精密洗凈服務(wù)行業(yè)主要洗凈方法

精密洗凈服務(wù)行業(yè)主要洗凈方法

精密洗凈服務(wù)行業(yè)主要洗凈方法根據(jù)清洗方法的不同，精密洗凈可分為物理清洗和化學(xué)清洗。物理清洗是指利用力學(xué)、聲學(xué)、光學(xué)、電學(xué)、熱學(xué)的原理，依靠外來能量的作用，如機(jī)械摩擦、超聲波、負(fù)壓、高壓沖擊、紫外線、蒸汽等去除物體表面污垢的方法；化學(xué)清洗是指依靠化學(xué)反應(yīng)的作用，利用化學(xué)溶劑清除物體表面污垢的方法。在實際應(yīng)用過程中，通常將兩者結(jié)合起來使用，以獲得更好的洗凈效果。1、精密洗凈服務(wù)行業(yè)化學(xué)溶劑清洗化學(xué)溶劑清洗是指把硝酸、氫氧化鉀、雙氧水、氨水等按照技術(shù)要求配制成相應(yīng)濃度的溶液，然后把零部件放在清洗槽內(nèi)浸泡以去除表面金屬膜質(zhì)。2、精密洗凈服務(wù)行業(yè)熔射涂層熔射是指利用熱源將金屬或非金屬材料進(jìn)行熔化，并以一定速度噴射到基體表面形成涂層的方法。在操作過程中若有需要，對零部件表面進(jìn)行噴鋁，增加表面粗糙度。3、精密洗凈服務(wù)行業(yè)電解法清洗將要清洗的設(shè)備器件掛在陰極或陽極上置于電解液中，當(dāng)通以直流電時，由于極化作用，金屬與電解質(zhì)溶液的界面張力降低，溶液滲透到工件表面的污物下面，界面上起氧化或還原作用，并產(chǎn)生大量的氣泡，當(dāng)氣泡聚集形成氣流從污物與金屬的間隙中溢出時，起鼓動和攪拌作用，使污物從工件表面上脫落，達(dá)到退除污物及清洗表面的目的。根據(jù)設(shè)備器件掛在陽、陰極的不同位置分成陰極電解和陽極電解法。電解法清洗用途很廣，可以除氧化膜、除舊鍍膜和漆膜等金屬或非金屬附著物，而且獲得很好的清除效果，清洗效率高且較徹底。4、精密洗凈服務(wù)行業(yè)蒸氣法清洗蒸氣法清洗又分為水蒸氣清洗和溶劑蒸氣清洗兩種。水蒸氣清洗是一種比較普遍而又簡單的清洗工藝，主要利用蒸汽的熱氣流蒸發(fā)到設(shè)備器件的表面，并充分與設(shè)備器件表面接觸，由于水蒸氣的溫度高，有一定的壓力和沖擊力，所以有一定的清洗效果。溶劑蒸氣清洗則是一種用有機(jī)溶劑蒸發(fā)蒸氣進(jìn)行清洗的方法。由于溶劑的溫度高，且蒸發(fā)時形成氣流把污漬溶解并帶走。5、精密洗凈服務(wù)行業(yè)純水清洗和高壓水洗純水清洗是指把零部件放在純水清洗槽內(nèi)浸泡，以去除產(chǎn)品內(nèi)部可能殘留的藥液成分；高壓水洗是指高壓水洗槍吹掃零部件表面，去除零部件表面具有一定粘附力的顆粒、熔射灰、粉塵等。6、精密洗凈服務(wù)行業(yè)超聲波清洗超聲波清洗是指在浸泡清洗工件的液體中發(fā)射超聲波，使液體產(chǎn)生超聲波振蕩。液體內(nèi)部某一瞬間壓力突然增大或突然減小，這樣不斷地反復(fù)進(jìn)行。當(dāng)壓力突然減小時，溶液內(nèi)會產(chǎn)生許多真空的、很小的空穴，溶解在溶液內(nèi)的氣體被吸入空穴內(nèi)，形成氣泡。小氣泡形成后，由于壓力突然增大而被壓破并產(chǎn)生沖擊波，這種沖擊波又能使金屬表面的污物、氧化皮等在界面上受到剝離，并脫離工件表面，達(dá)到比一般除污方法快的清洗效果。超聲波清洗可以和化學(xué)除污、電化學(xué)除污、酸洗除金屬鍍層等結(jié)合，提高除污的效果和清洗的質(zhì)量。常見的精密清潔方法化學(xué)溶劑清洗:化學(xué)溶劑清洗是指硝酸、氫氧化鉀、雙氧水、氨水等。根據(jù)技術(shù)要求配制成相應(yīng)濃度的溶液，然后將零件浸泡在清洗槽中，去除表面的金屬膜。噴涂:噴涂是指利用熱源熔化金屬或非金屬材料，以一定的速度噴涂在基體表面形成涂層的方法。如果在操作過程中需要，在零件表面噴鋁以增加表面粗糙度。