存儲(chǔ)器行業(yè)深度報(bào)告存儲(chǔ)器價(jià)格迎上升周期本土企業(yè)獲得良機(jī)

存儲(chǔ)器行業(yè)深度報(bào)告：存儲(chǔ)器價(jià)格迎上升周期，本土企業(yè)獲得良機(jī)1.存儲(chǔ)器：半導(dǎo)體行業(yè)最大分支1.1存儲(chǔ)器坐擁千億美元市場，是半導(dǎo)體行業(yè)的最大分支半導(dǎo)體行業(yè)分為集成電路、光電器件、分立器件、傳感器等子行業(yè)，集成電路又分為邏輯、模擬和存儲(chǔ)等細(xì)分行業(yè)。在半導(dǎo)體行業(yè)中，最重要的方向莫過于存儲(chǔ)器。其應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，幾乎所有常見的電子設(shè)備都需要使用存儲(chǔ)器。根據(jù)WSTS2019年11月估計(jì)數(shù)據(jù)，2019年全球半導(dǎo)體行業(yè)的整體規(guī)模在4000億美元以上，存儲(chǔ)器的市場規(guī)模超過1000億，是半導(dǎo)體中規(guī)模最大的子行業(yè)，占比超過1/4。由上圖圖可見，存儲(chǔ)器作為半導(dǎo)體的子行業(yè)，其周期變化基本和半導(dǎo)體行業(yè)周期變化一致，但存儲(chǔ)器的波動(dòng)性更強(qiáng)。因此，當(dāng)半導(dǎo)體行業(yè)處于景氣周期時(shí)，存儲(chǔ)行業(yè)的盈利能力更強(qiáng)；反之，當(dāng)半導(dǎo)體行業(yè)不景氣時(shí)，存儲(chǔ)行業(yè)的情況則更不理想。以2019年為例，由于下游需求放緩，半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模整體同比下降約13%，但存儲(chǔ)行業(yè)的市場空間下降高達(dá)33%。從歷史數(shù)據(jù)看，2019年存儲(chǔ)行業(yè)的下降速度處于近20年來最快的水平，主要原因在于供需錯(cuò)配導(dǎo)致的價(jià)格下降。但2019年的低谷也給未來的增長奠定基礎(chǔ)，由于服務(wù)器需求穩(wěn)步上升、5G時(shí)代引領(lǐng)物聯(lián)網(wǎng)到來等因素影響，未來半導(dǎo)體行業(yè)將迎來復(fù)蘇，而存儲(chǔ)器作為彈性更大的行業(yè)，未來2-3年將迎來一段穩(wěn)定的增長期。1.2存儲(chǔ)器的分類人類存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的需求可謂歷史悠久，存儲(chǔ)器的形態(tài)歷年來也發(fā)生了翻天覆地的變化：

早期的軟盤現(xiàn)早已不見蹤影，光學(xué)存儲(chǔ)的DVD/CD也漸行漸遠(yuǎn)，越來越多的電腦已不再配備光驅(qū)，傳統(tǒng)的電腦硬盤使用的磁盤作為大量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的首選方案現(xiàn)也已受到SSD的威脅。眾多形態(tài)的存儲(chǔ)方式按照其原理可大致分為光學(xué)存儲(chǔ)、半導(dǎo)體存儲(chǔ)和磁性存儲(chǔ)。半導(dǎo)體存儲(chǔ)是存儲(chǔ)領(lǐng)域的應(yīng)用領(lǐng)域最廣、市場規(guī)模最大的存儲(chǔ)器件：按照停電后數(shù)據(jù)是否可繼續(xù)保存在器件內(nèi)，半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可分為掉電易失和掉電非易失器件；易失存儲(chǔ)器在過去的幾十年里沒有特別大的變化，依然是以靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）、動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）為主；非易失存儲(chǔ)器從早期的不可擦除PROM，到后來的光可擦除EPROM、電可擦除EEPROM，到現(xiàn)在的主流的Flash，技術(shù)在不斷的更新、進(jìn)步。現(xiàn)在RAM領(lǐng)域還出現(xiàn)了鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）、相變存儲(chǔ)器

