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文檔簡(jiǎn)介
第一章測(cè)試電子線路是由電子器件和電子元件組成的具有一定功能的電路。
A:錯(cuò)
B:對(duì)
答案:B電子器件又稱無源器件,如電阻、電容、電感等.
A:錯(cuò)
B:對(duì)
答案:A第一代電子器件為晶體管,晶體管出現(xiàn)后,拉開了人類社會(huì)步入信息時(shí)代的序幕。
A:對(duì)
B:錯(cuò)
答案:B電子器件是電子線路的核心,電子技術(shù)的發(fā)展很大程度上反映在電子器件的發(fā)展上。
A:錯(cuò)
B:對(duì)
答案:B電子器件發(fā)展的第三代是集成電路,具有外接元件少、可靠性高、性能穩(wěn)定的特點(diǎn)
A:錯(cuò)
B:對(duì)
答案:B模擬電路和數(shù)字電路處理的信號(hào)特性是相同的,只是處理信號(hào)的幅度有差別。
A:錯(cuò)
B:對(duì)
答案:A計(jì)算機(jī)能夠直接接收和處理的信號(hào)一般為模擬信號(hào)
A:對(duì)
B:錯(cuò)
答案:B數(shù)字信號(hào)一般指時(shí)間和數(shù)值上都連續(xù)的信號(hào)
A:錯(cuò)
B:對(duì)
答案:A含有計(jì)算機(jī)的電子信息系統(tǒng)一般屬于模擬和數(shù)字的混合系統(tǒng)
A:對(duì)
B:錯(cuò)
答案:A下列信號(hào)不屬于模擬信號(hào)的是()
A:4~20mA的電流信號(hào)
B:20Hz~20kHz的音頻信號(hào)
C:燈的亮滅狀態(tài)
D:0~5V的電壓信號(hào)
答案:C第二章測(cè)試在運(yùn)算電路中,集成運(yùn)放的反相輸入端均為虛地
A:錯(cuò)
B:對(duì)
答案:A凡是運(yùn)算電路都可利用“虛短”和“虛斷”的概念求解運(yùn)算關(guān)系
A:對(duì)
B:錯(cuò)
答案:A集成運(yùn)放在開環(huán)情況下一定工作在非線性區(qū)
A:對(duì)
B:錯(cuò)
答案:A理想運(yùn)算放大器的兩個(gè)重要結(jié)論是
A:虛地與反相
B:虛短與虛地
C:短路和斷路
D:虛短與虛斷
答案:D集成運(yùn)放的線性和非線性應(yīng)用電路都存在
A:虛短
B:虛地
C:虛斷
D:虛短與虛斷
答案:C如圖所示電路中,若電阻Rf虛焊,則電路的輸出電壓為
A:0
B:+UOM
C:無窮大
D:-UOM
答案:BD反相輸入積分電路中的電容接在電路的
A:反相輸入端
B:同相端與輸出端之間
C:同相輸入端
D:反相端與輸出端之間
答案:D電路如圖所示,若R1=5KΩ,R2=R3=10KΩ,Vi=1V,則VO=
A:2V
B:1V
C:-1V
D:-2V
答案:A集成運(yùn)放能處理
A:交流信號(hào)
B:直流信號(hào)
C:正弦信號(hào)
D:交流和直流信號(hào)
答案:D理想運(yùn)算放大器的輸出電阻Ro為
A:無窮大
B:不確定
C:有限值
D:零
答案:D第三章測(cè)試設(shè)穩(wěn)壓管DZ1和DZ2的穩(wěn)定電壓分別為6V和9V,正向壓降為0.7V,則圖3.2電路中的輸出電壓VO為
A:3V
B:9.7V
C:15V
D:6.7V
答案:D用萬用表的電阻檔測(cè)量二極管,當(dāng)時(shí)說明二極管的單向?qū)щ娦院?/p>
A:正向電阻反向電阻都小
B:正向電阻小反向電阻大
C:正向電阻大反向電阻小
D:正向電阻反向電阻都大
答案:B如果把一個(gè)二極管直接同一個(gè)電動(dòng)勢(shì)為1.5V、內(nèi)阻為0的電池正向連接,則該管
A:擊穿
B:電流為0
C:正常導(dǎo)通
D:電流過大而使管子燒壞
答案:D二極管穩(wěn)壓電路一般是由穩(wěn)壓二極管(反向接法)和負(fù)載并聯(lián)而得到。
A:對(duì)
B:錯(cuò)
