顯微分析技術(shù)電子顯微鏡

顯微分析技術(shù)電子顯微鏡

一束電子射到試樣上，電子與物質(zhì)相互作用，當(dāng)電子的運(yùn)動(dòng)方向被改變，稱為散射。散射彈性散射非彈性散射電子只改變運(yùn)動(dòng)方向而電子的能量不發(fā)生變化電子的運(yùn)動(dòng)方向和能量都發(fā)生變化TechnologyforMicroscopyAnalysis----ElectronMicroscope透射電子直接透射電子，以及彈性或非彈性散射的透射電子用于透射電鏡(TEM)的成像和衍射二次電子如果入射電子撞擊樣品表面原子的外層電子，把它激發(fā)出來，就形成低能量的二次電子，在電場(chǎng)的作用下它可呈曲線運(yùn)動(dòng)，翻越障礙進(jìn)入檢測(cè)器，使表面凹凸的各個(gè)部分都能清晰成像。二次電子的強(qiáng)度主要與樣品表面形貌合關(guān)。二次電子和背景散射電子共同用于掃描電鏡(SEM)的成像。當(dāng)探針很細(xì)，分辨高時(shí)，基本收集的是二次電子而背景電子很少，稱為二次電子成像(SEI)◆◆◆特征X射線如果入射電子把樣品表面原子的內(nèi)層電子撞出，被激發(fā)的空穴由高能級(jí)電子填充時(shí)，能量以電磁輻射的形式放出，就產(chǎn)生特征X射線，可用于元素分析。俄歇(Auger)電子如果入射電子把外層電子打進(jìn)內(nèi)層，原子被激發(fā)了．為釋放能量而電離出次外層電子，叫俄歇電子。主要用于輕元素和超輕元素(除H和He)的分析，稱為俄歇電子能譜儀背景散射電子入射電子穿達(dá)到離核很近的地方被反射，沒有能量損失；反射角的大小取決于離核的距離和原來的能量，實(shí)際上任何方向都有散射，即形成背景散射陰極熒光如果入射電子使試樣的原于內(nèi)電子發(fā)生電離，高能級(jí)的電子向低能級(jí)躍遷時(shí)發(fā)出的光波長(zhǎng)較長(zhǎng)(在可見光或紫外區(qū))，稱為陰極熒光，可用作光譜分析，但它通常非常微弱電鏡的發(fā)展歷史1932年魯斯卡發(fā)明創(chuàng)制了第一臺(tái)透射電子顯微鏡實(shí)驗(yàn)裝置(TEM)。相繼問世了掃描透射電子顯微鏡(STEM)、掃描電子叢微鏡(SEM)以及上述產(chǎn)品與X射線分析系統(tǒng)(EDS、WDS)的結(jié)合，即各種不同類型分析型電子顯微鏡。1986年，賓尼格和羅雷爾先后研制成功掃描隧道電子顯微鏡(STM)和原于力電子顯微鏡(AFM)，使人類的視野得到進(jìn)一步的擴(kuò)展。▼▼▼透射電鏡(TEM)基本原理透射電鏡基本構(gòu)造與光學(xué)顯微鏡相似，主要由光源、物鏡和投影鏡三部分組成，只不過用電子束代替光束，用磁透鏡代替玻璃透鏡。光源由電子槍和一或兩個(gè)聚光鏡組成，其作用是得到具有確定能量的高亮度的聚焦電子束。透射電鏡的構(gòu)造電子透鏡系統(tǒng)真空系統(tǒng)供電系統(tǒng)Transmissim

Electnonic

Microscopy電鏡的成像光路上除了物鏡和投影鏡外，還增加了中間鏡，即組成了一個(gè)三級(jí)放大成像系統(tǒng)。物鏡和投影鏡的放大倍數(shù)一般為100，中間鏡的放大倍數(shù)可調(diào)，為0－20。中間鏡的物平面與物鏡的像平面重合，在此平面裝有一可變的光闊，稱為選區(qū)光闌。熒光屏、光學(xué)觀察放大鏡及照相機(jī)等組成觀察系統(tǒng)。電鏡構(gòu)造的兩個(gè)特點(diǎn)1、磁透鏡2、因?yàn)榭諝鈺?huì)便電子強(qiáng)烈地散射，所以凡有電子運(yùn)行的部分都要求處于高真空，要達(dá)到1.33×10－4Pa或更高。

