第一節(jié)半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)演示文稿

第一節(jié)半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)演示文稿當(dāng)前1頁，總共21頁。優(yōu)選第一節(jié)半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)當(dāng)前2頁，總共21頁。（1）導(dǎo)體

導(dǎo)體的最外層電子數(shù)通常是1~3個(gè)，且距原子核較遠(yuǎn)，因此受原子核的束縛力較小。由于溫度升高、振動(dòng)等外界的影響，導(dǎo)體的最外層電子就會(huì)獲得一定能量，從而掙脫原子核的束縛而游離到空間成為自由電子。因此，導(dǎo)體在常溫下存在大量的自由電子，具有良好的導(dǎo)電能力。常用的導(dǎo)電材料有金、銀、銅、鋁等。

導(dǎo)體的特點(diǎn)：內(nèi)部含有大量的自由電子當(dāng)前3頁，總共21頁。（2）絕緣體

絕緣體的最外層電子數(shù)一般為6-8個(gè)，且距原子核較近，因此受原子核的束縛力較強(qiáng)而不易掙脫其束縛。常溫下絕緣體內(nèi)部幾乎不存在自由電子，因此導(dǎo)電能力極差或不導(dǎo)電。常用的絕緣體材料有橡膠、陶瓷、惰性氣體等。絕緣體的特點(diǎn)：

內(nèi)部幾乎沒有自由電子，因此不導(dǎo)電。當(dāng)前4頁，總共21頁。（3）半導(dǎo)體

半導(dǎo)體的最外層電子數(shù)一般為4個(gè)，在常溫下存在的自由電子數(shù)介于導(dǎo)體和絕緣體之間，因而在常溫下半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力也是介于導(dǎo)體和絕緣體之間。常用的半導(dǎo)體材料有硅、鍺等。半導(dǎo)體的特點(diǎn)：

導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間。當(dāng)前5頁，總共21頁。光敏性——當(dāng)光照增強(qiáng)時(shí)，導(dǎo)電能力增強(qiáng)。熱敏性——當(dāng)環(huán)境溫度升高時(shí)，其導(dǎo)電能力增強(qiáng)。摻雜性——純凈的半導(dǎo)體中摻入某些微量雜質(zhì)，導(dǎo)電能力明顯改變。半導(dǎo)體材料的獨(dú)特性能是由其內(nèi)部的導(dǎo)電機(jī)理所決定的。2、半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性當(dāng)前6頁，總共21頁。3、本征半導(dǎo)體價(jià)電子共價(jià)鍵共用電子對(duì)+4表示除去價(jià)電子后的原子本征半導(dǎo)體：完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體。在本征半導(dǎo)體的晶格結(jié)構(gòu)中，每一個(gè)原子均與相鄰的四個(gè)原子結(jié)合，即與相鄰四個(gè)原子的價(jià)電子兩兩組成電子對(duì)，形成共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)。共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子，稱為價(jià)電子。當(dāng)前7頁，總共21頁。+4+4+4+4自由電子空穴束縛電子

在熱力學(xué)零度時(shí)，半導(dǎo)體不導(dǎo)電。當(dāng)溫度升高或受到光的照射時(shí)，價(jià)電子能量增高，有的價(jià)電子可以掙脫原子核的束縛，成為自由電子——本征激發(fā)。

自由電子產(chǎn)生的同時(shí)，在其原來的共價(jià)鍵中就出現(xiàn)了一個(gè)空位，這個(gè)空位為空穴。因本征激發(fā)而出現(xiàn)的自由電子和空穴是同時(shí)成對(duì)出現(xiàn)的，稱為電子空穴對(duì)。當(dāng)前8頁，總共21頁。電子和空穴產(chǎn)生過程動(dòng)畫演示當(dāng)前9頁，總共21頁。若在半導(dǎo)體兩端外加電壓，帶負(fù)電的自由電子和帶正電的空穴如何運(yùn)動(dòng)？當(dāng)前10頁，總共21頁。

在外加電場作用下，自由電子定向運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生電流——漂移電流。

空穴吸引相鄰原子中的價(jià)電子來填補(bǔ)，在價(jià)電子原來的位置上出現(xiàn)了新的空穴，不斷地重復(fù)運(yùn)動(dòng)，相當(dāng)于空穴運(yùn)動(dòng)——空穴電流。

