電子器件制造業(yè)清潔生產(chǎn)評(píng)價(jià)指標(biāo)體系(征求意見稿)編制說(shuō)明

電子器件（半導(dǎo)體芯片）制造業(yè)清潔生產(chǎn)評(píng)價(jià)指標(biāo)體系編制說(shuō)明（征求意見稿）指標(biāo)體系制定的主要產(chǎn)業(yè)政策介紹90年代初，我國(guó)從發(fā)達(dá)國(guó)家引進(jìn)清潔生產(chǎn)的概念， 并與多個(gè)國(guó)家開展了多種形式的合作。 1997年4月，國(guó)家環(huán)境保護(hù)局制定并發(fā)布了《關(guān)于推行清潔生產(chǎn)的若干意見》，要求地方環(huán)境保護(hù)主管部門將清潔生產(chǎn)納入已有的環(huán)境管理政策中，以便更深入地促進(jìn)清潔生產(chǎn)。 1995和2000年兩次修訂頒布的《中華人民共和國(guó)大氣污染防治法》 中均明確規(guī)定 “企業(yè)應(yīng)當(dāng)優(yōu)先采用能源利用效率高、 污染物排放量少的清潔生產(chǎn)工藝，減少大氣污染物的產(chǎn)生。 ”2002年6月29日，第九屆全國(guó)人大常委會(huì)第二十八次會(huì)議通過(guò)《中華人民共和國(guó)清潔生產(chǎn)促進(jìn)法》 ，該法于2003年1月1日起實(shí)施。從此，清潔生產(chǎn)有了專門的法律保障。為貫徹落實(shí)《清潔生產(chǎn)促進(jìn)法》 ，引導(dǎo)企業(yè)采用先進(jìn)的清潔生產(chǎn)工藝和技術(shù)，全面推行清潔生產(chǎn)， 國(guó)家經(jīng)濟(jì)貿(mào)易委員會(huì)、 國(guó)家環(huán)境保護(hù)總局分別于 2000，2004，2006年先后發(fā)布了 3批《國(guó)家重點(diǎn)行業(yè)清潔生產(chǎn)技術(shù)導(dǎo)向目錄》 。該目錄涉及冶金、石化、化工、輕工、紡織、機(jī)械、有色金屬、建材、電力、煤炭，半導(dǎo)體等行業(yè)，共141項(xiàng)清潔生產(chǎn)技術(shù)， 是行業(yè)主管部門在對(duì)本行業(yè)清潔生產(chǎn)技術(shù)進(jìn)行認(rèn)真篩選、審核的基礎(chǔ)上， 組織有關(guān)專家進(jìn)行評(píng)審后確定的。 這些技術(shù)經(jīng)過(guò)生產(chǎn)實(shí)踐證明，具有明顯的經(jīng)濟(jì)和環(huán)境效益，同時(shí)對(duì)于推進(jìn)清潔生產(chǎn)技術(shù)、工藝、設(shè)備、產(chǎn)品的升級(jí)換代，節(jié)約資源能源，促進(jìn)經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)方式轉(zhuǎn)變，實(shí)現(xiàn)資源優(yōu)化配置具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。在當(dāng)今全球倡導(dǎo) “綠色制造” 的大環(huán)境下， 各國(guó)均相繼出臺(tái)了與電子電氣產(chǎn)品污染控制與資源綜合利用等相關(guān)的指令及法規(guī)，企業(yè)也通過(guò)不斷改進(jìn)技術(shù)方案做到合規(guī)。根據(jù)《中華人民共和國(guó)清潔生產(chǎn)促進(jìn)法》，企業(yè)應(yīng)開展清潔生產(chǎn)技術(shù)研究，通過(guò)改進(jìn)設(shè)計(jì)、使用清潔的能源和原料、采用先進(jìn)的工藝技術(shù)與設(shè)備、改善管理、綜合利用等措施，從源頭削減污染，提高資源利用效率，減少或者避免生產(chǎn)、服務(wù)和產(chǎn)品使用過(guò)程中污染物的產(chǎn)生和排放， 以減輕或者消除對(duì)人類健康和環(huán)境的危害。另外，在我國(guó)《電子信息產(chǎn)品污染控制管理辦法》中也提出要通過(guò)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)過(guò)程中，改變研究設(shè)計(jì)方案、調(diào)整工藝流程、更換使用材料、革新制造方式等技術(shù)措施，減少產(chǎn)品中有害物質(zhì)的使用。同時(shí)，相關(guān)部門也在組織制定支撐上述法規(guī)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。目前，工業(yè)和信息化部組織制定了有關(guān)清潔生產(chǎn)水平評(píng)價(jià)及審核的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，明確了清潔生產(chǎn)水平評(píng)價(jià)指標(biāo)體系；環(huán)境保護(hù)部也已經(jīng)或正在組織制定一系列清潔生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)，其中一些雖涉及到電子行業(yè)，但標(biāo)準(zhǔn)數(shù)量很少，而且其內(nèi)容側(cè)重點(diǎn)主要是排放指標(biāo)的要求。此外，李毅中部長(zhǎng)在《加快產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整?推進(jìn)工業(yè)節(jié)能減排》署名文章中明確指出：“要加快推行清潔生產(chǎn)，積極推行資源綜合利用，切實(shí)加強(qiáng)工業(yè)“三廢”污染防治。