MT二維正演計(jì)算

------------------------------------------------------------------------MT二維正演計(jì)算《電法資料處理與解釋》MT二維正演計(jì)算學(xué)院：地質(zhì)工程與測(cè)繪學(xué)院專業(yè)：勘查技術(shù)與工程指導(dǎo)老師：姓名：學(xué)號(hào)：完成時(shí)間：2017.12.20二〇一七年十二月

一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?.了解大地電磁法的二維正演理論；2.理解大地電磁二維張量阻抗的概念；3.理解電性主軸、TE模式、TM模式的概念；4.通過對(duì)二維地電模型的計(jì)算，斷面圖的繪制，理解二維地電模型的視電阻率和視相位特征，對(duì)TE模式和TM模式的特點(diǎn)及分辨率有較好的理解。二、實(shí)驗(yàn)要求1.能夠正確應(yīng)用二維大地電磁模擬軟件進(jìn)行建立模型，網(wǎng)格剖分合理，頻率選擇范圍合適；2.對(duì)相關(guān)模型進(jìn)行計(jì)算，并繪制視電阻率斷面圖，視相位斷面圖，并對(duì)結(jié)果進(jìn)行分析；3.完成實(shí)驗(yàn)報(bào)告，word排版，圖標(biāo)清晰，分析合理。三、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容1.均勻半空間模型模擬，與一維解析解進(jìn)行比較，并進(jìn)行精度對(duì)比；2.建立單個(gè)低阻體、高阻體地電模型進(jìn)行計(jì)算；3.建立地塹或地壘等復(fù)雜地典模型模擬；4.建立多個(gè)異常體進(jìn)行模擬。四、實(shí)驗(yàn)原理二維介質(zhì)是指介質(zhì)的電學(xué)性質(zhì)除沿深度方向上變化外，還沿一個(gè)水平方向上有變化，而沿另一個(gè)方向保持不變，這個(gè)方向稱為走向。計(jì)算二維介質(zhì)的大地電磁場(chǎng)—阻抗—視電阻率和相位的過程成為二維大地電磁正演。二維介質(zhì)波阻抗TE:一維、二維波阻抗區(qū)別：一維二維故二維介質(zhì)的波阻抗為張量阻抗，即：E電性主軸是一個(gè)假定的主軸是因?yàn)榉蔷鶆虼蟮乩锩娲嬖诟飨虍愋?，為了使得測(cè)線所測(cè)得電阻率充分反映各向電阻率差異，根據(jù)地質(zhì)體的走向定義電性主軸，將測(cè)量的視電阻率按照主軸方向進(jìn)行旋轉(zhuǎn)分解，得到沿主軸方向的參數(shù)。結(jié)果及分析（一）軟件特性檢驗(yàn)1.均勻半空間圖5.1.2均勻半空間模型圖5.1.1均勻半空間一維正演程序曲線x/m將均勻半空間一維正演程序結(jié)果曲線與此二維軟件結(jié)果對(duì)比如圖5.圖5.1.2均勻半空間模型圖5.1.1均勻半空間一維正演程序曲線x/m圖5.1.3均勻半空間二維正演軟件Eps斷面（電阻率）2圖5.1.3均勻半空間二維正演軟件Eps斷面（電阻率）圖5.1.5兩層水平層狀介質(zhì)模型將兩層介質(zhì)模型一維正演程序結(jié)果曲線與此二維軟件結(jié)果對(duì)比如圖5.1.6。第一層電阻率10Ω?m，深度250；第二層電阻率50Ω?m，一維結(jié)果曲線從10Ω?圖5.1.5兩層水平層狀介質(zhì)模型（二）建立單個(gè)低阻體、高阻體地電模型進(jìn)行計(jì)算圖5.2.1單個(gè)高阻體地模型高阻體電阻率200Ω?m，深度500-1000m，橫坐標(biāo)-10000-10000m圖5.2.1單個(gè)高阻體地模型圖5.2.2TM模式電阻率圖5圖5.2.2TM模式電阻率圖5.2.3TM模式相位（三）建立地塹或地壘等復(fù)雜地典模型模擬圖5.3.2TE模式電阻率圖5.3.3TE模式相位圖5圖5.3.2TE模式電阻率圖5.3.3TE模式相位圖5.3.1地塹模型5.3.55.3.5地塹TM模式電阻率斷面圖5.3.4地塹TM模式相位斷面（四）建立多個(gè)異常體進(jìn)行模擬圖5.4.2多個(gè)異常體TE模式電阻率斷面圖5.4.3多個(gè)異常體TE模式相位斷面圖5.4.1多個(gè)異常體模型高阻體電阻率200Ω?m，深度500-1000m，寬度20000-60000m；低阻體電阻率圖5.4.2多個(gè)異常體TE模式電阻率斷面圖5