2023集成電路分析與設(shè)計(jì)試卷A

本文格式為Word版，下載可任意編輯——2023集成電路分析與設(shè)計(jì)試卷A華僑大學(xué)2023集成電路分析與設(shè)計(jì)試卷A

班級(jí)：姓名：學(xué)號(hào)：成績(jī)：

一．填空題（每空1分，共10分）

1、與其它類型的晶體管相比，MOS器件的尺寸很簡(jiǎn)單按比例____（縮小、

增大），CMOS電路被證明具有____（較低、較高）的制造成本。2、放大應(yīng)用時(shí)，尋常使MOS管工作在____（飽和區(qū)、線性區(qū)），電流受

柵源過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓控制，我們定義____（跨導(dǎo)、電導(dǎo)）來(lái)表示電壓轉(zhuǎn)換電流的能力。

3、λ為溝長(zhǎng)調(diào)制效應(yīng)系數(shù)，對(duì)于較長(zhǎng)的溝道，λ值____（較大、較?。?。4、源跟隨器主要應(yīng)用是起到______（電壓緩沖器、電平移動(dòng)）的作用。5、共源共柵放大器結(jié)構(gòu)的一個(gè)重要特性就是____（輸出阻抗、輸入阻抗）很高，因此可以做成______（恒定電流源、恒定電壓源）。

6、由于_尾電流源輸出阻抗為_(kāi)_____（有限值、無(wú)限值）或______（電

路完全對(duì)稱、電路不完全對(duì)稱）等因素，共模輸入電平的變化會(huì)引起差動(dòng)輸出的改變。

二．簡(jiǎn)答（每題2分，共10分）

1、什么是NMOS管的溝道調(diào)制效應(yīng)？寫出NMOS管的具有溝道調(diào)制效應(yīng)漏極電流的計(jì)算公式。

2、什么是體效應(yīng)？體效應(yīng)會(huì)對(duì)電路產(chǎn)生什么影響？

3、“MOS器件即使沒(méi)有傳輸電流也可能導(dǎo)通〞，這種說(shuō)法正確么？為什

么？

4、帶有源極負(fù)反饋的共源極放大電路相對(duì)于基本共源極電路有什么優(yōu)點(diǎn)？

5、什么是亞閾值導(dǎo)電效應(yīng)？

三．畫(huà)圖題（每題10分，共20分）

1、對(duì)于下圖電路。畫(huà)出Ix關(guān)于Vx的函數(shù)曲線草圖，Vx從0變化到5V。其中：λ=γ=0,Vth=0.7V。

2、畫(huà)出NMOS帶有負(fù)反饋電阻RS的共源放大器考慮溝道調(diào)制效應(yīng)、襯底效應(yīng)的低頻小信號(hào)等效電路(不包括NMOS負(fù)載電阻RD)。

四．分析計(jì)算題（共60分）

1、對(duì)于下圖所示電路。計(jì)算小信號(hào)電壓增益，其

中，(W/L)1=40/1,(W/L)2=10/1,ID1=ID2=1mA，μnCox=50μA/V2，ro1=ro2=20kΩ(忽略M2的襯

VinM1VddM2Vout底效應(yīng))。（10分）

2、采用電流源負(fù)載的共源放大器如下圖所示，其中：M2和M3的尺寸一致，假設(shè)在忽略溝道調(diào)制效應(yīng)和襯底效應(yīng)條件下，流過(guò)M2和M3的電流一致，假使MOS管的

20uAViM3VDDM2VoM1λn=0.1，λp=0.2,Kn=50μA/V2，求該電路的跨導(dǎo)、輸出電阻和小信號(hào)增益。（10分）

3、在下圖所示的采用二極管連接負(fù)載的差動(dòng)對(duì)電路中，?nCox?1.34?10?4AV2，

?pCox?3.83?10?5AV2，λn=0.1，λp=0.2，

差動(dòng)對(duì)的參數(shù)為：(W/L)1,2=50/0.5，(W/L)3,4=10/0.5，ISS=0.5mA，ISS由NMOS來(lái)提供，(W/L)SS=50/0.5。（共20分，每題10分）求：

a）求電路的小信號(hào)差動(dòng)增益b）若M3管和M4管的溝道寬度失配，分別為W3=10?m和W4=11?m，那么電路的共模抑制比(CMRR)為多少？