GB/T 8760-2006砷化鎵單晶位錯(cuò)密度的測(cè)量方法

ICS77.040.01H17中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T8760—2006代替GB/T8760—1988砷化家單晶位錯(cuò)密度的測(cè)量方法Galliumarsenidesinglecrystal-Determinationofdislocationdensity2006-07-18發(fā)布2006-11-01實(shí)施中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T8760—2006本標(biāo)準(zhǔn)是對(duì)GB/T8760-1988《砷化鑲單品位錯(cuò)密度的測(cè)量方法》的修訂本標(biāo)準(zhǔn)自實(shí)施之日起代替GB/T8760—1988。本標(biāo)準(zhǔn)與原標(biāo)準(zhǔn)相比主要有以下變動(dòng)：-修改了原來表述位錯(cuò)密度的術(shù)語解釋；-重新制作了部分圖片·改善圖片質(zhì)量;原標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定.腐蝕位錯(cuò)坑時(shí).熔化的氫氧化鉀的溫度要保持在400℃。實(shí)驗(yàn)證明.只要熔化的氫氧化鉀呈現(xiàn)沒清狀態(tài),選擇適當(dāng)?shù)母g時(shí)間.都能得到清晰的腐蝕坑，故取消了要求熔化的氫氧化鉀溫度保持在400℃的嚴(yán)格限制。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)有色金屬工業(yè)協(xié)會(huì)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：北京有色金屬研究總院本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：王彤涵。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)負(fù)責(zé)解釋本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：GB/T8760-1988。

GB/T8760—2006砷化家單晶位錯(cuò)密度的測(cè)量方法范范圍本標(biāo)準(zhǔn)適用于位錯(cuò)密度為(0～100000)個(gè)/cm2的砷化鏢單品的位錯(cuò)密度的測(cè)量。檢測(cè)面為（111)面和（100}面。2術(shù)語和定義下列術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)：位錯(cuò)dislocation單品體中部分原子受應(yīng)力作用產(chǎn)生滑移。已滑移部分與未滑移部分的分界線稱為位錯(cuò)線，簡(jiǎn)稱位錯(cuò)22位錯(cuò)密度dislocationdensity單位體積內(nèi)位錯(cuò)線的總長(zhǎng)度稱為位錯(cuò)密度（cm/cm)。在實(shí)際應(yīng)用中.通常以單位表面積內(nèi)形成位借腐蝕坑的個(gè)數(shù)(個(gè)/cm)代表位錯(cuò)蜜度。本標(biāo)準(zhǔn)中位錯(cuò)密度指單位表面積內(nèi)形成位錯(cuò)腐蝕坑的個(gè)數(shù)。3原理采用擇優(yōu)化學(xué)腐蝕技術(shù)顯示位錯(cuò)。品體中位錯(cuò)線周圍的品格發(fā)生畸變，當(dāng)用某些化學(xué)腐蝕劑腐蝕晶體表面時(shí),在晶體表面上的位錯(cuò)線露頭處，腐蝕速度較快,因而容易形成由某些低指數(shù)面組成帶棱角的具有特定形狀的腐蝕坑。在顯微鏡下觀察并按一定規(guī)則統(tǒng)計(jì)這些具有特定形狀的腐蝕坑，可得到位錯(cuò)密度數(shù)值?；瘜W(xué)試劑4硫酸(ol.84g/mL）,濃度95%～98%，優(yōu)級(jí)純A2過氧化氫(ol.00g/mL)濃度30%.優(yōu)級(jí)純4.3氫氧化鉀(o78.2g/L）,濃度78.2%，優(yōu)級(jí)純R試樣制備5.1定向切割從單品鍵的待測(cè)部分經(jīng)定向后.切取厚度大于0.5mm的單品片.品向偏離要求小于85.2研磨用302*金剛砂(或相當(dāng)顆粒度的金剛砂)水漿研磨,使表面平整。用水清洗干凈后,再用306"金剛砂(或相當(dāng)顆粒度的金剛砂)水漿研磨，使表面光潔無劃痕，然后用水清洗干凈。5.3化學(xué)拋光將硫酸(H.SO,）、過氧化氫(H.O.）和去離子水(H.O)按體積比3：1：1配制成拋光液·然后