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態(tài)密度(DensityofStates,簡稱DOS)在DOS結(jié)果圖里可以查看是導(dǎo)體還是絕緣體還是半導(dǎo)體,請問怎么看。理論是什么?或者哪位老師可以告訴我這方面的知識可以通過學(xué)習什么獲得。不勝感激。查看是導(dǎo)體還是\t"/html/200804/_blank"絕緣體還是半導(dǎo)體,最好還是用能帶圖
DOS的話看費米能級兩側(cè)的\t"/html/200804/_blank"能量差謝希德。復(fù)旦版的《固體能帶論》一書中有,請參閱!另外到網(wǎng)上或者學(xué)校的數(shù)據(jù)庫找找“第一性原理”方面的論文,里面通常會有一些計算分析。
下面有一篇可以下載的:
ZnO的第一性原理計算hoffman的《固體與表面》對態(tài)密度的理解還是很有好處的。下面這個是在版里找的,多看看吧:如何分析第一原理的計算結(jié)果
用第一原理計算軟件開展的工作,分析結(jié)果主要是從以下三個方面進行定性/定量的討論:
1、\t"/html/200804/_blank"電荷密度圖(chargedensity);
2、能帶結(jié)構(gòu)(EnergyBandStructure);
3、態(tài)密度(DensityofStates,簡稱DOS)。
\t"/html/200804/_blank"電荷密度圖是以圖的形式出現(xiàn)在文章中,非常直觀,因此對于一般的入門級\t"/html/200804/_blank"研究人員來講不會有任何的疑問。唯一需要注意的就是這種分析的種種衍生形式,比如差分電荷密圖(def-ormationchargedensity)和二次差分圖(differencechargedensity)等等,加自旋極化的工作還可能有自旋極化電荷\t"/html/200804/_blank"密度圖(spin-polarizedchargedensity)。所謂“差分”是指原子組成體系(團簇)之后電荷的重新分布,“二次”是指同一個體系\t"/html/200804/_blank"化學(xué)成分或者幾何構(gòu)型改變之后電荷的重新分布,因此通過這種差分圖可以很直觀地看出體系中個原子的成鍵情況。通過電荷聚集(accumulation)/損失(depletion)的具體空間分布,看成鍵的極性強弱;通過某格點附近的電荷分布形狀判斷成鍵的軌道(這個主要是對d軌道的分析,對于s或者p軌道的形狀分析我還沒有見過)。分析總電荷密度圖的方法類似,不過相對而言,這種圖所攜帶的信息量較小。
能帶結(jié)構(gòu)分析現(xiàn)在在各個領(lǐng)域的第一原理計算工作中用得非常普遍了。但是因為能帶這個概念本身的抽象性,對于能帶的分析是讓初學(xué)者最感頭痛的地方。關(guān)于能帶理論本身,我在這篇文章中不想涉及,這里只考慮已得到的能帶,如何能從里面看出有用的信息。首先當然可以看出這個體系是金屬、\t"/html/200804/_blank"半導(dǎo)體還是\t"/html/200804/_blank"絕緣體。判斷的標準是看費米能級和導(dǎo)帶(也即在高對稱點附近近似成開口向上的拋物線形狀的能帶)是否相交,若相交,則為金屬,否則為半導(dǎo)體或者絕緣體。對于本征半導(dǎo)體,還可以看出是直接能隙還是間接能隙:如果導(dǎo)帶的最低點和價帶的最高點在同一個k點處,則為直接能隙,否則為間接能隙。在具體工作中,情況要復(fù)雜得多,而且各種領(lǐng)域中感興趣的方面彼此相差很大,分析不可能像上述分析一樣直觀和普適。不過仍然可以總結(jié)出一些經(jīng)驗性的規(guī)律來。主要有以下幾點:
