GB/Z 32494-2016表面化學(xué)分析俄歇電子能譜化學(xué)信息的解析

ICS7104040

G04..

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化指導(dǎo)性技術(shù)文件

GB/Z32494—2016/ISO/TR183942006

:

表面化學(xué)分析俄歇電子能譜

化學(xué)信息的解析

Surfacechemicalanalysis—Augerelectron

spectroscopy—Derivationofchemicalinformation

(ISO/TR18394:2006,IDT)

2016-02-24發(fā)布2017-01-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/Z32494—2016/ISO/TR183942006

:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

縮略語(yǔ)

4……………………1

俄歇電子能譜中化學(xué)效應(yīng)和固態(tài)效應(yīng)的類型

5…………1

芯能級(jí)俄歇電子躍遷引起的化學(xué)效應(yīng)

6…………………2

引言

6.1…………………2

俄歇電子能量的化學(xué)位移

6.2…………2

俄歇參數(shù)的化學(xué)位移

6.3………………3

化學(xué)態(tài)圖

6.4……………4

俄歇電子能量和俄歇參數(shù)的化學(xué)位移數(shù)據(jù)庫(kù)

6.5……………………5

俄歇電子衛(wèi)星結(jié)構(gòu)的化學(xué)效應(yīng)

6.6……………………5

俄歇線相對(duì)強(qiáng)度和線形變化的化學(xué)效應(yīng)

6.7CCC……………………6

俄歇電子能譜中非彈性區(qū)域的化學(xué)效應(yīng)

6.8CCC……………………6

芯能級(jí)俄歇電子躍遷引起的化學(xué)效應(yīng)

7…………………7

引言

7.1…………………7

化學(xué)態(tài)有關(guān)的和俄歇譜的線形

7.2CCVCVV………7

分析和俄歇譜線形獲取局域電子結(jié)構(gòu)的信息

7.3CCVCVV……10

參考文獻(xiàn)

……………………11

Ⅰ

GB/Z32494—2016/ISO/TR183942006

:

前言

本指導(dǎo)性技術(shù)文件按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本指導(dǎo)性技術(shù)文件使用翻譯法等同采用表面化學(xué)分析俄歇電子能譜化

ISO/TR18394:2006《

學(xué)信息的解析

》。

本指導(dǎo)性技術(shù)文件由全國(guó)微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)提出并歸口

(SAC/TC38)。

本指導(dǎo)性技術(shù)文件負(fù)責(zé)起草單位中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所

:。

本指導(dǎo)性技術(shù)文件主要起草人卓尚軍申如香虞玲劉芬沈電洪丁訓(xùn)民

:、、、、、。

Ⅲ

GB/Z32494—2016/ISO/TR183942006

:

引言

本指導(dǎo)性技術(shù)文件提供了識(shí)別射線或者電子激發(fā)俄歇能譜的化學(xué)效應(yīng)以及把它們用于化學(xué)表

X

征的方法準(zhǔn)則

。

俄歇電子能譜含有表面或者界面元素組成的信息也含有芯能級(jí)具有初始空位的原子周圍區(qū)域的

,

信息[1-5]由于原子周圍環(huán)境的改變而引起俄歇電子能譜的變化被稱之為化學(xué)或者固態(tài)效應(yīng)對(duì)化

。()。

學(xué)效應(yīng)的認(rèn)識(shí)對(duì)俄歇電子能譜的正確定量分析非常重要對(duì)識(shí)別表面化學(xué)組分以及表面和界面層中原

,

子組成的化學(xué)態(tài)也非常有幫助

。

Ⅳ

GB/Z32494—2016/ISO/TR183942006

:

表面化學(xué)分析俄歇電子能譜

化學(xué)信息的解析

1范圍

本指導(dǎo)性技術(shù)文件規(guī)定了識(shí)別射線或者電子激發(fā)的俄歇譜中的化學(xué)效應(yīng)以及把它們用于化學(xué)

X

表征的方法準(zhǔn)則

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

表面化學(xué)分析詞匯

GB/T22461—2008(ISO18115:2001,IDT)

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

ISO18115。

4縮略語(yǔ)

芯能級(jí)芯能級(jí)芯能級(jí)俄歇電子躍遷

CCC--()

芯層芯層價(jià)層俄歇電子躍遷

CCV--()

躍遷

CKCoster-Kronig(Coster-Kronig)

立方氮化硼

c-BN

芯層價(jià)帶層價(jià)帶層俄歇電子躍遷

CVV--()

六方氮化硼

h-BN

反射電子能量損失譜

REELS

5俄歇電子能譜中化學(xué)效應(yīng)和固態(tài)效應(yīng)的類型

在俄歇電子能譜圖中能觀察到許多類型的化學(xué)或固態(tài)效應(yīng)[1-5]一個(gè)內(nèi)殼層發(fā)生電離后的原子

,。,

由于它周圍環(huán)境的變化會(huì)導(dǎo)致所發(fā)射的俄歇電子的動(dòng)能產(chǎn)生位移在射線激發(fā)的俄歇電子能譜中

。X

也能檢測(cè)到俄歇參數(shù)即俄歇電子發(fā)射過(guò)程中俄歇峰與所對(duì)應(yīng)的芯能級(jí)光電子峰之間的動(dòng)能差的能量

()

位移俄歇線形相對(duì)強(qiáng)度和衛(wèi)星結(jié)構(gòu)由原子內(nèi)部激發(fā)過(guò)程誘導(dǎo)形成會(huì)受到化學(xué)效應(yīng)的較大影響與

。、(),

本征峰相伴的能量損失區(qū)域的結(jié)構(gòu)由原子外部電子散射過(guò)程誘導(dǎo)形成也會(huì)受到這種影響俄歇譜形

()。

上較強(qiáng)的化學(xué)效應(yīng)提供了用指紋識(shí)別的方式來(lái)鑒別化學(xué)形態(tài)的途徑