電阻電容封裝尺寸

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妙無(wú)?IM.11偶竟*蕖圳葉照M pUrposti曰鄒心怕Ipdrp0踞〉^201-<J￡C5沖電阻 GenmlpLirpdsa.*206-2512,..Highprecisbri-highstebllllyHighpneosicn-highs'^bilily,0201-l'i&Mi>iilii1'.-￡.i'-jiEIt,W HighpransiDn-li^ghstability,QB￡]5-120HighpransiDn-likyh-stability,?[?'0-2^12仰潴膏帛片借阻-AH危列的特性與用途-超精密性±O.U1%-±154-M用1HiCr真*漩掘-引浸系教R有iSPPIWC-IMPPMfCWideR-VaiuerangeProductswithPb-fre&TerminationsMeatRoHSRequirm&ntsTMi|j「-3g備一衲密量刨僅:器-電卜墨-此轉(zhuǎn)換器「印毒機(jī)AutomaticEquipmentCoEel$r—CommunicationDevice.Cellphone;GPS:PDA——般沿費(fèi)慳產(chǎn)計(jì)?；琢衅螴B畔出iURIIGeneralpurposathinfirrGeneralpurposethnfilnn,0?01?512低■直貼JT耶ILowohricLowohinr302-1206LowWinn以?0'1C-25112咕片I迎聃列ArraysAtrays,convexandconcave購(gòu)，目流侍惑器SMDcurrent轉(zhuǎn)Current$errors-L&wTCll貼片阿格EMIII器NarworkbJ&tw^rk,T-1ypeandL-typa另Wfc/t厚膜禱阻卜咕片引線電阻.略片高壓電阻』貼片功里電咀常1貼片電阻封裝與尺寸WE阻的」寸裝偵卜表：i)ii|jj(imil)公"日問(wèn)河)，】〔!■)“「，「)住fW)(rnprij羸(以門「「[刖「「r「：沈「「「「：0201Q603D倒和，呻030二3J5023+006U101C-0&0J5±O.O504021CQB1.CJ0±a00.50-n.100.30±0.100-20±0-10O.?5±a1a060316□&1.50±0.150.60+0.150.40+C.100.30±0.200.30+0.200^20122-MHU20l.25i0150-5ttiDJUU.4GiiJ.20n.4H+n2Q1206321fi3.2D±(l.2a1.EO=[).1S0.55+A.1CC.6C±0.20n.5D±0.2D121032253.2O±O.2€I?.5OL3.2a0.55+0.1C0,50+0,200,50±0.20S1P4B3243±〔]20眼。二:)加0.55+0.1DD.60±O.2U?.5D±[J2020105C255.M+0.202,50+fl,20O-55+jOJO0.60+0.200.30+0.20251264326.40+C1203,20-H200.55S0-1C0.60±0.200.60+C120注，明片網(wǎng)蝌電阻RGN系列是在真空中SI鎮(zhèn)上一層音金電骯原于同任基6LL扯玻瑁材保護(hù)的攵三加彌I碩,可靠匣刮外嬴U:iJ:j勻,精■且Mfi鈕度嘉數(shù)與吼值公?；1'■飾性。抗可履障廉貼巾迎【PR鋼ThinFilmSMDFleeistor骨忤-策川眺希發(fā)靠為特殊抗酸抗?jié)穹?非就小的公■丈把度10.1%-低沮魔系數(shù)±25PP"H-刖tnmr-「|動(dòng)化說(shuō)備-高端計(jì)算機(jī)一.1"音一「I動(dòng)控制役備一民？