氣體放電versionSF6過程中微觀粒子輸運(yùn)參數(shù)計(jì)算

：SF6；氣體放電；離子電輸運(yùn)；多物理場(chǎng)仿:SF6;Gasdischarge;Iontransportation;Multiphysics 第1章緒 課題背景及研究意 研究背 研究意 國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn) 主要內(nèi)容及安 第2章SF6氣體放電的基本原理和理論模 基于泊松方程的電場(chǎng)有限元理 泊松方程電場(chǎng)的泊松方程描 電場(chǎng)高斯定理極其在SF6氣體放電理論中的應(yīng) 基于系數(shù)型偏微分方程的離子輸運(yùn)理 SF6氣體電離過程的簡(jiǎn)化模型極其系數(shù)項(xiàng)的確 離子的產(chǎn)生過程的方程描 離子擴(kuò)散過程的方程描 離子的對(duì)流過程的方程描 離子的吸收和復(fù)合過程的方程描 第3章基于系數(shù)型偏微分方程的離子輸運(yùn)穩(wěn)態(tài)過程分 幾何模型定義及參數(shù)設(shè) 網(wǎng)格剖 材料參數(shù)、邊界條件及求解器設(shè) 電學(xué)參數(shù)設(shè)置及電場(chǎng)邊界條 離子輸運(yùn)邊界條 求解器設(shè) 求解器設(shè)置及結(jié)果分 電場(chǎng)分 電場(chǎng)能量歸一化分 正離子空間分布及其輸運(yùn)規(guī) 負(fù)離子空間分布及其輸運(yùn)規(guī) 正負(fù)離子濃度差的空間分布規(guī) 第4章SF6流注放電的電場(chǎng)離子遷移耦合瞬態(tài)過程分 流注放電過程的瞬態(tài)方程描 主要邊界條件分析及求解器設(shè) 結(jié)果分 離子濃度描述下的擊穿過程的討 第5章結(jié) 參考文 1課題背景及研究意電能是與國(guó)民生產(chǎn)生活關(guān)的一種能源，隨著經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，國(guó)民經(jīng)濟(jì)價(jià)的，比如高壓輸電線路相與相之間的導(dǎo)線就是空氣間隔絕緣起來的。與SF6，純凈的六氟化硫氣2.5100倍以上。在研究SF6SF6氣體分子放電的復(fù)雜性如大分子組國(guó)內(nèi)外研究現(xiàn)1672年，GottfridWilhelm在成功的觀察到了人工制造的電火花現(xiàn)象，隨后氣體放電現(xiàn)象的研究快速開展起來[6]1889定律說明氣體的擊穿電壓與壓強(qiáng)和距離的乘積存在著函數(shù)關(guān)系。1903年，Townsend提出了碰撞電離理論，首次用微觀的粒子變化完美的節(jié)食了氣體的宏觀放電變化[7]1939Raether提出了流注放電理論，該理論彌補(bǔ)了Townsend理論的不足[8]。上述這些關(guān)于氣體放電方面的理論為氣體放電現(xiàn)象Meek總結(jié)了簽認(rèn)氣體放電研究成果，運(yùn)用數(shù)學(xué)方法對(duì)應(yīng)用不同方法求解氣體放電方程產(chǎn)生了濃厚的。1977年，DavieYoshida建立了平板電極間的二維放電模型，二維柱坐標(biāo)下的氣體放電模擬可以很好的節(jié)食放電過程的三現(xiàn)象。[13]1981年，MorrowLowke首次將FCT法應(yīng)用到氣體放電領(lǐng)域，分析了放電過程中空間電荷的運(yùn)動(dòng)對(duì)電場(chǎng)強(qiáng)度的影響[14]。1987年，R.MorrowSF6氣體流注放電過程以及流注等離子體通道的特SF6氣體的放電方程進(jìn)行了一維仿真研究，細(xì)致的分析了各個(gè)參數(shù)對(duì)整體放電過程的作用[15]。1988年，C．Wu和E.E.Kunhardt研究了SF6/N21998年C.WuE.E.Kunhardt對(duì)N2/SF62000年，大學(xué)Metaxas首次采用有限元-通量校正傳輸法（finite進(jìn)行了二維數(shù)值計(jì)算[16]。同年（2000年），A.A.Kulikovsky建立了三維光致電離模型，對(duì)空氣和氮的影響[17]。2003年，S.V.PancheshnyiA.YuStrarikovskii完成了長(zhǎng)間隙的正流注放2008年，胡建林等采用有限元弱形式對(duì)棒-板長(zhǎng)空氣間隙先導(dǎo)電進(jìn)行研究；目前，在國(guó)內(nèi)外學(xué)者的共同努力下，對(duì)SF6氣體放電機(jī)理研究取得了顯著成果，但仍然不夠完善，因此，本文就將構(gòu)建SF6氣體放電模型，運(yùn)用有限元中心位置，六個(gè)氟原子將其圍繞（1）。[19]2s和pSF6，但是由于原子半徑大，電負(fù)性小，所以其總的穩(wěn)定性并不如SF6。1-2SF6碰撞時(shí)，“附著”過程會(huì)產(chǎn)生一個(gè)穩(wěn)定的SF6負(fù)離子；而“離解附著”則會(huì)伴隨有SF6（如比如五氟化硫離子SF6-和SF5-以外，還會(huì)產(chǎn)生其他負(fù)離子，特別是負(fù)的氟離子F-，但是，也不能排除其他絡(luò)合物的形成。我們就將研究SF6氣體放電過程中這些微觀粒子的輸運(yùn)參在研究SF6氣體電子崩發(fā)展過程中，主要有涉及到的微觀粒子有電子、正離子和負(fù)離子，它們通過不同的碰撞過程及電極過程產(chǎn)生和，SF6氣體碰主要內(nèi)容及安理，以充滿SF6氣體的柱狀電極為研究對(duì)象，對(duì)高壓電場(chǎng)作用下的離子輸運(yùn)規(guī)SF6電離過程進(jìn)行簡(jiǎn)化建模分析，分析了SF6氣體放電過程中離子空間分布的穩(wěn)態(tài)建立SF6高壓電場(chǎng)作用下的FEMElectricStaticPDE模塊分別建立電場(chǎng)和離子對(duì)SF6StationarySF6放電過程的穩(wěn)態(tài)結(jié)果。分對(duì)SF6TimeDependentSF6放電過程的瞬態(tài)結(jié)果。對(duì)于的放電過程，則考慮使用瞬態(tài)求解器分析反應(yīng)過程各個(gè)時(shí)刻2SF6基于泊松方程的電場(chǎng)有限元理?????=

