運(yùn)算放大器行業(yè)發(fā)展基本情況

運(yùn)算放大器行業(yè)發(fā)展基本情況半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展概況及前景（一）全球半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展概況及前景過(guò)去五年，隨著智能手機(jī)平板電腦為代表的新興消費(fèi)電子市場(chǎng)的快速發(fā)展，以及汽車電子、工業(yè)控制、物聯(lián)網(wǎng)等科技產(chǎn)業(yè)的興起，強(qiáng)力帶動(dòng)了整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模迅速增長(zhǎng)。2020年受疫情影響全球經(jīng)濟(jì)出現(xiàn)了衰退。國(guó)際貨幣基金組織估計(jì)，2020年全球GDP增長(zhǎng)率按購(gòu)買(mǎi)力平價(jià)（PPP）計(jì)算約下降了4．4％。這是二戰(zhàn)結(jié)束以來(lái)世界經(jīng)濟(jì)最大幅度的產(chǎn)出萎縮。但是全球半導(dǎo)體市場(chǎng)在居家辦公學(xué)習(xí)、遠(yuǎn)程會(huì)議等需求驅(qū)動(dòng)下，逆勢(shì)增長(zhǎng)。根據(jù)全球半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織統(tǒng)計(jì)，全球半導(dǎo)體行業(yè)2020年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到4，424．09億美元，較2019年增長(zhǎng)約6．78%。根據(jù)全球半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)預(yù)測(cè)，2021年度和2022年度，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模仍將保持增長(zhǎng)趨勢(shì)，預(yù)計(jì)增速分別為24．52和10．09%。根據(jù)全球半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織統(tǒng)計(jì)，2020年美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模約為953．66億美元，占全球市場(chǎng)的21．65%；歐洲半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模約為375．20億美元，約占全球市場(chǎng)的8．52%，日本半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模約為364．71億美元，約占全球市場(chǎng)的8．28%，亞太地區(qū)（除日本外）市場(chǎng)規(guī)模達(dá)2，710．32億美元，已占據(jù)全球市場(chǎng)61．54%的市場(chǎng)份額。根據(jù)全球半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織預(yù)測(cè)，2021年度和2022年度，美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模將分別上漲21．50%和12．00%，亞太地區(qū)（除日本外）市場(chǎng)規(guī)模將分別上漲27．16%和10．16%，至2022年度，亞太地區(qū)（除日本外）市場(chǎng)規(guī)模占比將繼續(xù)升高至62．60%。（二）中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展概況及前景十三五規(guī)劃以來(lái)，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局產(chǎn)生了重大變化。首先，得益于近年《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》《國(guó)家信息化發(fā)展戰(zhàn)略綱要》等重要文件的出臺(tái)，以及社會(huì)各界對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的日益重視。中國(guó)近年來(lái)集成電路市場(chǎng)規(guī)模逐步增長(zhǎng)，我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)正站在國(guó)產(chǎn)化的起跑線上。