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第三節(jié)沉淀的形成沉淀的類型晶形沉淀，如BaSO4，MgNH4PO4凝乳狀沉淀，如AgCl無(wú)定形沉淀,如Fe(OH)3沉淀的形成過(guò)程構(gòu)晶離子晶核成核成長(zhǎng)沉淀微粒沉淀堆積.一、晶核的形成均相成核：構(gòu)晶離子相互締合形成晶核異相成核：外來(lái)固體微粒吸附構(gòu)晶離子成核臨界值:成核作用由異相成核作用轉(zhuǎn)化為異相成核和均相成核同時(shí)進(jìn)行轉(zhuǎn)折點(diǎn)處的Q/s值稱為臨界值。Q/s臨界值越大，該沉淀越不易進(jìn)行均相成核作用，易獲得大顆粒晶形沉淀，臨界值小的易生成小顆粒凝乳狀沉淀。SO42單位晶胞Ba+(BaSO4)2SO42-[Ba(SO4)2]2-Ba2++SO42-BaSO4BaSO4均相成核的過(guò)程.二、晶形沉淀和無(wú)定形沉淀

晶體的成長(zhǎng)過(guò)程:聚集過(guò)程——形成無(wú)定形沉淀定向過(guò)程——形成晶形沉淀定向速度主要取決于物質(zhì)的本性，極性較強(qiáng)的鹽類定向速度大。聚集速度取決于溶液的過(guò)飽和度。沉淀顆粒的大小與溶液過(guò)飽和度之間的關(guān)系：.第四節(jié)沉淀的污染和純化

一、共沉淀（一）吸附共沉淀產(chǎn)生原因：晶體表面的構(gòu)晶離子具有剩余價(jià)力吸附順序：先吸附構(gòu)晶離子形成吸附層，再吸附抗衡離子形成擴(kuò)散層。沉淀對(duì)雜質(zhì)離子的吸附選擇性：擴(kuò)散層中能與構(gòu)晶離子形成難溶鹽或難電離化合物的離子優(yōu)先被吸附，價(jià)數(shù)高濃度大的離子易被吸附。減少吸附的方法：①加熱溶液②洗滌沉淀③減小比表面積。沉淀污染的原因：共沉淀和后沉淀.（二）形成混晶

雜質(zhì)離子與構(gòu)晶離子半徑相近時(shí)，易形成相同晶格結(jié)構(gòu)的混晶，如PbSO4和BaSO4，BaCrO4和BaSO4，KMnO4和BaSO4，（三）包藏作用

產(chǎn)生原因：由于沉淀生成得太快，被吸附雜質(zhì)或母液被覆蓋在沉淀內(nèi)部而造成的共沉淀現(xiàn)象。消除方法：分離除去雜質(zhì)。消除方法：陳化或重結(jié)晶.二、后沉淀在被測(cè)組分沉淀結(jié)束后，雜質(zhì)又沉積在沉淀表面的現(xiàn)象叫后沉淀。例如在稀酸條件下用H2S沉淀Cu2+和Zn2+混合溶液中的Cu2+。三、沉淀?xiàng)l件的選擇

1.晶形沉淀的沉淀?xiàng)l件：稀、慢、攪、熱、陳2.無(wú)定形沉淀的沉淀?xiàng)l件：濃、熱、加電解質(zhì)、不陳化3.均勻沉淀法：

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