材料科學(xué)基礎(chǔ)-簡答題-答案要點(diǎn)

《材料科學(xué)基礎(chǔ)》簡答題

——答案要點(diǎn)第二章硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)有何共同特點(diǎn)？答：（1）每一個(gè)Si4+存在于4個(gè)O2-為頂點(diǎn)的四面體中心，構(gòu)成［SiO4］4-四面體，它是硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)（2）［SiO4］4四面體的每個(gè)頂點(diǎn)，即O2-最多只能為兩個(gè)［SiO4］4-四面體所共有（3）兩個(gè)鄰近的［SiO4］4-四面體之間，如果要聯(lián)結(jié)，只以共頂而不以共棱或共面相聯(lián)結(jié)（4）［SiO4］4-四面體中的Si4+可以被A13+置換形成硅鋁氧骨干，骨干外的金屬離子容易被其它金屬離子置換，置換不同的離子，對骨干的結(jié)構(gòu)并無多大的變化，但對它的性能卻影響很大簡述硅酸鹽晶體的分類依據(jù)是什么？可分為幾類，每類的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是什么？答：硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)是按晶體中硅氧四面體在空間的排列方式分為孤島狀、組群狀、鏈狀、層狀和架狀五類。這五類的［SiO4］四面體中，橋氧的數(shù)目也依次由0增加至4,非橋氧數(shù)由4減至0。硅離子是高電價(jià)低配位的陽離子，因此在硅酸鹽晶體中，［SiO4］只能以共頂方式相連，而不能以共棱或共面方式相連。什么是同質(zhì)多晶？簡述同質(zhì)多晶轉(zhuǎn)變的類型及其各自的特點(diǎn)。。答：化學(xué)組成相同的物質(zhì)，在不同的熱力學(xué)條件下形成結(jié)構(gòu)不同的晶體現(xiàn)象，稱為同質(zhì)多晶。根據(jù)同質(zhì)多晶轉(zhuǎn)變時(shí)速度的快慢和晶體結(jié)構(gòu)變化的不同，可將多晶轉(zhuǎn)變分為位移性轉(zhuǎn)變和重建性轉(zhuǎn)變。前者僅僅是結(jié)構(gòu)畸變，轉(zhuǎn)變前后結(jié)構(gòu)差異小，轉(zhuǎn)變時(shí)并不打開任何鍵或改變最鄰近的配位數(shù)，只是原子的位置發(fā)生少許位移，使次級配位有所改變；而后者不能簡單地通過原子位移來實(shí)現(xiàn)，轉(zhuǎn)變前后結(jié)構(gòu)差異較大，必須破壞原子間的鍵，形成一個(gè)具有新鍵的結(jié)構(gòu)。為什么石英不同系列變體之間的轉(zhuǎn)化溫度比同系列變體之間的轉(zhuǎn)化溫度高得多？答：由于石英不同系列變體之間轉(zhuǎn)變是重建性轉(zhuǎn)變，涉及晶體結(jié)構(gòu)中鍵的破裂和重建；而同一系列變體之間的轉(zhuǎn)變是位移性轉(zhuǎn)變，不涉及晶體結(jié)構(gòu)中鍵的破裂和重建，僅是鍵長、鍵角的調(diào)整。鈦酸鋇是一種重要的鐵電陶瓷，其晶型是鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，試問：（a） 屬于什么點(diǎn)陣？（b） 這個(gè)結(jié)構(gòu)中離子的配位數(shù)為多少？（c） 這個(gè)結(jié)構(gòu)遵守鮑林規(guī)則嗎？請做討論。答：（a）屬于立方面心點(diǎn)陣（b） Ti4+配位數(shù)為6；Ba2+配位數(shù)為12；O2-配位數(shù)為6。（c） 遵守鮑林規(guī)則。石棉礦如透閃石Ca2Mg5［Si4O11］（OH）2具有纖維狀結(jié)晶習(xí)性，而滑石Mg2［Si4O10］（OH）2卻具有片狀結(jié)晶習(xí)性，試解釋為什么？答：透閃石具有雙鏈結(jié)構(gòu)，鏈內(nèi)的Si-O鍵要比鏈5的Ca-O、Mg-O鍵強(qiáng)很多，所以很容易沿鏈間結(jié)合力較弱處劈裂成為纖維狀；滑石具有復(fù)網(wǎng)層結(jié)構(gòu)，復(fù)網(wǎng)層由兩個(gè)［SiO4］層和中間的水鎂石層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，復(fù)網(wǎng)層與復(fù)網(wǎng)層之間靠微弱的分之間作用力聯(lián)系，因分子間力弱，所以易沿分子間力聯(lián)系處解理成片狀。石墨、滑石和高嶺石都具有層狀結(jié)構(gòu)，請說明他們結(jié)構(gòu)的區(qū)別及由此引起的性質(zhì)的差異。答：石墨中同層c原子進(jìn)行SP2雜化，形成大n鍵，每一層都是六邊形網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。由于間隙較大，電子可在同層中運(yùn)動(dòng)，可以導(dǎo)電，層間分子間力作用，所以石墨比較軟?；哂袕?fù)網(wǎng)層結(jié)構(gòu)，復(fù)網(wǎng)層由兩個(gè)［SiO4］層和中間的水鎂石層構(gòu)成，即2：1層；由于八面體空隙全部被Mg離子占據(jù)，因此該結(jié)構(gòu)也是三八面體型。由于復(fù)網(wǎng)層與復(fù)網(wǎng)層之間靠微弱的分之間作用力聯(lián)系，因分子間力弱，所以易沿分子間力聯(lián)系處解理成片狀。