（PRAM）、磁存儲(chǔ)器（MRAM）和阻變存儲(chǔ)器（RRAM）等非易失靜態(tài)存儲(chǔ)器，因此市場認(rèn)為掉電易失器件就是RAM，這種觀點(diǎn)是不準(zhǔn)確的。眾多半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中，市場規(guī)模最大的是DRAM和NANDFlash，市場規(guī)模均在數(shù)百億美元，其中DRAM2018年的市場規(guī)模已達(dá)到1000億美元。除此之外，存儲(chǔ)芯片市場空間較大的還有NORFlash，其市場規(guī)模曾一度隨著功能手機(jī)的消亡而逐漸降低，但近年來隨著新興市場的崛起，NORFlash的市場空間也已逐漸恢復(fù)。本報(bào)告講主要針對(duì)以下三種類型存儲(chǔ)器進(jìn)行展開討論。2.NORFlash曾歷十年低迷，新應(yīng)用催生新增長NORFlash應(yīng)用領(lǐng)域卻極其廣泛，幾乎所有需要存儲(chǔ)系統(tǒng)運(yùn)行數(shù)據(jù)的電子設(shè)備都需要使用NORFlash。當(dāng)電子設(shè)備啟動(dòng)時(shí)，需要從存儲(chǔ)芯片內(nèi)讀取系統(tǒng)信息并運(yùn)行（如計(jì)算機(jī)主板上的BIOS），該存儲(chǔ)芯片需要滿足可執(zhí)行運(yùn)行程序且掉電后存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不丟失。RAM掉電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，而NANDFlash無法執(zhí)行程序，NORFlash是應(yīng)用最廣泛的、掉電后數(shù)據(jù)不丟失的、可實(shí)現(xiàn)位讀取的存儲(chǔ)芯片類型。NORFlash曾在功能手機(jī)時(shí)代風(fēng)靡一時(shí)，但其市場空間隨著功能手機(jī)的消失逐漸萎縮。近年來隨著物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，NORFlash市場規(guī)模開始逐步擴(kuò)大。以TWS耳機(jī)為代表的可穿戴設(shè)備、手機(jī)屏幕顯示的AMOLED和TDDI技術(shù)，以及功能越來越強(qiáng)大的車載電子等領(lǐng)域，是NORFlash市場空間獲得重新增長的主要?jiǎng)恿ΑorFlash的廣泛應(yīng)用，主要得益于其可芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP）的特點(diǎn)。為幫助投資者理解何謂“芯片內(nèi)執(zhí)行”，我們繪制了以下示意圖。如下圖所示，F(xiàn)lash均使用浮柵場效應(yīng)管作為基本單元來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。在控制柵極（WordLine與場效應(yīng)管連接處）未施加電壓時(shí)，源極和漏極之間導(dǎo)通則數(shù)據(jù)為1，中斷則為0。NANDFlash的連接方式為串聯(lián)，若要讀取黃色WordLine（字線）的數(shù)據(jù)，需對(duì)其他所有WordLine進(jìn)行增加電壓，加壓后漏極和源極處于導(dǎo)通狀態(tài)。