電解清洗:將待清洗的設(shè)備掛在陰極或陽極上，放入電解液中。施加直流電時，金屬與電解質(zhì)溶液之間的界面張力因極化而降低，溶液滲透到工件表面的污垢下，在界面上起氧化或還原作用，產(chǎn)生大量氣泡。當(dāng)氣泡聚集形成氣流從污垢與金屬之間的縫隙溢出時，起到攪動、攪拌的作用，使污垢從工件表面脫落，從而達(dá)到清除污垢、清潔表面的目的。根據(jù)設(shè)備和裝置掛在陽極和陰極上的位置不同，可分為陰極電解和陽極電解。電解清洗用途廣泛?？扇コ饘倩蚍墙饘俑街铮缪趸?、舊涂膜、漆膜等。清洗效果好，清洗效率高，徹底性好。蒸汽清洗:蒸汽清洗可分為蒸汽清洗和溶劑蒸汽清洗。水蒸汽清洗是一種常見而簡單的清洗工藝，主要是利用蒸汽的熱氣流蒸發(fā)到設(shè)備和裝置的表面，與設(shè)備和裝置的表面充分接觸。由于水蒸氣溫度高，有一定的壓力和沖擊力，所以有一定的清潔作用。溶劑清洗是一種用有機(jī)溶劑蒸發(fā)蒸汽進(jìn)行清洗的方法。由于溶劑的高溫和蒸發(fā)過程中形成的氣流，污漬被溶解并帶走。純水清洗和高壓水洗:純水清洗是指將零件浸泡在純水清洗槽中，去除產(chǎn)品中可能殘留的藥液成分；高壓水洗是指高壓水洗槍對零件表面進(jìn)行清掃，去除顆粒、熔灰、灰塵等。對零件表面有一定的附著力。超聲波清洗:超聲波清洗是指在浸泡在工件中的液體中發(fā)射超聲波，使液體產(chǎn)生超聲波振蕩。液體內(nèi)部的壓力在某一瞬間突然增大或減小，這樣不斷重復(fù)。當(dāng)壓力突然降低時，溶液中會產(chǎn)生許多小空孔，溶解在溶液中的氣體被吸入空孔中形成氣泡。小氣泡形成后，被突然增大的壓力擊碎，產(chǎn)生沖擊波，能在界面處剝離金屬表面的污垢和水垢，與工件表面分離，從而達(dá)到比一般去污方法更快的清洗效果。超聲波清洗可以與化學(xué)去污、電化學(xué)去污、去除金屬涂層的酸清洗等相結(jié)合。，以提高去污效果和清潔質(zhì)量。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈概況設(shè)計，設(shè)備屬于技術(shù)（研發(fā)）密集型，需要參與廠商不斷投入研發(fā)支出用于開發(fā)新技術(shù)，推出新產(chǎn)品，從而保持自身競爭力。材料和晶圓制造屬于資本（CapEx）密集型，通過成長性的資本開支將企業(yè)產(chǎn)能提升一個臺階，進(jìn)而帶動未來收入和利潤的增長，對于晶圓材料和晶圓制造企業(yè)至關(guān)重要；對于以臺積電為首的晶圓代工龍頭，維持成長性資本開支的能力，本身也是企業(yè)的護(hù)城河之一。封測屬于資本+勞動力密集型，封測環(huán)節(jié)通常技術(shù)含量較低，而對勞動力需求較高，經(jīng)過數(shù)十年的發(fā)展，逐漸形成了以中國大陸的長電科技、通富微電和華天科技等OSAT廠商主導(dǎo)的產(chǎn)業(yè)格局。價值量：設(shè)計占60%，其中邏輯IC占30%、存儲IC占9%、DAO占17%；設(shè)備占12%；材料占5%；晶圓制造占19%，封裝與測試占6%。區(qū)域分布：歐美在設(shè)計、設(shè)備絕對主導(dǎo)；美國在EDA&IP核一家獨大；韓國主導(dǎo)存儲IC設(shè)計；日本在DAO、設(shè)備優(yōu)勢顯著；中國在封測代工環(huán)節(jié)占比最高。全球IC產(chǎn)業(yè)鏈分工實例（以某款智能手機(jī)AP為例）：歐洲和美國主要負(fù)責(zé)提供EDA工具、IP授權(quán)和芯片設(shè)計環(huán)節(jié)；OEM廠商通過選型確定供應(yīng)商和型號，芯片供應(yīng)商將圖紙交付給位于中國臺灣的代工廠量產(chǎn)；晶圓廠產(chǎn)線設(shè)備主要由美國、日本和歐洲的供應(yīng)商提供；晶圓片則先由一家美國公司提煉出冶金硅，然后交由日本多晶硅制造商加工廠電子級多晶硅，再由韓國廠商將單晶硅錠切割成硅片，最終送到中國臺灣晶圓廠的產(chǎn)線上；中國臺灣晶圓廠加工好的芯片送往馬來西亞完成封裝，最后在中國大陸的工廠被組裝到智能手機(jī)中，然后智能手機(jī)OEM廠商將產(chǎn)品銷往全球。