了設(shè)備-避III役備-罰科技，曝體也「諛備貼片電阻封裝與功率的關(guān)系貼川鄧1的時(shí)裝與聽率關(guān)系和F易」』聚物:定功率@roc最匕|作電壓凹英叩mi）仝制的對(duì)常貌m率系列提升功率系列口網(wǎng)"口6邛31/2CW.'■25040210051M6W750□60316061%W1/1CW50U8052012-1.-1CW1..?150n206321&I.^W1/4W2QH<?J21（］3洛…鈉衛(wèi)M181?483?1.?/20C2Q1（］SO25V2W3.;4W20（：2S12643?1W/200注；電壓=0?率芒電阻值EP=V2/H）或最大工作電壓兩者中的較小值如i片電阻的特性件積小,重加輪-適陽(yáng)山流焊與'波峰焊：，口性能傍定■可靠性高:■裝配也水虬并婦自乩章RA設(shè)備K配：-機(jī)械強(qiáng)血高、高麴Mt優(yōu)芯°貼片電阻的命名方法用內(nèi)即訓(xùn)郎n的命名方拄:1.5脫梧度的南■名：R5-C5K102JTP.I%捋度心命名，RS-05K1[ffiprTR—表示電叫S表不.帥率Q4W是牌6W、QW3芯EOVLO的5是1/8VL1其6炬，4VL1?IQ是1前、18口：是I/2W、23以BWM251?lu1W：05一霸示尺寸（英寸。2表示口4?2、Q3表示0603,口5枝小。805.□日素示1206.1KD表示121：】、1812表小侶12、1Q靠示2010.12表示躊12K表…相度笊散為130FPM,102-5^精度明值表示注,前兩位表示有敗數(shù)字，第三也表示有多少個(gè)名基本單位lOS-100DH-1KQa1口昵建。％刖的表zL而木'?嗦小有燭數(shù)‘」匚第叫位表，"1石小個(gè)等.星巾年偵是口."皿=10000口=心心口J一表中精度為5%、「-表小精度山1略.T一表可、說(shuō)就包我貼一電削阻值諼Z：睛度有￡3、華懷?±5札直1。輜油婦帶觀用的順備治格士1花利±5「吃±5蛤精度的常規(guī)是用三位教米歪示制切S1之前面謝位是有效教字，第三位數(shù)芝表示fi箏小不零.基術(shù)單小是口,姑樣st^5ioo?rioo&n=iKapicoMoaowiMa為了/i分±5醞*聯(lián)的電肚?：也1WJfl常壩寥麴04位教桀表成-這樣前三位是表示有效數(shù)字，第四位哀示有搴少個(gè)零4531也就是453QCK也就等于458KQ表面蝸裝技術(shù)餌MT）的胸用已十分普遍.采用8MT炯裝的電子產(chǎn)品的比攜己超1160%.我國(guó)從八十年代起r始頗SMRS6著小型SMT4戶段備的IT發(fā),SMT：'HK；I]程國(guó)在避一步擴(kuò)大.航空、骯天、值群仗段、機(jī)床寫筑域也在采用8MT生產(chǎn)各神批量不太的見子產(chǎn)H成部件.近年來(lái)「降了電子產(chǎn)iViffKAfi用Ifi片式器件汗奩新產(chǎn)品注峰人員也開始大宣地維修SMT組裝的電子產(chǎn)品°本文格弁蝸應(yīng)用呆最大的恥片電阻.電唐及蟲感的主要參數(shù)及規(guī)牌以求虹JT淀人訕■雄修人員選明這煩貼.片一兀混1打陰幫助：目前朝?片電IH的型、并不統(tǒng)-?-由各生「",家「I七設(shè)止-并且梨號(hào)特即阪*十兒個(gè)英丈待釁云數(shù)中壅成）.在瑚囪時(shí)加能il：確;他捉出UV?電IH苫沖蓼數(shù)及班格.那就能很力使地選制或訂購(gòu)）到.折溢的邸購(gòu)」"Mil"5弟參盤，即匚寸、陰值'時(shí)L汩厘奉數(shù)*包褰”LK寸系列L州??呻I系荊一般:fl"IR'J-l|J兩叫R'J代精冰毒示.一枷5代問(wèn)呈I-4位敦甲表示的日用美Imr工業(yè)務(wù)余）代仍.