計(jì)算機(jī)組成原理(第二版)-第4章 存 儲(chǔ) 器-4.1-4.2

第４章存儲(chǔ)器4.1概述4.2主存儲(chǔ)器4.3高速緩沖存儲(chǔ)器4.4輔助存儲(chǔ)器4.1概述一、存儲(chǔ)器分類1.按存儲(chǔ)介質(zhì)分類(1)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器(2)磁表面存儲(chǔ)器(3)磁芯存儲(chǔ)器(4)光盤存儲(chǔ)器易失TTL、MOS磁頭、載磁體硬磁材料、環(huán)狀元件激光、磁光材料非易失(1)存取時(shí)間與物理地址無關(guān)（隨機(jī)訪問）順序存取存儲(chǔ)器磁帶4.12.按存取方式分類(2)存取時(shí)間與物理地址有關(guān)（串行訪問）隨機(jī)存儲(chǔ)器只讀存儲(chǔ)器直接存取存儲(chǔ)器磁盤在程序的執(zhí)行過程中可讀可寫在程序的執(zhí)行過程中只讀磁盤、磁帶、光盤高速緩沖存儲(chǔ)器（Cache）FlashMemory存儲(chǔ)器主存儲(chǔ)器輔助存儲(chǔ)器MROMPROMEPROMEEPROMRAMROM靜態(tài)RAM動(dòng)態(tài)RAM3.按在計(jì)算機(jī)中的作用分類4.1高低小大快慢輔存寄存器緩存主存磁盤光盤磁帶光盤磁帶速度容量價(jià)格位／1.存儲(chǔ)器三個(gè)主要特性的關(guān)系二、存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)CPUCPU主機(jī)4.1緩存CPU主存輔存2.緩存主存層次和主存輔存層次緩存主存輔存主存虛擬存儲(chǔ)器10ns20ns200nsms虛地址邏輯地址實(shí)地址物理地址主存儲(chǔ)器4.1（速度）（容量）4.2主存儲(chǔ)器一、概述1.主存的基本組成存儲(chǔ)體驅(qū)動(dòng)器譯碼器MAR控制電路讀寫電路MDR地址總線數(shù)據(jù)總線讀寫……………2.主存和CPU的聯(lián)系MDRMARCPU主存讀數(shù)據(jù)總線地址總線寫4.2

高位字節(jié)地址為字地址

低位字節(jié)地址為字地址設(shè)地址線24根按字節(jié)尋址按字尋址若字長為16位按字尋址若字長為32位字地址字節(jié)地址11109876543210840字節(jié)地址字地址4523014203.主存中存儲(chǔ)單元地址的分配4.2224=16M8M4M(2)存儲(chǔ)速度4.主存的技術(shù)指標(biāo)(1)存儲(chǔ)容量(3)存儲(chǔ)器的帶寬主存存放二進(jìn)制代碼的總位數(shù)

讀出時(shí)間寫入時(shí)間存儲(chǔ)器的訪問時(shí)間

存取時(shí)間存取周期讀周期寫周期

連續(xù)兩次獨(dú)立的存儲(chǔ)器操作（讀或?qū)懀┧璧淖钚￠g隔時(shí)間

位/秒4.2芯片容量二、半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片簡介1.半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片的基本結(jié)構(gòu)譯碼驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)矩陣讀寫電路1K×4位16K×1位8K×8位片選線讀/寫控制線地址線…數(shù)據(jù)線…地址線（單向）數(shù)據(jù)線（雙向）1041411384.2二、半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片簡介1.半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片的基本結(jié)構(gòu)譯碼驅(qū)動(dòng)存儲(chǔ)矩陣讀寫電路片選線讀/寫控制線地址線…數(shù)據(jù)線…片選線讀/寫控制線（低電平寫高電平讀）（允許讀）4.2CSCEWE（允許寫）WEOE存儲(chǔ)芯片片選線的作用用16K×1位的存儲(chǔ)芯片組成64K×8位的存儲(chǔ)器

32片當(dāng)?shù)刂窞?5535時(shí)，此8片的片選有效8片16K×1位8片16K×1位8片16K×1位8片16K×1位4.20,015,015,70,7

讀/寫控制電路

地址譯碼器

字線015……16×8矩陣………07D07D位線讀/寫選通A3A2A1A0……2.半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片的譯碼驅(qū)動(dòng)方式(1)線選法4.200000,00,7…0…07…D07D讀/寫選通