1)因為目前的計算大多采用超單胞(supercell)的形式,在一個單胞里有幾十個原子以及上百個電子,所以得到的能帶圖往往在遠低于費米能級處非常平坦,也非常密集。原則上講,這個區(qū)域的能帶并不具備多大的解說/閱讀價值。因此,不要被這種現(xiàn)象嚇住,一般的工作中,我們主要關(guān)心的還是費米能級附近的能帶形狀。
2)能帶的寬窄在能帶的分析中占據(jù)很重要的位置。能帶越寬,也即在能帶圖中的起伏越大,說明處于這個帶中的電子有效質(zhì)量越小、非局域(non-local)的程度越大、組成這條能帶的原子軌道擴展性越強。如果形狀近似于拋物線形狀,一般而言會被冠以類sp帶(sp-likeband)之名。反之,一條比較窄的能帶表明對應(yīng)于這條能帶的本征態(tài)主要是由局域于某個格點的原子\t"/html/200804/_blank"軌道組成,這條帶上的電子局域性非常強,有效質(zhì)量相對較大。
3)如果體系為摻雜的非本征\t"/html/200804/_blank"半導(dǎo)體,注意與本征半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)圖進行對比,一般而言在能隙處會出現(xiàn)一條新的、比較窄的能帶。這就是通常所謂的雜質(zhì)態(tài)(dopingstate),或者按照摻雜半導(dǎo)體的類型稱為受主態(tài)或者施主態(tài)。
4)關(guān)于自旋極化的能帶,一般是畫出兩幅圖:majorityspin和minorityspin。經(jīng)典的說,分別代表自旋向上和自旋向下的\t"/html/200804/_blank"軌道所組成的能帶結(jié)構(gòu)。注意它們在費米能級處的差異。如果費米能級與majorityspin的能帶圖相交而處于minorityspin的能隙中,則此體系具有明顯的自旋極化現(xiàn)象,而該體系也可稱之為半金屬(halfmetal)。因為majorityspin與費米能級相交的能帶主要由雜質(zhì)原子軌道組成,所以也可以此為出發(fā)點討論雜質(zhì)的\t"/html/200804/_blank"磁性特征。
5)做界面問題時,襯底材料的能帶圖顯得非常重要,各高對稱點之間有可能出現(xiàn)不同的情況。具體地說,在某兩點之間,費米能級與能帶相交;而在另外的k的區(qū)間上,費米能級正好處在導(dǎo)帶和價帶之間。這樣,襯底材料就呈現(xiàn)出各項異性:對于前者,呈現(xiàn)金屬性,而對于后者,呈現(xiàn)絕緣性。因此,有的工作是通過某種材料的能帶圖而選擇不同的面作為生長面。具體的分析應(yīng)該結(jié)合試驗結(jié)果給出。(如果我沒記錯的話,物理所薛其坤\t"/html/200804/_blank"研究員曾經(jīng)分析過$\beta$-Fe的(100)和(111)面對應(yīng)的能帶。有興趣的讀者可進一步查閱資料。)
原則上講,態(tài)密度可以作為能帶結(jié)構(gòu)的一個可視化結(jié)果。很多分析和能帶的分析結(jié)果可失(depletion)的具體空間分布,看成鍵的極性強弱;通過某格點附近的電荷分布形狀判斷成鍵的軌道(這個主要是對d軌道的分析,對于s或者p軌道的形狀分析我還沒有見過)。
問題:我對這三種電荷圖理解的不透徹,通過這三種電荷密度圖能判斷出是共價鍵和離子鍵嗎?如果能,怎樣判斷出來?最好能給出三種電荷圖加以說明。