心的e小由依為愧乖即I的is寬，以英寸為單m位TI腿米h代W也山4位撤芋時(shí)其單位為毫米A竹「1尺寸均可虬其.山率航俏15珅牝表1州1127群電IRAN的代碼利昭察額定值'°國(guó)值不列標(biāo)制!阻值是技系列來(lái)確定的-■&系列是由電阻的允差來(lái)劃分的（允若越小則前位劃分得越■卜其中最常用的是E-判電阻值的允差為±5%,如表之所示.貼川迂阻表即上用三知表?字上我科H此山1部—位、第二位為有致熟第如散字表示后接零的數(shù)目.有小數(shù)點(diǎn)時(shí)用?R*來(lái)表示，并占一位有效位數(shù)*標(biāo)稱阻值代號(hào)表示方法如表.3所示—危汨燦巾W碳膜蟲艇邢;,弟有4疆,IHIF級(jí)，11^：G堀，+2%；J旅.±5^：K攜,110%.沮度系數(shù)咄「電IHIFJ沮度器踱有2釵，即w湄iSOOppm/I；X±lOOpprri'JM有元沱為F級(jí)的電阻才來(lái)疝X城:，其它繳允拳I'斗U/一股為W級(jí)口土包裝土哩hi散裝及情狀蒼裝供圳、貼片電Ifl的工作溫度范圍為-55-十忸5吒，最大工作電壓與尺寸有關(guān)：0402060S為50V,D8O5為15OV,」【它\:J為200V..目前時(shí)1|最|'：的陽(yáng)?即叩」尺寸代礪走0805^1206.）\11理小有心禁卬口的3發(fā)就最市用的立房為J攜，貼片電容分類多層陶瓷電容(MLCC)根據(jù)材料分為Class1和Class2兩類。Class1是溫度補(bǔ)償型，Class2是溫度穩(wěn)定型和普通應(yīng)用的。Class1-Class1或者溫度補(bǔ)償型電容通常是由鈦酸鋇不占主要部分的鈦酸鹽混合物構(gòu)成。它們有可預(yù)見的溫度系數(shù)，通常沒有老化特性。因此它們是可用的最穩(wěn)定的電容。最常用的Class1多層陶瓷電容是COG(NPO)溫度補(bǔ)償型電容(±0ppm/°C).Class2-EIAClass2電容通常也是由鈦酸鋇化合物組成。Class2電容有很大的電容容量和溫度穩(wěn)定性。最普通最常用的Class2電容電解質(zhì)是X7R和Y5V。在溫度范圍-55°C到125°C之間，X7R能提供僅有±15%變化的的中等容量的電容容量。它最適合應(yīng)用在溫度范圍寬，電容量要求穩(wěn)定的場(chǎng)合。Y5V能提供最大的電容容量，常用在環(huán)境溫度變化不大的地方。在溫度范圍-30°Cto85°C之間，Y5V電容值的變化是22%to-82%。所有的Class2電容的電容容量受以下幾個(gè)條件影響：溫度變化、操作電壓(直流和交流)、頻率。貼片電容Class2EIA代碼對(duì)Class2材料電容的容量隨溫度變化，EIA可以通過(guò)3個(gè)符號(hào)代碼來(lái)表述。第一個(gè)符號(hào)表示工作溫度范圍的下限，第二個(gè)符號(hào)表示工作溫度的上限，第三個(gè)符號(hào)表示在這個(gè)溫度內(nèi)允許容量變化的百分比。以下表提供了EIA系統(tǒng)詳細(xì)的描述。EIACODE容量改變百分比時(shí)溫度范圍RS198溫度范圍X7-55°Cto+125°CX6-55°Cto+105°CX5-55°Cto+85°CY5-30°Cto+85°CZ5+10°Cto+85°CCode容量改變百分比D±3.3%E±4.7%F±7.5%P±10%R±15%STUV±22%+22%,-33%+22%,-56%+22%,-82%比如：一個(gè)電容的容量想要在25°C時(shí)增加不超過(guò)7.5%和在-30°Cto+85°C時(shí)減少不超過(guò)7.5%。EIA代碼就是Y5F。