未增加電壓的WordLine上的場效應(yīng)管的數(shù)據(jù)就可以測量BitLine(位線)的通斷來確定該位置上數(shù)據(jù)為0或?yàn)?。值得注意的是，NANDFlash讀取數(shù)據(jù)時(shí)，整條WordLine上的所有數(shù)據(jù)都同時(shí)讀出，不能單獨(dú)獲取某一Bit（位）的數(shù)據(jù)，無法實(shí)現(xiàn)位讀?。碦andomAccess）。因此NANDFlash讀取數(shù)據(jù)的最小單位是頁（即WordLine上的所有數(shù)據(jù)），無法直接運(yùn)行程序，所有數(shù)據(jù)必須先讀取到RAM上后才可運(yùn)行。NORFlash的連接方式為串聯(lián)，讀取數(shù)據(jù)不需對(duì)WordLine進(jìn)行加壓，直接測量對(duì)應(yīng)的BitLine和SourceLine之間的通斷即可獲取該存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)。不僅實(shí)現(xiàn)了位讀取，還大大提高了數(shù)據(jù)讀取的速度。實(shí)現(xiàn)位讀取，程序便可在NORFlash上運(yùn)行，即所謂的芯片內(nèi)執(zhí)行（XIP）。2.1功能手機(jī)淡出視野，NORFlash經(jīng)歷十年低迷相對(duì)于NANDFlash，NORFlash寫入和擦除速度較慢，但讀取速度要快很多。功能手機(jī)功能簡單，存儲(chǔ)芯片只需要存儲(chǔ)少量用戶信息及系統(tǒng)代碼，寫入和擦除的需求較少，主要需求在于內(nèi)存數(shù)據(jù)的讀取。此外，由于功能手機(jī)對(duì)存儲(chǔ)空間要求不高，NANDFlash的高密度存儲(chǔ)優(yōu)勢難以顯現(xiàn)，所以NORFlash憑借其特定的優(yōu)勢在功能手機(jī)時(shí)代紅極一時(shí)。在智能手機(jī)時(shí)代，各類軟件的應(yīng)用增大了對(duì)存儲(chǔ)空間的要求，手機(jī)的存儲(chǔ)空間迅速的增加。NANDFlash的憑借其高密度存儲(chǔ)的優(yōu)勢成為手機(jī)存儲(chǔ)新的寵兒，智能手機(jī)使用的eMMC/eMCP等均為封裝了NANDFlash和控制芯片的存儲(chǔ)方案。NORFlash的市場空間也隨著功能手機(jī)數(shù)量的減少而逐年降低。雖應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，但除功能手機(jī)外類似于電腦BIOS的應(yīng)用領(lǐng)域使用的存儲(chǔ)空間較小，一般在1MB–32MB左右，單芯片價(jià)值較低，2015年之前的電子產(chǎn)品數(shù)量又不足以彌補(bǔ)其ASP低的缺點(diǎn)，所以其市場空間一路走低。根據(jù)CINNOResearch，2018年的NORFlash的總銷售額為25.96億美元，而根據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，這一規(guī)模在2006年已超過70億美元。經(jīng)過十余年的發(fā)展，在通貨膨脹的背景下，NORFlash的市場空間未增反降。2.2新應(yīng)用帶來新發(fā)展，NORFlash市場空間重拾增勢現(xiàn)NORFlash的市場空間下行已成為歷史，新興領(lǐng)域的發(fā)展正為NORFlash帶來新的機(jī)遇。在物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設(shè)備、屏幕以及車載電子等下游領(lǐng)域的推動(dòng)下，NORFlash將重拾增勢，進(jìn)入新的增長期。