加強(qiáng)工業(yè)清潔生產(chǎn)審核工作，編制工業(yè)先進(jìn)適用清潔生產(chǎn)技術(shù)指南，制定清潔生產(chǎn)水平評(píng)價(jià)標(biāo)準(zhǔn)編制通則。抓緊重點(diǎn)行業(yè)、重點(diǎn)企業(yè)的工業(yè)治污，把減排和治污緊密結(jié)合，標(biāo)本兼治。控制污染源，實(shí)現(xiàn)少減排、零排放”。因此，作為信息產(chǎn)業(yè)中上游半導(dǎo)體行業(yè)，希望從產(chǎn)品生命周期的角度，從源頭的有害物質(zhì)減量化，生態(tài)設(shè)計(jì)，特別是工藝制造過(guò)程指導(dǎo)企業(yè)，制定相關(guān)產(chǎn)品清潔生產(chǎn)指導(dǎo)性技術(shù)文件，使企業(yè)采用優(yōu)化技術(shù)，滿足清潔生產(chǎn)審核要求，并達(dá)到排放要求。半導(dǎo)體芯片制造業(yè)作為高新產(chǎn)業(yè)往往被人誤解為也是“清潔”的產(chǎn)業(yè)，但事實(shí)上，電子器件生產(chǎn)過(guò)程中使用了大量繁多的各種有機(jī)和無(wú)機(jī)物，并有許多有毒有害物，對(duì)環(huán)境危害較為嚴(yán)重，如不加以控制，將會(huì)產(chǎn)生較大的環(huán)境污染。我國(guó)在大力發(fā)展電子器件產(chǎn)業(yè)的同時(shí)，如果忽視其對(duì)環(huán)境產(chǎn)生的重大影響，勢(shì)必將破壞我國(guó)的環(huán)境現(xiàn)狀。電子器件是電子電氣產(chǎn)品中使用量較多，且其生產(chǎn)過(guò)程會(huì)使用一些有毒有害物質(zhì)，如清洗劑，如不加以管控，容易污染環(huán)境，因此需要盡快研究、制定電子器件行業(yè)的清潔生產(chǎn)評(píng)價(jià)指標(biāo)體系。半導(dǎo)體行業(yè)概況中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)表示， “十二五”期間，我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的投資有望超過(guò)2700億元，較“十一五”增加 1倍。報(bào)道稱我國(guó)將繼續(xù)通過(guò)“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝” 支持集成電路產(chǎn)業(yè)， 且支持力度還將加大。 在政府的全方位扶持下，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)一個(gè)“黃金時(shí)期” ，龍頭上市公司有望被培育成具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的企業(yè)。工信部此前也已明確，將努力打破資金、技術(shù)、市場(chǎng)、人才和政策瓶頸，在對(duì)集成電路產(chǎn)業(yè)加大投入的同時(shí)， “十二五”期間將大力推進(jìn)企業(yè)兼并重組， “培育形成具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的企業(yè)，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)群體性躍升發(fā)展” 。2013年國(guó)家發(fā)展和改革委員會(huì)第 21號(hào)令發(fā)布了《產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄2011年本）（2013年修正）》第28條明確提出信息產(chǎn)業(yè)中的半導(dǎo)體制造業(yè)是國(guó)家鼓勵(lì)發(fā)展的優(yōu)先產(chǎn)業(yè)。2.1我國(guó)半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)概況目前我國(guó)大陸及臺(tái)灣地區(qū) 8英寸及12英寸半導(dǎo)體廠商及生產(chǎn)能力見表 1和表2。表18英寸半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商及產(chǎn)能表112英寸半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商及產(chǎn)能2.2我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)發(fā)展推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的技術(shù)因素總體上說(shuō)有兩個(gè)： 一是芯片尺寸的縮小， 已經(jīng)實(shí)現(xiàn) 1->0.5->0.35->0.25->0.18->0.13->0.11->0.09um 的過(guò)渡，目前正向65->45->32->22nm 挺 進(jìn) ； 二 是 晶 圓 尺 寸 不 斷 擴(kuò) 大 ， 已 從100->125->150->200->300mm 得以實(shí)現(xiàn)，計(jì)劃向 400mm過(guò)渡 。據(jù)我們收集到的資料來(lái)看，目前全球已建、在建和擬建的 300mm晶圓廠約為40座，基本上分布在美國(guó)，中國(guó)臺(tái)灣，歐洲、日本、韓國(guó)、新加坡各地。