其次，由于2019年底爆發(fā)并延續(xù)至2020年的新冠疫情，對(duì)于世界整體的經(jīng)濟(jì)格局造成巨大影響，疫情仍是影響全球經(jīng)濟(jì)走向的關(guān)鍵變量，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)性發(fā)展將面臨挑戰(zhàn)。同時(shí)，在近年來(lái)國(guó)際形勢(shì)的變化和地緣沖突的加劇等緊張形勢(shì)下，中國(guó)正在抓緊提升集成電路產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新能力和產(chǎn)業(yè)完整性，加快產(chǎn)業(yè)自主研發(fā)、加強(qiáng)人才培養(yǎng)、整合產(chǎn)業(yè)鏈。1、國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)需求保持快速增長(zhǎng)根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，最近五年，我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)銷售額始終保持快速增長(zhǎng)。2020年度，我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)銷售額為11，814．3億元，較上年同期增長(zhǎng)14．3%。自2015年度至2020年度，我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)銷售額復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到16．77%。2、國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體市場(chǎng)供給和需求之間仍存在明顯差距我國(guó)集成電路的供給和需求之間，仍存在較大的差距，根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)的統(tǒng)計(jì)及預(yù)測(cè)，雖然在我國(guó)產(chǎn)業(yè)政策鼓勵(lì)下，半導(dǎo)體市場(chǎng)需求和供給之間差距有所減小，但二者仍有較大差距。2020年度，我國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)需求金額為19，270．3億元，和我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)銷售額差距為7，456億元。3、我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)空間巨大我國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)需求和供給之間的差異，也導(dǎo)致我國(guó)半導(dǎo)體進(jìn)口長(zhǎng)期處于高位。2020年度，我國(guó)進(jìn)口半導(dǎo)體器件3，767．8億美元，較上年同期增加13．6%，出口半導(dǎo)體器件1，522．8億美元，較上年同期增加11．0%，凈進(jìn)口金額2，245．0億美元，較上年同期增加14．79%。從國(guó)產(chǎn)化率角度來(lái)看，我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)品供給和需求差異更為顯著。根據(jù)ICInsight統(tǒng)計(jì)，2020年度，中國(guó)大陸集成電路市場(chǎng)需求為1，434億美元，而本土企業(yè)的集成電路制造產(chǎn)值僅為83億美元，而在中國(guó)大陸建廠的外國(guó)企業(yè)如臺(tái)積電、三星、SK海力士、英特爾等在國(guó)內(nèi)生產(chǎn)集成電路產(chǎn)品的產(chǎn)值達(dá)到了144億美元，本土企業(yè)的集成電路產(chǎn)值僅為國(guó)內(nèi)制造集成電路產(chǎn)值227億元的36．5%，更只占中國(guó)大陸集成電路需求的5．9%。雖然我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自給率有所上升，但供給和需求仍存在較大差距，我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)依然有很大的成長(zhǎng)空間。