貼片電容產(chǎn)品規(guī)格說(shuō)明及選用基本知識(shí)電容的種類有很多，可以從原理上分為：無(wú)極性可變電容、無(wú)極性固定電容、有極性電容等，從材料上分主要有：CBB電容（聚乙烯），滌綸電容、瓷片電容、云母電容、獨(dú)石電容（即貼片電容或MLCC）、電解電容、鉭電容等。我們將貼片電容選用時(shí)需要注意的事項(xiàng)和一些基本知識(shí)拿出來(lái)一起與大家探討.如何理解電容介質(zhì)擊穿強(qiáng)度介質(zhì)強(qiáng)度表征的是介質(zhì)材料承受高強(qiáng)度電場(chǎng)作用而不被電擊穿的能力，通常用伏特/密爾（V/mil）或伏特/厘米（V/cm）表示。當(dāng)外電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到某一臨界值時(shí)，材料晶體點(diǎn)陣中的電子克服電荷恢復(fù)力的束縛并出現(xiàn)場(chǎng)致電子發(fā)射，產(chǎn)生出足鉤多的自由電子相互碰撞導(dǎo)致雪崩效應(yīng)，進(jìn)而導(dǎo)致突發(fā)擊穿電流擊穿介質(zhì)，使其失效。除此之外，介質(zhì)失效還有另一種模式，高壓負(fù)荷下產(chǎn)生的熱量會(huì)使介質(zhì)材料的電阻率降低到某一程度，如果在這個(gè)程度上延續(xù)足鉤長(zhǎng)的時(shí)間，將會(huì)在介質(zhì)最薄弱的部位上產(chǎn)生漏電流。這種模式與溫度密切相關(guān)，介質(zhì)強(qiáng)度隨溫度提高而下降。任何絕緣體的本征介質(zhì)強(qiáng)度都會(huì)因?yàn)椴牧衔⒔Y(jié)構(gòu)中物理缺陷的存在而出現(xiàn)下降，而且和絕緣電阻一樣，介質(zhì)強(qiáng)度也與幾何尺寸密切相關(guān)。由于材料體積增大會(huì)導(dǎo)致缺陷隨機(jī)出現(xiàn)的概率增大，因此介質(zhì)強(qiáng)度反比于介質(zhì)層厚度。類似地，介質(zhì)強(qiáng)度反比于片式電容器內(nèi)部電極層數(shù)和其物理尺寸?；兑陨峡紤]，進(jìn)行片式電容器留邊量設(shè)計(jì)時(shí)需要確保在使用過(guò)程中和在進(jìn)行耐壓測(cè)試（一般為其工作電壓的2.5倍）日寺，不發(fā)生擊穿失效。如何理解絕緣電阻IR絕緣電阻表征的是介質(zhì)材料在直流偏壓梯度下抵抗漏電流的能力。絕緣體的原子結(jié)構(gòu)中沒有在外電場(chǎng)強(qiáng)度作用下能自由移動(dòng)的電子。對(duì)于陶瓷介質(zhì)，其電子被離子鍵和共價(jià)鍵牢牢束縛住，理論上幾乎可以定義該材料的電阻率為無(wú)窮大。但是實(shí)際上絕緣體的電阻率是有限，并非無(wú)窮大，這是因?yàn)椴牧显泳w結(jié)構(gòu)中存在的雜質(zhì)和缺陷會(huì)導(dǎo)致電荷載流子的出現(xiàn)。電容器的射頻電流與功率這篇文章主要是討論多層陶瓷電容器的加載電流、功率損耗、工作電壓和最大額定電壓之間的關(guān)系。通過(guò)電容的最大電流主要是由最大額定電壓和最大功率損耗限制的。電容的容值和工作頻率又決定了它們的限制是可調(diào)節(jié)。對(duì)于在固定頻率下一個(gè)較低容值的電容或者是一個(gè)電容在較低的頻率下工作，它們的最高電壓極限一般都比最大功率損耗的極限到達(dá)快一些。最大的額定電壓決定于電容器的阻抗（Xc），就好像功率損耗決定于電阻的阻抗，或者叫做電容的等效電阻（ESR）Xc是由公式：Xc=1/[2nFC計(jì)算出來(lái)，這里的F是頻率，單位是Hz；C是容量，單位是F。在沒有超出電容器的額定電壓情況下，允許流過(guò)電容的最大電流峰值是這樣計(jì)算出來(lái)的：I=Er/Xc這里的Er是電容器的額定電壓，電流是峰值電流，單位是A。