標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 41751-2022 氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑測試方法》是一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn),規(guī)定了氮化鎵(GaN)單晶襯底片表面晶面曲率半徑的測量方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于通過不同生長技術(shù)制備的氮化鎵單晶材料,旨在提供一種統(tǒng)一、準(zhǔn)確的方法來測定其晶面彎曲程度。
在本標(biāo)準(zhǔn)中,首先明確了術(shù)語和定義,確保對“曲率半徑”、“襯底片”等關(guān)鍵概念有共同的理解基礎(chǔ)。接著詳細(xì)描述了測試原理:基于光學(xué)干涉或衍射效應(yīng),利用特定儀器如原子力顯微鏡(AFM)、X射線衍射(XRD)等工具進(jìn)行非接觸式測量,從而獲得樣品表面形貌信息,并據(jù)此計算出曲率半徑值。
對于實(shí)際操作流程,標(biāo)準(zhǔn)給出了詳細(xì)的步驟指導(dǎo),包括但不限于樣品準(zhǔn)備、儀器校準(zhǔn)、數(shù)據(jù)采集及處理等方面的要求。其中特別強(qiáng)調(diào)了實(shí)驗(yàn)條件控制的重要性,比如溫度、濕度等因素可能會影響測量結(jié)果的準(zhǔn)確性,因此需要嚴(yán)格遵守相關(guān)規(guī)范以保證測試的一致性和可靠性。
此外,《GB/T 41751-2022》還提供了質(zhì)量控制與驗(yàn)證指南,建議定期使用已知參數(shù)的標(biāo)準(zhǔn)樣品來進(jìn)行系統(tǒng)性能檢查;同時,也提出了關(guān)于不確定度分析的具體要求,幫助使用者更好地理解并報告測量結(jié)果中的潛在誤差范圍。
最后,該文件列出了報告格式示例,要求最終提交的技術(shù)文檔應(yīng)包含所有必要的實(shí)驗(yàn)細(xì)節(jié)以及完整的數(shù)據(jù)分析過程,以便第三方能夠復(fù)現(xiàn)整個實(shí)驗(yàn)過程并對結(jié)論進(jìn)行獨(dú)立評估。
如需獲取更多詳盡信息,請直接參考下方經(jīng)官方授權(quán)發(fā)布的權(quán)威標(biāo)準(zhǔn)文檔。
....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2022-10-12 頒布
- 2023-02-01 實(shí)施
文檔簡介
ICS77040
CCSH.21
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T41751—2022
氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑測試方法
TestmethodforradiusofcurvatureofcrystalplaneinGaNsingle
crystalsubstratewafers
2022-10-12發(fā)布2023-02-01實(shí)施
國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布
國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
GB/T41751—2022
前言
本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任
。。
本文件由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會與全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)
(SAC/TC203)
化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會共同提出并歸口
(SAC/TC203/SC2)。
本文件起草單位中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所蘇州納維科技有限公司中國電子
:、、
科技集團(tuán)公司第四十六研究所哈爾濱奧瑞德光電技術(shù)有限公司廈門柯譽(yù)爾科技有限公司山西華晶
、、、
恒基新材料有限公司福建兆元光電有限公司
、。
本文件主要起草人邱永鑫徐科王建峰任國強(qiáng)李騰坤左洪波鄭樹楠劉立娜楊鑫宏
:、、、、、、、、、
鄺光寧丁崇燈陳友勇
、、。
Ⅰ
GB/T41751—2022
氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑測試方法
1范圍
本文件規(guī)定了利用高分辨射線衍射儀測試氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑的方法
X。
本文件適用于化學(xué)氣相沉積及其他方法制備的氮化鎵單晶襯底片晶面曲率半徑的測試氮化鎵外
,
延片晶面曲率半徑的測試可參照本文件進(jìn)行
。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文
。,
件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于
,;,()
本文件
。
半導(dǎo)體材料術(shù)語
GB/T14264
3術(shù)語和定義
界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件
GB/T14264。
31
.
衍射平面diffractionplane
射線入射束衍射束構(gòu)成的平面
X、。
32
.
晶面曲率半徑curvatureradiusofcrystalplane
R
襯底片名義晶面與通過襯底片中心點(diǎn)垂面的交線可近似的看作一段圓弧該圓弧對應(yīng)的半徑
,。
注1在本文件中晶面曲率半徑帶有符號正號表示樣品名義晶面相對于測試表面為凸起狀負(fù)號表示樣品名義
:,,,
晶面相對于測試表面為凹狀
。
注2晶面曲率是晶面曲率半徑的倒數(shù)
:。
33
.
入射角incidentangle
ω角ω
angle
射線衍射儀入射射線與樣品臺表面的夾角
XX。
34
.
搖擺曲線rockingcurve
固定衍射儀探測器位置連續(xù)改變ω角并記錄衍射強(qiáng)度得到的測量曲線
,。
4方法原理
41單晶的原子以三維周期性結(jié)構(gòu)排列其晶體可以看作是由垂直距離為d的一系列平行原子平面所
.,
構(gòu)成當(dāng)一束平行的單色射線射入該平面上若入射光與原子平面間的
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