討論二:
對于成鍵分析用的晶體軌道重疊布局圖,如何分析?誰會MULLIKEN電荷布局圖,請各位蟲友幫忙討論這個問題,最好給個圖,分析一下。多謝。
討論三:
TDOS,SDOS,SPDOS,LDOS,PDOS是從不同的側(cè)面去描寫體系的電子結(jié)構(gòu),反應(yīng)的意義也不同,大家誰知道TDOS,SDOS,SPDOS,LDOS,PDOS的區(qū)別?最好貼個圖,一起分析一下,共同學(xué)習。
希望得到版主和各位蟲友的支持,會的在溫習一下,不會的就當學(xué)點新知識,大家共同學(xué)習?!居懻摗筷P(guān)于用態(tài)密度來看體系成鍵的性質(zhì)這里,先擺出我的觀點,就是態(tài)密度跟體系成鍵性質(zhì)(也就是局域鍵是共價,離子,金屬,或是混合鍵等等之類),并沒有直接關(guān)系,但它可以從整體上(而非局域鍵)判斷體系是金屬,半導(dǎo)體或是絕緣體(這是能帶論的根本觀點之一)。
態(tài)密度的定義為(單位體積)單位能量上的狀態(tài)數(shù)。簡單的說,就是在某個能量附近,體系狀態(tài)的分布的稠密程度。舉個簡單的例子,比如常見的氫分子和CO2分子的態(tài)密度,很顯然,在不考慮能級各種展寬因素影響的情況下,都是DELTA函數(shù)。那么,從這一堆DELTA函數(shù),能看出來前者是共價鍵而后者是共價鍵和離子鍵的一種混合鍵嗎?顯然不能。(要注意的是,CO2中C-O有離子成分的,不是純的共價鍵,雖然離子成分較少。)
對于固體,我們能從TDOS的帶隙來判斷體系的整體性質(zhì),比如是金屬還是半導(dǎo)體等等。但是無法給出更細的信息。那么LDOS和PDOS呢?它們能給出什么信息。以LDOS為例,我們可以給出體系某個原子的LDOS。我認為LDOS只能給出該原子原子軌道成鍵后的雜化情況,但是說明不了與周圍原子的價鍵性質(zhì),也就是不能直接說明是離子鍵還是共價鍵。其實這點很容易理解,比如,考慮A原子的S軌道和B原子的S軌道有雜化(為簡單起見不考慮其他軌道的雜化情況),這說明S和S電子之間有轉(zhuǎn)移,但是是由A的S到B的S,還是反過來?就不能僅僅的用LDOS來判斷了,必須考慮A和B具體的電負性。不過,由LDOS的寬窄情況,可以看出來軌道的雜化程度,如果比較窄,則雜化不強烈(仍保持原子軌道DELTA函數(shù)的形式),如果比較寬,證明雜化比較強。其實能帶中由孤立原子能級變?yōu)槟軒В褪请s化的過程,內(nèi)層電子雜化不明顯,能帶較窄,而外層電子則相反。
好了,對于這個小問題,就說這么多。說的也不一定對,如果哪個蟲友有其他看法,跟我的不一樣,還請賜教?;旧贤饽愕挠^點,只是一些概念上需要澄清:
1.DOS的概念是相對于固體而言的,小分子沒有DOS這個概念,只有energylevel.DOS用于說明軌道相互作用情況比較合適。
2.關(guān)于“雜化”,化學(xué)上有特殊含義,是同一原子的不同軌道再組合,老外叫它hybridization,而你這里實際應(yīng)該是指mixing
3.要甄別是“共價鍵”還是“離子鍵”,用電荷密度來講,可能更好一些。
4.化學(xué)鍵沒有絕對的共價與離子,只是看哪種作用力更明顯一些而已。呵呵,對不起,你有的觀點我不是很同意,簡單說說我的看法,可以討論一下。
1.分子也是有DOS的,不過DOS是一些DELTA函數(shù)而已。LS是做量子化學(xué)的,不知道用過沒有用過(或者聽沒聽說過)ADF軟件,計算后可以直接把DOS畫出來。