(2-(

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+?2)??(??,??,??)=

(2-

電 定理極其在SF6氣體放電理論中的應(yīng)在SF6氣體放電過程中會(huì)產(chǎn)生陽離子，陰離子和電子等帶電粒子。如果在間當(dāng)中的帶電粒子的電量代數(shù)和構(gòu)成了泊松方程(2-2)中的體電荷密度項(xiàng)????(??,??,??)。下面的推導(dǎo)給出了常見的況下，如果封閉曲面呈三維球?qū)ΨQ形狀，且內(nèi)部電荷密度????沿著球的半徑??方向呈分布。其中，Q代表總電荷，??是(2-1)V(r)可以寫成(2-4)所

error(

其中error(r/√2??)r遠(yuǎn)大于σ基于系數(shù)型偏微分方程的離子輸運(yùn)理系數(shù)型偏微分方程可以寫成如(2-5)所示的形式。????2??+??????+??(???????????+??)+??????+????= ?? ??，其中????代表質(zhì)量系數(shù)，????????代表保守場(chǎng)數(shù)項(xiàng)的單位也不同特別需要的是當(dāng)??表示空間離子密度(1/m^3)時(shí)(2-5)2-1中所列。，2-1s11/(1/(當(dāng)SF6處于流注放電狀態(tài)時(shí)，如果外加電場(chǎng)足夠大，陰極發(fā)出的初始電子在向陽極運(yùn)動(dòng)的過程中會(huì)碰撞電離從而發(fā)展成初次電子崩。初崩兩端的強(qiáng)修正可以較為準(zhǔn)確地描述出SF6氣體放電時(shí)各微觀粒子的產(chǎn)生、運(yùn)動(dòng)、的方程(2-6)至方程(2-8)分別給出了Georghiou等人所描述的SF6氣體電離過enee

