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計(jì)算機(jī)電路基礎(chǔ)執(zhí)教者:謝婷半導(dǎo)體基本學(xué)問半導(dǎo)體:定義:導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣之間的物質(zhì)材料:常見硅、鍺硅、鍺晶體的每個(gè)原子均是靠共價(jià)鍵緊密結(jié)合在一起。本征半導(dǎo)體
本征半導(dǎo)體:純凈的半導(dǎo)體。0K時(shí),價(jià)電子不能擺脫共價(jià)鍵而參與導(dǎo)電,因此不導(dǎo)電。隨T上升晶體中少數(shù)的價(jià)電子獲得能量。擺脫共價(jià)鍵束縛,成為自由電子,原來共價(jià)鍵處留下空位稱為空穴??昭ㄅc自由電子統(tǒng)稱載流子。自由電子:負(fù)電荷空穴:正電荷不導(dǎo)電自由電子與空穴成對出現(xiàn)/復(fù)合雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體:在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)。導(dǎo)電性能發(fā)生變更N型半導(dǎo)體P型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體/電子型半導(dǎo)體定義:硅晶體中摻入五價(jià)元素(磷、銻)自由電子(多子):摻雜+熱激發(fā)空穴(少子):熱激發(fā)P型半導(dǎo)體/空穴型半導(dǎo)體定義:硅晶體中摻入三價(jià)元素(硼、銦)自由電子(少子):熱激發(fā)空穴(多子):摻雜+熱激發(fā)總結(jié):多子:摻雜(主)+熱激發(fā)少子:熱激發(fā)(主)PN結(jié)的形成多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成耗盡層空穴濃度:P區(qū)>N區(qū);自由電子:P區(qū)<N區(qū)多子由濃度高—>濃度低擴(kuò)散,擴(kuò)散到對方復(fù)合,交界區(qū)僅剩正負(fù)離子形成耗盡層/阻擋層/空間電荷區(qū)/內(nèi)電場EIN。少子漂移運(yùn)動(dòng)內(nèi)電場的存在,阻擋了多子的擴(kuò)散,P區(qū)的少子——電子,N區(qū)少子——空穴,內(nèi)電場作用下向?qū)Ψ揭苿?dòng)——漂移。總結(jié):PN結(jié)中存在:由濃度差引起的多子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng),它使阻擋層變寬;由內(nèi)電場作用下產(chǎn)生的少子漂移運(yùn)動(dòng),它使阻擋層變窄。當(dāng)兩者強(qiáng)度相當(dāng)時(shí),達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡。思索:PN結(jié)內(nèi)部存在電場,若將P區(qū)與N區(qū)端點(diǎn)用導(dǎo)線連接,是否有電流流過?無電流流過在無外電壓的條件下,擴(kuò)散電流=漂移電流,且方向相反,處于平衡狀態(tài),所以流過交界面的靜態(tài)電流為0。(一)
PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/p>
1.
加正向電壓(正向偏置)P區(qū)接電源正極,N區(qū)接電源負(fù)極。外電場EEXT與內(nèi)電場EIN方向相反。即減弱了內(nèi)電場,空間電荷區(qū)變窄,有利于多子擴(kuò)散,不利于少子漂移,使擴(kuò)散電流大大超過了漂移電流,于是回路形成較大的正向電流IF。EEXT<EIN截止EEXT>EIN導(dǎo)通(一)
PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/p>
2.
加反向電壓(反向偏置)P區(qū)接電源負(fù)極,N區(qū)接電源正極。外電場EEXT與內(nèi)電場EIN方向相同。即加強(qiáng)了內(nèi)電場,空間電荷區(qū)變寬,不利于多子擴(kuò)散,有利于少子漂移,使漂移電流超過擴(kuò)散電流,于是回路中形成反向電流IR。因?yàn)槭巧僮赢a(chǎn)生,所以很微弱。PN結(jié)截止(一)
PN結(jié)的單向?qū)щ娦?/p>
總結(jié):PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?,?dāng)正向偏置時(shí),有較大的正向電流,電阻很小,成導(dǎo)通狀態(tài),反向偏置時(shí)電流很?。◣缀鯙?)。電阻很大,成截止?fàn)顟B(tài)。PN結(jié)的伏安特性
正向特性(u>0)UON:開啟/導(dǎo)通電壓硅:0.5V鍺:0.1V
反向特性(u<0)
擊穿特性U(RB):擊穿電壓半導(dǎo)體二極管A:陽極/正極K:陰極/負(fù)極二極管的伏安特性與PN結(jié)伏安特性一樣。二極管主要參數(shù):1.