讀/寫控制電路

A3A2A1A0A40,310,031,031,31

Y地址譯碼器

X地址譯碼器

32×32矩陣……A9I/OA8A7A56AY0Y31X0X31D讀/寫……(2)重合法4.200000000000,031,00,31……I/OD0,0讀三、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)1.靜態(tài)RAM(SRAM)(1)靜態(tài)RAM基本電路A′觸發(fā)器非端1T4T~觸發(fā)器5TT6、行開關(guān)7TT8、列開關(guān)7TT8、一列共用A

觸發(fā)器原端T1~T4T5T6T7T8A′A寫放大器寫放大器DIN寫選擇讀選擇DOUT讀放位線A位線A′列地址選擇行地址選擇4.2T1~T4A′T1

~T4T5T6T7T8A寫放大器寫放大器DIN寫選擇讀選擇讀放位線A位線A′列地址選擇行地址選擇DOUT

①靜態(tài)RAM基本電路的讀

操作行選

T5、T6開4.2T7、T8開列選讀放DOUTVAT6T8DOUT讀選擇有效T1~T4T5T6T7T8A′ADIN位線A位線A′列地址選擇行地址選擇寫放寫放讀放DOUT寫選擇讀選擇

②靜態(tài)RAM基本電路的寫

操作行選T5、T6開兩個(gè)寫放DIN4.2列選T7、T8開（左）

反相T5A′（右）

T8T6ADINDINT7寫選擇有效T1~T4(2)靜態(tài)RAM芯片舉例①Intel2114外特性存儲(chǔ)容量1K×4

位4.2I/O1I/O2I/O3I/O4A0A8A9WECSVCCGNDIntel2114…

②Intel2114RAM矩陣(64×64)讀A3A4A5A6A7A8A0A1A2A915…031…1647…3263…48150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路……………………0163015……行地址譯碼列地址譯碼I/O1I/O2I/O3I/O4WECS第一組第二組第三組第四組4.215…031…1647…3263…48150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路……………………0163015……行地址譯碼列地址譯碼I/O1I/O2I/O3I/O4WECS第一組第二組第三組第四組00000000004.2

②Intel2114RAM矩陣(64×64)讀第一組第二組第三組第四組15…031…1647…3263…48150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路……………………0163015……行地址譯碼列地址譯碼I/O1I/O2I/O3I/O4WECS00000000004.2

②Intel2114RAM矩陣(64×64)讀150311647326348…………第一組第二組第三組第四組4.2

②Intel2114RAM矩陣(64×64)讀15…031…1647…3263…48150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路……………………0163015……行地址譯碼列地址譯碼I/O1I/O2I/O3I/O4WECS0000000000150311647326348…………0…164832………15…031…1647…3263…48150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路……………………0163015……行地址譯碼列地址譯碼I/O1I/O2I/O3I/O4WECS0000000000150311647326348…………0…164832………第一組第二組第三組第四組4.2

②Intel2114RAM矩陣(64×64)讀0163248CSWE15…031…1647…3263…48150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路……………………0163015……行地址譯碼列地址譯碼I/O1I/O2I/O3I/O4WECS0…164832………第一組第二組第三組第四組4.2

②Intel2114RAM矩陣(64×64)讀150311647326348…………01632480000000000…………15…031…1647…3263…48150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路……………………0163015……行地址譯碼列地址譯碼I/O1I/O2I/O3I/O4WECS0000000000…………第一組第二組第三組第四組4.2

②Intel2114RAM矩陣(64×64)讀150311647326348…………01632480…164832………15…031…1647…3263…48150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路……………………0163015……行地址譯碼列地址譯碼I/O1I/O2I/O3I/O4WECS0000000000…………第一組第二組第三組第四組4.2

②Intel2114RAM矩陣(64×64)讀150311647326348…………0163248讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路0…164832………15…031…1647…3263…48150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路……………………0163015……行地址譯碼列地址譯碼I/O1I/O2I/O3I/O4WECS0000000000…………第一組第二組第三組第四組4.2

②Intel2114RAM矩陣(64×64)讀150311647326348…………0163248讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路0…164832………I/O1I/O2I/O3I/O4A3A4A5A6A7A8A0A1A2A915…031…1647…3263…48150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路……………………0163015……行地址譯碼列地址譯碼I/O1I/O2I/O3I/O4WECS第一組第二組第三組第四組4.2