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展特征19世紀(jì)60年代后期開始的第二次工業(yè)革命，使人類進(jìn)入了電氣時代。電氣時代以電子設(shè)備為載體，電路則是電子設(shè)備的核心。2022年12月29，臺積電3nm正式量產(chǎn)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在美國起源后，伴隨地緣、地區(qū)產(chǎn)業(yè)政策、制造模式變革等多種因素，經(jīng)歷了三次制造重心的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移。第一次：1976年3月，日本政府以富士通、日立、三菱、NEC和東芝五家公司為核心，聯(lián)合日本工業(yè)技術(shù)研究員、電子綜合研究所和計算機(jī)綜合研究所共同實施超大規(guī)模集成電路研究計劃（VLSI），該計劃取得了巨大成功，日本超越美國、一躍成為世界第一的DRAM大國。第二次：1983年，韓國政府對外發(fā)布進(jìn)軍LSI領(lǐng)域（DRAM）的計劃，通過四年時間掌握了256KDRAM技術(shù)，并通過向日本大量進(jìn)口高性能制造設(shè)備，快速壯大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。第三次：2001年后中國正式加入世貿(mào)組織，逐漸深度參與到全球電子制造產(chǎn)業(yè)鏈中。第四次：從人口紅利過度到工程師紅利（人口結(jié)構(gòu)上，勞動力素質(zhì)提升；產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)上，技術(shù)要素比重增大），制造業(yè)低端產(chǎn)能或?qū)⒊掷m(xù)外遷。2021年全球47個主要經(jīng)濟(jì)體數(shù)字經(jīng)濟(jì)規(guī)模為38．1萬億美元，占全球GDP比重為45%，較2020年提升1個百分點。2021年全球數(shù)字經(jīng)濟(jì)在第一產(chǎn)業(yè)滲透率為8．6%，在第二產(chǎn)業(yè)滲透率為24．3%，在第三產(chǎn)業(yè)滲透率為46．3%。增速：2021年全球47個經(jīng)濟(jì)體數(shù)字經(jīng)濟(jì)同比名義增長15．6%，高于同期GDP名義增速2．5個百分點。數(shù)字經(jīng)濟(jì)包括數(shù)字產(chǎn)業(yè)化、產(chǎn)業(yè)數(shù)字化和數(shù)字化治理三大部分：2021年全球數(shù)字產(chǎn)業(yè)化規(guī)模占數(shù)字經(jīng)濟(jì)比重為15%，占GDP比重為6．8%，2021年全球產(chǎn)業(yè)數(shù)字化規(guī)模占數(shù)字經(jīng)濟(jì)比重為85%，占GDP比重約為38．2%。美國信息科技產(chǎn)業(yè)增加值在GDP中占比接近中國2倍。美國經(jīng)濟(jì)分析局將信息通信技術(shù)生產(chǎn)行業(yè)在傳統(tǒng)的產(chǎn)業(yè)劃分框架外單列，2021年增加值占其GDP比重約為7．6%。中國國家統(tǒng)計局將信息傳輸、軟件和信息技術(shù)服務(wù)業(yè)列示在第三產(chǎn)業(yè)下面，2021年占GDP比重約為3．