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(2-

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-

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(2-nenpnn分別代表電子、正離子、負(fù)離子的濃度，t為時(shí)間。ve,vp,vn??,η,??D分別表示電離、吸附、復(fù)合和擴(kuò)散系數(shù)。S表示電離所引起的源項(xiàng)。SF6氣體電離過程的簡(jiǎn)化模型極其系數(shù)項(xiàng)的在關(guān)注SF6氣體放電過程中，對(duì)于方程(2-6)至方程(2-8)所描述的方程，可進(jìn)一步地，結(jié)合系數(shù)型偏微分方程的一般形式(2-5),可將反應(yīng)過程中的二次電f中。在上述假設(shè)前提下，SF6氣體電離過程的簡(jiǎn)化輸運(yùn)方程可以寫成如(2-9)和(2-10)所示的簡(jiǎn)化形式，即：????????+??

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?? ????????+??

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(2-??

?? ni代表離子濃度，????????代表非保守場(chǎng)對(duì)流系數(shù)，????代表吸收系數(shù)，????代表外部場(chǎng)源(??n,p)。如果令??=(????,????)T則(2-9)和(2-10)可以統(tǒng)一為(2-5)的形式??????+??(??????)+??????+????= 至此我們推導(dǎo)并簡(jiǎn)化了SF6氣體電離輸運(yùn)過程的一般性方程如(2-11)所示。方程(2-11)所給出的一般性方程可以方便地通過COMSOLMultiphysics在實(shí)際的SF6氣體電離過，離子源是空間電場(chǎng)能量密度的函數(shù)。能量的粒子源產(chǎn)生速度為恒定值，通過指定方程2-11的f項(xiàng)為給定值(如(2-12)方程(2-11)不難得出，簡(jiǎn)化模型下的方程阻尼項(xiàng)系數(shù)矩陣????表達(dá)式合理值應(yīng)為二階單位矩陣如(2-13)所示。??=

????=

在實(shí)際的SF6氣體電離過，離子在空間中的擴(kuò)散速度受溫度、壓強(qiáng)等2-11cSF6離子輸運(yùn)過程的描 ??=[

SF6氣體電離后，離子的對(duì)流過程主要由空間氣體流速產(chǎn)生的拖拽力，電場(chǎng)力是對(duì)流過程的主要原因。鑒于電極間SF6???????=[?????00

0????????????

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在這個(gè)過，正離子和負(fù)離子的濃度同時(shí)減少，但是空間電荷量的代數(shù)和保

=[??????0(??1? ??????0(??1?