高嶺石具有單網(wǎng)層結(jié)構(gòu)，單網(wǎng)層由一個(gè)［SiO4］層和水石層構(gòu)成，即1：1層；由于八面體空隙2/3被Al離子占據(jù)，因此該結(jié)構(gòu)也是二八面體型。由于高嶺石層間只能靠物理鍵來結(jié)合，因此高嶺石也容易解理成片狀小晶體。但單網(wǎng)層平行疊放時(shí)，層間靠氫鍵來結(jié)合，由于氫鍵結(jié)合比分之間力強(qiáng)，因此，水分子不易進(jìn)入單網(wǎng)層之間，晶體不會(huì)因?yàn)樗吭黾佣蛎?。在硅酸鹽晶體中，Al3+為什么能部分置換硅氧骨架中的Si4+？該置換對硅酸鹽組成有何影響？答：（1）A13+可與O2-形成［AlO4］5-；Al3+與Si4+處于第二周期，性質(zhì)類似，易于進(jìn)入硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)中與Si4+發(fā)生同晶取代，由于鮑林規(guī)則，只能部分取代；（2）A13+置換Si4+是部分取代，A13+取代Si4+時(shí)，結(jié)構(gòu)單元［A1SiO4］［ASiO5］，失去了電中性，有過剩的負(fù)電荷，為了保持電中性，將有一些半徑較大而電荷較低的陽離子如K+、Ca2+、Ba2+進(jìn)入結(jié)構(gòu)中。第三章什么是刃位錯(cuò)、螺旋位錯(cuò)？他們的基本區(qū)別是什么？答：刃位錯(cuò)：在位錯(cuò)線附近原子失去正常有規(guī)律排列，并滑移一段距離，由此產(chǎn)生的缺陷即是。螺旋位錯(cuò)：在位錯(cuò)線附近原子失去正常有規(guī)律排列，產(chǎn)生螺旋位移，這種缺陷即是。基本區(qū)別：刃位錯(cuò)：滑移方向與位錯(cuò)線垂直，位錯(cuò)增加了半片原子面。螺旋位錯(cuò)：滑移方向與位錯(cuò)線平行。質(zhì)點(diǎn)以位錯(cuò)線為軸做螺旋狀排列。什么是肖特基缺陷、弗蘭克爾缺陷？他們屬于何種缺陷？發(fā)生缺陷時(shí)位置數(shù)各發(fā)生何種變化？答：肖特基缺陷：晶體的結(jié)構(gòu)基元，從正常的結(jié)點(diǎn)位置上位移到晶體的表面而正常位置上出現(xiàn)了空位，這種缺陷即是。位置數(shù)增殖，體積增大。弗蘭克爾缺陷：晶體結(jié)構(gòu)中的結(jié)構(gòu)基元，從正常的結(jié)點(diǎn)位置上位移到晶體的間隙位置上，而正常位置上出現(xiàn)了空位，這種缺陷即是。位置數(shù)不增殖，體積不增大。說明非化學(xué)計(jì)量化合物與無限固溶體的異同答：（1）、非化學(xué)計(jì)量化合物與無限固溶體的共同點(diǎn)：（a）都屬于晶體結(jié)構(gòu)缺陷中的點(diǎn)缺陷；（b）相組成均為均勻單相。（2）不同之處在于：（a） 形成原因不同。非化學(xué)計(jì)量化合物由氣氛性質(zhì)和壓力變化引起，而無限固溶體則由摻雜溶解而引起。（b） 形成條件不同。前者只有變價(jià)元素氧化物在氧化或還原氣氛中才能形成，而后者則需滿足離子半徑和電負(fù)性差值較小、保持電中性、結(jié)構(gòu)相同等條件才能形成。（c） 組成范圍不同。前者的組成變化范圍很小，而后者可以在整個(gè)組成范圍內(nèi)變化。TiO2-x和Fe1-xO分別為具有陰離子空位和陽離子空位的非化學(xué)計(jì)量化合物。試說明其導(dǎo)電率和密度隨氧分壓PO2變化的規(guī)律。（以缺陷方程幫助說明）答：（1）TiO2x的缺陷反應(yīng)方程為：根據(jù)質(zhì)量守恒定律可得，故其密度隨氧分壓增加而增加，而電導(dǎo)率隨氧分壓的增加而減小，與氧分壓的1/6次方成反比。（2）Fe1xO缺陷反應(yīng)方程式為：根據(jù)質(zhì)量守恒定律可得，故其密度隨氧分壓增加而下降，而電導(dǎo)率隨氧分壓的增加而增加，與氧分壓的1/6次方成正比。簡述形成置換型固溶體的條件是什么？并舉一實(shí)例。答：形成連續(xù)置換型固溶體的條件：（1） 離子尺寸因素。相互替代的兩離子尺寸應(yīng)滿足'皂昂N。（2） 晶體結(jié)構(gòu)類型相同。（3） 相互替代的兩個(gè)離子電價(jià)相同或復(fù)合替代離子電價(jià)總和相同。（4） 相互替代的兩個(gè)離子電負(fù)性相近。溫門^^日 、陸籬I|QX例如： 睡 日，固溶式為：Mg1-xNixO（x=0~1）簡述形成間隙型固溶體的條件是什么？并舉一實(shí)例。答：形成間隙型固溶體的條件：間隙型固溶體的固溶度仍然取決于離子尺寸、離子價(jià)、電負(fù)性、結(jié)構(gòu)等因素。（1） 雜質(zhì)質(zhì)點(diǎn)大小。即添加的原子愈小，易形成固溶體。（2） 晶體（基質(zhì)）結(jié)構(gòu)。但離子尺寸是與晶體結(jié)構(gòu)的關(guān)系密切相關(guān)的，在一定程度上來說，結(jié)構(gòu)中間隙的大小起了決定性的作用?；|(zhì)晶體中空隙愈大，結(jié)構(gòu)愈疏松，易形成固溶體。（3） 電價(jià)因素。保持電價(jià)平衡。說明為什么只有置換型固溶體的兩個(gè)組分之間才能相互完全溶解，而間隙型固溶體則不能。答：晶體中間隙位置是有限的，容納雜質(zhì)質(zhì)點(diǎn)能力＜10%，而且間隙式固溶體的生成，一般都使晶格常數(shù)增大，增加到一定的程度，使晶格變得不穩(wěn)定而離解；置換固溶體形成是同號離子交換位置，不會(huì)對其晶格產(chǎn)生此種影響，所以可形成連續(xù)固溶體。試分析形成固溶體后對晶體性質(zhì)的影響。答：（1）穩(wěn)定晶格，阻止晶型轉(zhuǎn)變的發(fā)生。（2） 活化晶格（3） 固溶強(qiáng)化判斷下列系統(tǒng)是否能形成固溶體，如果能，則形成什么固溶體？為什么？