9%。2021年科技行業(yè)在GDP的百分比，美國約為中國的1．95倍。中美兩國信息科技產(chǎn)業(yè)占GDP比重整體上均呈現(xiàn)上升趨勢。1987年美國信息科技產(chǎn)業(yè)占GDP比重約為3．4%，在科網(wǎng)泡沫前4年，迅速從1996年的3．9%提升至2000年的6．2%，此后略有下降，至2010年才回升至6．2%，此后緩慢提升至2021年的7．6%。中國信息科技產(chǎn)業(yè)起步較晚，信息科技產(chǎn)業(yè)占GDP比重數(shù)據(jù)最早可追溯至2004年的2．6%，2022年約為4．0%。根據(jù)Wind二級行業(yè)分類標(biāo)準(zhǔn)，分別測算中國和美國2021年半導(dǎo)體和其他二級行業(yè)的收入與凈利潤在總量中的比重。2021年，美國半導(dǎo)體行業(yè)收入占比約為1．9%，凈利潤占比約為3．9%；中國半導(dǎo)體行業(yè)收入占比約為1．2%，凈利潤整體虧損約7億元。將半導(dǎo)體與半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備，以及電信服務(wù)、技術(shù)硬件與設(shè)備、媒體和軟件與服務(wù)等泛TMT行業(yè)作為信息科技產(chǎn)業(yè)：美國上市公司中，2021年信息科技產(chǎn)業(yè)收入占比19．1%，凈利潤占比約為26．9%，凈利率約為16．1%；中國上市公司中，2021年信息科技產(chǎn)業(yè)收入占比約為11．0%，凈利潤占比約為3．3%，凈利率約為1．1%。精密清洗服務(wù)行業(yè)市場利潤規(guī)模精密清洗服務(wù)業(yè)概述:工業(yè)清洗是指工業(yè)產(chǎn)品或零件的表面受到物理、化學(xué)或生物作用，形成污染物或涂層，并將這些污染物或涂層去除，恢復(fù)其原有表面狀態(tài)的過程。隨著生產(chǎn)的發(fā)展和科學(xué)的進(jìn)步，工業(yè)清洗領(lǐng)域出現(xiàn)了專業(yè)化的新型清洗技術(shù)，精密清洗服務(wù)也逐漸發(fā)展起來。精密清潔是指根據(jù)非常嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行清潔，對殘留顆?；蚱渌廴疚锏娜萑潭确浅５?，通常在環(huán)境受到嚴(yán)格控制的潔凈室中進(jìn)行。在許多高科技行業(yè)的重要應(yīng)用中，如半導(dǎo)體、顯示面板、航空空航天和醫(yī)療，精密清洗服務(wù)是新制造零件裝配前的先決條件，也是工藝設(shè)備日常維護(hù)的先決條件。以芯片制造為例，如果制造過程中有污染，就會影響芯片上器件的正常功能。因此，提高生產(chǎn)設(shè)備部件的清潔度是保證芯片生產(chǎn)良率的重要環(huán)節(jié)。在芯片蝕刻、化學(xué)氣相沉積、擴(kuò)散等過程中。各種污染雜質(zhì)層，例如金屬雜質(zhì)、有機(jī)物、顆粒、氧化物等。會附著在設(shè)備部件上，一段時間后會剝落；對于芯片制造企業(yè)來說，雜質(zhì)的污染導(dǎo)致芯片的電氣故障，導(dǎo)致芯片報廢，進(jìn)而影響產(chǎn)品的良率和質(zhì)量。通常，影響精密清洗服務(wù)價格的關(guān)鍵因素包括清洗零件的市場價值、厚度、材料、幾何形狀、零件的研發(fā)成本、污染雜質(zhì)的種類、清潔度要求等。專業(yè)的精密清洗服務(wù)商根據(jù)工藝、機(jī)器設(shè)備品牌、零部件材質(zhì)、涂層要求等分類提供精密清洗及衍生處理服務(wù)。，從而配合客戶提高產(chǎn)品良率和制造設(shè)備的生產(chǎn)率。