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文檔簡介

近期鑄造多晶硅的發(fā)展及其石英坩堝的應(yīng)用

SIPV近期鑄造多晶硅的發(fā)展及其石英坩堝的應(yīng)用

-PV行業(yè)近況-鑄造多晶硅的發(fā)展

-近期發(fā)展-坩堝的應(yīng)用

-鑄造多晶硅配件市場容量-長晶工藝對坩堝的需求

PV行業(yè)境況陽光發(fā)電行業(yè)飛速增長全球安裝量:09年7.5G,10年14G歐盟20-20-20計劃:PV占12%電力消耗,市場容量2020年前390G中國:2020年20G(17屆五中全會提出支柱產(chǎn)業(yè))晶體硅太陽電池占90%的市場份額多晶硅太陽電池占主導(dǎo)地位,是發(fā)展方向—低能耗和規(guī)模生產(chǎn)PV行業(yè)境況

-Valencia會議資料鑄造多晶硅的發(fā)展-2000年中國第一條多晶硅片生產(chǎn)線(2MW)在SIPV寧波晶元太陽能有限公司。2臺鑄造爐。2005年后飛速發(fā)展,2010年全國約2500臺鑄造爐.鑄造爐類別:

1.以Cystalox為代表的感應(yīng)加熱爐

2.

GTSOLAR為代表的電阻加熱爐-鑄造爐大小:

160KG-270KG-450KG-600KG

鑄造多晶硅的發(fā)展趨勢鑄造多晶硅由發(fā)達(dá)國家向發(fā)展中國家轉(zhuǎn)移。鑄造多晶硅產(chǎn)能增速驚人技術(shù)進(jìn)步(REC,DEUTHSOLAR,SCHOTTSOALRWAFER)高得率、大錠、高錠或多錠能耗考慮硅片適合于生產(chǎn)轉(zhuǎn)換效率接近于單晶硅太陽電池的多晶硅片近期鑄造多晶硅的發(fā)展利用鑄造爐生長單晶調(diào)整晶體生長方向(垂直生長)鑄錠尺寸

橫向(25pcs向36pcs)和縱向(高度向40cm發(fā)展)硅片的減薄---由200微米向160微米發(fā)展近期鑄造多晶硅的發(fā)展方向一:大尺寸?(籽晶)

-籽晶安放和熔融控制

-工藝可重復(fù)性

-成本方向二:垂直生長

-熱場和工藝

-重復(fù)性近期鑄造多晶硅的發(fā)展

-單晶生長

晶體生長方向的調(diào)整

-晶體盡可能的垂直生長,固液界面保持微凸

-減少硅片應(yīng)力

-改善少子壽命有效長度---得率

-電池轉(zhuǎn)換效率的提升-節(jié)能坩堝的使用

-典型循環(huán)坩堝鑄造多晶硅對坩堝的要求

-尺寸精確性:SIN涂覆和結(jié)晶支撐的困難

-純度:-雜質(zhì)交換(盡管有SIN層)

-高溫強度問題

-表面特性和SIN層的附著力:粘錠和漏硅風(fēng)險坩堝使用-問題案例漏硅危害:鑄錠失敗;熱場損失坩堝使用-問題案例粘錠危害:即使切除粘錠部分,可用部分才內(nèi)存在內(nèi)應(yīng)力或裂紋坩堝供應(yīng)供不應(yīng)求Visuvius,Creadye,SPM,zhongcai,泰國,印度,韓國,日本等.遍地的新投鑄造單晶對坩堝的可能要求一些廠家嚴(yán)重漏硅的發(fā)生坩堝的趨勢

-如何適應(yīng)鑄錠發(fā)展的需求420-480?高度增加硅錠25-36PCS?橫向發(fā)展坩堝壁的減薄坩堝的趨勢

-如何適應(yīng)鑄錠發(fā)展的需求高度增加:-關(guān)鍵是:有效長度和得率。把多晶料變回爐料?高度和分凝得率:67%,70%,72%,80%?有效長380,16PCS450KG.300-350-450-600,G5坩堝。80%---80H坩堝的趨勢

-如何適應(yīng)鑄錠發(fā)展的需求雜質(zhì)分凝現(xiàn)象:將含有雜質(zhì)的晶態(tài)物質(zhì)熔化后再結(jié)晶時,雜質(zhì)在結(jié)晶的固體和未結(jié)晶的液體中濃度不同的現(xiàn)象問題:-高度增加后雜質(zhì)富集層對分凝效果的影響-高度增增加后融融時間長,坩堝雜質(zhì)擴(kuò)散

對硅錠中雜質(zhì)濃度的影響—對坩堝純度要求-長晶時間增長對坩堝的要求提高坩堝種類噴涂和免噴差異實例。少子壽命和有效長度。CASE1:少子6.43有效長度204cm得率68.8%CASE2:少子6.53有效長度209cm得率70.5%差異:對產(chǎn)能100MW的硅片廠,差異約70萬片注:case1和case1均為SIPV上月實際統(tǒng)計結(jié)果原因:雜質(zhì)交換及導(dǎo)致縱向分凝差異坩堝的趨勢

-如何適應(yīng)鑄錠發(fā)展的需求減薄對縱向發(fā)展(高度增加)的益處:時間縮短

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