在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)由西向東從美國(guó) -歐洲/日本-韓國(guó)/臺(tái)灣-中國(guó)大陸轉(zhuǎn)移，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)和技術(shù)得到了較好發(fā)展， 信息化程度得以提高。 但和發(fā)達(dá)國(guó)家相比，存在較大差距。目前，我國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍以加工為主， 基本上半導(dǎo)體產(chǎn)品是發(fā)達(dá)國(guó)家如美國(guó)將要淘汰或者已經(jīng)淘汰的產(chǎn)品。激烈的競(jìng)爭(zhēng)使利潤(rùn)率很低，投資收益率很低，但是由于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)， 而知識(shí)經(jīng)濟(jì)又建立在信息產(chǎn)業(yè)之上， 因此半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)又是我國(guó)必須發(fā)展的產(chǎn)業(yè)，必須進(jìn)行投資。美國(guó)之所以處于世界經(jīng)濟(jì)的領(lǐng)先地位， 其最根本的原因是在高技術(shù)領(lǐng)域始終處于領(lǐng)先地位，在基礎(chǔ)研究、應(yīng)用研究和技術(shù)開發(fā)的各個(gè)環(huán)節(jié)做到了人力和資金的合理分配，使其科學(xué)研究產(chǎn)生了巨大的經(jīng)濟(jì)效益。我國(guó)包括半導(dǎo)體研究在內(nèi)的研究現(xiàn)狀， 最大的問(wèn)題就是不能在基礎(chǔ)研究、 應(yīng)用研究和技術(shù)開發(fā)的各個(gè)環(huán)節(jié)中做到人力和資金的合理分配， 應(yīng)用性基礎(chǔ)研究與技術(shù)開發(fā)處于一種脫節(jié)狀態(tài)， 基本上各自為政， 各自在自己的領(lǐng)域內(nèi)發(fā)展。 這樣應(yīng)用研究就難以走向市場(chǎng)轉(zhuǎn)化為現(xiàn)實(shí)的生產(chǎn)力； 技術(shù)開發(fā)由于基礎(chǔ)的薄弱， 也難以有重大的成果。我國(guó)半導(dǎo)體制造業(yè)清潔生產(chǎn)技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)3.1提高產(chǎn)品設(shè)計(jì)水平在電子產(chǎn)品批量上市以前，首先必須保證可以生產(chǎn)并有適當(dāng)?shù)某善仿?。設(shè)計(jì)人員擁有更大的機(jī)會(huì)對(duì)制造的成品和成功產(chǎn)生影響。力求在設(shè)計(jì)中解決制造問(wèn)題。在設(shè)計(jì)和制造中暴露出來(lái)的早期缺陷，主要是來(lái)自系統(tǒng)方面的障礙。對(duì)半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)，布局要求走線分離得更遠(yuǎn)，但同時(shí)又不影響整體面積。例如，熱循環(huán)現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致銅互連線中產(chǎn)生拉應(yīng)力。這些空隙最有可能在通孔的底部形成，從而使通孔成為引發(fā)良率和可靠性問(wèn)題的首要因素。在設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)盡可能在同一層面走線，以避免不必要盼通孔。當(dāng)必須放置通孔時(shí)，優(yōu)化布局和布線工具能夠插入一些冗余的通孔。這樣即使在某一通孔出現(xiàn)空隙時(shí)，也能夠保持接觸，從而提高成功接觸的概率3.2改進(jìn)原料和能源首先，應(yīng)嚴(yán)格材料的純度和粒子，減少雜質(zhì)和粒子的引入。如半導(dǎo)體器件生產(chǎn)，硅單晶中存在著各種雜質(zhì)，當(dāng)一些雜質(zhì)的含量超過(guò)它的摻雜濃度時(shí)，在制造中的各種溫度下，它們的狀態(tài)和完整性會(huì)不斷發(fā)生變化，各種點(diǎn)缺陷會(huì)進(jìn)入或離開點(diǎn)陣，呈選擇性分布或聚集成團(tuán)，在外應(yīng)力作用下形成新的缺陷或發(fā)生缺陷增值。應(yīng)控制對(duì)器件影響大的堿金屬及重金屬等金屬雜質(zhì)元素含量及C、O等非金屬雜質(zhì)元素的濃度。其次，對(duì)進(jìn)廠元器件或半成品投入生產(chǎn)前進(jìn)行各種溫度、檢漏、振動(dòng)、高壓電沖擊等試驗(yàn)。產(chǎn)品或中間生產(chǎn)過(guò)程的半成品要按規(guī)定及時(shí)送檢和計(jì)量，如利用測(cè)試結(jié)構(gòu)對(duì)影響成品率的缺陷進(jìn)行檢測(cè)和查找， 可準(zhǔn)確判定影響成品率的有效缺陷，及時(shí)采取措施從而提高成品率。再者，嚴(yán)格輔助材料的純度。如超純水水質(zhì)、超純氣體、化學(xué)試劑等純度的及時(shí)監(jiān)測(cè)。3.3優(yōu)化生產(chǎn)工藝工藝貫穿于產(chǎn)品生產(chǎn)的全過(guò)程。企業(yè)應(yīng)根據(jù)生產(chǎn)產(chǎn)品的復(fù)雜程度、加工、裝配、檢驗(yàn)、技術(shù)裝備等制定相應(yīng)的生產(chǎn)工藝。