隨著5G、AI、物聯(lián)網(wǎng)、自動(dòng)駕駛、VR/AR等新一輪科技逐漸走向產(chǎn)業(yè)化，未來(lái)十年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)有望迎來(lái)進(jìn)口替代與成長(zhǎng)的黃金時(shí)期，逐步在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)的結(jié)構(gòu)性調(diào)整中占據(jù)舉足輕重的地位。半導(dǎo)體行業(yè)全球市場(chǎng)空間超50億美元，國(guó)內(nèi)增速更快受益于三大下游市場(chǎng)擴(kuò)容，濕電子化學(xué)品需求量有望實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定增速。近年來(lái)，半導(dǎo)體、顯示面板、光伏三大板塊下游市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大，產(chǎn)業(yè)迎來(lái)高速發(fā)展，帶動(dòng)濕電子化學(xué)品市場(chǎng)規(guī)模平穩(wěn)增長(zhǎng)。據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù)，2020年全球濕電子化學(xué)品市場(chǎng)規(guī)模為50．84億美元，受疫情影響略有下滑。國(guó)內(nèi)濕電子化學(xué)品市場(chǎng)規(guī)模于2020年達(dá)到100．6億元，同比增長(zhǎng)9．2%。中低端領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)轉(zhuǎn)化率較高，產(chǎn)業(yè)升級(jí)主要面向G4-G5級(jí)產(chǎn)品。國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織（SEMI）于1975年制定了國(guó)際統(tǒng)一的濕電子化學(xué)品雜質(zhì)含量標(biāo)準(zhǔn)。該標(biāo)準(zhǔn)下，產(chǎn)品級(jí)別越高，所對(duì)應(yīng)的集成電路加工工藝精細(xì)度程度越高，制程越先進(jìn)。半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)耠娮踊瘜W(xué)品的純度要求較高，集中在G3、G4級(jí)水平，且晶圓尺寸越大對(duì)純度的要求越高，12英寸晶圓制造一般要求G4級(jí)以上水平。目前國(guó)外主流濕電子化學(xué)品企業(yè)已實(shí)現(xiàn)G5級(jí)標(biāo)準(zhǔn)化產(chǎn)品的量產(chǎn)。國(guó)內(nèi)市場(chǎng)半導(dǎo)體領(lǐng)域的濕電子化學(xué)品，G2、G3級(jí)中低端產(chǎn)品進(jìn)口轉(zhuǎn)化率高，因?yàn)榇思夹g(shù)范圍內(nèi)國(guó)產(chǎn)產(chǎn)品本土化生產(chǎn)、性價(jià)比高、供應(yīng)穩(wěn)定等優(yōu)勢(shì)較為突出。G4、G5級(jí)高端產(chǎn)品仍有較大進(jìn)口替代空間，為未來(lái)主要升級(jí)方向。集成電路對(duì)超凈高純?cè)噭┘兌鹊囊蠓浅８摺０凑誗EMI等級(jí)的分類，G1級(jí)屬于低檔產(chǎn)品，G2級(jí)屬于中低檔產(chǎn)品，G3級(jí)屬于中高檔產(chǎn)品，G4和G5級(jí)則屬于高檔產(chǎn)品。集成電路用超高純?cè)噭┑募兌纫蠡炯性贕3、G4級(jí)水平，中國(guó)的研發(fā)水平與國(guó)際仍存在較大差距。濕電子化學(xué)品技術(shù)制造復(fù)雜，且品類眾多，每種產(chǎn)品的制備要求各不相同，無(wú)法設(shè)計(jì)加工通用設(shè)備。企業(yè)必須根據(jù)不同品種的特性來(lái)確定適合的工藝路徑，設(shè)計(jì)加工所需的設(shè)備，因此顯著提升了制造成本和供應(yīng)難度。研發(fā)能力及技術(shù)積累。濕電子化學(xué)品的生產(chǎn)技術(shù)包括混配技術(shù)、分離技術(shù)、純化技術(shù)以及與其生產(chǎn)相配套的分析檢驗(yàn)技術(shù)、環(huán)境處理與監(jiān)測(cè)技術(shù)等。以上技術(shù)都需要企業(yè)具備研發(fā)能力和一定的技術(shù)積累。