某一半導(dǎo)體材料價(jià)帶頂附近電子能量可表示為E(k)= -10-36k2(J),課件

1.#1-12.#1-23.#補(bǔ)充題:

某一半導(dǎo)體材料價(jià)帶頂附近電子能量可表示為E(k)=-10-36k2(J),其中能量零點(diǎn)取在價(jià)帶頂.此時(shí)若k=1×108m-1處電子被激發(fā)到導(dǎo)帶,而在該處產(chǎn)生一個(gè)空穴.試求此空穴的有效質(zhì)量;準(zhǔn)動(dòng)量;共有化運(yùn)動(dòng)速度和能量.

Ⅰ習(xí)題Ⅱ1.#1-3#1-43.#2-74.#補(bǔ)充題:已知硅的電子有效質(zhì)量為ml=0.98m0,mt=0.19m0.現(xiàn)摻入施主雜質(zhì),請(qǐng)利用類氫模型估計(jì):⑴雜質(zhì)電離能,⑵雜質(zhì)的等效玻爾半徑,⑶當(dāng)相鄰雜質(zhì)原子的電子軌道發(fā)生交迭時(shí)的施主濃度

關(guān)于回旋共振實(shí)驗(yàn)結(jié)果的一些說(shuō)明Si的導(dǎo)帶回旋共振實(shí)驗(yàn):B任意取向,可觀察到三個(gè)吸收峰;[B在{110}面上,仍是二個(gè)吸收峰]

#1-4Ge的導(dǎo)帶回旋共振實(shí)驗(yàn):討論B沿<100>方向,<111>方向,<110>方向;[B在{110}面上;]

B任意取向.#1-3導(dǎo)帶的極值在<110>方向:討論B沿<100>方向,<111>方向,<110>方向;B任意取向.

習(xí)題Ⅳ1.#3-72.#3-83.#3-104.#3-115.#3-12

要求：用語(yǔ)言將你的計(jì)算結(jié)果總結(jié)一下(本題涉及的對(duì)數(shù)方程,可用圖解法;可借助計(jì)算機(jī)進(jìn)行計(jì)算;也可作近似估算，數(shù)量級(jí)要正確)

習(xí)題Ⅴ#3-13#3-15#3-16#3-18（查圖表時(shí)，至少要保證數(shù)量級(jí)正確）

習(xí)題Ⅵ

1.#4-22.#4-43.#4-74.#4-115.#4-15[必要時(shí)，須考慮溫度和雜質(zhì)濃度對(duì)載流子濃度和遷移率的影響]

習(xí)題Ⅷ1.#4-162.#4-19(應(yīng)用圖4-17)3.#12-14.#12-65.補(bǔ)充題:Si原子加到GaAs材料中,可取代Ga原子成為施主雜質(zhì)或取代As原子成為受主雜質(zhì).假定Si原子濃度為2×1014cm-3,其中5%取代As原子,95%取代Ga原子,并在室溫下全部電離.求:(1)樣品的電導(dǎo)率.(2)樣品的Hall系數(shù).

習(xí)題Ⅸ1.#5-32.#5-43.#5-74.#5-85.補(bǔ)充題:一塊p型半導(dǎo)體,畫出下列情況下的能帶簡(jiǎn)圖,標(biāo)出費(fèi)米能級(jí)或準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)的位置.①無(wú)光照②有光照,Δn=Δp<ni③有光照,小注入,但Δn=Δp>ni④有光照,大注入

習(xí)題Ⅹ1.#5-92.#5-123.#5-154.#5-165.#5-17(考慮摻雜濃度對(duì)遷移率的影響)6.#5-18(Au飽和濃度可取

習(xí)題Ⅻ1.#6-6(求電容時(shí):①,②求勢(shì)壘電容,③求勢(shì)壘電容和擴(kuò)散電容)2.#6-73.#6-9(Si材料)4.#6-105.#6-121.施主濃度為7.0×1016cm-3的n型Si與Al形成金屬與半導(dǎo)體接觸，Al的功函數(shù)為4.20eV，Si的電子親和能為4.05eV，試畫出理想情況下金屬-半導(dǎo)體接觸的能帶圖并標(biāo)明半導(dǎo)體表面勢(shì)的數(shù)值。

2.某Sh