最大整流電流IF2.
反向擊穿電壓U(RB)3.
反向電流IR4.
最高工作頻率FT和反向復(fù)原時(shí)間tre5、溫度影響限幅電路如圖示:假設(shè)輸入U(xiǎn)I為一周期性矩形脈沖,低電壓UIL=-5V,高電壓UIH=5V。當(dāng)輸入U(xiǎn)I為-5V時(shí),二極管D截止,視為“開路”,輸出UO=0V。當(dāng)輸入U(xiǎn)I為+5V時(shí),二極管D導(dǎo)通,由于其等效電阻RD相對于負(fù)載電阻R的值小得多,故UI基本落在R上,即UO=UI=+5V。穩(wěn)壓管及其應(yīng)用工作在反向擊穿狀態(tài),輸出穩(wěn)定值與一般二極管相反,陰極:高;陽極:低如圖:穩(wěn)壓值5.6V,IZ:5mA~82mA,分析電路不接RL時(shí),IL=0,I1=IZD,RMIN=(12-5.6)/IZM=78Ω,若選R=82Ω,I1MAX=(12-5.6)/82=78mA保證IZD>5mA,ILMAX=I1MAX-5=78-5=73mA,RLMIN=5.6/73=75Ω,只要負(fù)載電阻RL大于75Ω,其上可獲得穩(wěn)定的5.6伏輸出電壓。半導(dǎo)體三極管材料:硅、鍺分類:NPN、PNP組成:三極:放射極e、基極b、集電極c兩結(jié):放射結(jié)、集電結(jié)三極管放大原理要求:放射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏放射區(qū)向基區(qū)放射電子電子在基區(qū)中擴(kuò)散與復(fù)合電子被集電極收集輸出特性曲線截止區(qū):UBE<UONiB≈0,iC≈0放大區(qū):UBE≥UON(硅:0.5V;鍺:0.3V)IC=βIB飽和區(qū):UBE>UONIBS>ICS/β截止區(qū)三極管主要參數(shù)共放射極電流放大系數(shù)β集電極-放射極擊穿電壓UCEO集電極最大電流ICM最大功率PCM特征頻率fT集電極-放射極飽和壓降UCES例開關(guān)電路如圖所示.輸入信號U1是幅值為5V頻率為1KHZ的脈沖電壓信號.已知β=125,三極管飽和時(shí)UBE=0.7V,UCES=0.25V.試分析電路的工作狀態(tài)和輸出電壓的波形
三極管的三種接法共射極電路:共基極電路:共集極電路(射極跟隨器)MOS場效應(yīng)管壓控電流源器件分類:增加型、耗盡型PMOS管、NMOS管特性曲線轉(zhuǎn)移特性曲線輸出特性曲線MOS場效應(yīng)管的主要參數(shù)直流參數(shù):開啟電壓UTN,UTP輸入電阻rgs溝通參數(shù):跨導(dǎo)gm導(dǎo)通電阻Rds極間電容例NMOS管構(gòu)成反相器如圖示,其主要參數(shù)為UTN=2.0V,gM=1.3MA/V,rDS(ON)=875,電源電壓UC=12V。輸入脈沖電壓源輻值為5V,頻率為1KHZ。試分析電路的工作狀態(tài)及輸出電壓UO的波形。(1)uI=0V,uCS=uI(0)<UNT(2V)故管子截止。iD=0,uO=uDS=12VuI=5V,uCS=uI=5V>UNT管子導(dǎo)通uDS=UC*rDS(ON)/(rDS(ON)+R1)=0.9V.本章小結(jié)開關(guān)特性:二極管、三極管、MOS管三種管子的特性曲線與主要參數(shù)重點(diǎn)和難點(diǎn)重點(diǎn):1、理解PN結(jié)的單向?qū)щ娦浴#?、理解三極管的電流放大作用及實(shí)現(xiàn)電流作用的外部工作條件。理解三極管的輸入特性和輸出特性以及主要參數(shù)。3、駕馭三極管輸出特性曲線中的截止區(qū)、放大區(qū)和飽
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