光學(xué)顯微鏡中的玻璃透鏡不能用于電鏡，因?yàn)樗鼈儧]有聚焦成像的能力，是“不透明”的。電流通過線圈時(shí)出現(xiàn)磁力線和南北極。由于電子帶電，會(huì)與磁力線相互作用，而使電子束在線圈的下方聚焦。只要改變線圈的勵(lì)磁電流，就可以使電鏡的放大倍數(shù)連續(xù)變化。為了使磁場(chǎng)更集中在線周內(nèi)部也包有軟鐵制成的包鐵，稱為極靴化，極靴磁透鏡磁場(chǎng)被集中在上下極靴間的小空間內(nèi)，磁場(chǎng)強(qiáng)度進(jìn)一步提高。◆◆分辨率電鏡三要素放大倍數(shù)襯度大孔徑角的磁透鏡，100KV時(shí)，分辨率可達(dá)0.005nm。實(shí)際TEM只能達(dá)到0.1－0.2nm，這是由于透鏡的固有像差造成的。提高加速電壓可以提高分辨率。已有300KV以上的商品高壓(或超高壓)電鏡，高壓不僅提高了分辨率，而且允許樣品有較大的厚度，推遲了樣品受電子束損傷的時(shí)間，因而對(duì)高分子的研究很有用。但高加速電壓意味著大的物鏡，500KV時(shí)物鏡直徑45－50cm。對(duì)高分子材料的研究所適合的加速電壓，最好在250KV左右。分辨率◆◆◆電鏡最大的放大倍數(shù)等于肉眼分辨率(約0.2mm)除以電鏡的分辨率0.2nm，因而在106數(shù)量級(jí)以上。在分析TEM圖像時(shí)，亮和暗的差別(即襯度，又稱反差)到底與樣品的什么特性有關(guān)，這點(diǎn)對(duì)解釋圖像非常重要。放大倍數(shù)襯度1、樣品需置于直徑為2－3mm的銅制載網(wǎng)上，網(wǎng)上附有支持膜；

2、樣品必須很薄，使電子束能夠穿透，一般厚度為100nm左右；

3、樣品應(yīng)是固體，不能含有水分及揮發(fā)物；

透射電子顯微鏡的樣品處理對(duì)樣品的一般要求

4、樣品應(yīng)有足夠的強(qiáng)度和穩(wěn)定性，在電子線照射下不至于損壞或發(fā)生變化；

5、樣品及其周圍應(yīng)非常清潔，以免污染而造成對(duì)像質(zhì)的影響。透射電子顯微鏡的樣品處理樣品的一般制備方法

1、粉末樣品可將其分散在支持膜上進(jìn)行觀察。

2、直接制成厚度在100－200nn之間的薄膜樣品，觀察其形貌及結(jié)晶性質(zhì)。一般有真空蒸發(fā)法、溶液凝固(結(jié)晶)法、離子轟擊減薄法、超薄切片法、金屆薄片制備法。

3、采用復(fù)型技術(shù)，即制作表面顯微組織浮雕的復(fù)形膜，然后放在透射電子顯微鏡中觀察。制作方法一般有四種，即塑料(火棉膠)膜

一級(jí)復(fù)型、碳膜一級(jí)復(fù)型、塑料－碳膜二級(jí)復(fù)型、萃取復(fù)型?！锉砻嫫鸱鼱顟B(tài)所反映的微觀結(jié)構(gòu)問題；★觀測(cè)顆粒的形狀、大小及粒度分布；★觀測(cè)樣品個(gè)各部分電子射散能力的差異；★晶體結(jié)構(gòu)的鑒定及分析。鏡的觀測(cè)內(nèi)容