(1)MgO-CaO(3)MgO-Al2O3已知：r(1)MgO-CaO(3)MgO-Al2O3已知：r =0.072nmM^2+r =0.039nmAl3+r=0.072nmZr4+(2)MgO-CoO(4)PbZrO3-PbTiO3r=0.100nmCa2+r=0.061nmTi4+r=0.070nmCo2+r=0.140nmO2-TOC\o"1-5"\h\z答：對于MgO-CaO：=2,-，皿2,=0.100-0?072=28%，此二氧化物結(jié)構(gòu)相同，電r 0.100Ca2+價(jià)相同，電負(fù)性接近，但離子半徑相關(guān)較大，＞15%，故只能形成有限置換型固溶體。對于MgO-CoO：rMg2, °,=0.072-0.070=278%，此二氧化物結(jié)構(gòu)相同，電r 0.072 .Mg2+價(jià)相同，離子半徑相差極小，電負(fù)性相差不大。故能形成連續(xù)置換型固溶體。對于MgO-Al2O3：%,-、,=0.072二0.039=4583%，此二氧化物結(jié)構(gòu)不相，r 0.072 .Mg2+半徑相差極大，電負(fù)性相差較大，因此，該二氧化物易形成化合物。對于PbZrO3-PbTiO3：；*二￡+=們072二O.061=1527%，此二氧化物結(jié)構(gòu)相同，r 0.072 *Ti4+電價(jià)相同，離子半徑相差剛大于15%，但由于該化合物構(gòu)造相對較為復(fù)雜，晶胞較大，因而對半徑的寬容度增大，故此二化合物能形成連續(xù)置換型固溶體。試比較固溶體與化合物、機(jī)械混合物的差別。答：固溶體機(jī)械混合物化合物形成原因以原子尺寸“溶解”生成粉末混合原子間相互反映生成'相數(shù)單相均勻多相單相均勻'化學(xué)計(jì)量不遵守定比定律/遵守定比定律化學(xué)組成不確定有幾種混合物就有多少化學(xué)組成確定試闡述固溶體、熱缺陷和非化學(xué)計(jì)量化合物三者的異同點(diǎn)。答：種類 固溶體 熱缺陷非化學(xué)計(jì)量物共同點(diǎn)從缺陷的角度講，三者均是點(diǎn)缺陷，是晶體結(jié)構(gòu)缺陷，都是單相均

缺陷產(chǎn)生的原因不同外來雜質(zhì)的引入，屬于非本征缺陷熱起伏，屬于本征缺陷基質(zhì)晶體與介質(zhì)中某些組分發(fā)生交換，屬于非本征缺陷缺陷產(chǎn)生的機(jī)理及表現(xiàn)形式不同缺陷發(fā)生在基質(zhì)組元與外加組元之間。表現(xiàn)形式為外加組元占據(jù)基質(zhì)組元質(zhì)點(diǎn)或間隙的位置缺陷發(fā)生于基質(zhì)晶體自身質(zhì)點(diǎn)的遷移。表現(xiàn)形式為產(chǎn)生空穴或間隙質(zhì)點(diǎn)在形式上，可看作為缺陷發(fā)生于同種離子不同價(jià)態(tài)間的相互置換決定缺陷濃度的因素不同主要取決于雜質(zhì)的濃度主要與溫度有關(guān)主要與溫度、氣氛、壓力有關(guān)勻的固體，結(jié)構(gòu)同主晶相。不同點(diǎn)20.試寫出以下缺陷方程，每組寫二個(gè)合理的方程，并判斷可能成立的方程是那20.一種？再寫出每組方程的固溶式。答：21.（1）（2）（3）（1）A1A1O—MgO>NiO—Fe2O答：21.（1）（2）（3）（1）A1A1O—MgO>NiO—Fe2O3>CaF―yf^2Mgo>2Al.+V"+3OoMgMg固溶式為Al2xMgi_3xOA1O Mgo>2Al.+O”+2O2 3 MgiO前者可能。固溶式為Al2xMgi2xOi+x（2）NiO—Fe2O3>2NiO Fe2o3>2Ni+V..+2OFeOO3NiOYeO>2Ni+Ni..+3OFeiO前者可能。（3）CaF―yf^Ca'+V.+2F2 YFF固溶式為Ni2xFe22x°3x固溶式為CaxYi-xF3x3CaFyf3>2CaY+Ca.+6F「后者可能。試寫出以下缺陷方程，每組寫二個(gè)合理的方程，并判斷可能成立的方程是那一種？再寫出每組方程的固溶式。（1）UOy2o3>2（2）A1O—TiO>>(3)MgO—人i2o3>答：(1)3UO—矽t3U.+V'、'+6O固溶式為UYO2 YYO 3x2-4x2UO2y2o3>2氣+O"+3Oo 固溶式為U2Y22O3前者可能。固溶式為Al2xTi12xO2x固溶式為Al4xTii-3xO2固溶式為Mg2xAl22xO3x固溶式為Mg'x固溶式為Al2xTi12xO2x固溶式為Al4xTii-3xO2固溶式為Mg2xAl22xO3x固溶式為Mg'xALq23 TiOO2A1O to2>3Al'+Al...+6O23 Tii O前者可能。(3)2MgOai2o3>2Mg'+V..+2OAlOO3MgOai2o3>2Mg'+Mg..+3OAl iO前者可能。22.試寫出少量MgO摻雜到A12O3中和少量YF3摻雜到CaF2中的缺陷反應(yīng)方程與對應(yīng)的固溶式。答：A、YF曾>Y.+F+2FB、2YFcaF2>2Y.+v''+6F3 CaCaFA可能性較大。因螢石晶體中存較多的八面體空隙，F(xiàn)-離子半徑較小，形成填隙型固溶體比較穩(wěn)定。第四章簡述硅酸鹽熔體結(jié)構(gòu)的聚合物理論。答：硅酸鹽熔體中聚合物的形成過程大致可分為三個(gè)階段。初期：主要是石英顆粒的分化;中期：縮聚反應(yīng)并伴隨聚合物的變形；后期：在一定溫度（高溫）和一定時(shí)間（足夠長）下達(dá)到聚合。分化平衡。