激光誘導(dǎo)晶化非晶硅薄膜表面形貌與光電性能研究課件

激光誘導(dǎo)晶化非晶硅薄膜表面形貌與光電性能研究xxx課題研究的背景和意義玻璃襯底ITO上低成本制備低溫多晶硅LTPS等離子增強(qiáng)氣相沉積PECVD制備非晶硅薄膜準(zhǔn)分子激光晶化ELC非晶硅a-Si薄膜為多晶硅poly-Si薄膜制備有源顯示器件AMLCD和AMOLED的薄膜晶體管TFT溝道通過(guò)激光晶化非晶硅薄膜制備具有多晶硅光學(xué)薄膜層結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能電池課題研究的現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)2008年S.R.P.Silva等人，通過(guò)激光晶化非晶硅PIN結(jié)構(gòu)的n層為納米晶硅作為電池光學(xué)薄膜，首次報(bào)道最高轉(zhuǎn)換效率為2.5%2009年C.C.Kuo，通過(guò)在線光學(xué)測(cè)試，成功利用激光晶化來(lái)控制晶粒大小，調(diào)節(jié)薄膜光通過(guò)率和反射率通過(guò)控制激光能量晶化非晶硅薄膜，從而控制多晶硅光學(xué)薄膜層晶粒大小，來(lái)調(diào)節(jié)光透過(guò)率、反射率和電池轉(zhuǎn)換效率不同硅基材料光電性能比較多晶硅poly-Si微晶硅uc-Si非晶硅a-Si單晶硅sc-Si納晶硅nc-Si禁帶寬度ev1.21.2~1.71.71.122.3電子遷移率cm2/V*s10e210e110e010e310e2轉(zhuǎn)換效率18%mitsubishi/15%sanyo20%Kyocera/激光能量熔融a-Si薄膜相變潛熱固態(tài)非晶硅液態(tài)非晶硅固液混合硅密度g/cm32.202.532.33比熱容C(T)J/g*KC(T)=0.952+0.171*T/1685熱傳導(dǎo)K(T)W/cm*KK(T)=4.828*10e-11*(T-900)e3+4.828*10e-9*(T-900)e2+3.714*10e-6*(T-900)+3.714*10e-2熔融潛熱蠅眼整形激光光斑能量分布模擬蠅眼整形激光晶化晶粒金相顯微圖AFM表征的晶粒與晶界分布圖常溫下不同激光能量對(duì)應(yīng)的霍爾電子遷移率和電阻率激光晶化PIN太陽(yáng)能器件I-V曲線PIN納米晶光學(xué)薄膜能帶結(jié)構(gòu)圖創(chuàng)新點(diǎn)首次通過(guò)控制激光能量晶化非晶硅薄膜，從而控制多晶硅光學(xué)薄膜層晶粒大小，來(lái)調(diào)節(jié)光透過(guò)率、反射率和電池轉(zhuǎn)換效率。應(yīng)用于激光誘導(dǎo)晶化非晶硅薄膜太陽(yáng)能汽車玻璃，具有可見(jiàn)光透過(guò)、防紫外光的功效，還可以為蓄電池充電進(jìn)度計(jì)劃2010.1查找文獻(xiàn)2010.2-2010.3熟悉設(shè)備，制定實(shí)驗(yàn)方案2010.4-2010.6控制工藝參數(shù)沉積薄膜2010.7-2010.10