流過(guò)電容的實(shí)際電流是這樣計(jì)算出來(lái)：I=Ea/Xc，這里的Ea是應(yīng)用電壓或者是實(shí)際工作。下面幾個(gè)例子是講解在固定的頻率不同的電容器這些變數(shù)是怎樣影響電壓和電流的極限值。例1：0.1pF，500V的電容器使用在1000MHZ的頻率上：等效電阻：Xc=1/[2(3.14)(1000x106)(0.1x10—12)]=1591ohms電流峰值：I=500/1591=0.315Apeak或0.22Arms.如果超過(guò)這個(gè)電流，則工作電壓將會(huì)超過(guò)額定電壓。例2：1.0pF,500V的電容器使用在1000MHZ的頻率上：等效電阻：Xc=1/[2(3.14)(1000x106)(1.0x10—12)]=159ohms電流峰值：I=500/159=3.15Apeak或者2.2Arms如果超過(guò)這個(gè)電流，則工作電壓將會(huì)超過(guò)額定電壓。例3：10pF,500V的電容器使用在1000MHZ的頻率上：等效電阻：Xc=1/[2(3.14)(1000x106)(10x10—12)]=15.9ohms電流峰值：I=500/15.9=31.5Apeak或者22.2Arms如果超過(guò)這個(gè)電流，則工作電壓將會(huì)超過(guò)額定電壓。結(jié)論：最大功率損耗值是在假設(shè)電容器的端頭是一個(gè)無(wú)窮大的散熱器情況下計(jì)算出來(lái)得。這時(shí)傳導(dǎo)到空氣中的熱量是忽略的。一個(gè)10pF,500V的電容器工作在1000MHZ的頻率，在功率極限下工作的電流峰值是7A，平均電流大概是5Arms。在這種工作電流情況下，電容器的溫度將會(huì)升到125°C。為了穩(wěn)定地工作，它的實(shí)際最大工作電流是2Arms，如果端頭的散熱效果很好可以到達(dá)3Arms。如何理解電容器的靜電容量電容量電容器的基本特性是能夠儲(chǔ)存電荷(Q)，而Q值與電容量(C)和外加電壓(V)成正比。Q=CV因此充電電流被定義為：=dQ/dt=CdV/dt當(dāng)外加在電容器上的電壓為1伏特，充電電流為1安培，充電時(shí)間為1秒時(shí)，我們將電容量定義為1法拉。C=Q/V=庫(kù)侖/伏特=法拉由于法拉是一個(gè)很大的測(cè)量單位，在實(shí)際使用中很難達(dá)到，因此通常采用的是法拉的分?jǐn)?shù)，即：皮法(pF)=10-12F納法(nF)=10-9F微法(mF)=10-6F電容量影響因素對(duì)于任何給定的電壓，單層電容器的電容量正比于器件的幾何尺寸和介電常數(shù)：C=KA/f(t)仁介電常數(shù)入=電極面積t=介質(zhì)層厚度f(wàn)=換算因子在英制單位體系中，f=4.452,尺寸A和t的單位用英寸，電容量用皮法表示。單層電容器為例，電極面積1.0X1.0"，介質(zhì)層厚度0.56"，介電常數(shù)2500，C=2500（1.0）（1.0）/4.452（0.56）=10027pF如果采用公制體系，換算因子f=11.31,尺寸單位改為cm，C=2500（2.54）（2.54）/11.31（0.1422）=10028pF正如前面討論的電容量與幾何尺寸關(guān)系，增大電極面積和減小介質(zhì)層厚度均可獲得更大的電容量。然而，對(duì)于單層電容器來(lái)說(shuō)，無(wú)休止地增大電極面積或減小介質(zhì)層厚度是不切實(shí)際的。因此，平行列陣迭片電容器的概念被提出，用以制造具有更大比體積電容的完整器件。在這種“多層”結(jié)構(gòu)中，由于多層電極的平行排列以及在相對(duì)電極間的介質(zhì)層非常薄，電極面積A得以大大增加，因此電容量C會(huì)隨著因子N（介質(zhì)層數(shù)）的增加和介質(zhì)層厚度t’的減小而增大。