自由電子在運(yùn)動(dòng)的過程中如果與空穴相遇就會(huì)填補(bǔ)空穴，使兩者同時(shí)消失——復(fù)合。本征半導(dǎo)體中存在數(shù)量相等的兩種載流子，即自由電子和空穴。當(dāng)前11頁，總共21頁。帶負(fù)電的自由電子向正極做定向運(yùn)動(dòng)，被原子核束縛著的價(jià)電子遞補(bǔ)空穴使空穴向負(fù)極運(yùn)動(dòng)。兩種載流子形成電荷極性不同，但電流方向相同的電子流。本征半導(dǎo)體中電流由兩部分組成：

1.自由電子移動(dòng)產(chǎn)生的電流。

2.空穴移動(dòng)產(chǎn)生的電流。自由電子帶負(fù)電荷電子流＋總電流載流子空穴帶正電荷空穴流當(dāng)前12頁，總共21頁。半導(dǎo)體導(dǎo)電機(jī)理動(dòng)畫演示當(dāng)前13頁，總共21頁。本征半導(dǎo)體中由于熱激發(fā)存在數(shù)量相等的兩種載流子，即自由電子和空穴載流子。在半導(dǎo)體兩端外加電壓，帶負(fù)電的自由電子向正極做定向運(yùn)動(dòng)，被原子核束縛著的價(jià)電子遞補(bǔ)空穴使空穴向負(fù)極運(yùn)動(dòng)。兩種載流子形成電荷極性不同，但電流方向相同的電子流。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。溫度越高，載流子的濃度越高，本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力越強(qiáng)。溫度是影響半導(dǎo)體導(dǎo)電性能的一個(gè)重要的外部因素，這是半導(dǎo)體的一大特點(diǎn)。4、半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理總結(jié)當(dāng)前14頁，總共21頁。

在溫度一定時(shí)，這兩種相互矛盾的運(yùn)動(dòng)達(dá)到相對(duì)平衡，單位時(shí)間內(nèi)電子-空穴對(duì)產(chǎn)生和復(fù)合的數(shù)目相等，實(shí)際存在著的電子-空穴對(duì)維持在一定的數(shù)目上。

晶體內(nèi)原子的熱運(yùn)動(dòng)加劇，熱激發(fā)增多，產(chǎn)生超過復(fù)合，使原來的平衡被破壞，自由電子和空穴的數(shù)目增多，復(fù)合的機(jī)會(huì)也增大，最后達(dá)到一個(gè)新的動(dòng)態(tài)平衡。

說明：熱激發(fā)產(chǎn)生的電子-空穴對(duì)的數(shù)目，是由溫度決定的，在一般室溫下，其數(shù)量甚少；當(dāng)溫度升高時(shí)，其數(shù)量隨之增加，即半導(dǎo)體導(dǎo)電能力隨之增強(qiáng)。當(dāng)前15頁，總共21頁。5.雜質(zhì)半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量的雜質(zhì)，就會(huì)使半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能發(fā)生顯著變化。其原因是摻雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度大大增加。P型半導(dǎo)體：空穴濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體：自由電子濃度大大增加的雜質(zhì)半導(dǎo)體。當(dāng)前16頁，總共21頁。(1)N型半導(dǎo)體+五價(jià)元素磷(P)＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4P摻入磷雜質(zhì)的半導(dǎo)體晶格中，自由電子的數(shù)量大大增加。在N型半導(dǎo)體中，自由電子數(shù)目大增，自由電子數(shù)目遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于空穴數(shù)量，自由電子被稱為“多數(shù)載流子”（簡稱“多子”）；空穴則稱為“少數(shù)載流子”（簡稱“少子”）。當(dāng)前17頁，總共21頁。正離子電子多出一個(gè)電子出現(xiàn)了一個(gè)正離子+4+4+4+4+4+4+4+4P半導(dǎo)體中產(chǎn)生了大量的自由電子和正離子當(dāng)前18頁，總共21頁。N型半導(dǎo)體形成過程動(dòng)畫演示當(dāng)前19頁，總共21頁。(2)P型半導(dǎo)體＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4＋4三價(jià)元素硼(B)B+摻入硼雜質(zhì)的半導(dǎo)體晶格中，空穴載流子的數(shù)量大大增加。

摻入三價(jià)元素的雜質(zhì)半導(dǎo)體，空穴載流子的數(shù)量大大于自