產(chǎn)物中有低聚物、高聚物、三維碎片、游離堿、吸附物，最后得到的熔體是不同聚合程度的各種聚合體的混合物，構(gòu)成硅酸鹽熔體結(jié)構(gòu)。聚合物的種類、大小和數(shù)量隨熔體組成和溫度而變化。簡述玻璃的通性。答：（A）各向同性，（B）介穩(wěn)性，（C）熔融態(tài)向玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化的可逆與漸變性，（D）熔融態(tài)向玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化時(shí)物理、化學(xué)性能隨溫度變化的連續(xù)性簡述玻璃形成的結(jié)晶化學(xué)條件。答：（1）聚合陰離子團(tuán)大小與排列方式；（2）鍵強(qiáng):根據(jù)各氧化物的單鍵強(qiáng)（化合物的分解能以該種化合物的配位數(shù)除只得的商值）大小可將氧化物分為玻璃形成體（＞335kJ/mol）,玻璃網(wǎng)絡(luò)變性體（＜250kJ/mol）,玻璃中間體（250—335kJ/mol）。（3）鍵型：形成玻璃必須具有極性共價(jià)鍵或金屬共價(jià)鍵。試從結(jié)構(gòu)上比較硅酸鹽晶體和硅酸鹽玻璃的區(qū)別答：硅酸鹽玻璃在結(jié)構(gòu)上與相應(yīng)的硅酸鹽晶體有顯著的區(qū)別：（1） 在晶體中，［SiO4］按一定的對稱規(guī)律排列；在玻璃中則是無序的。（2） 在晶體中，骨架外的M+或M2+金屬陽離子占據(jù)了點(diǎn)陣的固定位置；在玻璃中則是統(tǒng)計(jì)均勻地分布在骨架的空腔內(nèi)，并起著平衡非橋氧負(fù)電荷的作用。（3） 在晶體中，只有當(dāng)骨架外的陽離子半徑相近時(shí)，才能發(fā)生同晶置換；在玻璃中則不論半徑如何，只要遵守靜電價(jià)規(guī)則，骨架外陽離子均能發(fā)生相互置換。（4） 在晶體中（除固溶體外），氧化物之間有固定的化學(xué)計(jì)量；在玻璃中氧化物可以非化學(xué)計(jì)量的任意比例混合。試從結(jié)構(gòu)上比較硅酸鹽晶體和硅酸鹽玻璃的異同點(diǎn)。答：（1）共同點(diǎn)：硅酸鹽玻璃和硅酸鹽晶體隨O/Si比由2增加到4,從結(jié)構(gòu)上均由三維網(wǎng)絡(luò)骨架而變?yōu)楣聧u狀四面體。無論是結(jié)晶態(tài)還是玻璃態(tài)，四面體中的Si4+都可以被半徑相近的離子置換而不破壞骨架。除Si4+和O2-以外的其它離子相互位置也有一定的配位原則。（2）不同點(diǎn)：A、在晶體中，硅氧骨架按一定的對稱規(guī)律排列；在玻璃中則是無序的。B、晶體中，骨架外的金屬陽離子（一價(jià)或二價(jià)）占據(jù)了點(diǎn)陣的固定位置；在玻璃中，它們統(tǒng)計(jì)均勻地分布在骨架的空腔內(nèi)，并起著平衡氧負(fù)電荷的作用。C、在晶體中，只有當(dāng)骨架外陽離子半徑相近時(shí)，才能發(fā)生同晶置換；在玻璃中則不論半徑如何，只要遵守靜電價(jià)規(guī)則，骨架外陽離子均能發(fā)生互相置換。D、在晶體中（除固溶體外），氧化物之間有固定的化學(xué)計(jì)量；在玻璃中氧化物可以非化學(xué)講師的任意比例混合。簡述玻璃結(jié)構(gòu)的晶子學(xué)說及其優(yōu)缺點(diǎn)。答：微晶學(xué)說：玻璃結(jié)構(gòu)是一種不連續(xù)的原子集合體，即無她晶子”分散在無定形介質(zhì)中；“晶子”的化學(xué)性質(zhì)和數(shù)量取決于玻璃的化學(xué)組成，可以是獨(dú)立原子團(tuán)或一定組成的化合物和固溶體等微晶多相體，與該玻璃物系的相平衡有關(guān)；“晶子”不同于一般微晶，而是帶有晶格極度變形的微小有序區(qū)域，在“晶子”中心質(zhì)點(diǎn)排列較有規(guī)律，愈遠(yuǎn)離中心則變形程度愈大；從“晶子”部分到無定形部分的過渡是逐步完成的，兩者之間無明顯界限。微晶學(xué)說強(qiáng)調(diào)了玻璃結(jié)構(gòu)的不均勻性、不連續(xù)性及有序性等方面特征，成功地解釋了玻璃折射率在加熱過程中的突變現(xiàn)象。簡述玻璃結(jié)構(gòu)的無規(guī)則網(wǎng)絡(luò)學(xué)說及其優(yōu)缺點(diǎn)。答：玻璃的結(jié)構(gòu)與相應(yīng)的晶體結(jié)構(gòu)相似，同樣形成連續(xù)的三維空間網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。但玻璃的網(wǎng)絡(luò)與晶體的網(wǎng)絡(luò)不同，玻璃的網(wǎng)絡(luò)是不規(guī)則的、非周期性的，因此玻璃的內(nèi)能比晶體的內(nèi)能要大。由于玻璃的強(qiáng)度與晶體的強(qiáng)度屬于同一個(gè)數(shù)量級，玻璃的內(nèi)能與相應(yīng)晶體的內(nèi)能相差并不多，因此它們的結(jié)構(gòu)單元（四面體或三角體）應(yīng)是相同的，不同之處在與排列的周期性。網(wǎng)絡(luò)學(xué)說強(qiáng)調(diào)了玻璃中離子與多面體相互間排列的均勻性、連續(xù)性及無序性等方面結(jié)構(gòu)特征。簡述硼酸鹽玻璃由于Na2O加入量的變化出現(xiàn)的硼反?，F(xiàn)象。