中國泛半導(dǎo)體設(shè)備洗凈服務(wù)市場分析半導(dǎo)體（Semiconductor）：狹義上是指半導(dǎo)體材料，包括以硅（Si）、鍺（Ge）等元素半導(dǎo)體（也是第一代半導(dǎo)體材料），和以砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鎵（Ga2O3）等化合物半導(dǎo)體材料（第二代至第四代半導(dǎo)體材料）。廣義上是指基于半導(dǎo)體材料制造的各類器件產(chǎn)品。集成電路（IntegratedCircuit，IC，中國臺灣稱為積體電路），是指通過一系列特定的加工工藝，將晶體管、二極管等有源器件和電阻器、電容器等被動元件及布線集成、封裝在半導(dǎo)體晶片上，執(zhí)行特定功能的電路或系統(tǒng)。芯片（Chip），通常就是指集成電路芯片，因此絕大多數(shù)時候，芯片、集成電路、IC等術(shù)語可以混用。按產(chǎn)品類型劃分4大類：集成電路、分立器件、光電子器件、傳感器。除以上分類外，半導(dǎo)體產(chǎn)品還有多種分類維度，例如按照下游需求場景可分為：民用級（消費級）、汽車級（車規(guī)級）、工業(yè)級、級和航天級等。供給端由企業(yè)主導(dǎo)；需求端由下游應(yīng)用主導(dǎo)；供給、需求、貿(mào)易創(chuàng)造市場；市場影響供給與需求；技術(shù)迭代是根因。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場現(xiàn)狀亞太地區(qū)在全球半導(dǎo)體銷售額中超過60%。1999年美洲、歐洲、日本、亞太地區(qū)分別為32%、21%、22%和25%，以美國為代表的美洲地區(qū)為主要市場。此后，亞太地區(qū)市場半導(dǎo)體銷售額快速提升，1999至2021年CAGR達(dá)10．6%，超過美洲市場的4．4%約6．2pct，其市場份額不斷提升，逐漸超過其他地區(qū)總和，至2021年亞太地區(qū)市場份額達(dá)到62%。中國大陸2021年市場份額35%，是全球第一大半導(dǎo)體產(chǎn)品消費地區(qū)。2021年中國大陸市場以1877億美元銷售額成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)品最大消費地區(qū)，市場份額35%。1983年美國廠商在全球半導(dǎo)體銷售市場占據(jù)超過50%的供給份額。但是在此后幾年間，日本半導(dǎo)體企業(yè)的在激烈競爭中逐漸崛起，向美國傾銷大量半導(dǎo)體產(chǎn)品，疊加1985年至1986年的行業(yè)衰退，美國半導(dǎo)體企業(yè)全球供給份額在約1988年左右下降至低點，總共下降約19個百分點，日本實現(xiàn)反超，占據(jù)了全球半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)地位。1988年后，美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開始反彈，且日本半導(dǎo)體行業(yè)受到《日美半導(dǎo)體協(xié)定》影響，市場份額逐漸下滑。至1997年，美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)以超過50%的供應(yīng)份額重新回歸全球領(lǐng)導(dǎo)地位，且一直保持至今。集成電路占半導(dǎo)體產(chǎn)品銷售額的比重維持在80%以上。2021年，集成電路產(chǎn)品銷售額約4630億美元，占半導(dǎo)體83%市場份額；分立器件銷售額約303億美元，占6%；光電子器件銷售額約434億美元，占8%；傳感器產(chǎn)品銷售額約191億美元，占3%。集成電路產(chǎn)品份額始終維持在80%以上，是半導(dǎo)體產(chǎn)品的最主要類型。