——透射電子顯微鏡★電子數(shù)目越多．散射越厲害，透射電子就越少，從而圖像就越暗★樣品厚度、原子序數(shù)、密度對(duì)襯度也有影響，一般有下列關(guān)系：

a．樣品越厚，圖像越暗；

b．原于序數(shù)越大，圖像越暗；

c．密度越大，圖像越暗其中，密度的影響最重要，因?yàn)楦叻肿拥慕M成中原于序數(shù)差別不大，所以樣品排列緊密程度的差別是其反差的主要來源。成像的影響因素在18900倍下對(duì)PVC糊樹脂近行觀測(cè)應(yīng)用實(shí)例在26000倍下觀測(cè)碳酸鈣粉末掃描電鏡ScanningElectronMicroanalyzer

掃描電鏡(SEM)SEM的基本原理★焦深大，圖像富有立體感，特別適合于表面形貌的研究★放大倍數(shù)范圍廣，從十幾倍到2萬倍，幾乎覆蓋了光學(xué)顯微鏡和TEM的范圍★制樣簡(jiǎn)單，樣品的電子損傷小這些方面優(yōu)于TEM，所以SEM成為高分子材料常用的重要剖析手段掃描電鏡的最大特點(diǎn)SEM與TEM的主要區(qū)別★在原理上，SEM不是用透射電子成像，而是用二次電子加背景散射電子成像。★在儀器構(gòu)造上，除了光源、真空系統(tǒng)相似外，檢測(cè)系統(tǒng)完全不同。

SEM的分辨率主要受到電子束直徑的限制，這里電子束直徑指的是聚焦后掃描在樣品上的照射點(diǎn)的尺寸。對(duì)同樣品距的二個(gè)顆粒，電子束直徑越小，越隨得到好的分辨效果。但電子束直徑越小，信噪比越小。掃描電鏡(SEM)SEM的分辨率主要受到電子束直徑的限制，這里電子束直徑指的是聚焦后掃描在樣品上的照射點(diǎn)的尺寸。對(duì)同樣品距的二個(gè)顆粒，電子束直徑越小，越隨得到好的分辨效果，電子束直徑越小，信噪比越小。SEM的放大倍數(shù)與屏幕分辨率有關(guān)，SEM的最大放大倍數(shù)為2萬左右。掃描電鏡(SEM)放大倍數(shù)分辨率SEM的焦深是較好光學(xué)顯微鎊的300－600倍。焦深大意味著能使不平整性大的表面上下都能聚焦。焦深襯度表面形貌襯度原子序數(shù)襯度△F——焦深；