答：當(dāng)數(shù)量不多的堿金屬氧化物同B2O3一起熔融時(shí)，堿金屬所提供的氧不像熔融SiO2玻璃中作為非橋氧出現(xiàn)在結(jié)構(gòu)中，而是使硼氧三角體轉(zhuǎn)變?yōu)橛蓸蜓踅M成的硼氧四面體，致使B2O3玻璃從原來兩度空間的層狀結(jié)構(gòu)部分轉(zhuǎn)變?yōu)槿瓤臻g的架狀結(jié)構(gòu)，從而加強(qiáng)了網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，并使玻璃的各種物理性能變好。這與相同條件下的硅酸鹽玻璃相比，其性能隨堿金屬或堿土金屬加入量的變化規(guī)律相反，所以稱之為硼反?，F(xiàn)象。試以晶體、玻璃兩種不同狀態(tài)為例，說明無機(jī)材料組成、結(jié)構(gòu)和性能之間的聯(lián)系。答：化合物晶體中原子具有固定的比例，質(zhì)點(diǎn)的排列具有周期性，因此，晶體具有對稱性、自范性、各向異性、最小內(nèi)能性、結(jié)晶均一性等性質(zhì)。因此，晶體具有固定的熔點(diǎn)。而玻璃則因其原子間比例可在一定范圍內(nèi)連續(xù)變化，其中質(zhì)點(diǎn)的排列具有近程有序而遠(yuǎn)程無序的特征，以硅酸鹽玻璃為例，其中的陰離子團(tuán)的聚合度大小不等，因此，玻璃因其宏觀統(tǒng)計(jì)性的均勻，導(dǎo)致了其具有各向同性的性質(zhì)，因其陰離子團(tuán)的聚合度大小不等，故當(dāng)其受熱時(shí)，由于不同聚合度的陰離子團(tuán)受熱后能產(chǎn)生相對移動(dòng)的溫度不同，因此，導(dǎo)致了其無固定熔點(diǎn)，而只能先軟化逐步達(dá)到熔融狀態(tài)。此外，晶體中若的離子相互取代，必須滿足一定的條件，如：離子尺寸不能相差太大，取代離子與其它離子間亦呈某種配位關(guān)系，導(dǎo)致了其某些性質(zhì)的變化，如陽離子交換吸附性能等。而玻璃不然，其中的雜質(zhì)離子只要符合電價(jià)平衡關(guān)系即可，對于性質(zhì)的影響也連續(xù)變化的，等等。試述石英晶體、石英熔體、Na2O?2SiO2熔體三者在結(jié)構(gòu)和性質(zhì)上的區(qū)別。答：區(qū)別石英晶體石英熔體NaO?2SiO 2 2 結(jié)構(gòu)［SiO］按共頂方式對稱有4規(guī)律有序排列，遠(yuǎn)程有序基本結(jié)構(gòu)單元［SiO］呈4架狀結(jié)構(gòu)，遠(yuǎn)程無序基本結(jié)構(gòu)單元［Si6Oi8］12-呈六節(jié)環(huán)或八節(jié)環(huán)，遠(yuǎn)程無序性質(zhì)固體無流動(dòng)性，熔點(diǎn)高，硬度大，導(dǎo)電性差，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，化學(xué)穩(wěn)定性好有流動(dòng)性，n大，電導(dǎo)率大，表面張力大有流動(dòng)性，n較石英熔體小，電導(dǎo)率大，表面張力大第五章何為表面張力和表面能？在固態(tài)和液態(tài)這兩者有何區(qū)別？答：表面張力：垂直作用在單位長度線段上的表面緊縮力或?qū)⑽矬w表面增大一個(gè)單位所需作的功；。力/總長度N/m表面能：恒溫、恒壓、恒組成情況下，可逆地增加物系表面積須對物質(zhì)所做的非體積功稱為表面能；J/m2=N/m液體：不能承受剪應(yīng)力，外力所做的功表現(xiàn)為表面積的擴(kuò)展，因?yàn)楸砻鎻埩εc表面能數(shù)量是相同的；固體：能承受剪切應(yīng)力，外力的作用表現(xiàn)為表面積的增加和部分的塑性形變，表面張力與表面能不等。試說明晶界能總小于兩個(gè)相鄰晶粒的表面能之和的原因。答：結(jié)構(gòu)相同而取向不同的晶體相互接觸，其接觸界面稱晶界。若相鄰晶粒的原子彼此無作用，那么，每單位面積晶界能將等于兩晶粒表面能之和。但實(shí)際上，兩個(gè)相鄰晶粒的表面層上的原子間存在相互作用，且很強(qiáng)，兩者都力圖使晶界上質(zhì)點(diǎn)排列符合于自己的取向，所以晶界上原子形成某種過渡的排列方式，與晶格內(nèi)卻不同，晶界上原子排列疏松，處于

應(yīng)力畸變狀態(tài)，晶界上原子比晶界內(nèi)部相同原子有較高的能量，這種作用部分抵消了表面質(zhì)點(diǎn)的剩余的鍵力。因此晶界結(jié)構(gòu)和表面結(jié)構(gòu)不同導(dǎo)致了晶界能總小于兩個(gè)相鄰晶粒的表面能之和。第六章純物質(zhì)在任意指定溫度下，固、液、氣三相可以平衡共存，請用相律說明這個(gè)結(jié)論是否正確？請舉例說明。答：這個(gè)結(jié)論不正確。因?yàn)椋?、液、氣三相平衡時(shí)，相律為：F=C-P+2,其中，C=1，P=3,則F=0，即自由度為0溫度和壓力均不可以變化。這時(shí)不能夠指定溫度。例如：水在0度時(shí)是三相共存，溫度一變固、液、氣三相就不平衡了。所以溫度不能任意指定溫度。第七章TOC\o"1-5"\h\z簡述擴(kuò)散的微觀機(jī)制。 -答：（1）易位擴(kuò)散機(jī)制，即原子的擴(kuò)散是通過相鄰原子直接對調(diào)位置而進(jìn)行的。 \（2）間隙擴(kuò)散機(jī)制，即指原子通過晶體間隙位置進(jìn)行擴(kuò)散的方式，該機(jī)制適 \用于間隙型固溶體中間隙原子的擴(kuò)散。間隙機(jī)構(gòu)引起晶格變形大，只有間隙數(shù)\原子與晶格位置上的原子尺寸相比較是很小時(shí)，才會(huì)發(fā)生。 散V（3） 空位擴(kuò)散機(jī)制，即指晶格中由于本征熱缺陷或雜質(zhì)離子不等價(jià)取代而存擴(kuò)在空位，空位與周圍原子交換位置，這種空位與原子做相反方向的潛意識金屬或離子化合物中原子主要擴(kuò)散方式。 