這里A’指的是交迭電極的重合面積。C=KA’N/4.452（t’）以前在1.0x1.0x0.56"的單片電容器上所獲得的容量，現(xiàn)在如果采用相同的介質(zhì)材料，以厚度為O. 001"的30層介質(zhì)相迭加成尺寸僅為0.050x0.040x0.040"的多層元件即可獲得（這里重合電極面積A’為0.030x0.020"）。C=2500（0.030）（0.020）30/4.452（0.01）=10107pF上面的實(shí)例表明在多層結(jié)構(gòu)電容器尺寸相對(duì)于單層電容器小700倍的情況下仍能提供相同的電容量。因此通過(guò)優(yōu)化幾何尺寸，選擇有很高介電常數(shù)和良好電性能（能在形成薄層結(jié)構(gòu)后保持良好的絕緣電阻和介質(zhì)強(qiáng)度）的介質(zhì)材料即可設(shè)計(jì)和制造出具有最大電容量體積系數(shù)的元件。電容的型號(hào)命名各國(guó)電容器的型號(hào)命名很不統(tǒng)一，國(guó)產(chǎn)電容器的命名由四部分組成：第一部分：用字母表示名稱，電容器為C。第二部分：用字母表示材料。第三部分：用數(shù)字表示分類。第四部分：用數(shù)字表示序號(hào)。電容的標(biāo)志方法（1） 直標(biāo)法：用字母和數(shù)字把型號(hào)、規(guī)格直接標(biāo)在外殼上。（2） 文字符號(hào)法：用數(shù)字、文字符號(hào)有規(guī)律的組合來(lái)表示容量。文字符號(hào)表示其電容量的單位：P、 N、U、M、F等。和電阻的表示方法相同。標(biāo)稱允許偏差也和電阻的表示方法相同。小于10PF的電容，其允許偏差用字母代替：B——±0.1PF，C——±0.2PF，D——±0.5PF，F(xiàn)——±1PF。（3） 色標(biāo)法：和電阻的表示方法相同，單位一般為PF。小型電解電容器的耐壓也有用色標(biāo)法的，位置靠近正極引出線的根部，所表示的意義如下表所示：顏色黑棕紅橙黃綠藍(lán)紫灰耐壓4V6.3V10V16V25V32V40V50V63V（4） 進(jìn)口電容器的標(biāo)志方法：進(jìn)口電容器一般有6項(xiàng)組成。第一項(xiàng)：用字母表示類別：第二項(xiàng)：用兩位數(shù)字表示其外形、結(jié)構(gòu)、封裝方式、引線開始及與軸的關(guān)系。第三項(xiàng)：溫度補(bǔ)償型電容器的溫度特性，有用字母的，也有用顏色的，其意義如下表所示：第四項(xiàng)：用數(shù)字和字母表示耐壓，字母代表有效數(shù)值，數(shù)字代表被乘數(shù)的10的冪。第五項(xiàng)：標(biāo)稱容量，用三位數(shù)字表示，前兩位為有效數(shù)值，第三為是10的冪。當(dāng)有小數(shù)時(shí)，用R或P表示。普通電容器的單位是PF，電解電容器的單位是UF。第六項(xiàng)：允許偏差。用一個(gè)字母表示，意義和國(guó)產(chǎn)電容器的相同。也有用色標(biāo)法的，意義和國(guó)產(chǎn)電容器的標(biāo)志方法相同。3.電容的主要特性參數(shù)：容量與誤差：實(shí)際電容量和標(biāo)稱電容量允許的最大偏差范圍。一般分為3級(jí)：I級(jí)士5%,II級(jí)±10%,III級(jí)士20%。在有些情況下，還有0級(jí)，誤差為士20%。精密電容器的允許誤差較小，而電解電容器的誤差較大，它們采用不同的誤差等級(jí)。常用的電容器其精度等級(jí)和電阻器的表示方法相同。