標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/Z 32494-2016 表面化學(xué)分析 俄歇電子能譜 化學(xué)信息的解析》是一項(xiàng)指導(dǎo)性技術(shù)文件,旨在為使用俄歇電子能譜(AES)進(jìn)行表面化學(xué)分析時提供化學(xué)信息解析的方法和技術(shù)指南。該標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)介紹了如何通過AES技術(shù)獲取樣品表面元素組成、化學(xué)狀態(tài)等信息,并對這些信息進(jìn)行準(zhǔn)確解讀。
首先,標(biāo)準(zhǔn)概述了俄歇電子能譜的基本原理及其在材料科學(xué)、半導(dǎo)體工業(yè)等領(lǐng)域中的應(yīng)用背景,強(qiáng)調(diào)了正確理解和解釋實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的重要性。接著,它提供了關(guān)于實(shí)驗(yàn)條件設(shè)置、數(shù)據(jù)采集過程以及后續(xù)處理步驟的具體建議,包括但不限于選擇合適的激發(fā)源、設(shè)定適當(dāng)?shù)哪芰糠直媛屎蛼呙璺秶龋源_保獲得高質(zhì)量的數(shù)據(jù)。
此外,《GB/Z 32494-2016》還深入探討了從原始AES光譜中提取有用化學(xué)信息的方法,比如如何識別特定元素的存在形式、評估其濃度分布情況等。對于復(fù)雜體系或存在多種化學(xué)態(tài)的情況,標(biāo)準(zhǔn)建議采用理論模擬與實(shí)驗(yàn)結(jié)果相結(jié)合的方式來進(jìn)行更精確的分析。同時,也提到了利用其他互補(bǔ)技術(shù)如X射線光電子能譜(XPS)來輔助AES數(shù)據(jù)分析的可能性。
最后,文檔內(nèi)含有關(guān)于報(bào)告撰寫格式及內(nèi)容要求的部分,強(qiáng)調(diào)了清晰、準(zhǔn)確地呈現(xiàn)研究發(fā)現(xiàn)的重要性。通過遵循本標(biāo)準(zhǔn)提供的指導(dǎo)原則,研究人員能夠更加有效地利用俄歇電子能譜技術(shù)開展相關(guān)科學(xué)研究工作。
如需獲取更多詳盡信息,請直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。
....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2016-02-24 頒布
- 2017-01-01 實(shí)施
文檔簡介
ICS7104040
G04..
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)化指導(dǎo)性技術(shù)文件
GB/Z32494—2016/ISO/TR183942006
:
表面化學(xué)分析俄歇電子能譜
化學(xué)信息的解析
Surfacechemicalanalysis—Augerelectron
spectroscopy—Derivationofchemicalinformation
(ISO/TR18394:2006,IDT)
2016-02-24發(fā)布2017-01-01實(shí)施
中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布
中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
GB/Z32494—2016/ISO/TR183942006
:
目次
前言
…………………………Ⅲ
引言
…………………………Ⅳ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術(shù)語和定義
3………………1
縮略語
4……………………1
俄歇電子能譜中化學(xué)效應(yīng)和固態(tài)效應(yīng)的類型
5…………1
芯能級俄歇電子躍遷引起的化學(xué)效應(yīng)
6…………………2
引言
6.1…………………2
俄歇電子能量的化學(xué)位移
6.2…………2
俄歇參數(shù)的化學(xué)位移
6.3………………3
化學(xué)態(tài)圖
6.4……………4
俄歇電子能量和俄歇參數(shù)的化學(xué)位移數(shù)據(jù)庫
6.5……………………5
俄歇電子衛(wèi)星結(jié)構(gòu)的化學(xué)效應(yīng)