NaCl晶體中摻雜微量CaCl2時(shí)，Na+的擴(kuò)散系數(shù)D與溫度T的關(guān)系如圖，試分析圖中曲線出現(xiàn)兩段不同斜率直線（即圖中曲線有一轉(zhuǎn)折點(diǎn)A）的原因。若提高NaCl的純度，圖中曲線的轉(zhuǎn)折點(diǎn)將如何變化？答：低溫時(shí)為不等價(jià)置換產(chǎn)生的空位引起的非本征擴(kuò)散，高溫為熱缺陷為主的本征擴(kuò)散，兩者的活化能不同，從而出現(xiàn)轉(zhuǎn)折。提高NaCl的純度，圖中曲線的轉(zhuǎn)折點(diǎn)將向低溫方向移動(dòng)。說明影響擴(kuò)散系數(shù)的因素？答：化學(xué)鍵：共價(jià)鍵方向性限制不利間隙擴(kuò)散，空位擴(kuò)散為主。金屬鍵離子鍵以空位擴(kuò)散為主，間隙離子較小時(shí)以間隙擴(kuò)散為主。缺陷：缺陷部位會(huì)成為質(zhì)點(diǎn)擴(kuò)散的快速通道，有利擴(kuò)散。溫度：D=D0exp（-Q/RT）Q不變，溫度升高擴(kuò)散系數(shù)增大有利擴(kuò)散。Q越大溫度變化對擴(kuò)散系數(shù)越敏感。雜質(zhì)：雜質(zhì)與介質(zhì)形成化合物降低擴(kuò)散速度；雜質(zhì)與空位締合有利擴(kuò)散；雜質(zhì)含量大本征擴(kuò)散和非本征擴(kuò)散的溫度轉(zhuǎn)折點(diǎn)升高。擴(kuò)散物質(zhì)的性質(zhì)：擴(kuò)散質(zhì)點(diǎn)和介質(zhì)的性質(zhì)差異大利于擴(kuò)散擴(kuò)散介質(zhì)的結(jié)構(gòu)：結(jié)構(gòu)緊密不利擴(kuò)散。試分析離子晶體中，陰離子擴(kuò)散系數(shù)-般都小于陽離子擴(kuò)散系數(shù)的原因。答：離子晶體一般為陰離子作密堆積，陽離子填充在四面體或八面體空隙中。所以陽離子較易擴(kuò)散。如果陰離子進(jìn)行擴(kuò)散，則要改變晶體堆積方式，阻力大。從而就會(huì)拆散離子晶

體的結(jié)構(gòu)骨架。試從結(jié)構(gòu)和能量的觀點(diǎn)解釋為什么D表面少晶面>D晶內(nèi)。答：固體表面質(zhì)點(diǎn)在表面力作用下，導(dǎo)致表面質(zhì)點(diǎn)的極化、變形、重排并引起原來的晶格畸變，表面結(jié)構(gòu)不同于內(nèi)部，并使表面處于較高的能量狀態(tài)。晶體的內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)排列有周期性，每個(gè)質(zhì)點(diǎn)力場是對稱的，質(zhì)點(diǎn)在表面遷移所需活化能較晶體內(nèi)部小，則相應(yīng)的擴(kuò)散系數(shù)大。同理，晶界上質(zhì)點(diǎn)排列方式不同于內(nèi)部，排列混亂，存在著空位、位錯(cuò)等缺陷，使之處于應(yīng)力畸變狀態(tài)，具有較高能量，質(zhì)點(diǎn)在晶界遷移所需的活化能較晶內(nèi)小，擴(kuò)散系數(shù)大。但晶界上質(zhì)點(diǎn)與晶體內(nèi)部相比，由于晶界上質(zhì)點(diǎn)受兩個(gè)晶粒作用達(dá)到平衡態(tài)，處于某種過渡的排列方式，其能量較晶體表面質(zhì)點(diǎn)低，質(zhì)點(diǎn)遷移阻力較大因而D晶界<D表面。濃度差會(huì)引起擴(kuò)散，擴(kuò)散是否總是從高濃度處向低濃度處進(jìn)行，為什么？答：擴(kuò)散的基本推動(dòng)力是化學(xué)位梯度，只不過在一般情況下以濃度梯度的方式表現(xiàn)出來；擴(kuò)散是從高化學(xué)位處流向低化學(xué)位處，最終系統(tǒng)各處的化學(xué)位相等。如果低濃度處化學(xué)勢高，則可進(jìn)行負(fù)擴(kuò)散，如玻璃的分相過程。第八章推導(dǎo)并簡述相變過程的溫度條件。答：相變推動(dòng)力為過冷度（過熱度）的函數(shù)，相平衡理論溫度與系統(tǒng)實(shí)際溫度之差即為相變過程的推動(dòng)力。AG=AH-TAH/T0=AHTO-T/TO=AH.AT/TO式中：T0--相變平衡溫度，AH--相變熱，T--任意溫度。自發(fā)反應(yīng)時(shí)：AG<0,即AH.AT/T0<0相變放熱（凝聚，結(jié)晶）：AH<0則須：AT>0，T0>T，過冷，即實(shí)際溫度比理論溫度要低，相變才能自發(fā)進(jìn)行。相變吸熱（蒸發(fā)，熔融）：AH>0，AT<0，T0<T，過熱。即實(shí)際溫度比理論溫度要高，相變才能自發(fā)進(jìn)行。試證明均相成核臨界狀態(tài)下，新相界面能yls與單位體積中舊相和新相之間的自由能差A(yù)Gv有如下關(guān)系：r*=-2ylsZAGv（晶胚為球形，r*為晶胚的臨界半徑）。答：單位體積中半徑為r的晶胚數(shù)為n，則A（7二 ?可? + .沖Idr= ■3尸?習(xí). +Sjzt."=0得臨界半徑：r*=-2y/AGv簡述影響結(jié)晶速率的因素。答：（1）界面情況。一般而言，玻璃表面比內(nèi)部容易析晶；表面成核能力還與周圍氣氛有關(guān)。（2） 熔體結(jié)構(gòu)。如果晶體的熔解熵小，則可認(rèn)為晶體和熔體的結(jié)構(gòu)十分相似，晶體容易從該熔體中生長出來。（3） 非化學(xué)計(jì)量。