正負(fù)片流程區(qū)別簡介課件

正負(fù)片流程區(qū)別簡介制作者：Leo_Qiu1簡介大綱名詞解釋正片流程簡介負(fù)片流程簡介正負(fù)片流程區(qū)別正負(fù)片流程優(yōu)缺點2正片流程又稱tenting流程，所用底片為負(fù)片底片。負(fù)片底片“所見非所得”，底片透明部份是要保留圖形。名詞解釋透明部分是要保留的圖形3負(fù)片流程

又稱pattern流程，所用底片為正片底片。正片底片“所見即所得”，底片黑色部份是要保留的圖形。名詞解釋黑色部份是要保留的圖形4正負(fù)片基本流程對照一銅外層二銅蝕刻鑽孔外層AOI負(fù)片流程全板電鍍外層鑽孔外層AOI正片流程5正片流程詳細(xì)介紹全板電鍍利用整板電鍍的方法，使孔銅和面銅達(dá)到RD要求。清潔板面，去除鑽孔後的burr。利用KMnO4的強(qiáng)氧化性，除去孔內(nèi)膠渣，增加孔內(nèi)表面積，提高孔銅與孔壁結(jié)合力。利用化學(xué)沉積方法，使Desmear後之非導(dǎo)體區(qū)覆蓋良好導(dǎo)電薄膜即化學(xué)銅，讓之後的電鍍銅能順利鍍上。DeburrDesmearPTH整板電鍍鑽孔6正片流程詳細(xì)介紹外層前處理壓膜曝光顯影經(jīng)過刷磨+微蝕，清潔並粗化表面，增加乾膜附著力。將乾膜貼附在基板表面，為影像轉(zhuǎn)移做準(zhǔn)備。所用乾膜貼附力好，tenting能力強(qiáng)。使用負(fù)片底片以UV光透過黑白底片照射乾膜，乾膜光阻中的自由基在UV光的照射下發(fā)生聚合反應(yīng)，從而使底片上的圖形轉(zhuǎn)移到乾膜上。利用碳酸鈉溶液將曝光過程中未聚合乾膜溶解，留下已曝光的乾膜。曝光負(fù)片底片顯影7正片流程詳細(xì)介紹外層利用蝕刻液將顯影後未被乾膜覆蓋之銅咬蝕乾淨(jìng)。酸性蝕刻液成份：H2O2/HCl系列或NaClO3/HCl系列利用去膜液（NaOH）將蝕刻後線路表面乾膜去除，使線路顯現(xiàn)出來。酸性蝕刻去膜外層AOI蝕刻去膜8負(fù)片流程詳細(xì)介紹一銅目的：在孔壁上電鍍一層基銅，以便二銅電鍍。DeburrDesmearPTH一銅清潔板面，去除鑽孔後的burr。利用化學(xué)沉積方法，使Desmear後之非導(dǎo)體區(qū)覆蓋良好導(dǎo)電薄膜即化學(xué)銅，讓之後的電鍍銅能順利鍍上。一銅一銅利用KMnO4的強(qiáng)氧化性，除去孔內(nèi)膠渣，增加孔內(nèi)表面積，提高孔銅與孔壁結(jié)合力。9負(fù)片流程詳細(xì)介紹外層前處理壓膜曝光顯影使用正片底片以UV光透過黑白底片照射乾膜，乾膜光阻中的自由基在UV光的照射下發(fā)生聚合反應(yīng)，從而使底片上的圖形轉(zhuǎn)移到乾膜上。經(jīng)過刷磨+微蝕，清潔並粗化表面，增加乾膜附著力。將乾膜貼附在基板表面，為影像轉(zhuǎn)移做準(zhǔn)備。所用乾膜抗鍍性較好。利用碳酸鈉溶液將曝光過程中未聚合乾膜溶解，留下已曝光的乾膜。曝光正片底片顯影10負(fù)片流程詳細(xì)介紹二銅電鍍二銅電鍍錫將孔銅&面銅鍍到RD要求鍍錫，保護(hù)蝕刻時圖形不被蝕刻掉。二銅鍍二銅，並鍍錫11負(fù)片流程詳細(xì)介紹蝕刻去掉乾膜，將不需要的銅顯露出來，以便藥水咬蝕。利用蝕刻液將顯影後未被乾膜覆蓋之銅咬蝕乾淨(jìng)，需要保留的圖形由錫保護(hù)，完成圖形。鹼性蝕刻液成份：氯化銨（NH4Cl）和氨水（NH3H2O）錫已完成使命，將錫去除。去膜鹼性蝕刻剝錫外層AOI去膜蝕刻剝錫12正負(fù)片流程區(qū)別項目正片流程負(fù)片流程底片負(fù)片底片正片底片曝光髒點影響底片上曝光髒點會形成線路缺口/斷路底片上曝光髒點會形成殘銅PTH/NPTHPTH需乾膜tenting保護(hù)，NPTH不需要。NPTH需乾膜覆蓋保護(hù)，PTH不需要。蝕刻液性質(zhì)酸性蝕刻鹼性蝕刻蝕刻液

主要成份H2O2/HCl系列或NaClO3/HCl系列氯化銨（NH4Cl）和氨水（NH3H2O）阻蝕劑乾膜或液態(tài)感光油墨，耐酸不耐鹼。錫Sn

，耐鹼不耐酸。蝕刻咬蝕部位蝕刻咬蝕全銅厚，虛影大。蝕刻咬蝕底銅+一銅，虛影小。乾膜要求所用乾膜貼附力好，tenting能力強(qiáng)。所用乾膜抗鍍性較好。13正片流程優(yōu)點：能夠製作無Ring

NPTH孔及較大的NPTH孔。（NPTH孔無需tenting保護(hù)）能夠製作外層兩面殘銅率較大的PCB。（整板電鍍不受殘銅率影響）流程短，成本相對低。缺點：無法製作較大的PTH孔。（Tenting能力限制）不宜製作高孔銅&厚面銅的PCB。（面銅太厚，不易蝕刻）負(fù)片流程優(yōu)點：能夠製作無RingPTH孔及較大的PTH孔。（PTH孔無需tenting保護(hù)）能夠製作高縱橫比&厚孔銅&厚面銅的PCB。（蝕刻只需要咬蝕底銅+一銅）缺點：無法製作較大的NPTH孔。（乾膜能力限制）無法製作兩面殘銅率較大的PCB。（二銅電鍍時因電流分部不均，容易發(fā)生夾膜）流程長，成本相對高。正負(fù)片流程優(yōu)缺點1415ThankYou內(nèi)容總結(jié)正負(fù)片流程區(qū)別簡介。制作者：Leo_Qiu。又稱pattern流程，所用底片為正片底片。利用KMnO4的強(qiáng)氧化性，除去孔內(nèi)膠渣，增加孔內(nèi)表面積，提高孔銅與孔壁結(jié)合力。利用化學(xué)沉積方法，使Desmear後之非導(dǎo)體區(qū)覆蓋良好導(dǎo)電薄膜即化學(xué)銅，讓之後的電鍍銅能順利鍍上。經(jīng)過刷磨+微蝕，清潔並粗化表面，增加乾膜附著力。經(jīng)過刷磨+微蝕，清潔並粗化表面，增加乾膜附著力。利用碳酸鈉溶液將曝光過程中未聚合乾膜溶解，留下已曝光的乾膜。酸性蝕刻液成份：H2O2/HCl系列或NaClO3/HCl系列。目的：在孔壁上電鍍一層基銅，以便二銅電鍍。去掉乾膜，將不需要的銅顯露出來，