八選一數(shù)據(jù)選擇器_第1頁(yè)
八選一數(shù)據(jù)選擇器_第2頁(yè)
八選一數(shù)據(jù)選擇器_第3頁(yè)
八選一數(shù)據(jù)選擇器_第4頁(yè)
八選一數(shù)據(jù)選擇器_第5頁(yè)
已閱讀5頁(yè),還剩13頁(yè)未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

八選一數(shù)據(jù)選擇器八選一數(shù)據(jù)選擇器#/16《集成電路設(shè)計(jì)實(shí)踐》報(bào)告題目: 8選1數(shù)據(jù)選擇器 院系: 自動(dòng)化學(xué)院電子工程系專業(yè)班級(jí): 微電 學(xué)生學(xué)號(hào): 學(xué)生姓名: 指導(dǎo)教師姓名:職稱:講師起止時(shí)間: 2015-12-21——2016-1-9成績(jī): 一、設(shè)計(jì)任務(wù)1)依據(jù)8選1數(shù)據(jù)選擇器的真值表,給出八選一MUX電路圖,完成由電路圖到晶體管級(jí)的轉(zhuǎn)化(需提出至少2種方案);2)繪制原理圖(Sedit),完成電路特性模擬(Tspice,瞬態(tài)特性),給出電路最大延時(shí)時(shí)間;3)遵循設(shè)計(jì)規(guī)則完成晶體管級(jí)電路圖的版圖,流程如下:版圖布局規(guī)劃-基本單元繪制-功能塊的繪制-布線規(guī)劃-總體版圖);4)版圖檢查與驗(yàn)證(DRC檢查);5)針對(duì)自己畫的版圖,給出實(shí)現(xiàn)該電路的工藝流程圖。二、電路設(shè)計(jì)方案的確定數(shù)據(jù)選擇器是指經(jīng)過選擇,把多個(gè)通道的數(shù)據(jù)傳送到唯一的公共數(shù)據(jù)通道上去,實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)選擇功能的邏輯電路稱為數(shù)據(jù)選擇器。它的作用相當(dāng)于多個(gè)輸入的單刀多擲開關(guān),其示意圖如下所示數(shù)據(jù)選擇器除了可以實(shí)現(xiàn)一些組合邏輯功能以外,還可以做分時(shí)多路傳輸電路,函數(shù)發(fā)生器及數(shù)碼比較器

等,常見的數(shù)據(jù)比較器有2選1,4選1,8選1,16選1電路。數(shù)據(jù)選擇器:從多個(gè)數(shù)據(jù)中選擇出一個(gè)選擇,也叫多路轉(zhuǎn)換器。示意圖其功能類似一個(gè)多投開關(guān),是一個(gè)多輸入、單輸出的組合邏輯電路,D21電路。數(shù)據(jù)選擇器:從多個(gè)數(shù)據(jù)中選擇出一個(gè)選擇,也叫多路轉(zhuǎn)換器。示意圖其功能類似一個(gè)多投開關(guān),是一個(gè)多輸入、單輸出的組合邏輯電路,D2r-1n位通道選擇信y數(shù)據(jù)選擇器在多路數(shù)據(jù)傳送過程中,能夠根據(jù)需要將其中任意一路選出來的電路,叫做數(shù)據(jù)選擇器。數(shù)據(jù)選擇器(MUX)的邏輯功能是在地址選擇信號(hào)的控制下,從多路數(shù)據(jù)中選擇一路數(shù)據(jù)作為輸出信號(hào)。本次設(shè)計(jì)的是8選1數(shù)據(jù)選擇器。選擇控制端(地址端)為K2,K1,K0,按二進(jìn)制譯碼,從8個(gè)輸入數(shù)據(jù)D0-D7中,選擇一個(gè)需要的數(shù)據(jù)送到輸出端Y。根據(jù)多路開關(guān)的開關(guān)狀態(tài)(地址碼)K2,K1,K0的狀態(tài)選擇D0-D7中某一個(gè)通道的數(shù)據(jù)輸送到輸出端Y。如:K2K1K0=000,則選擇D0數(shù)據(jù)到輸出端,即Y=D0o如:K2K1K0=001,則選擇D1數(shù)據(jù)到輸出端,即Y=D1,其余類推。8選1MUX功能表如下:K2K1K0Y000D0001D1010D2011D3100D4101D5110D6111D7