在電子產(chǎn)品生產(chǎn)工藝中，產(chǎn)品的可靠性和成品率關(guān)鍵在于線路板的清洗，清洗時(shí)應(yīng)選擇合適的清洗方式，嚴(yán)格控制水質(zhì)。選擇合適的清洗方式。超聲清洗對(duì)于清除不溶性或難溶性焊劑殘?jiān)钣行?；噴淋清洗適用耐壓30伏以上的元器件；免清洗技術(shù)適用于生產(chǎn)批量大且元器件相同的產(chǎn)品；回收清洗法采用多級(jí)浸洗或多級(jí)逆流清洗，多用于電鍍，多級(jí)浸洗方式是采用靜止的水槽，定期將第一級(jí)回收槽的水全部拿去回收或補(bǔ)充鍍槽液，第二、第三級(jí)槽的水分別依次放入第一、第二級(jí)槽中，第三級(jí)加入新的水；多級(jí)逆流清洗法是水與鍍件逆向依次流過(guò)第一、二、三級(jí)清洗槽，由第一級(jí)清洗槽排出。水質(zhì)的控制。產(chǎn)品生產(chǎn)過(guò)程中多數(shù)需用超純水清洗工序，而且清洗次數(shù)多，被加工件與水直接頻繁接觸，純水對(duì)器件的成品率極其重要，并隨集成度的提高和清洗次數(shù)的增多而更加重要。據(jù)美國(guó)提出的水質(zhì)指標(biāo)說(shuō)明，集成度每提高一代，雜質(zhì)都要減少l／2～l／10。水質(zhì)中，在水質(zhì)的要求中，粒子、COD(化學(xué)需氧量)等，降低COD是當(dāng)前和今后的最大難點(diǎn)。另外，還必須提高工序能力，盡可能加大允許的工藝參數(shù)規(guī)范范圍，盡量減少工藝參數(shù)分布偏差。如重點(diǎn)解決壓焊、粘片等工序的工藝規(guī)范，提高其工序能力指數(shù)，從而提高成品率。3.4嚴(yán)格過(guò)程控制半導(dǎo)體產(chǎn)品精度高，對(duì)生產(chǎn)過(guò)程和生產(chǎn)環(huán)境要求高。企業(yè)應(yīng)可能對(duì)過(guò)程嚴(yán)格控制，并保持車間超凈環(huán)境。過(guò)程控制方面的提高成品率的措施主要有以下幾方面：①實(shí)現(xiàn)制造工藝自動(dòng)化， 以人工操作為主的操作模式會(huì)造成企業(yè)在物流操作方面的高出錯(cuò)率。多數(shù)電子產(chǎn)品都具有復(fù)雜的性能，精度要求高，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化可實(shí)現(xiàn)精確加工和批量生產(chǎn)，避免人為因素的影響。②超凈工藝環(huán)境因素，大概有5％以下的成品率損失是由人和環(huán)境造成的。超凈工藝環(huán)境因素主要包括空氣潔凈度、高純水、壓縮空氣、 C02、N2、溫度、濕度等。潔凈廠房的潔凈級(jí)別常以單位體積的空氣中最大允許的顆粒數(shù)即粒子計(jì)數(shù)濃度來(lái)衡量。 ③加強(qiáng)檢測(cè)，在生產(chǎn)過(guò)程中廢品產(chǎn)生量大的工位選擇適當(dāng)?shù)年P(guān)鍵點(diǎn)進(jìn)行檢測(cè)，及時(shí)采取半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)工藝及污染控制技術(shù)調(diào)查分析4.1半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝4.1.1分立器件制造工藝最常見的雙極管（ Bipolar）之一的 NPN 三極管流程如上圖主要工藝有：氧化、光刻、埋層擴(kuò)散、 N型外延、隔離擴(kuò)散、基區(qū)擴(kuò)散、發(fā)射區(qū)擴(kuò)散、 Al 金屬化、CVD 鈍化層等步驟。4.1.2半導(dǎo)體芯片制造工藝集成電路制造可大致分為各獨(dú)立的“單元” ，如晶片制造、氧化、參雜、顯影、刻蝕、薄膜等。各單元中又可再分為不同的“操作步驟” ，如清洗、光阻涂布、曝光、顯影、離子植入、光阻去除、濺鍍、化學(xué)氣相沉積等。上述單元將依功能設(shè)計(jì)不同，視需要重復(fù)操作。圖1 半導(dǎo)體芯片制造工藝基本流程4.1.3封裝工藝晶片在制造工藝后進(jìn)入封裝工藝， 封裝指從晶片上切割單個(gè)芯片到最后包裝的一系列步驟。在沖切中，用激光或金剛石鋸將單個(gè)芯片（或模片）從晶片上分離。然后通過(guò)錫焊或使用環(huán)氧樹脂將金屬結(jié)構(gòu)（如鉛）裱到芯片上。用混合溶劑或萜烴進(jìn)行清洗。下一步是引線接合（插腳） ，使芯片的金屬化部分與封裝或框架連接起來(lái)。在封裝階段， 用塑料或環(huán)氧樹脂做的密封包裝。 在一些應(yīng)用中也使用陶瓷蓋。鉛框是一個(gè)與金屬條或鉛相連的矩形金屬框。 鉛連接晶片與電子設(shè)備。塑料封裝鉛框用一片金屬， 銅或合金制成， 通過(guò)沖壓或蝕刻。 鉛框和鉛提供與電子部件的連外來(lái)研磨后的晶片 清洗 氧化 均膠 光刻顯影 濕法/干法刻蝕 擴(kuò)散、離子注入化學(xué)氣相沉淀（ CVD）化學(xué)機(jī)械拋光（ CMP） 金屬化等。圖2 半導(dǎo)體封裝工藝基本流程4.2產(chǎn)污分析半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生各種污染物， 其中對(duì)環(huán)境和人員健康影響較大的是廢液污染和廢氣污染， 下面列出一般工藝過(guò)程中可能產(chǎn)生的廢液、 廢氣及其污染特征。4.2.1 廢液污染來(lái)源與污染特性廢水污染源分為半導(dǎo)體芯片制造廠及半導(dǎo)體芯片封裝廠，各有不同。