2.2.1物聯(lián)網(wǎng)是NORFlash發(fā)展的核心推動(dòng)力物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的特點(diǎn)是具備簡單的網(wǎng)絡(luò)連接功能與計(jì)算能力，若采用傳統(tǒng)的處理器芯片+DRAM+NANDFlash的方案，不僅增加一顆芯片，而且價(jià)格昂貴的DRAM也不能滿足低成本的要求。與手機(jī)、計(jì)算機(jī)等設(shè)備相比，一般的物聯(lián)網(wǎng)模塊的系統(tǒng)更簡單，處理數(shù)據(jù)更少，對(duì)存儲(chǔ)空間要求較少，一般在幾兆至幾百兆之間。此時(shí)，采用NORFlash替代DRAM與NANDFlash是最優(yōu)的選擇，得益于芯片內(nèi)執(zhí)行的特點(diǎn)，處理器可直接從NORFlash里調(diào)用系統(tǒng)代碼并運(yùn)行，同時(shí)滿足存儲(chǔ)與運(yùn)行內(nèi)存的要求。目前主流的物聯(lián)網(wǎng)模塊一般包括處理器（通常為MCU或SoC形式的AP芯片）、NORFlash以及傳感器和通信器件。近年來，隨著技術(shù)的進(jìn)步，將常見的設(shè)備接入互聯(lián)網(wǎng)已經(jīng)成為主流的趨勢。無論是傳統(tǒng)家電如冰箱、空調(diào)、洗衣機(jī)、電視、電飯煲等，還是新興的設(shè)備如掃地機(jī)器人、藍(lán)牙音箱等，或是戶外常見的各種智能設(shè)備，都將成為NORFlash下游應(yīng)用場景。任何一個(gè)以上所述領(lǐng)域單獨(dú)的市場空間都不大，但將各種細(xì)分品類相加后就會(huì)有一個(gè)非常可觀的數(shù)量。

2018年的NORFlash出貨量為20億顆，按照公司當(dāng)年10%市占率粗略計(jì)算，2018年全球出貨量接近有200億顆。即使將其他因素考慮在內(nèi)，如部分設(shè)備使用不止一顆NORFlash、不同芯片售價(jià)不同等，這一數(shù)字也應(yīng)在百億以上，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高出手機(jī)出貨量，正說明使用NORFlash的設(shè)備數(shù)量極其之龐大。除設(shè)備數(shù)量多之外，還有一個(gè)非常重要的增長因素就是設(shè)備的功能也越來越強(qiáng)大，NORFlash的存儲(chǔ)空間的需求正在日益增長。以掃地機(jī)器人為例，初期的掃地機(jī)器人僅具備簡單的碰撞回彈的功能，現(xiàn)多數(shù)產(chǎn)品都已具備路徑規(guī)劃、障礙物躲避等功能，功能的增加對(duì)存儲(chǔ)空間的要求也逐步提升。我們認(rèn)為，將來伴隨著IoT模塊功能的增加，系統(tǒng)所使用的數(shù)據(jù)量會(huì)隨之增加，所以使用的NORFlash的存儲(chǔ)空間也會(huì)逐步變大。存儲(chǔ)空間的增加會(huì)導(dǎo)致單顆芯片售價(jià)增加，從而帶動(dòng)市場空間的提升。本文將簡單介紹幾種推動(dòng)NORFlash市場發(fā)展的主要的幾種下游應(yīng)用。2.2.2TWS耳機(jī)帶來3億美元新增市場TWS是TrueWirelessStereo的縮寫，即真正的無線立體聲。2016年蘋果公司推出的AirPods為第一款TWS耳機(jī)，隨后TWS耳機(jī)逐漸開始風(fēng)靡。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，2016-2018年TWS耳機(jī)出貨量分別為918萬/2000萬/4600萬副，每年銷量都幾乎呈現(xiàn)翻番的趨勢。在突破了蘋果的相關(guān)專利之后，其他廠商逐漸開始跟進(jìn)，并于2019年開始爆發(fā)。同時(shí)，蘋果公司于2019年先后推出AirPods2與AirPodsPro，TWS耳機(jī)市場被徹底引爆。