Microsem美高森美宣布推出專門用于SiC MOSFET技術(shù)的極低電感SP6LI封裝-新品速遞

精品文檔-下載后可編輯Microsem美高森美宣布推出專門用于SiCMOSFET技術(shù)的極低電感SP6LI封裝-新品速遞實(shí)現(xiàn)高電流、高開關(guān)頻率和高效率將于6月5日至7日在PCIM歐洲電力電子展的6號展廳318展臺展示采用全新低電感封裝的五個標(biāo)準(zhǔn)模塊的完整產(chǎn)品線致力于在功耗、安全、可靠性和性能方面提供差異化的半導(dǎo)體技術(shù)方案供應(yīng)商美高森美公司(MicrosemiCorporation，紐約納斯達(dá)克交易所：MSCC)發(fā)布專門用于高電流、低導(dǎo)通阻抗(RDSon)碳化硅(SiC)MOSFET功率模塊的極低電感封裝這款全新封裝專為用于公司SP6LI產(chǎn)品系列而開發(fā)，經(jīng)設(shè)計提供適用于SiCMOSFET技術(shù)的2.9nH雜散電感，同時實(shí)現(xiàn)高電流、高開關(guān)頻率以及高效率。美高森美將在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM上展示使用新封裝的SP6LI功率模塊，以及其它現(xiàn)有產(chǎn)品系列中的SiC功率模塊產(chǎn)品。美高森美繼續(xù)擴(kuò)大其SiC解決方案的開發(fā)工作，已經(jīng)成為向市場提供一系列Si/SiC功率分立和模塊解決方案的少數(shù)供應(yīng)商之一。美高森美的SP6LI產(chǎn)品系列采用專為高電流SiCMOSFET功率模塊而設(shè)計的雜散電感封裝之一，具有五種標(biāo)準(zhǔn)模塊，在外殼溫度(Tc)為80°C的情況下，提供從1200V、210A至586A；以及Tc同為80°C的情況下達(dá)到1700V、207A的相臂拓?fù)?。這種新型封裝具有更高的功率密度和緊湊的外形尺寸，可以使用較少數(shù)量的并聯(lián)模塊來實(shí)現(xiàn)完整的系統(tǒng)，幫助客戶進(jìn)一步縮小設(shè)備尺寸。美高森美的SP6LI功率模塊可以用于多種工業(yè)汽車醫(yī)療航天和國防應(yīng)用領(lǐng)域的開關(guān)模式電源和電機(jī)控制，示例包括電動車/混合動力車(EV/HEV)動力傳送和動能回收系統(tǒng)、飛機(jī)作動器系統(tǒng)發(fā)電系統(tǒng)、開關(guān)模式電源，用于電感加熱、醫(yī)療電源和列車電氣化等應(yīng)用的開關(guān)模式電源、光伏(PV)/太陽能/風(fēng)能轉(zhuǎn)換器和不間斷電源。美高森美副總裁兼功率分立器件和模塊業(yè)務(wù)部門經(jīng)理LeonGross表示：“我們的極低雜散電感標(biāo)準(zhǔn)SP6LI封裝非常適合為用于高開關(guān)頻率、高電流和高效率應(yīng)用的SiCMOSFET器件改善性能，通過提供更小尺寸的電源系統(tǒng)解決方案，幫助客戶大幅降低設(shè)備需求。我們的低電感封裝具有出色的開關(guān)特性，使客戶能夠開發(fā)更高性能的高可靠性系統(tǒng)，幫助他們從競爭中脫穎而出?！笔袌鲅芯繖C(jī)構(gòu)Technavio指出，面向半導(dǎo)體應(yīng)用的SiC市場預(yù)計在2022年前達(dá)到大約5.405億美元，年復(fù)合增長率(CAGR)超過18%。此外，IHSMarkit的研究表明，預(yù)計SiCMOSFET器件到2025年將產(chǎn)生超過3億美元營收，幾乎達(dá)到肖特基二極管的水平，成為第二大SiC分立功率器件類型。美高森美的SP6LI電源模塊采用由SiC功率MOSFET和SiC肖特基二極管構(gòu)成的相臂拓?fù)?，每個開關(guān)具有低至2.1mOhms的極低RDSon，并提供用于溫度監(jiān)控的內(nèi)部熱敏電阻和用于信號和電源連接的旋入式端子，以及用于改善熱性能的隔熱和高導(dǎo)熱性基板(氮化鋁作為標(biāo)準(zhǔn)，氮化硅作為選件)。此外，標(biāo)準(zhǔn)銅底板可替換為鋁碳化硅(AlSiC)材料選件以實(shí)現(xiàn)更高的功率循環(huán)能力。其它主要特性包括：·在相臂拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中優(yōu)化多SiCMOSFET和二極管芯片組件的布局；·采用對稱設(shè)計，每個開關(guān)多可并聯(lián)12個SiCMOSFET芯片；·每個管芯均與自身柵極串聯(lián)電阻并