d——電子束直徑；2a——物鏡的孔徑角原子序數(shù)襯度指掃描電子束入射試祥時(shí)產(chǎn)生的背景電子、吸收電子、X射線，對(duì)微區(qū)內(nèi)原子序數(shù)的差異相當(dāng)敏感，而二次電子不敏感。高分子中各組分之間的平均原子序數(shù)差別不大；所以只有—些特殊的高分子多相體系才能利用這種襯度成像。襯度表面形貌襯度主要是樣品表面的凹凸(稱為表面地理)決定的。一般情況下，入射電子能從試詳表面下約5nm厚的薄層激發(fā)出二次電子，加速電壓大時(shí)會(huì)激發(fā)出更深層內(nèi)的二次電子，從而面下薄層內(nèi)的結(jié)構(gòu)可能會(huì)反映出來，并更加在表面形貌信息上。表面形貌襯度原子序數(shù)襯度掃描電子顯微鏡常見的制樣方法有:掃描電子顯微鏡的樣品制備金屬涂層法離子刻蝕金屬涂層法金屬涂層法應(yīng)用對(duì)象是導(dǎo)電性較差的樣品，如高聚物材料，在進(jìn)行掃描電子顯微鏡觀察之前必須使樣品表面蒸發(fā)一層導(dǎo)電體，目的在于消除荷電現(xiàn)象利提高樣品表面二次電子的激發(fā)量，并減小樣品的輻照損傷，金屬涂層法包括真空蒸發(fā)鍍膜法和離子濺射濁。應(yīng)用對(duì)象是包含合晶相和非晶相兩個(gè)組成部分的樣品。它是利用離子轟擊樣品表而時(shí)，中于兩相被離子作用的程度不同，而暴露出晶區(qū)的細(xì)微結(jié)構(gòu)。離子刻蝕化學(xué)刻蝕法應(yīng)用對(duì)象同于離子刻蝕法，包括溶劑和酸刻蝕兩種方法。酸刻蝕是利用某些氧化性較強(qiáng)的溶液，如發(fā)煙硝酸、高錳酸鉀等處理樣品表面，使其個(gè)一相氧化斷鏈而溶解，而暴露出晶相的結(jié)構(gòu)。溶劑刻蝕是用某些溶劑選擇溶解高聚物材料中的一個(gè)相，而暴露出另一相的結(jié)構(gòu)。◆◆◆用掃描電鏡觀察拉伸情況噴金的樣品掃描電子顯微鏡的工作內(nèi)容微區(qū)形貌觀測(cè)①二次電子像可得到物質(zhì)表面形貌反差的信息，即微觀形貌像。②背反射電子像可得到不同區(qū)域內(nèi)平均原子序數(shù)差別的信息，即組成分布像。③X射線元素分布像可得到樣品表面元素及其X射線強(qiáng)度變化的分布圖像。微區(qū)定性和定量分析與常規(guī)的定性、定量分析方法不同的是，掃描電子顯微鏡系統(tǒng)是在微觀形貌觀測(cè)的基礎(chǔ)上，針對(duì)感興趣區(qū)域進(jìn)行特定的定性或定量分析。掃描電子顯微鏡的應(yīng)用實(shí)例圖中表明催化組分由表及里沿徑向呈下降趨勢(shì)。一種(上圖)抗氧化能力較差(國(guó)內(nèi))；另一種(下圖)抗氧化能力較強(qiáng)(國(guó)外)兩者的微雙形態(tài)呈明顯的不同氯化亞銅微觀形態(tài)的觀測(cè)催化劑線掃描圖一種PVC粉料的形貌觀測(cè)ABS脆件斷裂后微觀形態(tài)的觀測(cè)掃描電子顯微鏡的應(yīng)用實(shí)例掃描隧道和原子力電子顯微鏡掃描隧道和原子力電子顯微鏡，是1986年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)獲得者賓尼和羅雷爾相繼發(fā)明創(chuàng)造的。