2019年全年TWS耳機(jī)銷售量突破1億副，相對(duì)于2018年依然呈現(xiàn)翻番趨勢。我們認(rèn)為，TWS耳機(jī)銷量翻番的趨勢將于2020年繼續(xù)延續(xù)，原因如下：2018年非蘋果品牌TWS耳機(jī)出貨量為僅1000萬余副，而2019年這一數(shù)字就達(dá)到了5000萬，增速驚人。參考蘋果手機(jī)推出后帶動(dòng)智能機(jī)的發(fā)展，以及最終蘋果手機(jī)在市場上的占有率看，非蘋果品牌TWS耳機(jī)最終市占率將至少超過一半，其銷量遠(yuǎn)遠(yuǎn)尚未達(dá)到天花板。近年來AirPods銷量持續(xù)增加，2018年3000萬余副，2019年近6000萬余副，目前尚未見到減速痕跡，雖2020年銷量繼續(xù)翻倍有些困難，但銷量繼續(xù)增加仍是當(dāng)前的趨勢。TWS耳機(jī)市場的火爆也給NORFlash市場帶來可觀的增量空間。由于采用雙耳無線藍(lán)牙連接，多數(shù)耳機(jī)還兼顧入耳監(jiān)測、語音助手等功能，已不是僅僅具備處理音頻的簡單系統(tǒng)，因此系統(tǒng)對(duì)存儲(chǔ)芯片的要求便逐漸增加。蘋果方面，目前AirPods采用128MSPINORFlash。我們預(yù)計(jì)，若2020年推出的新款A(yù)irPods具備心率檢測等功能，對(duì)存儲(chǔ)空間的要求將進(jìn)一步增加，有可能采用256M的NORFlash;非蘋果品牌方面，不同品牌采用不同的內(nèi)存方案。如索尼降噪豆WF-1000X采用華邦128MNORFlash，BOSENC700采用美光128MNORFlash，華為FreeBuds3采用華邦64MNORFlash，TWS5采用64MNORFlash。綜合各項(xiàng)數(shù)據(jù)，我們測算了TWS耳機(jī)為NORFlash帶來的市場空間增量，到2021年，NORFlash在TWS耳機(jī)領(lǐng)域的市場空間將達(dá)到20億人民幣。2.2.3大規(guī)模OLED應(yīng)用助力NORFlash市場OLED因其自發(fā)光、色彩細(xì)膩、亮度范圍廣等優(yōu)點(diǎn)而被廣為應(yīng)用。OLED分為AMOLED和PMOLED，其區(qū)別在于PMOLED采用網(wǎng)格狀電極驅(qū)動(dòng)像素，以掃描方式點(diǎn)亮陣列中的像素，AMOLED采用TFT(薄膜晶體管)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，像素可獨(dú)立驅(qū)動(dòng)發(fā)光。AMOLED由于其更薄、驅(qū)動(dòng)電壓低、像素獨(dú)立驅(qū)動(dòng)發(fā)光等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用，而其廣泛的應(yīng)用則為NORFlash帶來僅1億美元的市場增量。AMOLED屏幕中不同的TFT常常存在諸如閾值電壓、遷移率等電學(xué)參數(shù)的不均勻性，會(huì)最終導(dǎo)致AMOLED顯示器的電流和亮度的差異，如下左圖所示，這一現(xiàn)象稱為Mura現(xiàn)象。為使顯示效果穩(wěn)定，需要采用補(bǔ)償方式，目前廣泛采用的補(bǔ)償方式外部補(bǔ)償方式，即：獲取畫面顯示效果后，根據(jù)Mura數(shù)據(jù)計(jì)算出De-Mura補(bǔ)償數(shù)據(jù)，并將De-Mura數(shù)據(jù)存儲(chǔ)到Flash中，在畫面顯示的時(shí)候讀取De-Mura數(shù)據(jù)并進(jìn)行補(bǔ)償。如下右圖所示，顯示效果已得到大大的改善。每個(gè)AMOLED屏幕都需要De-Mura，而補(bǔ)償數(shù)據(jù)就存儲(chǔ)在NORFlash里，換言之，每個(gè)AMOLED屏幕都要搭載一顆NORFlash?