半導(dǎo)體制程動(dòng)畫模擬方法_第1頁(yè)
半導(dǎo)體制程動(dòng)畫模擬方法_第2頁(yè)
半導(dǎo)體制程動(dòng)畫模擬方法_第3頁(yè)
半導(dǎo)體制程動(dòng)畫模擬方法_第4頁(yè)
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半導(dǎo)體制程動(dòng)畫模擬方法第1頁(yè)，共13頁(yè)，2023年，2月20日，星期一完成源極汲極閘極金屬連線第二層金屬可連至IC腳座第2頁(yè)，共13頁(yè)，2023年，2月20日，星期一P型晶片N型井N型井生長(zhǎng)光罩N型雜質(zhì)第3頁(yè)，共13頁(yè)，2023年，2月20日，星期一氧化層及閘極生長(zhǎng)氧氣氧化層多晶矽閘極第4頁(yè)，共13頁(yè)，2023年，2月20日，星期一源極及波極作用區(qū)生長(zhǎng)P型雜質(zhì)第5頁(yè)，共13頁(yè)，2023年，2月20日，星期一場(chǎng)氧化層氧氣HF(氫氟酸)第6頁(yè)，共13頁(yè)，2023年，2月20日，星期一金屬接觸點(diǎn)第7頁(yè)，共13頁(yè)，2023年，2月20日，星期一第一層金屬層第8頁(yè)，共13頁(yè)，2023年，2月20日，星期一絕緣氧化層第9頁(yè)，共13頁(yè)，2023年，2月20日，星期一VIA接點(diǎn)第10頁(yè)，共13頁(yè)，2023年，2月20日，星期一第二金屬層第11頁(yè)，共13頁(yè)，2023年，2月20日，星期一玻璃保護(hù)層第12頁(yè)，共13頁(yè)，2023年，2月20日，星期一完成源極汲極閘極金屬連線第二層金屬可連至IC腳座

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