同時(shí)，下游產(chǎn)品的生產(chǎn)工藝和專用性需求不盡相同，這需要企業(yè)有較強(qiáng)的配套能力和一定的時(shí)間去掌握核心的配方工藝以滿足不同產(chǎn)品的需求。國(guó)內(nèi)濕電子化學(xué)品市場(chǎng)百舸爭(zhēng)流。由于進(jìn)入壁壘相對(duì)較低，我國(guó)濕電子化學(xué)品制造企業(yè)眾多，約有40余家。其中，以江化微和格林達(dá)為首的濕電子化學(xué)品專業(yè)制造商，主要產(chǎn)品集中在濕電子化學(xué)品，產(chǎn)品種類豐富且毛利率高；以晶瑞電材和飛凱材料為代表的綜合型微電子材料制造商，涉及領(lǐng)域更廣，客戶體量相對(duì)較大。此外還有例如巨化股份等大型化工企業(yè)，濕電子化學(xué)品類產(chǎn)品營(yíng)收占比較少，具有原材料方面的優(yōu)勢(shì)。目前國(guó)內(nèi)制造商產(chǎn)能主要集中在G3、G4級(jí)領(lǐng)域，多數(shù)已開(kāi)始布局G5級(jí)產(chǎn)品產(chǎn)線，預(yù)計(jì)在2022年實(shí)現(xiàn)逐步放量。但目前相較于國(guó)際主流公司，國(guó)內(nèi)企業(yè)產(chǎn)量較小。電子特種氣體又稱電子特氣，是電子氣體的一個(gè)分支，相較于傳統(tǒng)工業(yè)氣體，純度更高，其中一些具有特殊用途。電子特氣下游應(yīng)用廣泛，是集成電路、顯示面板、太陽(yáng)能電池等行業(yè)不可或缺的支撐性材料。在半導(dǎo)體領(lǐng)域，電子特氣的純度直接影響IC芯片的集成度、性能和良品率，在清洗、氣相沉積成膜（CVD）、光刻、刻蝕、離子注入等半導(dǎo)體工藝環(huán)節(jié)中都扮演著重要的角色。電子特氣可以根據(jù)其化學(xué)成分本身和用途的不同進(jìn)行分類。根據(jù)化學(xué)成分的不同，電子特氣可分為氟系、硅系、硼系、鍺系氧化物和氫化物等幾大類別。半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)展迅速，為上游電子特氣市場(chǎng)打開(kāi)成長(zhǎng)空間。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，在晶圓材料328億美元的市場(chǎng)份額中，電子特氣占比達(dá)13%，43億美元，是僅次于硅片的第二大材料領(lǐng)域。近年來(lái)，伴隨下游晶圓廠的加速擴(kuò)張，特氣市場(chǎng)景氣度向好，需求量有望持續(xù)擴(kuò)容。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2020年全球晶圓制造電子氣體市場(chǎng)規(guī)模為43．7億美元。在全球產(chǎn)業(yè)鏈向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移的趨勢(shì)下，中國(guó)電子特氣市場(chǎng)規(guī)模在過(guò)去十年快速增長(zhǎng)，2020年達(dá)到了173．6億元。特氣市場(chǎng)毛利率高、盈利能力強(qiáng)。在各半導(dǎo)體材料領(lǐng)域中，電子特氣公司的平均毛利率處于較高水平。對(duì)比半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)看，晶圓廠的盈利能力最強(qiáng)，例如世界最大晶圓代工廠臺(tái)積電的毛利率為51．6%，國(guó)內(nèi)晶圓廠龍頭中芯國(guó)際的毛利率約為30%。而對(duì)于特種氣體公司來(lái)說(shuō)，電子特氣平均毛利率能達(dá)到近50%。世界第二的法國(guó)液化空氣集團(tuán)，2010年-2019年的毛利率穩(wěn)定在60%-65%，而一般化工氣體或大宗氣體的毛利率僅在20-30%水平。國(guó)內(nèi)企業(yè)電子特氣毛利率相對(duì)較低，約為30%-40%，相較國(guó)際巨頭有一定差距，未來(lái)成長(zhǎng)空間廣闊。伴隨技術(shù)研發(fā)的進(jìn)步和需求量的增長(zhǎng)，電子特氣廠商盈利能力有望持續(xù)升級(jí)。特種氣體純度提升為核心技術(shù)瓶頸。集成電路對(duì)電子特氣的純度有著苛刻的要求，因?yàn)樵谛酒庸み^(guò)程中，極微量的雜質(zhì)也可能導(dǎo)致產(chǎn)品重大缺陷，特種氣體純度越高，產(chǎn)品的良率越高、性能越優(yōu)。伴隨IC芯片制程技術(shù)的不斷發(fā)展，產(chǎn)品的生產(chǎn)精度越來(lái)越高，用于集成電路制造的電子特氣亦提出了更高的純度要求。