半導(dǎo)體芯片制造廠廢水來(lái)源多且產(chǎn)生的污染化學(xué)物質(zhì)相當(dāng)繁雜，廢水主要為超純水清洗芯片、去光刻較及蝕刻等程序所排出的廢液，如圖1所示。各股廢液來(lái)源及其所包含的污染化學(xué)物說(shuō)明如表3所示。半導(dǎo)體封裝過(guò)程主要污染源為切割、電鍍、浸錫、清洗等廢水，其中其電鍍工藝產(chǎn)生的污染物依產(chǎn)品差異而有不同，包括鍍錫鉛、鍍鎳、鍍銀等，封裝工藝各節(jié)點(diǎn)廢液污染物可能來(lái)源見圖2。各股廢液來(lái)源及其所包含的污染化學(xué)物說(shuō)明如表4所示。清氯蝕第擴(kuò)點(diǎn)第氧阻第濺蝕第洗化刻區(qū)、三鍍刻四圖1半一導(dǎo)體芯片制散造過(guò)程中廢液二污染物可化能來(lái)源蝕、圓爐、層爐光層爐層機(jī)層清阻刻清表3半導(dǎo)體芯片制造過(guò)（程中產(chǎn)生的廢液及其有毒有害物質(zhì)（圓晶（洗光擴(kuò)、光（、光洗光初閘金晶初刻有刻刻刻廢液種類）散蝕毒有害物質(zhì)清屬）成步（、刻（區(qū)洗（（成晶片清洗廢液氧P氧化）接品化區(qū)離閘化接、品子清線區(qū)觸去光阻廢液）二甲苯、乙酸注丁酯、甲洗苯）光光及區(qū)CVD阻入）阻濕式蝕刻廢液接光）、）、酸、氫溴酸、鋁、硅洗爐管廢液廢去氫氟酸廢去光廢去清酸光純水設(shè)備再生廢液光氫氧化鈉、鹽酸、硫酸阻液光洗堿液阻液光晶廢液晶、阻打液印、阻液導(dǎo)、浸阻液晶蝕、去、蝕廢圓圓片廢/碼蝕廢線錫磨筋成切粘刻圖2蝕半導(dǎo)體封裝過(guò)程中打廢液污蝕染物電可能來(lái)源品割附液封刻刻液刻鍍刻液表4膠彎、半導(dǎo)體封裝過(guò)程中產(chǎn)生的廢液及其有毒有害物質(zhì)廢廢廢、廢廢、廢液種類液清液清液清洗液洗有毒有害物質(zhì)洗切割/研磨廢液液SS含矽晶粉末，污染物質(zhì)為電鍍廢液研電鍍前脫脂過(guò)程用到的有機(jī)物（油脂，浸切電

光廢去光阻液光阻液、阻包液電清成廢、、蝕裝子洗品蝕蝕測(cè)液產(chǎn)刻刻刻試、品廢廢廢液清液液洗SS符，號(hào)說(shuō)COD明：和螯合清割廢浸錫廢液液清洗廢液純水設(shè)備再生廢液

磨2+2+2+2+2+錫洗劑），Cu，Ni,Zn,Pb鍍,Ag，氰化物，氟化物等：連續(xù)性排放廢液廢廢廢廢助焊劑液液液液：定期性排放廢液硫酸，硝酸，雙氧水，醋酸，磷酸氫氧化鈉、鹽酸、硫酸符號(hào)說(shuō)明：4.2.2廢氣污染來(lái)源與污染特性 ：連續(xù)性排放廢液半導(dǎo)體生產(chǎn)不管在硅晶圓、半導(dǎo)體芯片制造，或是半導(dǎo)體芯片封裝，其生產(chǎn)制程都相當(dāng)繁雜， 制程中所使用的化學(xué)物質(zhì)種類也相當(dāng)多， 而這些化學(xué)物質(zhì)或溶劑的使用是半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程中主要的空氣污染源， 也因此使得半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程空氣污染呈現(xiàn) 量少但種類繁多的特性。晶圓及半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中幾乎每個(gè)步驟都分別使用各式各樣的酸堿物質(zhì)、有機(jī)溶劑及毒性氣體， 而各種物質(zhì)經(jīng)過(guò)反應(yīng)后又會(huì)生成種類更為復(fù)雜的產(chǎn)物，各制程使用的化學(xué)物質(zhì)也 不相同，故所有制程幾乎 都可能是空氣污染源， 且都為連續(xù)排放。圖 3中說(shuō)明晶圓及半導(dǎo)體芯片制程中可能的污染源及其排放污染物。在半導(dǎo)體芯片封裝過(guò)程中， 可能的空氣污染源包括： 電鍍區(qū)產(chǎn)生之酸堿廢氣、浸錫區(qū)產(chǎn)生之錫熏煙，以及清洗過(guò)程產(chǎn)生之酸氣與有機(jī)溶劑蒸氣等三大類，圖 4中標(biāo)示半導(dǎo)體芯片封裝過(guò)程可能產(chǎn)生的空氣污染源及其排放的污染物。清氯蝕第擴(kuò)點(diǎn)第氧阻第濺蝕第洗化圖3刻一散區(qū)二化、三鍍刻四蝕、、半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中廢光氣污染物可能來(lái)源圓爐清層爐阻層爐刻層機(jī)清層晶（洗光（、光（、光（洗光擴(kuò)初閘金晶晶晶打）去蝕導(dǎo)浸清成包）電步屬圓圓片磨（碼筋刻線區(qū)洗品裝（子成氧、（錫（化成切粘/P、電氧）測(cè)接產(chǎn)化封離打閘化接、品品割附區(qū)子彎清鍍?cè)嚲€品膠區(qū)觸）光）光阻注洗及區(qū)CVD入）阻接光）、）、性亦不相同，可歸納為酸堿廢氣、有機(jī)溶劑逸散蒸氣、特殊毒性及燃燒性氣體，毒酸酸毒酸酸酸錫酸毒酸毒酸酸堿煙氣性VOCsVOCs廢VOCsVOCs氣廢廢氣廢廢VOCsVOCs氣廢氣廢廢體氣氣體氣氣氣體氣氣體氣針對(duì)有毒氣體處理需因應(yīng)各單元所排放的毒氣特性，結(jié)合多種不同型式毒氣符號(hào)說(shuō)明：符號(hào)說(shuō)明：處理方法及設(shè)備，階段性地處理各種不同特性毒性氣體物質(zhì)，以確保處理效率，：連續(xù)性排放廢氣：連續(xù)性排放廢液：定期性排放廢氣VOCs：揮發(fā)性有機(jī)物包裝生產(chǎn)線員工的身體健康及生命安全。VOCs：揮發(fā)性有機(jī)物

圓晶成品廢氣種類酸堿廢氣揮發(fā)性有機(jī)物VOCs）毒性氣體