答案:A當(dāng)二極管的外加反向電壓增加到一定值時(shí),反向電流急劇增加(反向擊穿),所以二極管不能工作在反向擊穿區(qū)
A:錯(cuò)
B:對(duì)
答案:AP型半導(dǎo)體帶正電,N型半導(dǎo)體帶負(fù)電
A:對(duì)
B:錯(cuò)
答案:B當(dāng)溫度升高時(shí),二極管反向飽和電流將
A:先增大再減小
B:減小
C:不變
D:增大
答案:D半導(dǎo)體二極管的重要特性之一是
A:溫度穩(wěn)定性
B:放大作用
C:濾波作用
D:單向?qū)щ娦?/p>
答案:B二極管電路如圖3.1所示,則二極管導(dǎo)通情況為
A:都導(dǎo)通
B:D1導(dǎo)通,D2截止
C:都截止
D:D2導(dǎo)通,D1截止
答案:D穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在
A:反向擊穿區(qū)
B:飽和區(qū)
C:反向截止區(qū)
D:正向?qū)▍^(qū)
答案:A第四章測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)管的漏極電流是由的漂移運(yùn)動(dòng)形成的。
A:少子
B:多子
C:兩種載流子
答案:A場(chǎng)效應(yīng)管是一種控制型的電子器件。
A:電壓
B:電流
C:光
答案:A場(chǎng)效應(yīng)管是利用外加電壓產(chǎn)生的來控制漏極電流的大小的。
A:電流
B:電場(chǎng)
C:電壓
答案:B當(dāng)場(chǎng)效應(yīng)管的漏極直流電流ID從2mA變?yōu)?mA時(shí),它的低頻跨導(dǎo)將:
A:增大
B:減小
C:不變
答案:A當(dāng)柵源電壓VGS=0V時(shí),能夠工作在恒流區(qū)的場(chǎng)效應(yīng)管有:
A:結(jié)型管
B:耗盡型MOS管
C:增強(qiáng)型MOS管
答案:AB廣義地說,結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管應(yīng)該:
A:不屬于耗盡型管
B:屬于增強(qiáng)型管
C:不屬于增強(qiáng)型管
D:屬于耗盡型管
答案:D圖示是某場(chǎng)效應(yīng)管的特性曲線。據(jù)圖可知,該管是:
A:P溝道增強(qiáng)型MOS管
B:N溝道增強(qiáng)型MOS管
C:N溝道耗盡型MOS管
D:P溝道耗盡型MOS管
答案:A某場(chǎng)效應(yīng)管的特性曲線如圖所示,該管為:
A:N溝道耗盡型MOS管
B:P溝道增強(qiáng)型MOS管
C:P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管
D:N溝道增強(qiáng)型MOS管
答案:A圖示場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的組態(tài)是:
A:共柵
B:共源
C:差動(dòng)放大
D:共漏
答案:B測(cè)得某FET管的輸出特性如圖所示,則判斷此管為:
A:N溝道結(jié)型FET管
B:P溝道結(jié)型FET管
C:N溝道耗盡型MOS管
D:P溝道耗盡型MOS管
答案:C第五章測(cè)試測(cè)得某放大電路半導(dǎo)體三極管三個(gè)管腳對(duì)地電壓為U1=3V,U2=8V,U3=3.7V,則三個(gè)電極為
A:1為發(fā)射極,2為基極,3為集電極
B:1為發(fā)射極,2為集電極,3為基極
C:1為集電極,2為基極,3為發(fā)射極
答案:B當(dāng)輸入電壓為正弦信號(hào)時(shí),若NPN管共發(fā)射極放大電路發(fā)生飽和失真,則輸出電壓的波形將
A:不削波
B:正半周削波
C:負(fù)半周削波
答案:C為了使放大器具有高輸入電阻,低輸出電阻,應(yīng)采用
A:共基電路
B:共集電路
C:共射電路
答案:B兩個(gè)三極管參數(shù)分別為:甲管β=200,ICBO=0.1uA;乙管β=260,ICEO=1uA,選用哪個(gè)管子較好?
