MOS場效應(yīng)管特性曲線及主要參數(shù)

華中科技大學(xué)電信系張林1

可以構(gòu)成雙口嗎？MOSFET是如何實現(xiàn)信號放大的？華中科技大學(xué)電信系張林2MOSFET是如何實現(xiàn)信號放大的？

控制關(guān)系是線性的嗎？輸出特性曲線及大信號特性方程①截止區(qū)當(dāng)vGS＜VT時，導(dǎo)電溝道尚未形成，iD＝0，為截止工作狀態(tài)。華中科技大學(xué)電信系張林3MOSFET是如何實現(xiàn)信號放大的？

控制關(guān)系是線性的嗎？輸出特性曲線及大信號特性方程②可變電阻區(qū)

vGS>VT

，vDS<（vGS－VT）由于vDS較小，可近似為rdso是一個受vGS控制的可變電阻華中科技大學(xué)電信系張林4MOSFET是如何實現(xiàn)信號放大的？

控制關(guān)系是線性的嗎？輸出特性曲線及大信號特性方程②可變電阻區(qū)

n：反型層中電子遷移率Cox：柵極（與襯底間）氧化層單位面積電容本征電導(dǎo)因子其中Kn為電導(dǎo)常數(shù)，單位：mA/V2華中科技大學(xué)電信系張林5MOSFET是如何實現(xiàn)信號放大的？

控制關(guān)系是線性的嗎？輸出特性曲線及大信號特性方程③飽和區(qū)（恒流區(qū)又稱放大區(qū)）vGS>VT

，且vDS≥（vGS－VT）I-V特性：

必須讓FET工作在飽和區(qū)（放大區(qū)）才有放大作用。華中科技大學(xué)電信系張林6MOSFET是如何實現(xiàn)信號放大的？

控制關(guān)系是線性的嗎？飽和區(qū)的轉(zhuǎn)移特性曲線及方程

為什么不談輸入特性？ABCD在飽和區(qū)，iD受vGS控制華中科技大學(xué)電信系張林7實際上飽和區(qū)的曲線并不是平坦的當(dāng)不考慮溝道調(diào)制效應(yīng)時，＝0，曲線是平坦的。

修正后MOSFET是如何實現(xiàn)信號放大的？

控制關(guān)系是線性的嗎？溝道長度調(diào)制效應(yīng)L的單位為mVA的稱為厄利（Early）電壓華中科技大學(xué)電信系張林8MOSFET是如何實現(xiàn)信號放大的？

控制關(guān)系是線性的嗎？飽和區(qū)工作條件可變電阻區(qū)工作條件等效電阻vGS>VT

，且vDS≥（vGS－VT）vGS>VT

，

vDS<（vGS－VT）特性方程特性方程

工作電源也是能量供給者（非線性，＝0）（近似線性）華中科技大學(xué)電信系張林9MOSFET是如何實現(xiàn)信號放大的？

其它類型的MOSFET——N溝道耗盡型MOSFET二氧化硅絕緣層中摻有大量的正離子，已存在導(dǎo)電溝道可以在正或負(fù)的柵源電壓下工作，而且基本上無柵流華中科技大學(xué)電信系張林10MOSFET是如何實現(xiàn)信號放大的？

其它類型的MOSFET——N溝道耗盡型MOSFETIDSS

華中科技大學(xué)電信系張林11MOSFET是如何實現(xiàn)信號放大的？

其它類型的MOSFET——P溝道MOSFET

襯底是什么類型的半導(dǎo)體材料？

哪個符號是增強(qiáng)型的？

在增強(qiáng)型的P溝道MOSFET中，vGS

應(yīng)加什么極性的電壓才能工作在飽和區(qū)（線性放大區(qū)）？華中科技大學(xué)電信系張林12一、直流參數(shù)1.開啟電壓VT

（增強(qiáng)型參數(shù)）2.夾斷電壓VP

（耗盡型參數(shù)）3.飽和漏電流IDSS

（耗盡型參數(shù)）4.直流輸入電阻RGS

（109Ω～1015Ω

）MOSFET是如何實現(xiàn)信號放大的？與BJT類似，F(xiàn)ET也有器件參數(shù)，選用時必須以此為依據(jù)華中科技大學(xué)電信系張林13由二、交流參數(shù)1.輸出電阻rds

當(dāng)不考慮溝道調(diào)制效應(yīng)時，＝0，rds→∞

MOSFET是如何實現(xiàn)信號放大的？與BJT類似，F(xiàn)ET也有器件參數(shù)，選用時必須以此為依據(jù)rds=1斜率得華中科技大學(xué)電信系張林142.低頻互導(dǎo)gm

因為則其中又因為所以MOSFET是如何實現(xiàn)信號放大的？二、交流參數(shù)gm=斜率華中科技大學(xué)電信系張林15三、極限參數(shù)1.