電路圖設(shè)計(jì)如下:1:電路圖設(shè)計(jì)如下:1:此電路為組合邏輯門電路,電路為CMOS實(shí)現(xiàn)功能,電路規(guī)模較大,工作量大,版圖布局規(guī)模較大,相比之下,選擇傳輸門電路實(shí)現(xiàn)8選1數(shù)據(jù)選擇器功能。2.上圖電路為傳輸門電路,設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、版圖易于制作,2.上圖電路為傳輸門電路,設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、版圖易于制作,且能較好的實(shí)現(xiàn)8選1數(shù)據(jù)選擇器電路要求,故而選擇該電路作為設(shè)計(jì)電路。三、電路特性及其仿真首先用S-Edit軟件畫出電路的模擬圖,然后檢查所畫電路是否存在錯(cuò)誤,并標(biāo)注各個(gè)管子的尺寸,檢查無誤后點(diǎn)擊T-Spice按鈕出現(xiàn)電路的網(wǎng)表圖,然后給檢測(cè)出的電路網(wǎng)表加上電源和輸入信號(hào),檢查添加無誤后進(jìn)行電路模擬仿真,得到電路的模擬仿真圖像。電路圖:*5FI>=E3ULJ1clM.EL-EE.-HKtoy5-SdiE.Mln.33T.D3-WrL-GGcricciDon1Q「an□!?;導(dǎo)_.libnC;XUM-aMKiDVDXDestrwpXft.^電寤實(shí)疊\1jMcShfitEai'EWi一二"2口,life"tt.*Sa,^-fanr.prablr-gcomiands■prate.Gpuian.5prcbefilen.aFw-"2.dac"-pEDtt5ifcriLe-p,3i;hUkd1mm口'D^MmcAMDlAHZI.set"+P,EE*?:C(TIH[rjl'5-r,Ha!TJl?C!n?Maui口口:EireiMarfJleDMl ^13 由它由它 HZra L-2U *12以其D-6。fD-aiu ASF領(lǐng) EE:7Tli:MN H45 艇由值由由 PZ陽(yáng) L-2U *n2!14 AE-6€p FAN如 4B-E唯 EETTli¥315<3d1<3d13E3El.-2j.W-22jfiD-ffipK-21U祗■鉆pW4uH弓隗El X2 Snd Snd HZMH L-2u )^22il AE-£^ EI>2€il JL3-6St EE-2€u.MEi H57 &H3E。西自 HZHH L-^li H-2Wli AD-totp ED-2” AS7/ E±2丐liM6N37MGDIQndMENHL-2'JW-22'JAJ>S6pE-I>2^'dAS^tfip日9-24uM?蚓丸H-13D2田白HZHH1-2口NT公口AE-E/FD-S^dM-fiSpFKiH口M3M3GMGD3QndMENHL-2'JW-22'JAJ>S6pE-I>2^'dAS^tfip日9-24ubi^5H-13IH 田白 HZHH1?2口 NT松口AD-6^:FD-2T口 M-fiSpFKXm |MIDM9£KOIS- Hl以!耳陽(yáng)L=21i 知心口町土E際BP口電口 SJ=fit^口鋁口由口用11M34M43DbGndME2IEL=2'JH=2JjAD=E即PD=24uA£=E6p^'3=2411Mi2M34KORHl以!耳陽(yáng)L=21i知心口町土E際BP口電口SJ=fit^口鋁口由口H13M4CH37Ond舊國(guó)L-SoHl-32uAI-E際PD-34u整■。玨PS-34uM14m3KI期46QndMEMHC-hU-23-jAD-?GP口E-MuA£-££P(guān)PE-24u時(shí)1£M32M4CM與Ond舊國(guó)L-2uiii-32uAI>E年P(guān)D-34u整7,PS-34uMi£的2 KI H字電 Qnd MEMH C-h U-23-j AD-?GP 口E-Mu A£-££P(guān) PE-24uMl?HSM23 M3-3 G國(guó) ?dK H-23-J JU^?Cp ET-24u AS-Cfip P5-24UMICMK2H3ZEtidHSffl£-£□l*-2ZuJM-BCtFD-2fluA3-flSpF5-2euMISN6Q KI End End