- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2019-09-27 頒布
- 2020-03-27 實施
文檔簡介
中華人民共和國國家計量技術規(guī)范
JJF1760—2019
硅單晶電阻率標準樣片校準規(guī)范
CalibrationSpecificationfor
StandardSlicesofSingleCrystalSiliconResistivity
2019-09-27發(fā)布2020-03-27實施
國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布
JJF1760—2019
硅單晶電阻率標準樣片
??
???????????????
校準規(guī)范?JJF1760—2019?
??
?????????????
?代替JJG48—2004?
CalibrationSpecificationforStandardSlicesof??
SingleCrystalSiliconResistivity
歸口單位全國無線電計量技術委員會
:
主要起草單位中國計量科學研究院
:
參加起草單位福建省計量科學研究院
:
本規(guī)范委托全國無線電計量技術委員會負責解釋
JJF1760—2019
本規(guī)范主要起草人
:
高英中國計量科學研究院
()
李蘭蘭中國計量科學研究院
()
參加起草人
:
羅海燕福建省計量科學研究院
()
楊愛軍福建省計量科學研究院
()
JJF1760—2019
目錄
引言
………………………(Ⅱ)
范圍
1……………………(1)
引用文件
2………………(1)
術語和計量單位
3………………………(1)
電阻率
3.1………………(1)
厚度
3.2…………………(1)
直徑
3.3…………………(1)
薄層電阻
3.4……………(1)
導電類型
3.5……………(1)
四探針
3.6………………(1)
局部徑向電阻率均勻性
3.7……………(1)
概述
4……………………(2)
計量特性
5………………(2)
標準樣片電阻率的測量范圍
5.1………(2)
標準樣片的電阻率標稱值
5.2…………(2)
標準樣片應具備的參數(shù)及性能要求
5.3………………(2)
校準條件
6………………(3)
環(huán)境條件
6.1……………(3)
校準用設備
6.2…………(3)
校準項目和校準方法
7…………………(3)
校準項目
7.1……………(3)
外觀檢查
7.2……………(4)
導電類型判別
7.3………………………(4)
直徑測量
7.4……………(4)
厚度測量
7.5……………(4)
電阻率或薄層電阻測量
7.6……………(5)
局部徑向電阻率均勻性測量
7.7………(6)
校準結果表達
8…………(7)
復校時間間隔
9…………(7)
附錄原始記錄格式
A…………………(8)
附錄校準證書內(nèi)頁格式
B……………(10)
附錄主要項目校準不確定度評定示例
C……………(11)
附錄標準樣片厚度修正系數(shù)表
D……………………(16)
附錄標準樣片直徑修正系數(shù)
E………(17)
附錄標準樣片電阻率溫度系數(shù)表
F…………………(18)
Ⅰ
JJF1760—2019
引言
本規(guī)范依據(jù)國家計量校準規(guī)范編寫規(guī)則和
JJF1071—2010《》JJF1059.1—2012
測量不確定度評定與表示編寫
《》。
本規(guī)范代替硅單晶電阻率標準樣片與相比除編
JJG48—2004《》,JJG48—2004,
輯性修改外主要技術變化如下
,:
增加了引言引用文件術語和計量單位
———、、;
刪除了硅單晶電阻率標準樣片的級別分類
———;
刪除了硅單晶電阻率標準樣片的清洗方法
———;
修改了電阻率的測量范圍由原來的改為
———,0.005Ω·cm~5000Ω·cm
0.003Ω·cm~1000Ω·cm;
修改了硅單晶電阻率標準樣片直徑的校準方法
———;
修改了硅單晶電阻率標準樣片厚度的校準方法
———;
修改了硅單晶電阻率標準樣片徑向電阻率均勻性的校準方法
———。
本規(guī)范的歷次版本發(fā)布情況
:
———JJG48—2004;
———JJG48—1990。
Ⅱ
JJF1760—2019
硅單晶電阻率標準樣片校準規(guī)范
1范圍
本規(guī)范適用于電阻率在之間的硅單晶電阻率標準樣片
0.003Ω·cm~1000Ω·cm
的校準
。
2引用文件
本規(guī)范引用了下列文件
:
四探針電阻率測試儀
JJG508—2004
半導體材料術語
GB/T14264
凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本規(guī)范凡是不注日期的引用文
,;
件其最新版本包括所有的修改單適用于本規(guī)范
,()。
3術語和計量單位
電阻率
3.1resistivity
荷電載體通過材料受阻程度的一種量度電阻率是電導率的倒數(shù)符號為單位
。。ρ,
為
Ω·cm。
厚度
3.2thickness
通過晶片上一給定點垂直于表面方向穿過晶片的距離通常以晶片幾何中心的厚度
。
為該晶片的標稱厚度單位為
。μm。
直徑
3.3diameter
橫穿圓片表面通過晶片中心點且不與參考面或圓周上其他基準區(qū)相交直線的長
,
度單位為
。mm。
薄層電阻
3.4sheetresistance
半導體或薄金屬膜的薄層電阻與電流平行的電勢梯度對電流密度和厚度乘積的
,
比又稱方塊電阻符號為R單位為
。。s,Ω/□。
溫馨提示
- 1. 本站所提供的標準文本僅供個人學習、研究之用,未經(jīng)授權,嚴禁復制、發(fā)行、匯編、翻譯或網(wǎng)絡傳播等,侵權必究。
- 2. 本站所提供的標準均為PDF格式電子版文本(可閱讀打印),因數(shù)字商品的特殊性,一經(jīng)售出,不提供退換貨服務。
- 3. 標準文檔要求電子版與印刷版保持一致,所以下載的文檔中可能包含空白頁,非文檔質量問題。
最新文檔
- 二年級數(shù)學(上)計算題專項練習
- 《高等數(shù)學》課程思政課教學設計
- 幼兒園美術教學多元化策略的研究
- 地球的圈層結構
- 2024年麗江道路客運從業(yè)資格證考試
- 2024年云南客運駕駛員考試試題及答案詳解
- 2024年鄂爾多斯道路客運輸從業(yè)資格證仿真考試題庫
- 2024年武漢客運實操試題
- 2024年赤峰貨運從業(yè)資格證考試題
- 2024年石家莊客運資格證考試實際操作試題答案
- 全面推行競爭上崗、末等調整和不勝任退出機制實施方案
- 送檢中檢院間充質干細胞質量標準
- 《發(fā)現(xiàn)夏朝》作者自序:古埃及華夏文明起源史勘考
- 傳統(tǒng)婚禮英文主持詞
- 大宗商品貿(mào)易及風險
- 口算乘法說課稿(精選3篇)
- 海洋管道介紹
- API 17J 完整版.doc
- 四年級上冊英語課件-Unit 2《He has a funny face》|重大版 (共16張PPT)
- 高三學生如何做好時間管理主題班會PPT模板下載
- 浙教版九年級數(shù)學上冊 3.3《垂徑定理》(共20張PPT)
評論
0/150
提交評論