電子特氣的純度主要受三個(gè)因素影響：一是提純技術(shù)。電子特氣的分離和提純?cè)砩峡煞譃榫s分離、分子篩吸附分離以及膜分離三大類。在實(shí)際提純分離過(guò)程中，為提升效率和良品率，會(huì)利用多種方法進(jìn)行組合，配置工藝更為復(fù)雜，還需保證產(chǎn)品配比精度，因此抬高了研發(fā)壁壘。二是氣體檢測(cè)技術(shù)。隨著電子特氣的純度越來(lái)越高，對(duì)分析檢測(cè)方法和儀器提出了更高的要求。目前國(guó)外電子氣體的分析己經(jīng)經(jīng)歷了離線分析、在線分析、原位分析等幾個(gè)階段，對(duì)于高純度電子特氣的分析已開(kāi)發(fā)出完整的測(cè)試體系。而由于我國(guó)電子特氣行業(yè)重生產(chǎn)而輕檢測(cè)，因此分析方法和儀器同國(guó)外廠商都有一定差距。三是氣體的儲(chǔ)存和運(yùn)輸。高純電子特氣運(yùn)輸為一大難關(guān)，在儲(chǔ)存和運(yùn)輸過(guò)程中要求使用高質(zhì)量的氣體包裝儲(chǔ)運(yùn)容器、以及相應(yīng)的氣體輸送管線、閥門(mén)和接口，以防止氣體二次污染。我國(guó)加工工藝整體落后以及不符合國(guó)際規(guī)范，大部分市場(chǎng)被國(guó)外公司占據(jù)。專業(yè)人才缺乏，技術(shù)人員培養(yǎng)目前面臨較大困局。電子氣體生產(chǎn)環(huán)節(jié)較多、操作復(fù)雜，因此企業(yè)除了研發(fā)人才，還需要大量掌握生產(chǎn)技術(shù)、具有實(shí)際操作經(jīng)驗(yàn)的技術(shù)人員。據(jù)統(tǒng)計(jì)，培養(yǎng)一名合格的生產(chǎn)技術(shù)工人至少需要2年時(shí)間，但目前國(guó)內(nèi)各大院?；疚丛O(shè)立工業(yè)氣體學(xué)科，因此企業(yè)需要花費(fèi)大量時(shí)間和資金成本對(duì)新進(jìn)人員進(jìn)行深度培養(yǎng)，制約了我國(guó)企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新水平的提升速度。電子特氣市場(chǎng)正處于穩(wěn)定增長(zhǎng)階段，從地理位置上看，亞太地區(qū)是電子特氣的最大消費(fèi)市場(chǎng)。國(guó)內(nèi)電子特氣相關(guān)需求一直依賴進(jìn)口，主要市場(chǎng)由空氣化工、德國(guó)林德集團(tuán)、液化空氣和太陽(yáng)日酸等國(guó)外廠商占據(jù)，CR4約88%，形成寡頭壟斷的局面。國(guó)際局勢(shì)疊加國(guó)內(nèi)新興產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展，本土化優(yōu)勢(shì)顯著。新興終端市場(chǎng)加速成長(zhǎng)，國(guó)內(nèi)企業(yè)經(jīng)過(guò)多年技術(shù)積累有望迎來(lái)國(guó)產(chǎn)化全面開(kāi)花。伴隨俄烏戰(zhàn)爭(zhēng)、經(jīng)濟(jì)制裁等事件的頻繁發(fā)生，國(guó)際局勢(shì)變得更加復(fù)雜動(dòng)蕩。在此背景下，進(jìn)口產(chǎn)品價(jià)格昂貴、運(yùn)輸不便，本土化產(chǎn)品供應(yīng)穩(wěn)定、性價(jià)比高等特點(diǎn)更為顯著，國(guó)內(nèi)下游企業(yè)逐步轉(zhuǎn)向國(guó)產(chǎn)供應(yīng)。電子特氣國(guó)產(chǎn)化是必然趨勢(shì)，將在市場(chǎng)化因素主導(dǎo)下全面加速。截至2022年Q1，我國(guó)擁有眾多生產(chǎn)工業(yè)氣體的企業(yè)，其中約一半位于華東地區(qū)。由于行業(yè)技術(shù)壁壘高且客戶粘性大，短期內(nèi)行業(yè)的馬太效應(yīng)將繼續(xù)延續(xù)，但近些年國(guó)家推出的相關(guān)支持政策及法律法規(guī)有望在往來(lái)助力相關(guān)細(xì)分行業(yè)的內(nèi)資企業(yè)大力發(fā)展。靶材又稱為濺射靶材，是制作薄膜的主要材料。在濺射鍍膜工藝中，靶材是在高速荷能粒子轟擊的目標(biāo)材料，可通過(guò)不同的離子光束和靶材相互作用得到不同的膜系（如超硬、耐磨、防腐的合金膜等），以實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電和阻擋的功能。