WEMH L-Zj H-Z2j AD-COp ED-Z^u M-Cflp F5-Z^uMS口觸3 KO Vdd Vdd FEZIK E-3j M-£2j AD-COp EDTTu A5-Sflp F5-Z^uM21M可3NSV3dVddPETOL=2UW=22UAT=66pPD=2guA3=6ER15=34口H22YN-4SVddVddPEhTHL-2uW-22uiD-££pPD-2-euAS-£6pPS-24uM23yraaKSYddVddPEHHL-2uW-22liJ^C-66pPD-2^u口PS-2411M21H4QKIVtStlVdUFE上用L=£UW=22UM=5后口FLE311A5=5S口F5=341J*Endofmainc-iTCiaic:ModulcOWDDVddGnd5VKDKOGNDPDLSE10Das0.2X13O-2n50ns工口口 1VR1KiGNPPUL5E105OnaQ?InaQ.lnIQUns20Ona卜VK2K2QhTDPULSE2QOnaG.lnaO.ln20Dns400naJVODC-GNDPOL5E10Dus0-lnsOuln50ns10Oils)VIDIGKDPULSE105DusQ.ITlBQ.lnIQDns2口口3131kV2D2GKDPULSE105On-50.InalOOnaqqonr卜丁E2G-NDFOLSE105Ons0.1nsO.ln150ns4口口n三;V目aGNDFOL9E10DIl3Ou2asOuln35QJ1S[口口DM|i丁「D5&KDPULSE105DmO?InaQaln300D3勺口口口3卜V6口6UMDPULSE|05Ona0.1nsO.ln50ns200ns)V7D7GNDFOLSE100213Ou2ElSOuln3口口強(qiáng)aOilsI.craz/op5n工石口口口SLart=QniLfithod=D!ll-U-rintVC¥)V(K0)V(K1)V(K2)V(D0jV(D1]就出21鏟巾3}V(D4>V(D5>/底卜V|D7|i--ndSimuL&HiiTi.丁切已St吊tmInputfiLi:OutFutfileQpti口mwIfkidnltO.sp[-...fixisLea口:4.113上一匚Alhur...仿真波形圖:仿真輸出結(jié)果:Inputfjl曲姆加.印FropressSiiiiiitimcorwjil(t?drm=iiOTMOusLoo*OiLtpatRid.iJ.rfimtTotd 25Totd. 36Artirt0CraitfdlLN企0vcvsV-ccntTQlawicchMacrodevices與lib13111Gd匕占Indep-cnSenrnodesTocalnodea-0-Q-g-0-3-11-25VCC3-CCC3-I-caarraLstnrch-FUnccLonalmodelLnscances-Suhalrcu^tinstances-Bounda.ryacd.es-aaa0013***2bTA^niNEMESSftGZEGEtIZHATECWarningT-SPICTr"hevrang-WemxnffT-SFIiZE:ThevraaaeDTarnLngT-SPTsTEeTliavzaagaatleast5,E95121Earbeatvoltagerangelimitvolzaje-ranffeIiTtirvalrAgazanga1£hJ.eaccurac/andperfam悟?5卜(S.5Fn-hauldEH.DCE?fordiodetableshasbe-enexceeded.fDrHQ5FETT:able3hasbeenMceecLedhasai:匚口FanlngD.03jecandj5ecup0-00secondaDC□pexa.twgp-ojjldD.Dl”匚口口3iTinsientAnalysisD-45ae-condalotciL機(jī)49m士匚sda根據(jù)仿真得到的電路特性曲線與設(shè)計(jì)電路的要求對(duì)比可知,所模擬的電路符合設(shè)計(jì)的8選1MUX要求,且能實(shí)現(xiàn)8選1MUX的功能,故模擬的電路可以使用。四、版圖的布局規(guī)劃及基本單元設(shè)計(jì)根據(jù)前面的所涉及的模擬電路可知,對(duì)于一個(gè)基本的8選1MUX,需要14個(gè)nmos結(jié)構(gòu),5個(gè)cmos組成的反相器單元;nmos傳輸門單元,管子之間有漏極相連,也有的柵極相連,制作版圖時(shí)采用L-Edit軟件,并采用0.35um工藝,在制作版圖時(shí)需注意所有光刻孔的幾何尺寸都必須大于或等于最小距離。