集成電路產(chǎn)品中，邏輯IC和存儲IC比重最高，MCU份額呈下降趨勢。集成電路產(chǎn)品中，2021年：模擬電路銷售額741億美元，占半導(dǎo)體銷售額的13．3%；微處理器銷售額802億美元，占15．1%；邏輯電路銷售額1548億美元，占30．8%；存儲電路銷售額1538億美元，占27．7%；以MCU為代表的微處理器產(chǎn)品份額在1999年至今呈現(xiàn)下降趨勢，從34．6%下降至2021年的14．4%；以CPU、GPU等通用芯片為代表的邏輯電路產(chǎn)品份額從1999年的15．5%上升至2021年的27．9%，呈現(xiàn)上升趨勢。原因主要是，用于工業(yè)、通訊等領(lǐng)域嵌入式系統(tǒng)的MCU在過去二十年中增速不高，而個人電腦的普及和智能手機(jī)出現(xiàn)極大拉動了通用邏輯芯片的需求。顯示面板專用設(shè)備清洗服務(wù)對象TFT顯示面板專用設(shè)備一般指基于TFT薄膜晶體管為驅(qū)動單元開發(fā)的，用于生產(chǎn)各類顯示面板產(chǎn)品的生產(chǎn)設(shè)備。主流產(chǎn)品為LCD和有機(jī)發(fā)光二極管，是集成電路行業(yè)顯示技術(shù)領(lǐng)域的重要組成部分。其中，LCD顯示技術(shù)是80年代以后逐漸發(fā)展并繁榮起來的一種顯示面板技術(shù)，使用液晶作為顯示單元。液晶面板的主要結(jié)構(gòu)包括透明基板、偏光片、濾光片、液晶層、TFT陣列等。經(jīng)過30多年的快速發(fā)展，整個生產(chǎn)技術(shù)和產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)趨于成熟和穩(wěn)定，但面板制造、封裝和測試過程中的專用設(shè)備供應(yīng)仍以進(jìn)口為主。有機(jī)發(fā)光二極管顯示技術(shù)是21世紀(jì)后逐漸發(fā)展起來的一種新型顯示技術(shù)。其主要結(jié)構(gòu)包括透明襯底、空空穴/電子注入層、空空穴/電子傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、TFT陣列等。經(jīng)過近十年的快速發(fā)展，與LCD相比，它具有功耗低、視角廣、響應(yīng)速度快等更好的顯示性能。以LCD和有機(jī)發(fā)光二極管為主流顯示面板技術(shù)，生產(chǎn)工藝可分為TFT陣列、電池盒成型、后端組裝三個步驟。其中，TFT陣列生產(chǎn)包括基板清洗、鍍膜、曝光、顯影、蝕刻和剝離等。電池盒化成包括TFT清洗、CF基板加工、組裝、充晶、蒸發(fā)、封裝和測試，后端組裝包括電池清洗、偏光片貼合、IC鍵合、FPC/PCB、TP鍵合等。相應(yīng)的專用設(shè)備主要包括蒸發(fā)設(shè)備、光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、離子注入設(shè)備等。上述TFT面板制造過程中的鍍膜、曝光、顯影、蝕刻、CF基板處理、蒸鍍等設(shè)備為公司的清潔服務(wù)對象。污染引入:污染雜質(zhì)是指在泛半導(dǎo)體產(chǎn)品制造過程中引入的任何危害芯片良率和電性能的物質(zhì)。據(jù)估計，大多數(shù)芯片電氣故障是由污染引起的缺陷引起的。通常，精密清洗的污染雜質(zhì)分為以下幾類:1）粒子。顆粒會導(dǎo)致開路或短路。從尺寸上來說，在半導(dǎo)體制造中，顆粒必須小于最小器件特征尺寸的一半，大于這個尺寸的顆粒會造成致命缺陷。從數(shù)量上來說，硅片表面的顆粒密度代表了特定面積內(nèi)顆粒的數(shù)量。顆粒越多，致命缺陷的可能性越大。在一個過程中引入到硅晶片中的超過某一臨界尺寸的顆粒數(shù)量由每個步驟中每個晶片的顆粒數(shù)量來表征。