靶材主要是由靶坯、背板等部分組成，工作原理是利用離子源產(chǎn)生的離子，在真空中聚集并提速，用形成的高速離子束流來(lái)轟擊靶材表面，發(fā)生動(dòng)能交換，讓靶材表面的原子沉積在基底。半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)?？焖僭鲩L(zhǎng)，本土廠商進(jìn)展順利進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái)，5G、人工智能、自動(dòng)駕駛等新應(yīng)用的興起，對(duì)芯片性能提出了更高的要求，同時(shí)也推動(dòng)了半導(dǎo)體制造工藝和新材料不斷創(chuàng)新，國(guó)內(nèi)外晶圓廠加緊對(duì)于半導(dǎo)體新制程的研發(fā)，臺(tái)積電已于2020年開(kāi)啟了5nm工藝的量產(chǎn)，并于2021年年底實(shí)現(xiàn)3nm制程的試產(chǎn)，預(yù)計(jì)2022年開(kāi)啟量產(chǎn)。此外臺(tái)積電表示已于2021年攻克2nm制程的技術(shù)節(jié)點(diǎn)的工藝技術(shù)難題，并預(yù)計(jì)于2023年開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2024年逐步實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。隨著芯片工藝升級(jí)，晶圓廠商對(duì)半導(dǎo)體材料要求越來(lái)越高。目前部分終端需求仍然強(qiáng)勁，晶圓代工廠產(chǎn)能利用率維持歷史高位，預(yù)計(jì)全年來(lái)看結(jié)構(gòu)性缺貨狀態(tài)依舊嚴(yán)峻。據(jù)SEMI于2022年3月23日發(fā)布的最新一季全球晶圓廠預(yù)測(cè)報(bào)告，全球用于前道設(shè)施的晶圓廠設(shè)備支出預(yù)計(jì)將同比增長(zhǎng)18%，并在2022年達(dá)到1070億美元的歷史新高。由于半導(dǎo)體材料與下游晶圓廠具有伴生性特點(diǎn)，本土材料廠商將直接受益于中國(guó)大陸晶圓制造產(chǎn)能的大幅擴(kuò)張。成熟制程供需持續(xù)緊張，國(guó)內(nèi)晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)規(guī)模維持高位。受益于成熟制程旺盛需求及大陸地區(qū)穩(wěn)定的供應(yīng)鏈，大陸晶圓廠快速擴(kuò)產(chǎn)。根據(jù)SEMI報(bào)告，2022年全球有75個(gè)正在進(jìn)行的晶圓廠建設(shè)項(xiàng)目，計(jì)劃在2023年建設(shè)62個(gè)。2022年有28個(gè)新的量產(chǎn)晶圓廠開(kāi)始建設(shè)，其中包括23個(gè)12英寸晶圓廠和5個(gè)8英寸及以下晶圓廠。分區(qū)域來(lái)看，中國(guó)晶圓產(chǎn)能增速全球最快，預(yù)計(jì)22年8寸及以下晶圓產(chǎn)能增加9%，12寸晶圓產(chǎn)能增加17%。隨著下游電子設(shè)備硅含量增長(zhǎng)，半導(dǎo)體需求快速增長(zhǎng)。在半導(dǎo)體工藝升級(jí)+積極擴(kuò)產(chǎn)催化下，半導(dǎo)體材料市場(chǎng)快速增長(zhǎng)。據(jù)SEMI報(bào)告數(shù)據(jù)，2021年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)收入達(dá)到643億美元，超過(guò)了此前2020年555億美元的市場(chǎng)規(guī)模最高點(diǎn)，同比增長(zhǎng)15．9%。晶圓制造材料和封裝材料收入總額分別為404億美元和239億美元，同比增長(zhǎng)15．5%和16．5%。此外，受益于產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)移趨勢(shì)，2021年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體材料銷售額高達(dá)119．3億美元，同比增長(zhǎng)22%，增速遠(yuǎn)高于其他國(guó)家和地區(qū)。半導(dǎo)體材料種類繁多，包括硅片、電子特氣、掩模版、光刻膠、濕電子化學(xué)品、拋光液、拋光墊、靶材等。據(jù)SEMI數(shù)據(jù)顯示，硅片為半導(dǎo)體材料領(lǐng)域規(guī)模最大的品類之一，市場(chǎng)份額占比達(dá)32．9%，排名第一，其次為氣體，占比約14．1%，光掩模排名第三，占比為12．6%。