2.當然,原子軌道雜化(比如C的SP3雜化),是一個基本的定義。不過,現(xiàn)在就我看到的文獻,對于不同原子的軌道疊加,也可以說是“雜化”(說成你所謂的mixing也行)。例如,有文獻經(jīng)常說某個分子的HOMO是由A原子的3P軌道和B原子的2S軌道雜化而成,等等。這么說,似乎也不會引起誤解。
3.要鑒別離子鍵跟共價鍵用電荷密度來說是更合適,這點我同意,這也是眾所周知的事實。不過,我這里只是說明單純從DOS上看不出來共價鍵或是離子的性質(zhì)。并沒有討論用什么物理量(比如電荷差分密度,電荷變形密度等等)來看鍵的性質(zhì)更合適。
4.化學(xué)鍵沒有絕對的共價鍵或是離子鍵,我同意。其實,不僅僅是分子,固體中的情況也一樣。比如常見的離子晶體NACL,離子成分也不是100%的。
你說的的第三、第四個問題我并沒有在這個帖子中展寬討論??赡茏屇阌兴`解,對不起。我覺的LS似乎微觀圖像不清楚。當然,這只是我的感覺,未必準確。也可能是我的微觀圖像不清楚。
“但是結(jié)合你的初始結(jié)構(gòu)來看,ldos基本上還是比較準確的”,這句話有問題,首先,即使是結(jié)合LDOS看結(jié)果,也應(yīng)該是結(jié)合優(yōu)化過的構(gòu)型,而不能是初始構(gòu)型。更重要的是,即使忽略這個小的錯誤,這句話也不對。以最簡單的氫分子為例,其成鍵和反鍵態(tài)波函數(shù)只是差一個正負號,都是兩個原子的S軌道雜化而成。因此從LDOS上,兩個態(tài)所顯示的都是兩個S的重疊,無非是所處能量位置不同。
因此,我即使把氫分子的結(jié)構(gòu)(其實就是兩點一線段)和LDOS給你,僅從這兩個信息你也不能通過LDOS給出成鍵態(tài)和反鍵態(tài)的形狀,自然不能給出鍵的方向。更不用說是多原子分子了。
另外,“臨近原子的相對位置,是可以看出是什么樣的結(jié)合鍵的”,我不知道你這里的鍵是從分子軌道理論過來的,還是從價鍵(VB)理論過來的?,F(xiàn)在一般都是分析分子軌道理論的結(jié)果。對于分子軌道,例如HOMO,HOMO-1,HOMO-2,......都是一個整體,每個軌道都代表一個電子在是空間的分布,單獨看他們在某幾個原子間的分布,并判斷是什么鍵,似乎不對共價鍵在兩個元素之間的局部區(qū)域電子密度會有較強的分布",這句話定性上是對的,如果差分電荷密度或是變形電荷密度集中在某兩個原子間,證明共價鍵比較強。
然而“你可以看到Ti和C之間區(qū)域電子密度較小,這是離子鍵的明顯特征”,這句話的意思容易明白,但是,我覺得直接用原子的MULLIKEN電荷大小來說明離子性的強弱,可能更好一點?;蛟S會有人說,MULLILKEN電荷并不準確。的確,從其本身的算法來看,是這樣。但是,用來定性分析還是有意義的。特別是相對大小的比較。因為“Ti和C之間區(qū)域電子密度較小”,怎么個小法才能體現(xiàn)離子鍵?這很不容易說清楚。
最后,至于LDOS和PDOS的區(qū)別,前者側(cè)重于具體原子的態(tài)密度,后者是整個晶胞的S,P,D的電子分布。其實,往往在使用LDOS中,我們也是把該原子的S,P,D電子分開的,確切的說是LPDOS更合適,呵呵。當然,DOS的種類有很多中,比如TDOS,SDOS,SPDOS,LDOS,PDOS等等,這些DOS反映了體系電子結(jié)構(gòu)的不同側(cè)面,表現(xiàn)了不完全相同的意義。
以上都是最基本的概念,只要你熟悉固體物理,我想理解起來應(yīng)該沒有什么問題。量化從量子力學(xué)而來,從處理小分子開始,建立了一些描述問題的概念,電子分布的描述,引入能級概念,這時的能量分布只是一個個孤立的點;到了擴展體系或者較大的體系時,一些能級間隔逐漸變得很小,以至難以區(qū)分,出了個“帶”,此時才有了DOS。雖然兩者類似,但還是略有區(qū)別的,至于什么時候叫energylevel,何時稱DOS,見仁見智吧,個人認為還是有區(qū)別的。