A:甲管
B:乙管
答案:B測(cè)得BJT各極對(duì)地電壓為VB=1.8V,VE=0V,VC=12V,則該管工作在()狀態(tài)。
A:飽和
B:已損壞
C:截止
D:放大
答案:C雙極型晶體三極管在放大狀態(tài)工作時(shí)的外部條件是
A:發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)正偏
B:發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反偏
C:發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏
D:發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)反偏
答案:B溫度升高,半導(dǎo)體三極管的共射輸出特性曲線下移。
A:錯(cuò)
B:對(duì)
答案:A利用兩只NPN型管構(gòu)成的復(fù)合管只能等效為NPN型管
A:對(duì)
B:錯(cuò)
答案:A產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的原因主要是晶體管參數(shù)受溫度的影響。
A:對(duì)
B:錯(cuò)
答案:A靜態(tài)工作點(diǎn)是過高可能會(huì)導(dǎo)致飽和失真
A:錯(cuò)
B:對(duì)
答案:B第六章測(cè)試放大電路的增益和通過信號(hào)的頻率無關(guān)
A:錯(cuò)
B:對(duì)
答案:A放大器的增益是隨著輸入信號(hào)頻率的改變而改變的,當(dāng)輸入信號(hào)的頻率為上限頻率或下限頻率時(shí),放大器增益的幅值將:
A:降為1
B:降為中頻時(shí)的0.707倍
C:降為中頻時(shí)的1/2倍
D:降為中頻時(shí)的1.414倍
答案:B在ffL的低頻區(qū),放大電路的增益會(huì)隨著信號(hào)頻率的降低而增大
A:錯(cuò)
B:對(duì)
答案:A放大電路的電壓放大倍數(shù)在高頻區(qū)下降的主要原因是三極管的級(jí)間電容和接線電容的影響
A:對(duì)
B:錯(cuò)
答案:AMOS管共源極放大電路在低頻信號(hào)作用時(shí)電壓放大倍數(shù)數(shù)值下降的原因是耦合電容和旁路電容的影響。
A:錯(cuò)
B:對(duì)
答案:B放大電路的增益帶寬積為常數(shù)
A:對(duì)
B:錯(cuò)
答案:A幅度失真和相位失真統(tǒng)稱為:
A:交越失真
B:飽和失真
C:截止失真
D:頻率失真
答案:D頻率失真是一種非線性失真
A:對(duì)
B:錯(cuò)
答案:B分析放大電路頻率響應(yīng)的三個(gè)分區(qū)不包含
A:高頻區(qū)
B:特頻區(qū)
C:低頻區(qū)
D:中頻區(qū)
答案:B放大電路頻率響應(yīng)是指在輸入正弦信號(hào)情況下,輸出隨輸入信號(hào)頻率連續(xù)變化的穩(wěn)態(tài)響應(yīng)
A:對(duì)
B:錯(cuò)
答案:A第七章測(cè)試差分式放大電路的主要特點(diǎn)是()
A:同時(shí)放大差模和共模信號(hào)
B:放大共模信號(hào),抑制差模信號(hào)
C:放大差模信號(hào),抑制共模信號(hào)
D:同時(shí)抑制差模和共模信號(hào)
答案:C差分放大電路是為了()而設(shè)置的
A:提高輸出電阻
B:提高輸入電阻
C:提高放大倍數(shù)
D:抑制溫漂
答案:D雙端輸入、雙端輸出差動(dòng)放大電路,設(shè)差模電壓增益AVD=-150,共模電壓增益AVC=0,Vi1=30mV,Vi2=20mV,則輸出電壓|Vo|為()
A:1V
