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文檔簡介
精品文檔-下載后可編輯CMOS多頻段低噪聲放大器設(shè)計-新品速遞近年來,隨著無線通信技術(shù)的蓬勃發(fā)展,可兼容多種移動通信系統(tǒng)標準的新一代移動終端的研究正逐漸成為熱點。要實現(xiàn)多頻段的移動終端接收系統(tǒng),需要解決的首要問題就是如何實現(xiàn)位于該系統(tǒng)級的低噪聲放大器LNA的多頻段化。傳統(tǒng)的方法是將多個單頻段的LNA并聯(lián)起來使用,但會造成較大的功耗,占用較大的芯片面積,增加成本,而且隨著接收標準的不斷增多,該方法終將不可行;另外一種實現(xiàn)多頻段的方式是采用開關(guān)式LNA,但其只能工作于一個頻段下,當希望能同時工作于多個頻段時,該方法也將不適用;還可以采用寬帶LNA來實現(xiàn)多個頻段的放大,但同時也會放大其他頻段的干擾信號。本設(shè)計中的并行式多頻段LNA為單個LNA,但能同時工作在不同頻段下且放大所需頻段的信號。電路設(shè)計
該多頻帶LNA總體電路如圖1所示,由于1.8GHz、1.9GHz和2GHz頻段很靠近,因此考慮設(shè)計一個0.9/1.9GHz的雙頻段LNA,以1.9GHz為中心頻率,適當增大其帶寬,使其覆蓋1.8~2GHz,終實現(xiàn)所需要的四頻段LNA。
圖1整體電路圖
1噪聲分析
高頻下MOSFET的噪聲主要包括漏電流噪聲和柵電流噪聲。對圖1中帶有源極電感的共源MOSFET進行噪聲分析,得噪聲系數(shù)為:
(1)
其中,Rs為信號源電阻;Zt=Zg+Zs+Zgs,Zg和Zs為連接到柵極和源極的阻抗,Zgs是連接輸入管柵漏兩端的阻抗,一般為1/jωCgs;,為MOSFET的柵電流噪聲,,為漏電流噪聲。
在功耗限制和阻抗匹配條件下,輸入級品質(zhì)因數(shù)Qs≡1/ωCgsRs在3.5~5.5之間時噪聲系數(shù)能達到值,如式(2)所示??梢钥吹?,理論上噪聲只能在一個頻率點下達到,而不可能同時在多個頻率下具有值。隨著頻率ω的增大,噪聲將變大。因此對于0.9GHz和1.9GHz兩個頻段而言,為了達到噪聲系數(shù)的平衡,選擇在噪聲較差的高頻段1.9GHz處進行噪聲匹配,由此可確定Cgs大約為0.48pF,對應(yīng)的輸入管尺寸為650μm(W)×0.35μm(L)。
Fmin≈1+2.3ω/ωT(2)
2輸入阻抗匹配
與傳統(tǒng)的單頻段LNA相比,本LNA的輸入阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)必須同時在多個頻段下匹配到50Ω。圖2(a)所示為采用源端電感負反饋結(jié)構(gòu)的輸入阻抗匹配網(wǎng)絡(luò),其等效電路如圖2(b)所示。其包括兩個LC槽,其中,L0′=Lg+Ls,C0′=Cgs。輸入阻抗可表示為:
(3)
圖2(a)輸入阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)
圖2(b)輸入阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)等效電路
根據(jù)阻抗匹配條件,可得出在多個頻率下,輸入阻抗的實部和虛部需滿足以下條件:
gm1ls/Cgs=50Ω(4)
(5)
求解式(5),可得兩個不同的ω值,ω1和ω2。因此,該輸入網(wǎng)絡(luò)在兩個頻段ω1和ω2下均可滿足阻抗匹配的要求。
(6)
本設(shè)計中ω1和ω2的期望值分別為0.9GHz和1.9GHz,滿足這兩種頻率下諧振的元件值L0、L0’、C0、C0’將不止有一組。而在實際設(shè)計所采用的工藝庫中,電感值是一系列分離值,因此必須結(jié)合實際電感值進行選取。終實現(xiàn)的元件值是L0=7.23nH,C0=2.5pF,Lg=10.5nH,Ls=1.14nH。
3輸出阻抗匹配
輸出阻抗網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計與輸入阻抗網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計類似,應(yīng)考慮在多個頻段下實現(xiàn)良好的匹配,同時輸出級的設(shè)計還要滿足增益的要求。圖3(a)為本設(shè)計中的輸出網(wǎng)絡(luò),其分為三部分,A1部分提供大的輸出阻抗,以實現(xiàn)較高的增益;A2和A3共同實現(xiàn)雙頻帶,A2負責阻抗下變換,將阻抗實部匹配到50Ω,A3則對虛部進行共軛匹配。
圖3(a)輸出網(wǎng)絡(luò)
圖3(b)等效輸出網(wǎng)絡(luò)
將輸出網(wǎng)絡(luò)等效為如圖3(b)所示的形式,可得:
(7)
(8)
其中,Q1=ωL1/R1。
在輸出網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計中,R1’越大,增益越大,Q1也越大,但此時R1就越小,輸出網(wǎng)絡(luò)帶寬變小。由于高頻段的設(shè)計是以1.9GHz為中心頻率,輸出網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計需使其具有足夠的帶寬覆蓋1.8~2GHz,因此與L1串聯(lián)的電阻R1的選取要使增益與輸出網(wǎng)絡(luò)帶寬達到一定的平衡。
終實現(xiàn)的元件值為L1=5.58nH,R1=15Ω,C1=1.6pF,L2=4nH,C2=5.14pF,L3=8nH,C3=16.2pF。
仿真結(jié)果
基于TSMC0.35μmSiGeBiCMOS射頻工藝庫,采用Cadence的SpectreRF仿真器對所設(shè)計的多頻段LNA進行仿真,得到0.9/1.8/1.9/2GHz四頻段下LNA主要性能指標如圖4所示。
圖4(a)S21指標
圖4(b)S11和S22指標
圖4(c)噪聲系數(shù)NF
圖4(a)為LNA的增益S21,由圖可看出,在感興趣的頻段內(nèi),LNA的增益均大于10dB,且?guī)?nèi)波動控制在0.4dB左右。圖4(b)所示為LNA輸入反射系數(shù)S11和輸出反射系數(shù)S22,與0.9GHz處相比,1.9GHz附近的頻帶寬度被適當?shù)恼箤?,覆蓋了1.8~2GHz,所需頻段處S11和S22均在-10dB以下。在本設(shè)計中為了達到高低頻下噪聲的平衡,考慮在高頻處進行噪
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