表5半導(dǎo)體生產(chǎn)過(guò)程所產(chǎn)生的空氣污染物種類與成份污染物成份污染源（工藝）酸氣：HF、HCl、HNO3、H2SO4、CH3COOH、H3PO4、氧化、光H2Cr2O7刻、蝕刻、反應(yīng)爐（氧堿氣：NH3、NaOH化爐、擴(kuò)散爐）后的清洗、CVD二氯甲烷（CH2Cl2）、氯仿（CHCl3）、丁酮、甲苯、光阻液清乙本、丙酮、苯、二甲苯、乙酸丁酯、三氯乙烷、異丙洗、顯影液清除、蝕刻醇、四甲基胺、氯醛、四氯乙烯、乙基苯、亞甲基二氨、丁基苯4-甲基-2戊酮[（CH3）2CHCH2COCH3]、Trans-D液清除、晶半導(dǎo)體芯片horoethene圓清洗AsH3、PH3、SiH4、B2H6、B4H10、P2O5、SiF4、CC14、氧化、光HBr、BF3、A1C13、B2O5、As2O3、BCl3、POC13、刻、蝕刻、擴(kuò)散、Cl2、HCN、SiH2Cl2CVD、離子注入燃燒氣體 SiH4、AsH3、PH3、BF3、H2、SiH2Cl2 離子注入、CVD、擴(kuò)散指標(biāo)體系情況簡(jiǎn)介5.1電子器件清潔生產(chǎn)評(píng)價(jià)指標(biāo)體系專業(yè)類別劃分情況由于電子器件制造業(yè)各產(chǎn)品生產(chǎn)工藝差異較大，生產(chǎn)過(guò)程環(huán)境污染程度也不盡相同，因此根據(jù)專家建議， 電子器件制造業(yè)清潔生產(chǎn)評(píng)價(jià)指標(biāo)體系應(yīng)按產(chǎn)品生產(chǎn)工藝特點(diǎn)制定成系列技術(shù)規(guī)范。 根據(jù)產(chǎn)品生產(chǎn)工藝特點(diǎn)， 進(jìn)一步細(xì)分成電子真空器件制造業(yè)，半導(dǎo)體材料，半導(dǎo)體芯片制造業(yè)，半導(dǎo)體封裝業(yè)，光電子器件制造業(yè)五個(gè)行業(yè)。由于半導(dǎo)體芯片制造業(yè)相對(duì)于其它四個(gè)行業(yè)環(huán)境污染程度較大，故優(yōu)先制定《電子器件（半導(dǎo)體芯片）制造業(yè)清潔生產(chǎn)評(píng)價(jià)指標(biāo)體系》 。5.2范圍：本指標(biāo)體系適用于半導(dǎo)體芯片制造業(yè)清潔生產(chǎn)水平評(píng)價(jià)、清潔生產(chǎn)審核；新擴(kuò)改建項(xiàng)目環(huán)境影響評(píng)價(jià)、新建項(xiàng)目審批核準(zhǔn)；企業(yè)環(huán)保核查、節(jié)能評(píng)估等。本指標(biāo)體系適應(yīng)的半導(dǎo)體芯片制造包括集成電路芯片制造，分立器件芯片制造和薄膜晶體管液晶顯示器（TFT-LCD）制造。5.3指標(biāo)體系制定原則本指標(biāo)體系要符合產(chǎn)品生命周期分析理論的要求， 充分體現(xiàn)全過(guò)程污染預(yù)防思想，以幫助電子器件生產(chǎn)企業(yè)進(jìn)行污染源核查，生產(chǎn)工藝中清潔生產(chǎn)潛力與機(jī)會(huì)判斷，指標(biāo)體系的建立，消減方案的建立等工作，實(shí)現(xiàn)清潔生產(chǎn)。其具體原則體現(xiàn)在如下幾個(gè)方面：符合清潔生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)編制要求的原則。清潔生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)按照國(guó)家現(xiàn)行通用的清潔生產(chǎn)指標(biāo)，按照清潔生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)的“六類”指標(biāo)要求（生產(chǎn)工藝裝備及技術(shù)、資源能源消耗指標(biāo)、資源綜合利用指標(biāo)、污染物產(chǎn)生指標(biāo)、產(chǎn)品特征指標(biāo)和清潔生產(chǎn)管理指標(biāo)），綜合考慮電子器件產(chǎn)品生產(chǎn)實(shí)際，指標(biāo)采用定性、定量相結(jié)合的方式。符合清潔生產(chǎn)的思路，體現(xiàn)生產(chǎn)全過(guò)程以預(yù)防為主的原則。符合產(chǎn)品生命周期分析理論的要求，充分體現(xiàn)全過(guò)程污染預(yù)防思想，并覆蓋從原材料的選取到生產(chǎn)過(guò)程和產(chǎn)品的處理處置的各個(gè)環(huán)節(jié)?？紤]清潔生產(chǎn)水平，因地制宜，分階段實(shí)施原則。根據(jù)生產(chǎn)特點(diǎn)，特別是生產(chǎn)設(shè)備和原材料來(lái)源不同，技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)不同?？紤]到要調(diào)動(dòng)大多數(shù)企業(yè)的積極性，以及今后進(jìn)行清潔生產(chǎn)企業(yè)的績(jī)效評(píng)定和公告制度的需要制定清潔生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。并確定了相應(yīng)的清潔生產(chǎn)分級(jí)。符合產(chǎn)業(yè)政策、資源綜合利用以及節(jié)能減排趨勢(shì)的要求的原則。根據(jù)生產(chǎn)特點(diǎn)，特別是資源綜合利用工藝不同，技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)不同，各個(gè)企業(yè)的指標(biāo)均相差較大。