用字母表示：D——005級(jí)——±0.5%；F——01級(jí)——±1%；G——02級(jí)——±2%；J——I級(jí)——±5%；K——II級(jí)——±10%；M——III級(jí)——±20%。額定工作電壓：電容器在電路中能夠長(zhǎng)期穩(wěn)定、可靠工作，所承受的最大直流電壓，又稱耐壓。對(duì)于結(jié)構(gòu)、介質(zhì)、容量相同的器件，耐壓越高，體積越大。溫度系數(shù)：在一定溫度范圍內(nèi)，溫度每變化1°C，電容量的相對(duì)變化值。溫度系數(shù)越小越好。絕緣電阻：用來(lái)表明漏電大小的。一般小容量的電容，絕緣電阻很大，在幾百兆歐姆或幾千兆歐姆。電解電容的絕緣電阻一般較小。相對(duì)而言，絕緣電阻越大越好，漏電也小。損耗：在電場(chǎng)的作用下，電容器在單位時(shí)間內(nèi)發(fā)熱而消耗的能量。這些損耗主要來(lái)自介質(zhì)損耗和金屬損耗。通常用損耗角正切值來(lái)表示。頻率特性：電容器的電參數(shù)隨電場(chǎng)頻率而變化的性質(zhì)。在高頻條件下工作的電容器，由于介電常數(shù)在高頻時(shí)比低頻時(shí)小，電容量也相應(yīng)減小。損耗也隨頻率的升高而增加。另外，在高頻工作時(shí)，電容器的分布參數(shù)，如極片電阻、引線和極片間的電阻、極片的自身電感、引線電感等，都會(huì)影響電容器的性能。所有這些，使得電容器的使用頻率受到限制。不同品種的電容器，最高使用頻率不同。小型云母電容器在250MHZ以內(nèi)；圓片型瓷介電容器為300MHZ；圓管型瓷介電容器為200MHZ；圓盤型瓷介可達(dá)3000MHZ；小型紙介電容器為80MHZ；中型紙介電容器只有8MHZ。貼片電容的種類、特點(diǎn)、精度單片陶瓷電容器(通稱貼片電容)是目前用量比較大的常用元件，就AVX公司生產(chǎn)的貼片電容來(lái)講有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的規(guī)格，不同的規(guī)格有不同的用途。下面我們僅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V來(lái)介紹一下它們的性能和應(yīng)用以及采購(gòu)中應(yīng)注意的訂貨事項(xiàng)以引起大家的注意。不同的公司對(duì)于上述不同性能的電容器可能有不同的命名方法，這里我們引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的產(chǎn)品請(qǐng)參照該公司的產(chǎn)品手冊(cè)。NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的填充介質(zhì)不同。在相同的體積下由于填充介質(zhì)不同所組成的電容器的容量就不同，隨之帶來(lái)的電容器的介質(zhì)損耗、容量穩(wěn)定性等也就不同。所以在使用電容器時(shí)應(yīng)根據(jù)電容器在電路中作用不同來(lái)選用不同的電容器。一NPO電容器NPO是一種最常用的具有溫度補(bǔ)償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質(zhì)是由銣、釤和一些其它稀有氧化物組成的。NPO電容器是電容量和介質(zhì)損耗最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55C到+125C時(shí)容量變化為0±30PPM/C，電容量隨頻率的變化小于±0.3^C。NPO電容的漂移或滯后小于士0.05%，相對(duì)大于±2%的薄膜電容來(lái)說(shuō)是可以忽略不計(jì)的。其典型的容量相對(duì)