隨著先進(jìn)工藝的進(jìn)步，對PWP指標(biāo)的要求越來越高。2）金屬雜質(zhì)。對半導(dǎo)體技術(shù)有害的典型金屬雜質(zhì)是堿金屬，例如鈉、鉀和鋰。重金屬也會造成金屬污染，如鐵、銅、鋁、鉻、鎢、鈦等。金屬雜質(zhì)可能來自化學(xué)溶液或半導(dǎo)體制造中的各種工藝，如離子注入，或化學(xué)物質(zhì)與傳輸管道和容器的反應(yīng)。3）有機(jī)物。有機(jī)物主要是指含碳的物質(zhì)，可能來自細(xì)菌、潤滑劑、蒸汽、洗滌劑、溶劑和水分。4）自然氧化層。一方面，自然氧化層阻礙了其他工藝步驟，例如單晶膜的生長；另一方面，增加接觸電阻，降低甚至阻止電流流動。主要清洗方式:根據(jù)清洗方式的不同，精密清洗可分為物理清洗和化學(xué)清洗。物理清洗是指利用力學(xué)、聲學(xué)、光學(xué)、電學(xué)、熱學(xué)原理，依靠機(jī)械摩擦、超聲波、負(fù)壓、高壓沖擊、紫外線、蒸汽等外部能量的作用，清除物體表面污垢的方法?；瘜W(xué)清洗是指利用化學(xué)溶劑，依靠化學(xué)反應(yīng)的作用，去除物體表面污垢的方法。在實際應(yīng)用中，通常將兩種方法結(jié)合使用，以獲得更好的清洗效果。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的周期性半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新技術(shù)從最初研發(fā)儲備到終端產(chǎn)品應(yīng)用并量產(chǎn)的周期大約在10年左右，驅(qū)動信息市場的引擎（下游應(yīng)用市場主要產(chǎn)品）也大概10年左右產(chǎn)生一次新變化。中期維度上，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)出由企業(yè)設(shè)備投資和產(chǎn)能擴(kuò)張驅(qū)動周期波動，稱為產(chǎn)能周期（也稱資本支出周期、朱格拉周期、設(shè)備投資周期等）。投資端觀測：全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資本支出從1983年的43億美元增長到2021年的1531億美元，年均復(fù)合增速約為10%。以同比增速的極大值點劃分，全球半導(dǎo)體資本開支周期平均約3~4年。銷售端觀察：產(chǎn)能周期在半導(dǎo)體產(chǎn)品銷售端上也有所體現(xiàn)，以全球半導(dǎo)體月度銷售額為例，1976年3月至今，半導(dǎo)體月銷售額同比增速（3個月移動平均值）呈現(xiàn)出周期波動特征，每個周期間隔大約在3-4年，平均數(shù)值為2．95年。短期維度上，由銷售端（市場）短期供需驅(qū)動庫存周期，也稱基欽周期，約3~6個季度。由于下游需求端向上傳導(dǎo)存在時滯，導(dǎo)致了庫存周期的產(chǎn)生。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)庫存周期可以分為4個階段：主動補庫存：在新一輪庫存周期的起點，由于短期需求端指標(biāo)上升，企業(yè)提升產(chǎn)線稼動率，主動補充庫存水平，產(chǎn)成品存貨環(huán)比上升，行業(yè)處于短期繁榮階段。被動補庫存：這一階段需求端指標(biāo)已經(jīng)見頂，但企業(yè)稼動率無法立即下降，存貨水平仍然保持上升，導(dǎo)致利潤率水平到達(dá)頂部后開始下降，行業(yè)開始進(jìn)入短期衰退階段。主動去庫存：需求端指標(biāo)持續(xù)下降，企業(yè)稼動率開始下降，但已經(jīng)出現(xiàn)庫存過剩，企業(yè)主動降價去庫存，減少存貨壓力，行業(yè)處于蕭條階段。被動去