B:1.5V
C:3V
D:2.5V
答案:B.直接耦合放大電路存在零點(diǎn)漂移的原因是()
A:晶體管參數(shù)受溫度影響
B:電源電壓不穩(wěn)定
C:晶體管參數(shù)的分散性
D:電阻阻值有誤差
答案:A差分放大電路由雙端輸出變?yōu)閱味溯敵?,則空載時(shí)差模電壓增益()
A:增加一倍
B:不變
C:為雙端輸出時(shí)的1/2
D:不確定
答案:C具有理想電流源(動(dòng)態(tài)電阻ro無窮大)的差分放大電路,采用不同的連接方式,其共模抑制比()
A:不完全相同
B:均為無窮小
C:均為無窮大
D:完全相同
答案:C共模抑制比KCMR越小,表明電路()
A:交流放大倍數(shù)越小
B:輸入信號(hào)中差模成分越小
C:抑制溫漂能力越弱
D:放大倍數(shù)越不穩(wěn)定
答案:C雙端輸入差分放大電路的共模輸入信號(hào)等于兩輸入端信號(hào)的平均值。
A:錯(cuò)
B:對(duì)
答案:B帶有理想電流源的差分放大電路,只要工作在線性范圍內(nèi),不論是雙端輸出還是單端輸出,其輸出電壓值均與兩個(gè)輸入端電壓的差值成正比,而與兩個(gè)輸入端電壓本身的大小無關(guān)。
A:對(duì)
B:錯(cuò)
答案:A由于集成運(yùn)放實(shí)際上是一個(gè)直接耦合放大電路,因此它只能放大直流信號(hào),不能放大交流信號(hào)。
A:對(duì)
B:錯(cuò)
答案:B第八章測(cè)試放大電路的開環(huán)增益-帶寬積與閉環(huán)增益-帶寬積不相等。
A:對(duì)
B:錯(cuò)
答案:B利用輸出短路法,假設(shè)輸出電壓為零,若反饋信號(hào)不存在了,說明引入的是電流反饋。
A:對(duì)
B:錯(cuò)
答案:B放大電路引入深度負(fù)反饋后,放大電路的增益決定于反饋網(wǎng)絡(luò)的反饋系數(shù),而與基本放大電路幾乎無關(guān)。
A:對(duì)
B:錯(cuò)
答案:A負(fù)反饋減小非線性失真所指的是反饋環(huán)內(nèi)的失真。如果輸入波形本身就是失真的,這時(shí)即使引入負(fù)反饋,也是無濟(jì)于事。
A:錯(cuò)
B:對(duì)
答案:B負(fù)反饋放大電路,(1+AF)越大,則閉環(huán)增益的相對(duì)變化量越小,閉環(huán)增益的穩(wěn)定性越好。
A:錯(cuò)
B:對(duì)
答案:B在反饋放大電路中,通常把(1+AF)稱為反饋深度,則深度負(fù)反饋的條件是:
A:|1+AF|=1
B:|1+AF|>>1
C:|1+AF|>1
D:|1+AF|
答案:B在某放大電路中引入了電壓串聯(lián)負(fù)反饋,則下列說法錯(cuò)誤的是:
A:可使放大電路的輸出電阻減小。
B:閉環(huán)輸入電阻是開環(huán)輸入電阻的AF倍。
C:可使放大電路的輸入電阻增大。
D:可以穩(wěn)定輸出電壓。
答案:B在放大電路中引入負(fù)反饋會(huì)對(duì)電路的性能產(chǎn)生一些影響,下列說法正確的是:
A:可以擴(kuò)展帶寬。
B:可以減小反饋環(huán)內(nèi)的非線性失真。
C:可以提高增益的穩(wěn)定性。
D:可以抑制反饋環(huán)外噪聲。
答案:ABC存在于放大電路交流通路中的反饋為交流反饋。交流反饋影響放大電路的交流性能,如:
A:輸入電阻。
B:輸出電阻。
C:靜態(tài)工作點(diǎn)。
D:增益。
答案:ABD放大電路引入負(fù)反饋后,下面說法正確的有:
A:不同類型的負(fù)反饋能穩(wěn)定的增益也不同。
B:負(fù)反饋不能使輸出量保持不變,只能使輸出量趨于不變。
C:降低了閉環(huán)增益。
D:增益穩(wěn)定度提高。