6.6……………………5
俄歇線相對強(qiáng)度和線形變化的化學(xué)效應(yīng)
6.7CCC……………………6
俄歇電子能譜中非彈性區(qū)域的化學(xué)效應(yīng)
6.8CCC……………………6
芯能級俄歇電子躍遷引起的化學(xué)效應(yīng)
7…………………7
引言
7.1…………………7
化學(xué)態(tài)有關(guān)的和俄歇譜的線形
7.2CCVCVV………7
分析和俄歇譜線形獲取局域電子結(jié)構(gòu)的信息
7.3CCVCVV……10
參考文獻(xiàn)
……………………11
Ⅰ
GB/Z32494—2016/ISO/TR183942006
:
前言
本指導(dǎo)性技術(shù)文件按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本指導(dǎo)性技術(shù)文件使用翻譯法等同采用表面化學(xué)分析俄歇電子能譜化
ISO/TR18394:2006《
學(xué)信息的解析
》。
本指導(dǎo)性技術(shù)文件由全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口
(SAC/TC38)。
本指導(dǎo)性技術(shù)文件負(fù)責(zé)起草單位中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所
:。
本指導(dǎo)性技術(shù)文件主要起草人卓尚軍申如香虞玲劉芬沈電洪丁訓(xùn)民
:、、、、、。
Ⅲ
GB/Z32494—2016/ISO/TR183942006
:
引言
本指導(dǎo)性技術(shù)文件提供了識別射線或者電子激發(fā)俄歇能譜的化學(xué)效應(yīng)以及把它們用于化學(xué)表
X
征的方法準(zhǔn)則
。
俄歇電子能譜含有表面或者界面元素組成的信息也含有芯能級具有初始空位的原子周圍區(qū)域的
,
信息[1-5]由于原子周圍環(huán)境的改變而引起俄歇電子能譜的變化被稱之為化學(xué)或者固態(tài)效應(yīng)對化
。()。
學(xué)效應(yīng)的認(rèn)識對俄歇電子能譜的正確定量分析非常重要對識別表面化學(xué)組分以及表面和界面層中原
,
子組成的化學(xué)態(tài)也非常有幫助
。
Ⅳ
GB/Z32494—2016/ISO/TR183942006
:
表面化學(xué)分析俄歇電子能譜
化學(xué)信息的解析
1范圍
本指導(dǎo)性技術(shù)文件規(guī)定了識別射線或者電子激發(fā)的俄歇譜中的化學(xué)效應(yīng)以及把它們用于化學(xué)
X
表征的方法準(zhǔn)則
。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
表面化學(xué)分析詞匯
GB/T22461—2008(ISO18115:2001,IDT)
3術(shù)語和定義
界定的術(shù)語和定義適用于本文件
ISO18115。
4縮略語
芯能級芯能級芯能級俄歇電子躍遷
CCC--()
芯層芯層價(jià)層俄歇電子躍遷
CCV--()
躍遷
CKCoster-Kronig(Coster-Kronig)
立方氮化硼
c-BN
芯層價(jià)帶層價(jià)帶層俄歇電子躍遷
CVV--()
六方氮化硼
h-BN
反射電子能量損失譜
REELS
5俄歇電子能譜中化學(xué)效應(yīng)和固態(tài)效應(yīng)的類型
在俄歇電子能譜圖中能觀察到許多類型的化學(xué)或固態(tài)效應(yīng)[1-5]一個內(nèi)殼層發(fā)生電離后的原子
,。,
由于它周圍環(huán)境的變化會導(dǎo)致所發(fā)射的俄歇電子的動能產(chǎn)生位移在射線激發(fā)的俄歇電子能譜中
。X
也能檢測到俄歇參數(shù)即俄歇電子發(fā)射過程中俄歇峰與所對應(yīng)的芯能級光電子峰之間的動能差的能量
()
位移俄歇線形相對強(qiáng)度和衛(wèi)星結(jié)構(gòu)由原子內(nèi)部激發(fā)過程誘導(dǎo)形成會受到化學(xué)效應(yīng)的較大影響與
。、(),
本征峰相伴的能量損失區(qū)域的結(jié)構(gòu)由原子外部電子散射過程誘導(dǎo)形成也會受到這種影響俄歇譜形
()。
上較強(qiáng)的化學(xué)效應(yīng)提供了用指紋識別的方式來鑒別化學(xué)形態(tài)的途徑
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