(2-11)的吸收項(xiàng)可以寫成??=

=[?????2+??????0(??1? ?????1+??????0(??1?(2-3在上一章節(jié)對(duì)SF6電離過程的理論原理及離子輸運(yùn)描述方程的論證基礎(chǔ)上。本章主要討論基于COMSOLMultiphysics多物理場(chǎng)仿真平臺(tái)下如何建立SF6幾何模型定幾何模型的長(zhǎng)度單位為mm；隨后，通過Geometric-BezierPolygon-Fillet–Rectangle-Rectangle-Rectangle–FilletUnionArrayRectangleRectangle–Union幾何序列分別建立陶瓷絕緣結(jié)構(gòu)、正電極、負(fù)電極和放電區(qū)域等物理結(jié)著，通過Geometric-BuildallObjects建立所有幾何實(shí)體，并通過缺省的Union3-1緣體中間的部分就是SF6放電區(qū)域。3-1LR3-1二維軸對(duì)稱模型幾何模型生成結(jié)網(wǎng)格剖由于SF6電離反應(yīng)過涉及到離子的濃度遷移速度等物理場(chǎng)的分布這采用BoundaryMesh的方法對(duì)邊界部分進(jìn)行加理從而提高模型的避免解析度和模型的收斂性，具體操作方法為Mesh-BoundaryMesh選擇所有幾何體Distribution指定邊界網(wǎng)格的層數(shù)為8。上述自由三角形與邊界加密網(wǎng)格剖分的剖分效果。這樣的網(wǎng)格剖分將有利于提高離子在電極附近的高密度的濃度圖3-2自由三角形和邊界加密相結(jié)合的二維幾何模型網(wǎng)格剖分材料參數(shù)、邊界條件及求解器設(shè)設(shè)置操作是通過Material-AddNewmaterial查找材料庫中的Air,Copper和Ceremic三種材料并分布添加到模型對(duì)應(yīng)區(qū)域的材料屬性中。獨(dú)立變量或者獨(dú)立變量的空間導(dǎo)數(shù)在某面線點(diǎn)等結(jié)構(gòu)上的約束條件。使用泊松方程描述空間電勢(shì)分布的邊界條件是通過OSOL中的靜電場(chǎng)分析模塊來實(shí)現(xiàn)的。在使用泊松方程描述整個(gè)模型的過，假設(shè)絕緣子外部沒有電荷分布，模型的求解區(qū)域包括電極、放電區(qū)和絕緣支撐結(jié)構(gòu)三部分，因此離子反應(yīng)區(qū)的上下邊界上施加零電荷邊界條件，具體的操作是EletroStaticZrohrge的嚴(yán)重影響。因此在建模過，需要在所有求解區(qū)域指定仿真電勢(shì)初始值為V0事實(shí)上需要的是這里指定的初始值正是瞬態(tài)方程迭代求解時(shí)所使用的數(shù)值迭代初始值。除此之外，還需要通過第一類邊界條件即EleticProtential和round分別指定正電極和負(fù)電極的電勢(shì)分別為V110kV和V0。同時(shí)，為了描述正負(fù)離子對(duì)空間電場(chǎng)的影響效果，還需要通過SpehrgeDnity邊界條件指定方程(22)中所描述的空間電荷密度為正離子帶電量與負(fù)離子帶電量的代數(shù)和。具體表達(dá)式為????(??,??,??)=???(??1(??,??,??)???2(??,??, 圖3-3SF6氣體電離過離子輸運(yùn)模型靜電場(chǎng)邊界條件設(shè)置樹形電荷密度的物理關(guān)系。將(3-1)代入(2-2)中即可求解空間中各個(gè)位置處的電勢(shì)。通過上述過程，我們完成了SF6氣體放電離子輸運(yùn)分析中靜電場(chǎng)部分3-3所示。其物理意義表示粒子在這些邊界處不會(huì)有擴(kuò)散對(duì)流成分流出道求解區(qū)域。結(jié)合(2-11)具體方程約束表達(dá)式可以寫為：??????(??????)= 其中??子初始濃度如(3-3)所示，以確保模型求解的收斂性。[????0]=

圖3-4SF6離子輸運(yùn)方程邊界條件的設(shè)通過在系數(shù)型偏微分方程物理接口中的PDE屬性設(shè)置中實(shí)現(xiàn)的(2-9)至(2-18)COMSOL所提供的接口形式完全一致，只需要將系數(shù)3-2k 8.85418E-穩(wěn)態(tài)分析中，求解器采用穩(wěn)態(tài)(Stationar)求解器，設(shè)置仿真殘差容限為0.001(22)和系數(shù)型偏微分方程(211)Vnp,nn。采用非線性UPS求解器求解模型。穩(wěn)態(tài)結(jié)果分過的電勢(shì)分布、電場(chǎng)分布、正離子濃度分布、負(fù)離子濃度分布以及正負(fù)離4SF6SF6流注放電的電場(chǎng)離子遷移耦合瞬態(tài)過程是指由于是指由于 合金的自由端施加時(shí)變位移載荷作用而引起的樣品溫度基于COMSOLMultiphysics的擾動(dòng)條件下的瞬態(tài)熱應(yīng)力分析是通過使用軟本章在對(duì)邊界瞬態(tài)位移載荷擾動(dòng)條件下的瞬態(tài)熱應(yīng)力分析的本章在對(duì)邊界瞬態(tài)位移載荷擾動(dòng)條件下的瞬態(tài)熱應(yīng)力分析的 ，將流注放電過程的瞬態(tài)方程主要邊界條件分析及求解器設(shè)最大斜率合理設(shè)置時(shí)間步長(zhǎng)。例如最大斜率合理設(shè)置時(shí)間步長(zhǎng)。例如 性邊界位移載荷函數(shù)的作用下，根表4-2所列的參數(shù)，仿真的時(shí)間起點(diǎn)可以設(shè)置為0s過程。仿真的時(shí)間不長(zhǎng)可以設(shè)置為1/50tmax將整個(gè)瞬