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單向可控硅的結(jié)構(gòu)和工作原理一、結(jié)構(gòu)和符號：1、結(jié)構(gòu)：四層半導(dǎo)體N1P2N2P1J1J2J3三個PN結(jié)三個電極陽極A：從P1引出陰極K：從N2引出控制極G：從P2引出2、符號：圖形符號：KGAAKG文字符號：SCR，CT，KG等陽極陰極控制極P1N1N2P2單向可控硅的結(jié)構(gòu)和工作原理二、工作原理1、演示實驗：實驗電路圖如下：6V3VSCRAKGS（A）6V3VSCRAKGS（B）6V3VSCRAKGS（D）不亮不亮亮亮只在陽極和陰極間加正向電壓，可控硅不導(dǎo)通在陽極和陰極間加反向電壓，可控硅不導(dǎo)通在陽極A和陰極K間加反向電壓，同時控制極加正向觸發(fā)電壓,可控硅導(dǎo)通可控硅導(dǎo)通后，除去觸發(fā)電壓，繼續(xù)導(dǎo)通（C）6V3VSCRAKGS6V3VSCRAKGS（A）3、小結(jié)①可控硅導(dǎo)通的條件：A、在陽極和陰極之間加正向電壓B、同時在控制極加正觸發(fā)電壓二者缺一不可②使導(dǎo)通的可控硅關(guān)斷的方法：A、減小陽極電流至一定值（維持電流）B、切斷陽極電源③可控硅具有控制強(qiáng)電的作用三、單向可控硅的主要參數(shù)：主要參數(shù)定義額定正向平均電流維持電流控制極觸發(fā)電壓和電流正向阻斷峰值電壓反向阻斷峰值電壓在規(guī)定的環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過陽極和陰極之間的電流平均值在規(guī)定的環(huán)境溫度和控制極斷開的條件下，保持可控硅處于導(dǎo)通狀態(tài)所需要的最小正向電流在規(guī)定的環(huán)境溫度及一定的正向電壓條件下，使可控硅到導(dǎo)通控制極所需要的最小電壓和電流控制極斷開加正向電壓，可控硅截止的狀態(tài)稱正向阻斷，此時加到可控硅上的最大正向電壓控制極斷開，可控硅加反向電壓的狀態(tài)，稱為反向阻斷，此時允許加到可控硅上的最大反向電壓四、總結(jié)1、這節(jié)課我們講了三個問題：A、可控硅的結(jié)構(gòu)與符號；B、可控硅的工作原理；C、可控硅的主要參數(shù)。2、思考題：A、單向可控硅有兩種工作狀態(tài)：導(dǎo)通和截止，二極管也有二種工作狀態(tài)，導(dǎo)通和截止，那么單可控硅的工作狀態(tài)和二極管的工作狀態(tài)有什么不同？答案：可控硅的導(dǎo)通是可控

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