③Intel2114

RAM矩陣(64×64)寫15…031…1647…3263…48150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路……………………0163015……行地址譯碼列地址譯碼I/O1I/O2I/O3I/O4WECS第一組第二組第三組第四組00000000004.2

③Intel2114

RAM矩陣(64×64)寫第一組第二組第三組第四組15…031…1647…3263…48150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路……………………0163015……行地址譯碼列地址譯碼I/O1I/O2I/O3I/O4WECS00000000004.2

③Intel2114

RAM矩陣(64×64)寫150311647326348…………第一組第二組第三組第四組4.2

③Intel2114

RAM矩陣(64×64)寫15…031…1647…3263…48150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路……………………0163015……行地址譯碼列地址譯碼I/O1I/O2I/O3I/O4WECS0000000000150311647326348…………WECS0…164832………第一組第二組第三組第四組4.2

③Intel2114

RAM矩陣(64×64)寫I/O1I/O2I/O3I/O4WECS15…031…1647…3263…48150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路……………………0163015……行地址譯碼列地址譯碼0000000000150311647326348…………I/O1I/O2I/O3I/O40…164832………第一組第二組第三組第四組4.2

③Intel2114

RAM矩陣(64×64)寫I/O1I/O2I/O3I/O4WECS15…031…1647…3263…48150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路……………………0163015……行地址譯碼列地址譯碼0000000000150311647326348…………I/O1I/O2I/O3I/O4讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路0…164832………第一組第二組第三組第四組4.2

③Intel2114

RAM矩陣(64×64)寫I/O1I/O2I/O3I/O4WECS15…031…1647…3263…48150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路……………………0163015……行地址譯碼列地址譯碼0000000000150311647326348…………I/O1I/O2I/O3I/O4讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路0…164832………第一組第二組第三組第四組4.2

③Intel2114

RAM矩陣(64×64)寫I/O1I/O2I/O3I/O415…031…1647…3263…48150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路……………………0163015……行地址譯碼列地址譯碼WECS0000000000150311647326348…………讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路I/O1I/O2I/O3I/O40…164832………第一組第二組第三組第四組4.2

③Intel2114

RAM矩陣(64×64)寫I/O1I/O2I/O3I/O415…031…1647…3263…48150311647326348讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路……………………0163015……行地址譯碼列地址譯碼WECS0000000000150311647326348…………I/O1I/O2I/O3I/O4讀寫電路讀寫電路讀寫電路讀寫電路01632480…164832………ACSDOUT地址有效地址失效片選失效數(shù)據(jù)有效數(shù)據(jù)穩(wěn)定高阻(3)靜態(tài)RAM讀時(shí)序tAtCOtOHAtOTDtRC片選有效4.2讀周期