如果熔體和析出的晶體組成不同，則界面附近的熔體組成將不同于主熔體，組成不同會(huì)減少這些成分構(gòu)成晶體的有效性，因而減小生長速率。⑷外加劑。微量外加劑或雜質(zhì)會(huì)促進(jìn)晶體的生長。馬氏體相變具有什么基本特征？它和成核生長機(jī)理有何區(qū)別？答：1、馬氏體相變有以下特征：（1）相變體和母體之間的界面保持既不扭曲變形也不旋轉(zhuǎn)。這種界面稱習(xí)性平面，其結(jié)晶學(xué)方向不變。（2）無擴(kuò)散位移式相變。（3）相變速度高，有時(shí)可高達(dá)聲速。（4）相變不是在特定的溫度，而是在一個(gè)溫度范圍內(nèi)進(jìn)行。成核生長的新相與母相有完全不同的晶格結(jié)構(gòu)，新相是在特定的相變溫度下產(chǎn)生的，相變具有核化與晶化位壘。簡述過冷度對晶核形成速率和晶體生長速率及析晶過程的影響。答：過冷度對于液一固相變過程的成核和晶體生長的影響較大。首先，過冷度是液一固相變的推動(dòng)力，當(dāng)體系處于過冷狀態(tài)時(shí)，核胚才能形成穩(wěn)定的晶核。隨著過冷度的增加，晶核形成的推動(dòng)力增加，因此，晶核形成的速率加快。但若過冷度過大，則會(huì)導(dǎo)致體系內(nèi)質(zhì)點(diǎn)擴(kuò)散速率減慢，從而導(dǎo)致晶核形成速率降低。因此，當(dāng)過冷度適當(dāng)時(shí)，才可能使成核速率達(dá)到最大。對于晶體生長速度而言，存在著與成核過程類似的影響，但晶核形成后，晶體生長的速度主要取決于質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散速率，因此，對應(yīng)于晶體生長速率最大的過冷度要比成核速率最大時(shí)過冷度低。對于總的結(jié)晶速率而言，只有當(dāng)成核速率和晶體生長速度均較大時(shí)，其總結(jié)晶速率才能達(dá)到最大。當(dāng)過冷度較低時(shí)，可能出現(xiàn)的情況是：晶體生長速率較大，而成核速率較小，此時(shí)，晶體晶粒大，但不多；當(dāng)過冷度較大時(shí)，晶體生長速度下降，而成核速度增加，此時(shí)，晶核多但晶粒小。何謂均勻成核?何謂不均勻成核？晶核劑對熔體結(jié)晶過程的臨界晶核半徑r有何影響？答：均勻成核一一在均勻介質(zhì)中進(jìn)行，在整體介質(zhì)中的核化可能性相同，與界面，缺陷無關(guān)。非均勻成核一一在異相界面上進(jìn)行，如容器壁，氣泡界面或附著于外加物（雜質(zhì)或晶核劑）。r*=弋戶晶核劑降低上，因此r“下降第九章48.若由MgO和A12O3球形顆粒之間的反應(yīng)生成MgAl2O4是通過產(chǎn)物層的擴(kuò)散進(jìn)行的。（1）試畫出其反應(yīng)的幾何圖形并根據(jù)拋物線方程推導(dǎo)出反應(yīng)初期的速度方程。

(2)若在1300°C時(shí)、「叼畔，O2-基本不動(dòng)，那么哪一種離子的擴(kuò)散控制著MgAl2O4的生成？為什么？答：(1)條件：a、反應(yīng)物是半徑為R。的等徑球粒B,x為產(chǎn)物層厚度b、 反應(yīng)物A是擴(kuò)散相，即A總是包圍著B的顆粒，且A,B同產(chǎn)物C是完全接觸的，反應(yīng)自球表面向中心進(jìn)行c、 A在產(chǎn)物層中的濃度梯度是線性的，且擴(kuò)散截面積一定。1-11-叩二%二心 \以皿- 一站(2)整個(gè)反應(yīng)過程中速度最慢的一步控制產(chǎn)物生成D小的控制產(chǎn)物生成，即DMg2+小，Mg2+擴(kuò)散慢，整個(gè)反應(yīng)由Mg2+的擴(kuò)散慢，整個(gè)反應(yīng)由Mg2+的擴(kuò)散控制。試比較楊德爾方程和金斯特林格方程的優(yōu)缺點(diǎn)及其適用條件。答：楊德爾方程在反應(yīng)初期具有很好的適應(yīng)性，但楊氏模型中假設(shè)球形顆粒反應(yīng)截面積始終不變，因而只適用反應(yīng)初期轉(zhuǎn)化率較低的情況。而金氏模型中考慮在反應(yīng)進(jìn)程中反應(yīng)截面積隨反應(yīng)進(jìn)程變化這一事實(shí)，因而金氏方程適用范圍更廣，可以適合反應(yīng)初、中期。兩個(gè)方程都只適用于穩(wěn)定擴(kuò)散的情況。簡述影響固相反應(yīng)的因素？答：(1)、反應(yīng)物化學(xué)組成和結(jié)構(gòu)：直接決定反應(yīng)方向和反應(yīng)速度，即決定反應(yīng)推動(dòng)力的大小。結(jié)構(gòu)中缺陷多，晶格能小反應(yīng)速率加快。反應(yīng)物粒度和分布：粒度小，反應(yīng)接觸面大，反應(yīng)截面大，導(dǎo)致反應(yīng)速率加快；粒度小，表面效應(yīng)大，弱鍵多，缺陷多，反應(yīng)和擴(kuò)散能力增強(qiáng)。粒度小且均勻，有利于反應(yīng)的快速進(jìn)行完全。粒度的變化會(huì)引起反應(yīng)機(jī)理的變化，即控制過程會(huì)發(fā)生改變。反應(yīng)溫度和壓力、氣氛：溫度高，反應(yīng)加速。體現(xiàn)在化學(xué)反應(yīng)速率常數(shù)增大，原因是擴(kuò)散速率增大和活化質(zhì)點(diǎn)增多。溫度對化學(xué)反應(yīng)的影響大于對擴(kuò)散的影響；對純固相反應(yīng)，壓力大，改善顆粒接觸情況，對反應(yīng)有利。對和氣相參與的反應(yīng)，可能起消極作用。