答案:ABCD第九章測(cè)試若功放的效率降低了,則在電源供給功率一定情況下,放大器的輸出功率和耗散功率
A:前者增大,后者減小
B:前者減小,后者增大
C:都減小
D:都增大
答案:B乙類互補(bǔ)推挽功放常會(huì)
A:飽和失真
B:截止失真
C:交越失真
D:頻率失真
答案:C要使互補(bǔ)推挽功放輸出功率為50W,則須選兩個(gè)異型管,每個(gè)管的PCM不小于
A:100W
B:50W
C:25W
D:10W
答案:D隨著輸出功率PO的提高,互補(bǔ)推挽功放輸出級(jí)的電源供給功率
A:不變
B:減小
C:增大
D:等于PO
答案:C理想情況下,單電源互補(bǔ)對(duì)稱功放的最大輸出電壓Vom
A:大于VCC/2
B:大于VCC
C:等于VCC
D:等于VCC/2
答案:D理想情況下,雙電源互補(bǔ)對(duì)稱功放的最大輸出電壓Vom
A:等于VCC/2
B:大于VCC
C:等于VCC
D:大于VCC/2
答案:C甲乙類雙電源功放用±VCC,甲乙類單電源功放用VCC,當(dāng)RL相同時(shí),甲乙類雙電源功功放的最大輸出功率Pom是甲乙類單電源的
A:0.5倍
B:相等
C:4倍
D:2倍
答案:C乙類雙電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路,在理想情況下其最大效率為
A:25%
B:75%
C:50%
D:100%
答案:B在乙類單電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路中,VCC=24V,RL=8Ω,理想情況下,Pom=()W
A:9
B:10
C:8
D:7
答案:A甲乙類單電源互補(bǔ)對(duì)稱功率放大電路,當(dāng)功率管的飽和壓降VCES增大時(shí),最大輸出功率Pom的變化情況為()
A:減小
B:增加
C:先增大后減小
D:不變
答案:A第十章測(cè)試只要電路引入了正反饋,就一定會(huì)產(chǎn)生正弦波振蕩。
A:對(duì)
B:錯(cuò)
答案:B單限比較器比滯回比較器抗干擾能力強(qiáng),而滯回比較器比單限比較器靈敏度高。
A:錯(cuò)
B:對(duì)
答案:A從結(jié)構(gòu)上看,正弦波振蕩電路是一個(gè)無輸入信號(hào)的帶選頻網(wǎng)絡(luò)的正反饋放大器
A:對(duì)
B:錯(cuò)
答案:A正弦波振蕩電路維持振蕩條件是
A:錯(cuò)
B:對(duì)
答案:B低通濾波器的通帶截止頻率一定低于高通濾波器的通帶截止頻率。
A:錯(cuò)
B:對(duì)
答案:A理想情況下,有源高通濾波器在時(shí)的放大倍數(shù)就是它的通帶電壓放大倍數(shù)。
A:錯(cuò)
B:對(duì)
答案:B正弦波振蕩電路的決定了電路有唯一頻率的振蕩波形輸出。
A:基本放大電路
B:反饋網(wǎng)絡(luò)
C:選頻網(wǎng)絡(luò)
D:穩(wěn)幅環(huán)節(jié)
答案:C欲實(shí)現(xiàn)將正弦波電壓轉(zhuǎn)換成占空比50%的方波電壓,應(yīng)選用。
A:積分電路
B:正弦波振蕩電路
C:遲滯比較器
D:過零比較器
答案:D在RC橋式正弦波振蕩電路中,若RC串并聯(lián)選頻網(wǎng)絡(luò)中的電阻均為R,電容均為C,則其振蕩頻率f0=1/RC。
A:錯(cuò)
B:對(duì)
答案:A以下電路可能產(chǎn)生正弦波振蕩的是:
A:左下
B:右下
C:左上
D:右上
答案:BD第十一章測(cè)試直流電源是一種能量轉(zhuǎn)換電路,它將交流能量轉(zhuǎn)換為直流能量
A:對(duì)
B:錯(cuò)
答案
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