掃描隧道電子顯微鏡簡(jiǎn)稱STM。在性能上，其分辨率通常在0.2nm左右，故可用來確定表面的原子結(jié)構(gòu)。測(cè)量表面的不同位置的電子態(tài)、表面電位及表面逸出功分布。此外，還可以利用STM對(duì)表面的原子進(jìn)行移出和植入操作，有目的地使其排列組合，這就使研制納米級(jí)量子器件、納米級(jí)新材料成為可能◆◆◆掃描隧道和原子力電子顯微鏡掃描隧道電子顯微鏡主要用于導(dǎo)體的研究，而原于力電子顯微鏡不僅用于導(dǎo)體的研究，也可用于非導(dǎo)體的研究。在制造原理上，兩者的基礎(chǔ)是相同的。兩者在應(yīng)用上的主要區(qū)別：原子力電子顯微鏡簡(jiǎn)稱AFM在真空環(huán)境下測(cè)量，其橫向分辨率可達(dá)0.15nm，縱向分辨率達(dá)0.05nm，主要用于測(cè)量絕緣材料表面形貌。此外，用AFM還可測(cè)量表面原子間力、表面的彈性、塑性、硬度、粘著力、摩擦力等性質(zhì)。掃描隧道顯微鏡(STM)德國(guó)Omicron公司超高真空掃描隧道顯微鏡掃描隧道顯微鏡法工作原理示意圖:基本原理及功能掃描隧道電子顯微鏡的原理不同于傳統(tǒng)意義上的電子顯微鏡．它是利用電子在原子間的量子隧穿效應(yīng)。將物質(zhì)表面原子的排列狀態(tài)轉(zhuǎn)換為圖像信息的。在量子隧穿效應(yīng)中，原于間距離與隧穿電流關(guān)系相應(yīng)。通過移動(dòng)著的探針與物質(zhì)表面的相互作用，表面與針尖間的隧穿電流反饋出表面某個(gè)原子間電子的躍遷，由此可以確定出物質(zhì)表面的單一原子及它們的排列狀態(tài)?！簟簟艋驹砑肮δ茉恿﹄娮语@微鏡是在掃描隧道電子顯微鏡制造技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。它是利用移動(dòng)探針與原子間產(chǎn)生的相互作用力，將其在三維空間的分布狀態(tài)轉(zhuǎn)換成圖像信息，從而得到物質(zhì)表面原子及它們的排列狀態(tài)。通常，把以掃描隧道和原子力電子顯微鏡為基礎(chǔ)，兼帶上述其他功能顯微鏡的儀器統(tǒng)稱為原子力電子顯微鏡?！簟魭呙杷淼篮驮恿﹄娮语@微鏡一般掃描電子顯微鏡放大倍數(shù)為幾十萬倍．透射電子顯微鏡的放大倍數(shù)可達(dá)百萬倍以上掃描隧道電子顯微鏡的放大倍數(shù)通?？蛇_(dá)幾千萬倍??用STM測(cè)量高定向熱解石墨應(yīng)用舉例其它顯微鏡LFM激光力顯微鏡MFM磁力顯微鏡BEEM彈道電子發(fā)射顯微鏡可用于觀察樣品表面的起伏狀態(tài)。由于其探針離表面較遠(yuǎn)，而且觀察表面起伏的最小尺寸度約5nm，因此也可用來測(cè)量表面窄縫的內(nèi)部特征。分辨率優(yōu)于25nm，主要用于觀察磁場(chǎng)邊界、磁場(chǎng)強(qiáng)度等，如可用于觀察磁盤存貯的數(shù)據(jù)等是由STM派生出來，用于研究薄居下界面性質(zhì)并具有納米空間分辨率的一種顯微鏡。通過BEEM圖．可以觀察到界面結(jié)構(gòu)以及由于界面結(jié)構(gòu)的缺陷和界面雙方元素的互擴(kuò)散或化學(xué)作用形成的電子態(tài)不均勻性狀態(tài)。各種電鏡的比較