因此，考慮到大多數(shù)電子器件生產(chǎn)企業(yè)的積極性， 以及今后進(jìn)行清潔生產(chǎn)企業(yè)的績(jī)效評(píng)定和企業(yè)清潔生產(chǎn)績(jī)效公告制度的需要。與現(xiàn)行管理制度相結(jié)合的原則。充分考慮電子器件產(chǎn)品生產(chǎn)工藝特點(diǎn)，與國(guó)內(nèi)現(xiàn)行環(huán)境管理制度（環(huán)境影響評(píng)價(jià)、限期治理、排污許可證）相結(jié)合，以環(huán)境保護(hù)為重點(diǎn)，作為污染預(yù)防戰(zhàn)略的技術(shù)支持。5.4指標(biāo)體系參考資料（1） 《我國(guó)清潔生產(chǎn)技術(shù)規(guī)范整合研究報(bào)告》 （國(guó)家環(huán)科院清潔生產(chǎn)與循環(huán)經(jīng)濟(jì)研究中心， 2012年4月）。（2） 《工業(yè)和信息化部關(guān)于進(jìn)一步加強(qiáng)工業(yè)節(jié)水工作的意見》 （中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部，工信部節(jié)［ 2010］218號(hào)）；3）《清潔生產(chǎn)評(píng)價(jià)指標(biāo)體系編制通則》（試行稿），（中華人民共和國(guó)國(guó)家發(fā)展和改革委員會(huì)，中華人民共和國(guó)環(huán)境保護(hù)部，中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部公告， 2013年第33號(hào)）（4） 《產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄（ 2011年本）（2013年修正）》，國(guó)家發(fā)展和改革委員會(huì)令 第 21號(hào)（5） 《電子電氣產(chǎn)品清潔生產(chǎn)技術(shù)指南 半導(dǎo)體器件》 SJ/ZXXXX-XXXX（6）《清潔生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)集成電路芯片制造業(yè)》HJ/TXXXX-XXXX（7）《清潔生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)光電子器件制造業(yè)》HJ/TXXXX-XXXX（8）《清潔生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)TFT-LCD件制造業(yè)》HJ/TXXXX-XXXX（9）《電子工業(yè)污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》GB/TXXXX-XXXX指標(biāo)體系編制指導(dǎo)思想本指標(biāo)體系遵循“科學(xué)、合理、易操作”的原則進(jìn)行編制。指標(biāo)體系的編制體現(xiàn)了生產(chǎn)全過(guò)程預(yù)防控制和源頭削減的思想。 本指標(biāo)體系框架及定量、 定性指標(biāo)內(nèi)容的確定， 充分依據(jù)現(xiàn)行的 《產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄》 、《工業(yè)和信息化部關(guān)于鋼鐵工業(yè)節(jié)能減排的指導(dǎo)意見》 、和電子器件（半導(dǎo)體芯片）行業(yè)清潔生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)化工作現(xiàn)狀、并充分考慮了國(guó)內(nèi)外已有的清潔生產(chǎn)技術(shù)成果和成功的清潔生產(chǎn)管理經(jīng)驗(yàn)、電子器件（半導(dǎo)體芯片）行業(yè)未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)等信息內(nèi)容。指標(biāo)體系中指標(biāo)的選取考慮了半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)特點(diǎn)和指標(biāo)的典型性、 代表性、統(tǒng)計(jì)指標(biāo)數(shù)據(jù)容易獲得等因素，使編制的指標(biāo)體系具有可操作性。指標(biāo)體系框架的確立本指標(biāo)體系評(píng)價(jià)指標(biāo)體系框架的確立，主要依據(jù)《我國(guó)清潔生產(chǎn)技術(shù)規(guī)范整合研究報(bào)告》和《清潔生產(chǎn)評(píng)價(jià)指標(biāo)體系編制通則（試行稿》兩個(gè)文件，并結(jié)合鋼鐵行業(yè)生產(chǎn)特點(diǎn)， 吸收采納了已頒布或已編制完成而未頒布清潔生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)的研究成果予以確定。指標(biāo)選?。?）指標(biāo)分類上述六大類清潔生產(chǎn)一級(jí)指標(biāo)當(dāng)中， 生產(chǎn)工藝與裝備指標(biāo)是通過(guò)調(diào)查國(guó)內(nèi)外同行業(yè)的先進(jìn)生產(chǎn)工藝與裝備水平， 在滿足國(guó)家半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)政策要求及工藝特點(diǎn)的基礎(chǔ)上，采用清洗工藝， VOC和ODS物質(zhì)處理設(shè)備及技術(shù)先進(jìn)性等。