46：620.18砷化鏢單晶位錯密度的測量方法GB8760—88Galliumarsenidesinglecrystal-Determinationofdislocationdensity本標(biāo)準(zhǔn)適用于位錯密度為0～100000個/cm的砷化鏢單晶的位錯密度的測量。檢測面為1111)和100}面。1定義1.1位錯單品體中部分原子受應(yīng)力作用產(chǎn)生滑移，已滑移部分與未滑移部分的分界線稱為位錯線，簡稱位1.2位錯密度單位體積內(nèi)位錯線的總長度稱為位錯密度（cm/cm'）。本標(biāo)準(zhǔn)位錯密度指在單位表面積內(nèi)形成位錯腐蝕坑的個數(shù)（個/cm'）。2方法原理采用擇優(yōu)化學(xué)腐蝕技術(shù)顯示位錯。晶體中位錯線周圍的品格發(fā)生畸變，在晶體表面上的露頭處，對某些化學(xué)腐蝕劑優(yōu)先受到腐蝕。因此在品體的某一品面上缺陷露頭處容易形成由某些低指數(shù)面組成帶棱角的具有特定形狀的腐蝕坑或小丘?；瘜W(xué)試劑3.1硫酸（H.SO.）.95%~98%，3.2過氧化氧（H,O,）,30%。3.3氫氧化鉀(KOH).78.2%，一級純。3.4去離子水。試樣制備4.1定向切割從單品鍵的待測部分經(jīng)定向后，切取厚度大于0.5mm的單品片，品向偏離要求小于8°。4.2研磨用302°金剛砂水漿研磨，使表面平整。清洗后，再用306*金剛砂水漿研磨，使表面光潔無劃痕，清洗·吹干。4.3位錯腐蝕坑顯示4.3.1化學(xué)拋光用新配制的H.SO，，：H.O，：H.O－3：1：1（體積比)拋光液，將試樣表面拋光成無損傷的鏡面。4.3.2位錯腐蝕將氫氧化鉀放在鉑或銀塔場內(nèi)加熱，待熔化并沒清后，溫度保持在400±

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