tRC

地址有效下一次地址有效讀時(shí)間

tA

地址有效數(shù)據(jù)穩(wěn)定tCO

片選有效數(shù)據(jù)穩(wěn)定tOTD

片選失效輸出高阻tOHA

地址失效后的數(shù)據(jù)維持時(shí)間ACSWEDOUTDIN(4)靜態(tài)RAM(2114)寫

時(shí)序tWCtWtAWtDWtDHtWR寫周期

tWC

地址有效下一次地址有效4.2寫時(shí)間

tW

寫命令WE

的有效時(shí)間tAW地址有效片選有效的滯后時(shí)間tWR片選失效下一次地址有效tDW數(shù)據(jù)穩(wěn)定

WE失效tDH

WE失效后的數(shù)據(jù)維持時(shí)間DD預(yù)充電信號(hào)讀選擇線寫數(shù)據(jù)線寫選擇線讀數(shù)據(jù)線VCgT4T3T2T11(1)動(dòng)態(tài)RAM基本單元電路2.動(dòng)態(tài)RAM(DRAM)讀出與原存信息相反讀出時(shí)數(shù)據(jù)線有電流為“1”數(shù)據(jù)線CsT字線DDV010110寫入與輸入信息相同寫入時(shí)CS充電為“1”放電為“0”4.2T3T2T1T無電流有電流單元電路讀寫控制電路列地址譯碼器………讀選擇線寫選擇線D行地址譯碼器001131311A9A8A7A6A531A4A3A2A1A0刷新放大器寫數(shù)據(jù)線讀數(shù)據(jù)線……………0…(2)動(dòng)態(tài)RAM芯片舉例①三管動(dòng)態(tài)RAM芯片(Intel1103)讀00000000000D…004.2單元電路讀寫控制電路…A9A8A7A6A5讀寫控制電路列地址譯碼器………讀選擇線寫選擇線D單元電路行地址譯碼器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器寫數(shù)據(jù)線讀數(shù)據(jù)線……………0…②三管動(dòng)態(tài)RAM芯片(Intel1103)寫4.2111114.2②三管動(dòng)態(tài)RAM芯片(Intel1103)寫A9A8A7A6A5讀寫控制電路列地址譯碼器………讀選擇線寫選擇線D單元電路行地址譯碼器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器寫數(shù)據(jù)線讀數(shù)據(jù)線……………0…A9A8A7A6A5讀寫控制電路列地址譯碼器………讀選擇線寫選擇線D單元電路行地址譯碼器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器寫數(shù)據(jù)線讀數(shù)據(jù)線……………0…11111…4.2②三管動(dòng)態(tài)RAM芯片(Intel1103)寫A9A8A7A6A5讀寫控制電路列地址譯碼器………讀選擇線寫選擇線D單元電路行地址譯碼器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器寫數(shù)據(jù)線讀數(shù)據(jù)線……………0……01000111114.2②三管動(dòng)態(tài)RAM芯片(Intel1103)寫A9A8A7A6A5讀寫控制電路列地址譯碼器………讀選擇線寫選擇線D單元電路行地址譯碼器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器寫數(shù)據(jù)線讀數(shù)據(jù)線……………0……11111101000114.2②三管動(dòng)態(tài)RAM芯片(Intel1103)寫…A9A8A7A6A5讀寫控制電路列地址譯碼器………讀選擇線寫選擇線D單元電路行地址譯碼器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器寫數(shù)據(jù)線讀數(shù)據(jù)線……………0……D111110100014.2②三管動(dòng)態(tài)RAM芯片(Intel1103)寫…A9A8A7A6A5讀寫控制電路列地址譯碼器………讀選擇線寫選擇線D單元電路行地址譯碼器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器寫數(shù)據(jù)線讀數(shù)據(jù)線……………0……D111110100014.2②三管動(dòng)態(tài)RAM芯片(Intel1103)寫讀寫控制電路…A9A8A7A6A5讀寫控制電路列地址譯碼器………讀選擇線寫選擇線D單元電路行地址譯碼器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器寫數(shù)據(jù)線讀數(shù)據(jù)線……………0……D111110100014.2②三管動(dòng)態(tài)RAM芯片(Intel1103)寫讀寫控制電路…A9A8A7A6A5讀寫控制電路列地址譯碼器………讀選擇線寫選擇線D單元電路行地址譯碼器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器寫數(shù)據(jù)線讀數(shù)據(jù)線……………0……D111110100014.2②三管動(dòng)態(tài)RAM芯片(Intel1103)寫讀寫控制電路…時(shí)序與控制行時(shí)鐘列時(shí)鐘寫時(shí)鐘

WERASCAS

A'6A'0存儲(chǔ)單元陣列基準(zhǔn)單元行譯碼列譯碼器再生放大器列譯碼器讀出放大基準(zhǔn)單元存儲(chǔ)單元陣列行譯碼

I/O緩存器數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)輸入寄存器

DINDOUT~行地址緩存器列地址緩存器③單管動(dòng)態(tài)RAM4116(16K×

1位)外特性4.2DINDOUTA'6A'0~

讀放大器

讀放大器

讀放大器………………………06364127128根行線Cs01271128列選擇讀/寫線數(shù)據(jù)輸入I/O緩沖輸出驅(qū)動(dòng)DOUTDINCs④4116(16K×1位)芯片讀

原理

讀放大器

讀放大器

讀放大器……4.263000I/O緩沖輸出驅(qū)動(dòng)OUTD

讀放大器

讀放大器

讀放大器………………………06364127128根行線Cs01271128列選擇讀/寫線數(shù)據(jù)輸入I/O緩沖輸出驅(qū)動(dòng)DOUTDINCs…⑤4116(16K×1位)芯片寫

原理數(shù)據(jù)輸入I/O緩沖I/O緩沖DIN讀出放大器

讀放大器4.2630(3)動(dòng)態(tài)RAM時(shí)序

行、列地址分開傳送寫時(shí)序行地址RAS有效寫允許WE有效(高)數(shù)據(jù)