至于“雜化”這個概念,無論從物理還是化學(xué)的角度講,原諒我不能接受你的觀點,雜化(hybridization)不僅僅是Pauling天才地玩出來的概念,它是有深刻的物理背景的,實際上它是量子力學(xué)一個假定(態(tài)疊加原理)的具體應(yīng)用,這和“mixing"是兩碼事兒;其次,化學(xué)上是嚴格區(qū)別”雜化“與”mixing"(混合,化學(xué)上多稱為軌道組合),“雜化”在化學(xué)上是指同一原子不同軌道間的重新組合,而不能用來描述不同原子間軌道的混合(mixing),玩物理的老外們多用statemixing,進口之后,時而才被被玩兒成“雜化”。
很慚愧,我不用阿姆斯特丹的東西,雖然知道它不算太貴,但年計費很煩,雖然知道它的band可以計算固體,但還是喜歡維也納,蘿卜青菜,各有所愛吧。
謝謝你的討論!呵呵,原子軌道原本多用STO表示,只是不便于積分,于是采用GTO展開,形成各色基組,所以,你這里的說法又存在問題了
采用基組原本就是擬合STO或原子軌道的,然后在此基礎(chǔ)上,構(gòu)造分子軌道,并不是直接拿GTO線性組合成MO。我想再次強調(diào)的是,LCAO只是構(gòu)造分子軌道的方法之一,沒有人也沒有那個原理限制你必須用LCAO,只是它用起來比較簡潔、方便、通用且易于程序化而已,如果愿意,大可以采用其它構(gòu)造方式。
恕我直言和堅持。DOS跟能級是有區(qū)別的。無論對于分子或是固體,都有能級(只不過固體的能級比較密集,是連續(xù)或是準連續(xù),因而稱之為帶,或者說,能帶是固體能級的一個形象的說法),其實兩者都是體系(分子或是固體)薛定諤方程的解,從量子力學(xué)的角度來看,并無區(qū)別。我們其實也可以把固體中的某個能量叫做能級,比如常見的費米能級,并沒有任何妨礙。而態(tài)密度是單位能量(單位體積)狀態(tài)數(shù)的分布,對于體系的幾何維度或是對稱性等沒有要求。在周期晶體,非周期固體,分子等等都可以應(yīng)用。
2.的確,現(xiàn)在hybridization或是mixing用的的確比較爛。不過,量子力學(xué)的態(tài)疊加原理不僅僅可以用在同一個原子不同軌道的疊加。態(tài)疊加原理有著非常深刻的物理含義。換句話說,LS所謂的mixing也是態(tài)疊加原理的體現(xiàn)。不過,我覺得你的看法好像不是這樣的。
3.我說的ADF指的就是ADF,而不是其中的BAND。ADF可以給出分子的DOS,而BAND可以給出固體的DOS。當然,BAND一般沒人用。的確,我不認為分別屬于兩個原子的軌道間的mixing是態(tài)疊加原理!
說得白話些,描述體系的不同狀態(tài)波函數(shù)間的組合仍是描述體系狀態(tài)的波函數(shù),這是態(tài)疊加原理。描述不同原子的軌道之間的混合即成鍵是針對不同原子而言,從原子軌道這個層次講,兩個原子是不同體系,因此其軌道的mixing就不能算作態(tài)疊加原理,就像你不能把雜化軌道稱為分子軌道一樣,雜化軌道仍然是原子軌道,而此時的分子軌道不再是原子軌道。
嘻嘻,有點牛角尖了,見諒!既然LS否認不同原子的軌道m(xù)ixing是態(tài)疊加原理的體現(xiàn)。我想請教一下LS,那么在分子軌道理論中,是哪個量子力學(xué)基本原理(或者其推論)可以保證體系的分子軌道可以展開為不同原子軌道的線性組合?