此外，拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學(xué)品、濺射靶材的占比分別為7．2%、6．9%、6．1%、4%和3%。半導(dǎo)體行業(yè)供需持續(xù)緊張，加速硅片是半導(dǎo)體上游產(chǎn)業(yè)鏈中最重要的基底材料之一。硅片是以高純結(jié)晶硅為材料所制成的圓片，一般可作為集成電路和半導(dǎo)體器件的載體。與其他材料相比，結(jié)晶硅的分子結(jié)構(gòu)較為穩(wěn)定，導(dǎo)電性極低。此外，硅大量存在于沙子、巖石、礦物中，更容易獲取。因此，硅具有穩(wěn)定性高、易獲取、產(chǎn)量大等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于IC和光伏領(lǐng)域。硅片可以根據(jù)晶胞排列是否有序、尺寸、加工工序和摻雜程度的不同等方式進(jìn)行分類。根據(jù)晶胞排列方式的不同，硅片可分為單晶硅和多晶硅。硅片是硅單質(zhì)材料的片狀結(jié)構(gòu)，有單晶和多晶之分。單晶是具有固定晶向的結(jié)晶體材料，一般用作集成電路的襯底材料和制作太陽(yáng)能電池片。多晶是沒(méi)有固定晶向的晶體材料，一般用于光伏發(fā)電，或者用于拉制單晶硅的原材料。單晶硅用作半導(dǎo)體材料有極高的純度要求，IC級(jí)別的純度要求達(dá)9N以上（99．9999999%），區(qū)熔單晶硅片純度要求在11N（99．999999999%）以上。根據(jù)尺寸大小的不同，硅片可分為50mm（2英寸）、75mm（3英寸）、100mm（4英寸）、150mm（6英寸）、200mm（8英寸）及300mm（12英寸）。英寸為硅片的直徑，目前8英寸和12英寸硅片為市場(chǎng)最主流的產(chǎn)品。8英寸硅片主要應(yīng)用在90nm-0．25μm制程中，多用于傳感、安防領(lǐng)域和電動(dòng)汽車的功率器件、模擬IC、指紋識(shí)別和顯示驅(qū)動(dòng)等。12英寸硅片主要應(yīng)用在90nm以下的制程中，主要用于邏輯芯片、儲(chǔ)存器和自動(dòng)駕駛領(lǐng)域。大尺寸為硅片主流趨勢(shì)。硅片越大，單個(gè)產(chǎn)出的芯片數(shù)量越多，制造成本越低，因此硅片廠商不斷向大尺寸硅片進(jìn)發(fā)。1980年4英寸占主流，1990年發(fā)展為6英寸，2000年開(kāi)始8英寸被廣泛應(yīng)用。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2008年以前，全球大尺寸硅片以8英寸為主，2008年后，12英寸硅片市場(chǎng)份額逐步提升，趕超8英寸硅片。2020年，12英寸硅片市場(chǎng)份額已提升至68．1%，為目前半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)最主流的產(chǎn)品。后續(xù)18英寸硅片將成為市場(chǎng)下一階段的目標(biāo)，但設(shè)備研發(fā)難度大，生產(chǎn)成本較高，且下游需求量不足，18英寸硅片尚未成熟。根據(jù)加工工序的不同，硅片可分為拋光片、外延片、SOI硅片等高端硅片。其中拋光片應(yīng)用范圍最為廣泛，是拋光環(huán)節(jié)的終產(chǎn)物。拋光片是從單晶硅柱上直接切出厚度約1mm的原硅片，切出后對(duì)其進(jìn)行拋光鏡面加工，去除部分損傷層后得到的表面光潔平整的硅片。拋光片可單獨(dú)使用于電動(dòng)汽車功率器件和儲(chǔ)存芯片中，也可用作其他硅片的襯底，成為其他硅片加工的基礎(chǔ)。外延片是一種將拋光片在外延爐中加熱后，通過(guò)氣相沉淀的方式使其表面外延生長(zhǎng)符合特定要求的多晶硅的硅片。該技術(shù)可有效減少硅片中的單晶缺陷，使硅片具有更低的缺陷密度和氧含量，從而提升終端產(chǎn)品的可靠性，常用于制造CMOS芯片。根據(jù)摻雜程度的不同，半導(dǎo)體硅片可分為輕摻和重?fù)?。重?fù)焦杵脑負(fù)诫s濃度高，電阻率低，一般應(yīng)用于功率器件。輕摻硅片摻雜濃度低，技術(shù)難度和產(chǎn)品質(zhì)量要求更高，一般用于集成電路領(lǐng)域。由于集成電路在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中占比超過(guò)80%，目前全球?qū)p摻硅片需求更大。含硅量提升驅(qū)動(dòng)行業(yè)快速增長(zhǎng)。伴隨5G、物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車、人工智能等新興領(lǐng)域的高