資源能源消耗指標(biāo)為行業(yè)常用的經(jīng)濟(jì)指標(biāo)。該指標(biāo)目的是促進(jìn)企業(yè)采用節(jié)能、節(jié)水、節(jié)材工藝參數(shù)，最大限度降低資源、能源的消耗，提高資源能源利用效率。具體指標(biāo)包括：?jiǎn)挝划a(chǎn)品新鮮水用量、單位產(chǎn)品電耗和單位產(chǎn)品氫氟酸使用量等指標(biāo)。資源綜合利用指標(biāo)的目的是促進(jìn)半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)企業(yè)水資源綜合利用率指標(biāo)。污染物產(chǎn)生指標(biāo)是根據(jù)半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)工藝特點(diǎn)，選擇廢水，鉛，砷，烷基汞，氰化物，氨氮， COD和ODS物質(zhì)等工藝控制指標(biāo)參數(shù)。產(chǎn)品特征指標(biāo)的目的是促使企業(yè)采用先進(jìn)的企業(yè)質(zhì)量管理規(guī)程， 嚴(yán)格控制產(chǎn)品中限用有害物質(zhì)含量和產(chǎn)品包裝材料相關(guān)指標(biāo)參數(shù)。清潔生產(chǎn)管理水平是影響各行業(yè)清潔生產(chǎn)績(jī)效的重要因素。 清潔生產(chǎn)管理指標(biāo)要求企業(yè)從清潔生產(chǎn)審核制度執(zhí)行、 清潔生產(chǎn)部門設(shè)置和人員配備、 清潔生產(chǎn)管理制度、環(huán)評(píng)制度、 “三同時(shí)”制度執(zhí)行情況等管理環(huán)境中對(duì)環(huán)境影響大的方面，根據(jù)各行業(yè)的具體情況提出規(guī)范性要求。 具體指標(biāo)包括法律法規(guī)、 產(chǎn)業(yè)政策執(zhí)行情況、清潔生產(chǎn)審核制度的執(zhí)行情況、生產(chǎn)過(guò)程控制、環(huán)境應(yīng)急預(yù)案有效、環(huán)境信息公開等。對(duì)于半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)，根據(jù)生產(chǎn)工藝特點(diǎn)分為： 1）6英寸及以下芯片產(chǎn)品的平均光刻層 20層以下；2）8英寸芯片芯片產(chǎn)品的平均光刻層 30層以下；3）12英寸芯片芯片產(chǎn)品的平均光刻層 50層以下。（2）指標(biāo)基準(zhǔn)值的確定考核基準(zhǔn)值的選取，既要考慮政策要求，也要考慮當(dāng)前的行業(yè)實(shí)際情況。因此，在選取考核基準(zhǔn)值時(shí)， 在符合國(guó)家現(xiàn)行產(chǎn)業(yè)發(fā)展、 環(huán)境保護(hù)政策和行業(yè)發(fā)展規(guī)劃要求的前提下， 充分考慮水泥行業(yè)的現(xiàn)有水平， 將國(guó)際領(lǐng)先水平劃分為一級(jí)基準(zhǔn)值，將行業(yè)準(zhǔn)入要求劃分二級(jí)基準(zhǔn)值， 將現(xiàn)有水泥企業(yè)的平均水平劃分為三級(jí)基準(zhǔn)值。此外，清潔生產(chǎn)是一個(gè)相對(duì)概念， 它將隨著經(jīng)濟(jì)發(fā)展和技術(shù)更新而不斷完善，達(dá)到新的更高、 更先進(jìn)的水平。 因此清潔生產(chǎn)評(píng)價(jià)指標(biāo)的考核基準(zhǔn)值， 也應(yīng)視行業(yè)技術(shù)進(jìn)步趨勢(shì)和國(guó)內(nèi)企業(yè)情況進(jìn)行不定期調(diào)整， 不能一成不變， 其調(diào)整周期最長(zhǎng)不應(yīng)超過(guò) 5年。3）權(quán)重分值的確定清潔生產(chǎn)評(píng)價(jià)指標(biāo)的權(quán)重值反映了該指標(biāo)在整個(gè)清潔生產(chǎn)評(píng)價(jià)指標(biāo)體系中所占的比重。它原則上是根據(jù)該項(xiàng)指標(biāo)對(duì)水泥企業(yè)清潔生產(chǎn)實(shí)際效益和水平的影響程度大小及其實(shí)施的難易程度來(lái)確定的。一級(jí)指標(biāo)的權(quán)重集， ，，指標(biāo)的權(quán)重集。其中， 。也就是一級(jí)指標(biāo)的權(quán)重之和為1，每個(gè)一級(jí)指標(biāo)下的二級(jí)指標(biāo)權(quán)重之和為 1。4）關(guān)于最佳可行技術(shù)（BAT）的說(shuō)明“最佳可行技術(shù)”實(shí)踐代表針對(duì)各種生產(chǎn)活動(dòng)、工藝過(guò)程產(chǎn)生的各種環(huán)境污染問(wèn)題，在經(jīng)濟(jì)和技術(shù)可行的條件下， 采用在公共基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)部門得到應(yīng)用的最有效、先進(jìn)、可行的污染防治工藝和技術(shù)減少污染物的排放， 特別是通過(guò)生產(chǎn)過(guò)程的清潔生產(chǎn)管理措施預(yù)防、減少污染物的跑、冒、滴、漏造成的污染，從整體上減少對(duì)環(huán)境的影響。最佳可行技術(shù)為制定排放限值提供了基礎(chǔ)，代表了污染防治技術(shù)、工藝和相關(guān)運(yùn)行、維護(hù)管理等發(fā)展的最