DOUT

有效數(shù)據(jù)

DIN

有效讀時(shí)序4.2行地址RAS有效寫允許WE有效(低)列地址CAS有效列地址CAS有效(4)動(dòng)態(tài)RAM刷新

刷新與行地址有關(guān)①集中刷新（存取周期為0.5s

）“死時(shí)間率”為128/4000×100%=3.2%“死區(qū)”為0.5s

×128=64s

周期序號(hào)地址序號(hào)tc0123871387201tctctctc3999VW01127讀/寫或維持刷新讀/寫或維持3872個(gè)周期（1936s）

128個(gè)周期（64s）

刷新時(shí)間間隔（2ms）刷新序號(hào)??????tcXtcY??????4.2以128×128矩陣為例tC=tM

+tR讀寫刷新無“死區(qū)”②

分散刷新（存取周期為1

s

）(存取周期為0.5s

+0.5s

)4.2以128

×128矩陣為例W/RREF0W/RtRtMtCREF126REF127REFW/RW/RW/RW/R刷新間隔128個(gè)存取周期…③分散刷新與集中刷新相結(jié)合（異步刷新）對于128×128的存儲(chǔ)芯片（存取周期為0.5s

）將刷新安排在指令譯碼階段，不會(huì)出現(xiàn)“死區(qū)”“死區(qū)”為0.5s

若每隔15.6s

刷新一行每行每隔2ms

刷新一次4.23.動(dòng)態(tài)RAM和靜態(tài)RAM的比較DRAMSRAM存儲(chǔ)原理集成度芯片引腳功耗價(jià)格速度刷新電容觸發(fā)器高低少多小大低高慢快有無主存緩存4.2四、只讀存儲(chǔ)器（ROM）1.掩模ROM(MROM)行列選擇線交叉處有MOS管為“1”行列選擇線交叉處無MOS管為“0”2.PROM(一次性編程)VCC行線列線熔絲熔絲斷為“0”為“1”熔絲未斷4.23.EPROM(多次性編程)(1)N型溝道浮動(dòng)?xùn)臡OS電路G柵極S源D漏紫外線全部擦洗D端加正電壓形成浮動(dòng)?xùn)臩與D不導(dǎo)通為“0”D端不加正電壓不形成浮動(dòng)?xùn)臩與D導(dǎo)通為“1”SGDN+N+P基片GDS浮動(dòng)?xùn)?/p>

SiO2+++++___

4.2…控制邏輯Y譯碼X譯碼數(shù)據(jù)緩沖區(qū)Y控制128×128存儲(chǔ)矩陣……PD/ProgrCSA10A7…A6A0……DO0…DO7112…A7A1A0VSSDO2DO0DO1…27162413…VCCA8A9VPPCSA10PD/ProgrDO3DO7…(2)2716EPROM的邏輯圖和引腳4.2PD/ProgrPD/Progr功率下降/編程輸入端

讀出時(shí)為低電平4.EEPROM(多次性編程)電可擦寫局部擦寫全部擦寫5.FlashMemory(閃速型存儲(chǔ)器)比EEPROM快4.2EPROM價(jià)格便宜集成度高EEPROM電可擦洗重寫具備RAM功能用1K

×

4位存儲(chǔ)芯片組成1K

×

8位的存儲(chǔ)器？片五、存儲(chǔ)器與CPU的連接1.存儲(chǔ)器容量的擴(kuò)展(1)位擴(kuò)展（增加存儲(chǔ)字長）10根地址線8根數(shù)據(jù)線DD……D0479AA0???21142114CSWE4.22片(2)字?jǐn)U展（增加存儲(chǔ)字的數(shù)量）用1K

×

8位存儲(chǔ)芯片組成2K

×

8位的存儲(chǔ)器11根地址線8根數(shù)據(jù)線4.2？片2片1K×8位1K×8位D7D0???????????????WEA1A0???A9CS0A10

1CS1(3)字、位擴(kuò)展用1K

×

4位存儲(chǔ)芯片組成4K

×

8位的存儲(chǔ)器8根數(shù)據(jù)線12根地址線WEA8A9A0...D7D0…A11A10CS0CS1CS2CS3片選譯碼……………………4.21K×41K×41K×41K×41K×41K×41K×41K×4？片8片