我不是搞化學(xué)的,對結(jié)構(gòu)化學(xué)或是量子化學(xué)不熟,不過一些問題可以討論一下。將原子軌道線性組合為分子軌道只是構(gòu)造分子軌道的一種手段,不需要什么量子力學(xué)原理來支撐,完全可以不用原子軌道來構(gòu)造分子軌道,只要你能造出一個描述分子體系電子運動狀態(tài)的函數(shù)就可以,不是有些軟件還采用數(shù)值軌道的嗎.....用GTO或是STO只是技術(shù)上的問題,從物理上說,STO符合實際的電子波函數(shù),但是從計算上說,GTO更方便數(shù)值運算。
其實我上面說的很清楚了“分子軌道的展開不一定用原子軌道”,所以并沒有一定用LCAO方法,希望你不要誤解,呵呵。
把分子軌道展開,究竟用什么基組,看計算的方便而定??梢允怯幸欢ㄎ锢硪饬x的原子軌道,當然,也可以是沒有直接物理意義的GTO基組(通過擬合STO等等手段來表示)等等。甚至,只要你愿意,用平面波形式的基組也可以計算(比如用VASP計算超胞中的孤立分子)。但是無論你用什么基組通過線性疊加來表示分子軌道,其實背后都體現(xiàn)了態(tài)疊加原理。否則,從量子力學(xué)的角度,沒有任何依據(jù)可以讓你把分子軌道展開成某些函數(shù)的疊加形式。
換句話說,只要你把波函數(shù)展開,無論用什么基組,都是態(tài)疊加原理的體相,選取基組中的有限項來實際的擬合分子軌道。呵呵。其實,所謂的GTO擬合STO,只是數(shù)值計算上的方便,或者說,是一種數(shù)學(xué)技術(shù),因為不同GTO的乘積可以轉(zhuǎn)換為一個GTO,從而方便數(shù)值計算。
或者說,把分子波函數(shù)展開為slater原子軌道的疊加,這一步才比較清楚的體現(xiàn)了態(tài)疊加原理的物理含義。而用GTO擬合STO,是一種數(shù)值計算方便的手段,是下一個層次事情,也就是實際操作。
個人意見,嘿嘿。氫分子的波函數(shù),無論是成鍵或是反鍵,都是氫原子的疊加。第一,這只是一個近似,是數(shù)學(xué)上無法嚴格求解H2分子的一種“退一步”的近似手段。
第二,我要說的是,從態(tài)疊加原理來看,我們不僅要注意H2分子軌道跟原來兩個氫原子軌道的聯(lián)系,而且還要時刻注意它們的區(qū)別。雖然對H2這個例子不明顯,但是,對于其他一些情況這種差異還是很明顯的。比如說,許多平面波(擴展態(tài))可以疊加為一個束縛態(tài)。這說明疊加態(tài)是不同于原有各態(tài)的一個新態(tài)。而不僅僅是原有態(tài)的“機械”疊加。里面蘊含著豐富的物理思想。這一點,似乎很多做化學(xué)的人往往意識不到。以分子為例,其實軌道雜化的方向與各個原子軌道前的系數(shù),包括正負號有很大關(guān)系。但是LDOS只能給出定性的重疊。所以從LDOS上的雜化看出成鍵的方向,基本上是不可能的。是的,真要嚴格討論,一般要用OP,如COOP,COHP,但這些都涉及原子基組的問題了,平面波基組也就定性.
LDOS,PDOS都是定性說,一般就是為了文章里面有個圖,多一段討論而已定性是不假,但是結(jié)合你的初始結(jié)構(gòu)來看,ldos基本上還是比較準確的,不是么?雖然不能發(fā)在文章里,但是我在分析中好像一直和最后結(jié)論差不多。在哪些方向有雜化,臨近原子的相對位置,是可以看出是什么樣的結(jié)合鍵的,尤其如果你考慮到分解的復(fù)雜問題,你可以把你想看的原子們放到一個垂直或平行于與坐標軸的方向的。兩位老大在考慮下恩第一點我就是說根據(jù)結(jié)構(gòu),不是特指優(yōu)化前的結(jié)構(gòu)。
另外針對后面的問題,我知道我們的分歧大概出在哪了,應(yīng)該因為我,的確在考慮ldos的時候我們是需要考慮band,但homoorhomo-1每一個band都不是所有的原子在提供電子,因此我們是可以根據(jù)部分band的ldos來分析鍵的構(gòu)型。當然我對這部分的理解有限:),如果只有一個氫分子的話我想考慮所有bands應(yīng)該可以看出來的吧?比如自然展寬(起源于量子力學(xué)的時間-能量的不確定性關(guān)系),再比如電子能級跟振動轉(zhuǎn)動能級的耦合。其實完全孤立的原子分子是不存在的,碰撞也可以展寬能級。當然,由
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