分辨工作環(huán)境對(duì)試樣影響檢測(cè)深度評(píng)價(jià)TEMSEMSTMAFMd⊥d∥無0.2nmd⊥d∥d⊥d∥低6～10nm0.01nm0.1nm高真空高真空大氣,液體,真空中等小無損小于0.2μm1μm1～2原子層歷史最久應(yīng)用最廣可觀察原子整體形貌STM的改進(jìn)與發(fā)展電鏡在高分子材料科學(xué)研究中的應(yīng)用

近些年來，電鏡的分辨率已達(dá)到0.1nm，電鏡能夠直接觀察分子和一些原子。但一般來說，對(duì)于高分子試樣，只能達(dá)到l-1.5nm，只有少數(shù)高分于試樣能夠得到高分辨率像。這是由高分子材料的特點(diǎn)決定的，在高真空中，電子射線轟擊高分子試樣，使高分子受到電子損傷，降解、污染。因而降低了分辨率：盡管如此，電鏡仍然是研究高分子材料的重要儀器。A.結(jié)晶性高分子(1)單晶的形成與結(jié)構(gòu)(2)球晶透射電鏡PE單晶PEO球晶PE球晶(3)串晶(4)伸直鏈結(jié)晶PE串晶PE伸直鏈片晶（5）結(jié)晶的形變與熱處理經(jīng)超聲波破壞的PP結(jié)晶PE單晶熱處理后的形態(tài)B、高分子合金(1)非均相結(jié)構(gòu)PPO/PA共混物(2)嵌段共聚物的結(jié)構(gòu)形態(tài)ab－1b－2苯乙烯與異戊二烯、苯乙烯與丁二烯嵌段共聚，按共組分含量不同，可形成球狀、柱狀、層狀等各種聚集態(tài)。圖a為球狀形態(tài)，圖b－1為雙螺旋形態(tài)圖b－2為年輪型層狀形態(tài)。C．其他應(yīng)用（1）復(fù)型觀察表面形貌抗沖擊苯乙烯的應(yīng)力白化現(xiàn)象（復(fù)型）抗沖擊聚苯乙烯的應(yīng)力白化現(xiàn)象(2)高分子“合金”中填充劑的分散狀況NR/BR(50/50)碳黑的分布(3)高分子乳液顆粒形態(tài)種子乳液聚合顆粒的核殼結(jié)構(gòu)功能性共聚高分子的形態(tài)掃描電鏡納米聚合物顆粒的形貌觀察應(yīng)用高分子微球的TEM照片“高爾夫”型微球的TEM照片特殊形態(tài)微球的電鏡圖片24h2h6h電鏡儀器掃描探測(cè)和橢圓光度顯微鏡法（SPEM）＋＝SPEM是一臺(tái)把掃描探測(cè)顯微鏡方法(SPM)和影像橢圓光度法兩種方法結(jié)合在一起的分析儀器。場(chǎng)發(fā)射透射電子顯微鏡

1.點(diǎn)分辨率：0.19nm

2.線分辨率：0.14nm

3.加速電壓：80,100,120,160,200kV

4.傾斜角：25

5.STEM分辨率：0.20nmJEM-2100F掃描電子顯微鏡

JSM-6360LV1.高真空模式：3.0nm低真空模式：4.0nm

2.低真空度1to270Pa，高、低真空切換

3.樣品臺(tái)X:80mmY:40mmT:-10to+90degreeR:360degree

4.加速電壓0.5kVto30Kv束流1pA—1uA

5.真空系統(tǒng)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)臺(tái)能譜分析接口穩(wěn)壓電源循環(huán)水箱用于各種材料的形貌組織觀察、金屬材料斷口分析和失效分析。1.既保證高電壓下的高分辨率，也可提供低電壓下高質(zhì)量的圖像。

2.全自動(dòng)電子槍

3.高靈敏度半導(dǎo)體背散射探頭

4.超級(jí)圓錐形物鏡，高精度的變焦聚光鏡系統(tǒng)

5.大樣品室，全對(duì)中的樣品臺(tái)，大視野觀察范圍可觀測(cè)到2厘米見方的樣品主要特點(diǎn)KYKY-2800B型掃描電子顯微鏡1.分辨本領(lǐng)：4.5nm

2.放大倍數(shù)：15X～250,000X

3.加速電壓：0.1kV～30kV

4.試樣尺寸：Φ60mm（最大）1、分辨率6.0nm(鎢絲陰極)

2、放大倍數(shù)15倍～250000倍

3、電子光學(xué)系統(tǒng)電子槍：發(fā)叉式鎢絲陰極

加速電壓：0～30KV

透鏡系統(tǒng)：三級(jí)電磁透鏡

物鏡光闌：三個(gè)可在真空外選擇調(diào)節(jié)KYKY-EM3200型數(shù)字化掃描電子顯微鏡CSPM3000系列掃描探針顯微鏡廣泛的應(yīng)用范圍物理學(xué)化學(xué)生物和生命科學(xué)材料科學(xué)微電子科學(xué)和技術(shù)表面科學(xué)納米科學(xué)和技術(shù)CSPM3000系列多模式掃描探針顯微鏡性能指標(biāo)