2.存儲(chǔ)器與CPU的連接

(1)地址線的連接(2)數(shù)據(jù)線的連接(3)讀/寫命令線的連接(4)片選線的連接(5)合理選擇存儲(chǔ)芯片(6)其他時(shí)序、負(fù)載4.2例4.1

解:

(1)寫出對應(yīng)的二進(jìn)制地址碼(2)確定芯片的數(shù)量及類型0110000000000000A15A14A13A11A10…A7…

A4A3…

A0…01100111111111110110100000000000…01101011111111112K×8位1K×8位RAM2片1K×4位ROM1片2K×8位4.2(3)分配地址線A10~A0接2K

×

8位ROM的地址線A9~A0接1K

×

4位RAM的地址線(4)確定片選信號(hào)CBA0110000000000000A15A13A11A10…A7…A4A3…

A0…01100111111111110110100000000000…01101011111111112K

×

8位1片ROM1K

×

4位2片RAM4.22K

×8位ROM

1K

×4位

RAM1K

×4位

RAM………&PD/ProgrY5Y4G1CBAG2BG2A……MREQA14A15A13A12A11A10A9A0…D7D4D3D0WR…………例4.1

CPU與存儲(chǔ)器的連接圖4.2………(1)寫出對應(yīng)的二進(jìn)制地址碼例4.2

假設(shè)同前，要求最小4K為系統(tǒng)程序區(qū)，相鄰8K為用戶程序區(qū)。(2)確定芯片的數(shù)量及類型(3)分配地址線(4)確定片選信號(hào)1片4K

×

8位

ROM2片4K

×

8位

RAMA11~A0接ROM和RAM的地址線4.2例4.3

設(shè)CPU有20根地址線，8根數(shù)據(jù)線。并用IO/M作訪存控制信號(hào)。RD為讀命令，WR為寫命令?，F(xiàn)有2764EPROM(8K×8位),外特性如下：用138譯碼器及其他門電路（門電路自定）畫出CPU和2764的連接圖。要求地址為F0000H~FFFFFH,

并寫出每片2764的地址范圍。4.2…D7D0CEOECE片選信號(hào)OE允許輸出PGM可編程端PGM…A0A12六、存儲(chǔ)器的校驗(yàn)編碼的糾錯(cuò)、檢錯(cuò)能力與編碼的最小距離有關(guān)L——編碼的最小距離D——檢測錯(cuò)誤的位數(shù)C——糾正錯(cuò)誤的位數(shù)漢明碼是具有一位糾錯(cuò)能力的編碼4.2L1=D+C(D≥C)1.編碼的最小距離任意兩組合法代碼之間二進(jìn)制位數(shù)的最少差異L=3具有一位糾錯(cuò)能力漢明碼的組成需增添？位檢測位檢測位的位置？檢測位的取值？2k

≥

n+k+1檢測位的取值與該位所在的檢測“小組”中承擔(dān)的奇偶校驗(yàn)任務(wù)有關(guān)組成漢明碼的三要素4.22.漢明碼的組成2i

(i=0，1，2，3，)…各檢測位Ci

所承擔(dān)的檢測小組為gi

小組獨(dú)占第2i－1

位gi

和gj

小組共同占第2i－1+2j－1

位gi、gj

和gl

小組共同占第2i－1+2j－1+2l－1

位C1

檢測的g1小組包含第1，3，5，7，9，11，…C2

檢測的g2

小組包含第2，3，6，7，10，11，…C4

檢測的g3

小組包含第4，5，6，7，12，13，…C8

檢測的g4

小組包含第8，9，10，11，12，13，14，15，24，…4.2例4.4求0101按“偶校驗(yàn)”配置的漢明碼解：∵n=4根據(jù)2k

≥n+k+1得k=3漢明碼排序如下:二進(jìn)制序號(hào)名稱1234567C1C2C40∴0101的漢明碼為

010010101014.210按配偶原則配置0011的漢明碼二進(jìn)制序號(hào)名稱1234567C1C2C41000011解：∵n=4根據(jù)2k

≥n+k+1取k=3C1=357=1C2=367=0C4=567=0∴0011的漢明碼為

1000011練習(xí)14.23.漢明碼的糾錯(cuò)過程形成新的檢測位Pi

，如增添3位（k=3），新的檢測位為P4P2P1

。以k=3為例，Pi

的取值為P1=13

57P2=23

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