氣氛對非化學(xué)計(jì)量化學(xué)物參與的固相反應(yīng)及缺陷的濃度、擴(kuò)散機(jī)構(gòu)均有影響。礦化劑及其它因素：礦化劑可影響晶核的生成速率、結(jié)晶速率及晶格結(jié)構(gòu)、降低體系共熔點(diǎn)、改善液相性質(zhì)等，可加速反應(yīng)。其它如升溫速率亦會(huì)對反應(yīng)有影響。如果要合成鎂鋁尖晶石(MgAl2O4)，可提供選擇的原料為MgCO3、Mg(OH)2、MgO、Al2O3?3H2O、y-Al2O3、a-Al2O3。從提高反應(yīng)速率的角度出發(fā)，選擇什么原料較好，為什么？答：選擇MgCO3或Mg(OH)2及Al2O3?3H2O較好。其活性較高。這些原料在反應(yīng)中進(jìn)行熱分解和脫水，獲得具有較大比表面和晶格缺陷的初生態(tài)或無定形物質(zhì)從而提高了反應(yīng)活性，加劇了固相反應(yīng)的進(jìn)行。第十章談?wù)劮垠w粒度對材料燒結(jié)的影響。（1） 、粉體粒度越細(xì)，表面能越大，燒結(jié)的驅(qū)動(dòng)力越大，有利于燒結(jié)。（2） 、粒度越細(xì)，縮短了原子擴(kuò)散距離和提高顆粒在液相中的溶解度，可降低燒結(jié)溫度，燒結(jié)加速。（3） 、粒度均勻，可有效防止二次再結(jié)晶，不會(huì)導(dǎo)致少量晶粒異常生長。（4） 、粒度不同，燒結(jié)機(jī)理可發(fā)生變化。細(xì)顆粒以晶界擴(kuò)散或表面擴(kuò)散機(jī)理進(jìn)行燒結(jié)；粗顆粒則主要是按體積擴(kuò)散機(jī)理進(jìn)行燒結(jié)。詳細(xì)說明外加劑對燒結(jié)的影響？答：1）外加劑與燒結(jié)主體形成固溶體使主晶格畸變，缺陷增加，有利結(jié)構(gòu)基元移動(dòng)而促進(jìn)燒結(jié)。2）外加劑與燒結(jié)主體形成液相，促進(jìn)燒結(jié)。3）外加劑與燒結(jié)主體形成化合物，促進(jìn)燒結(jié)。4）外加劑阻止多晶轉(zhuǎn)變，促進(jìn)燒結(jié)。5）外加劑起擴(kuò)大燒結(jié)范圍的作用。試分析粉料粒度、燒結(jié)溫度及外力膀網(wǎng)燒結(jié)過程的影響。答：1）粉末的粒度。細(xì)顆粒增加了燒結(jié)推動(dòng)力，縮短原子擴(kuò)散距離，提高顆粒在液相中的溶解度，從而導(dǎo)致燒結(jié)過程的加速。2） 外加劑的作用。在固相燒結(jié)中，有少量外加劑可與主晶相形成固溶體，促進(jìn)缺陷增加，在液相燒結(jié)中，外加劑改變液相的性質(zhì)（如粘度，組成等），促進(jìn)燒結(jié)。3） 燒結(jié)溫度：晶體中晶格能越大，離子結(jié)合也越牢固，離子擴(kuò)散也越困難，燒結(jié)溫度越高。說明影響燒結(jié)的因素？答：（1）、燒結(jié)溫度、時(shí)間、物料粒度：燒結(jié)溫度是影響燒結(jié)的重要因素，溫度越高，物料蒸汽壓越大，擴(kuò)散系數(shù)越大，液相粘度越小，均導(dǎo)致燒結(jié)加速；延長燒結(jié)時(shí)間，一般可促進(jìn)燒結(jié)，但在燒結(jié)后期，不合理地延長燒結(jié)時(shí)間，有時(shí)會(huì)加劇二次再結(jié)晶作用，起反作用;粒度越小，表面效應(yīng)越大，總表面能越大，有利于燒結(jié)。⑵物料活性：物料的晶格能越大，越穩(wěn)定，活性越低，越難燒結(jié)。應(yīng)用機(jī)械力粉碎方法，提高物料粒度，是提高物料活性的途徑之一，但此法提高有限，且機(jī)械活化須耗費(fèi)較多的能量。通過合理選擇燒結(jié)物料的原料，應(yīng)用化學(xué)方法，將其適當(dāng)處理，可增加物料晶格缺陷，提高燒結(jié)活性，降低燒結(jié)活化能，加速燒結(jié)。（3） 燒結(jié)助劑：選擇合適的燒結(jié)助劑，能促進(jìn)燒結(jié)。燒結(jié)助劑的作用可分為以下幾個(gè)方面：一是與燒結(jié)物形成固溶體，使晶格發(fā)生畸變而得到活化，促進(jìn)燒結(jié)；二是阻止晶型轉(zhuǎn)變，以減少燒結(jié)過程中出現(xiàn)的因晶型轉(zhuǎn)變發(fā)生的體積變化而導(dǎo)致坯體開裂；三是抑制晶粒長大，燒結(jié)助劑可與燒結(jié)物反應(yīng)，產(chǎn)物分布于晶界上，抑制晶體的異常長大；四是可降低液相出現(xiàn)溫度，提高液相量，一般會(huì)促進(jìn)燒結(jié)，但可能會(huì)降低燒結(jié)體的某些性能。（4） 氣氛：氣氛對燒結(jié)體致密化過程有以下兩方面的影響，一是物理作用，即燒結(jié)體內(nèi)氣體的排出難易程度，與氣孔中的氣體的性質(zhì)有關(guān)，氣體的分子（或原子）越小，越排出，反之，則不易排出；二是氣體介質(zhì)中的某些氣體與燒結(jié)物中某些組分（如：其中含有變價(jià)元素）發(fā)生化學(xué)作用，將影響燒結(jié)體缺陷的濃度，斷而影響燒結(jié)。氣氛對燒結(jié)的影響較為復(fù)雜，與燒結(jié)過程的擴(kuò)散機(jī)制有關(guān)。（5） 壓力：分生坯成型壓力和燒結(jié)時(shí)的外加壓力兩種。壓力增大，加速燒結(jié)。在擴(kuò)散傳質(zhì)的燒結(jié)過程中，使坯體致密的推動(dòng)力是什么？哪些方法可促進(jìn)燒結(jié)？說明原因。答：在擴(kuò)散傳質(zhì)的燒結(jié)過程中，系統(tǒng)內(nèi)不同部位（頸部、顆粒