■分辨率：

掃描探針顯微鏡(STM)：橫向0.13nm垂直0.01nm（以石墨定標(biāo)）

原子力顯微鏡(AFM)：橫向0.26nm垂直0.1nm（以云母定標(biāo)）

■探針激勵(lì)信號(hào)：

振幅為0～2V頻率為DC～1000kHz（32-bit分辨率）AP-990

原子力顯微鏡

AtomicForceMicroscopes觀察拋光固本表面、薄膜表面的表面形貌,價(jià)鍵狀態(tài)；觀察集成電路芯片的光刻質(zhì)量,摻雜后的電場(chǎng)分布,用于觀察信息存貯材料表面磁場(chǎng)分布磁疇等.可用于微電子集成電路器件的失效分析.掃描探針顯微鏡

Scanner

X,Y

scan

size:

200

×

200

micron

X,Y

resolution:

1

nm

Z

range:

15

micron

Z

resolution:

<

0.5

nm

Approach

Type:

Automatic

Length:

>

1.5

mm

Operation

Mode:

AC,

DC,

LFM,

MFM.

Optional

mode:

STM,

Conductive

AFM.

Imaging:

Topography,

Phase,

Lateral

Force.

Objective

Type:

Bright

Field.

Focal

length:

95

mm.

Magnification:

15X.

AJ-Ⅰ型掃描隧道顯微鏡（STM)

1.STM探頭

2.懸吊式抗震架

3.AJ-Ⅰ型掃描隧道顯微鏡控制箱

4.控制軟件及離線軟件

5.測(cè)試樣品及常用備品備件主要特點(diǎn)

1.樣品尺寸：φ≤10mm

2.掃描范圍：ＸＹ方向3μm×3μm６μm×６μm

3.分辨率：XY方向：0.1nm,

Z方向：0.01nm能夠常規(guī)得到高序石墨（HOPG）表面原子圖像

4.針尖逼近行程及精度：行程≥10nm，精度≤0.1μm,納米級(jí)步進(jìn)馬達(dá)自動(dòng)保護(hù)

驅(qū)近;

5.掃描模式：恒流模式、恒高模式,I-V曲線、Ｉ-Z曲線;

6.掃描方式：連續(xù)掃描，可任意改變掃描方向;采樣數(shù)：256點(diǎn)/線

7.懸吊式抗震裝置;

8.掃描速度：０.1~20Hz;標(biāo)準(zhǔn)串行接口（可以接手提電腦）;技術(shù)參數(shù)掃描力顯微鏡原子力顯微鏡發(fā)明以后，又出現(xiàn)了一些以測(cè)量探針與樣品之間各種作用力來研究表面性質(zhì)的儀器，例如：以摩擦力為對(duì)象的摩擦力顯微鏡、研究磁場(chǎng)性質(zhì)的磁力顯微鏡、利用靜電力的靜電力顯微鏡等。這些不同功能的顯微鏡在不同的研究領(lǐng)域發(fā)揮著重要的作用，它們又統(tǒng)稱為掃描力顯微鏡（Scanning

Force

Microscope,簡(jiǎn)稱SFM）。電鏡應(yīng)用實(shí)例怎樣選擇電鏡SEMimagesof(a)unmodifiedCLDmicrospheresand(b)PNIPAAm/dextranhybridparticles.Thescalebaris20mm.Macromol.RapidCommun.

2003,24,517–521Topologicalandthree-dimensionalAFMimagesofthePPy

microarrays

AdvancedMaterials

2003,13,12,938-942TransmissionelectronmicrographsofPBA/PMMAcore/shelllatexesJournalofPolymerScience:PartAPolymerChemistry,Vol.34,3183-3190(1996)TappingmodeAFMheightimagesofpDMS-b-pS-b-pDMSAbrushesMacromol.RapidCommun.2003,24,1043–1059(a)TappingmodeAFMheightimageofSiO2-g-(pBA94-b-pMMA352)core-shellcolloidwithrubberyinnersegmentandglassyoutershell;(b)heightimagesofsameregionasfor(a)SiO2-g-(pBA94-b-pMMA352)ultrathinfilmsimagedwithincreasingappliedtappingforce;Macromol.RapidCommun.2003,24,1043–1059SEMmicrographsof(a)uncoatedand(b-f)