版圖如下:五、給出實(shí)現(xiàn)該電路制造的工藝流程首先,n阱CMOS工藝流程:選擇襯底n阱光刻有源區(qū)光刻一多晶硅光刻n+區(qū)光刻p+區(qū)光刻-光刻接觸孔金屬化內(nèi)連線光刻鈍化孔,便得到了反相器;其次,將nmos與pmos合理布局;最后,將其用金屬按照電路要求連接起來,做鈍化和封裝處理;六、總結(jié)集成電路的設(shè)計(jì)流程主要有:電路圖的確定、電路圖模擬及仿真、電路板圖設(shè)計(jì)、版圖與原理圖對(duì)比、后仿真;電路模擬及仿真時(shí),需要注意電路的連接是否符合原理圖要求,仿真時(shí)需要注意所加的信號(hào)是否能夠達(dá)到電路的實(shí)際要求,版圖設(shè)計(jì)時(shí),需要注意版圖的布局,工藝要求及其間距的最小要求,而芯片尺寸盡可能小,版圖與原理圖對(duì)比和后仿真時(shí)要求電路圖和版圖中管子的尺寸基本一致,否則仿真結(jié)果無意義。本次設(shè)計(jì)中,共使用了24個(gè)晶體管,其中一部分用于反相器,一部分用于邏輯門,課設(shè)中,應(yīng)注意一些問題:1、在S-edit中繪制原理圖:更改每個(gè)MOS管的屬性為NENH或PENH,以及管子的尺寸;2、在T-Spice中進(jìn)行原理圖的仿真:在提取庫(kù)文件時(shí)確保是正確的路徑,并添加“tt”,仿真前輸入正確的命令語(yǔ)句;3、在L-Edit中繪制版圖,注意各種規(guī)則,確保正確的繪制版圖;4、畫版圖和電路設(shè)計(jì)圖時(shí)應(yīng)嚴(yán)格按照要求電路來進(jìn)行設(shè)計(jì),應(yīng)實(shí)現(xiàn)電路實(shí)際功能。心得體會(huì):在本次課設(shè)中,加深了對(duì)平時(shí)所學(xué)基礎(chǔ)知識(shí)的理解,鞏固平時(shí)所學(xué)的并進(jìn)行運(yùn)用,對(duì)于制作工藝流程有了更深的理解。七:設(shè)計(jì)成果匯總PMOS版圖如下:版圖網(wǎng)表與電路圖網(wǎng)表的對(duì)比:版圖網(wǎng)表信息如下:E5VDDKD25TODFEKHL-350niD-4.2pPAL口.111i5-4.2pPS-LOuluH6OTD6S5NDKETOD-35GnM-Zu曼FD-6.2口昌S-N.NpF5-6,2uM7強(qiáng)D3YGNDNENEL=35On的211AD=2u2pPD=6-2uAS=2.2pFS=6.2uMS9236&SDNEMHL-350RftD^ZrZpFD-6,2TI FIGMUK910K26GUDKEKBL=350nM^2uAE=2u2ipPD=6-2uAS=2.2pF5=6,2uH1QEllK23KLzH3K15Ml£ML7M1&Migi:z.1:ZLM22M2311219END?JEMEL-35DHH1QEllK23KLzH3K15Ml£ML7M1&Migi:z.1:ZLM22M2311219END?JEMEL-35DHM*-2,2pFk石,ZUA5-Z.ZpFS*6,2Uc:LGH3D2n二E42019B7L-fi9GIIIi3IENEL=35DEil>=2.2pPD=^.2uA5=2.SpP5^6-2uGNDSNDGND■口GND3NDGND2NDGND3NDNENRNEKHNENHNEKH曜HAffEKHNENHNERHH4ENHKEKHL-2SCm.K-2uID-2.2pL=4DDli¥=2]1AD=2.2!PL-2SCn,iT-2-uiD-2.2pL=^DDliH=2llAD=2.2S3L-SSOn.HTuJlD-2.2p:L=4。。!!F=2ll21k1駕iLTGOniT-2-uJlD-2.2p:L=354;nK=2llAD=2.

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論