，F(xiàn)在多數(shù)品牌的旗艦機(jī)都采用AMOLED作為屏幕，未來隨著產(chǎn)品價(jià)格的下降，AMOLED屏幕將進(jìn)一步向低價(jià)格的手機(jī)滲透。根據(jù)CINNOResearch，2019年AMOLED智能機(jī)面板出貨量為4.6億片，而根據(jù)Counterpoint，這一數(shù)字在2020年將上漲至6億。此外，隨著屏幕分辨率的提高，De-Mura補(bǔ)償?shù)臄?shù)據(jù)也會(huì)隨之增加，因此單塊AMOLED屏幕所搭載的NORFlash的價(jià)值量也會(huì)隨之增加。我們根據(jù)以上數(shù)據(jù)進(jìn)行測算，未來每年AMOLED屏幕搭載的NORFlash的市場空間在1億美元左右。2.2.4TDDI成為NORFlash的回歸的又一驅(qū)動(dòng)力TDDI為NORFlash在屏幕顯示領(lǐng)域的另一重要增長點(diǎn)。TDDI為觸控與顯示驅(qū)動(dòng)器集成，因其將觸控芯片與顯示芯片整合進(jìn)單一芯片中而得名。TDDI的概念最早由提出，主要是為了減小原顯示與觸控芯片分立的系統(tǒng)架構(gòu)中噪聲較大的問題。作為新一代顯示觸控技術(shù)，TDDI的設(shè)計(jì)使其具備以下優(yōu)勢：更好的觸控性能，一體化系統(tǒng)架構(gòu)減少了顯示噪聲；相比于傳統(tǒng)的觸控與顯示集成方案，TDDI方案觸控屏層數(shù)減少，厚度更小，減少設(shè)備厚度，同時(shí)還增加了透光率，可以在同樣顯示亮度的情況下降低背光的亮度，從而降低耗電量、延長電池使用壽命；由于無需在顯示面板側(cè)邊或頂端增加布線空間，從而使顯示屏的邊框更窄，為當(dāng)前全面屏的趨勢提供技術(shù)支持；傳統(tǒng)的方案需要不同的企業(yè)提供不同的模組，再由其他企業(yè)將這些模組組裝成顯示面板，而TDDI方案使用的模組數(shù)量下降，減少供應(yīng)鏈的復(fù)雜程度。受益于以上優(yōu)勢，TDDI技術(shù)自2015年被提出之后，出貨量迅速增加，2018年出貨量超過4億件，預(yù)計(jì)到2022年將達(dá)到8.35億，4年復(fù)合增長率接近20%。TDDI將觸控功能整合進(jìn)入驅(qū)動(dòng)IC，但由于觸控功能分位編碼所需容量較大，無法將其整合進(jìn)入TDDI芯片內(nèi)，需要外掛一顆NORFlash。TDDI出貨量的快速增長也給NORFlash的市場空間增添了新的動(dòng)力。經(jīng)過測算,TDDI的快速增長將為NORFlash帶來約5億人民幣的市場增量。雖此部分市場空間較小，但由于提出TDDI的將已將其TDDI業(yè)務(wù)出售給清芯華創(chuàng)，且國產(chǎn)面板廠已成為國際市場的中堅(jiān)力量，我們認(rèn)為國產(chǎn)NORFlash產(chǎn)商在該領(lǐng)域擁有地緣優(yōu)勢，和此產(chǎn)業(yè)鏈的合作將更加緊密，因此將在此領(lǐng)域擁有更高的市占率。2.2.5通過AEC-Q100認(rèn)證，新增百億市場空間隨著汽車功能的日漸增多，車內(nèi)電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)越來越復(fù)雜，開始支持GUI(圖形用戶界面)、語音識(shí)別、高級(jí)數(shù)據(jù)處理等功能。ADAS（高級(jí)輔助駕駛系統(tǒng)）、儀表盤系統(tǒng)、HVAC(暖風(fēng)、通風(fēng)和空調(diào)系統(tǒng))、信息娛樂系統(tǒng)等系統(tǒng)都將產(chǎn)生大量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求，因此車載電子將成為存儲(chǔ)芯片的重要的新興增長點(diǎn)。在車載應(yīng)用領(lǐng)域，NORFlash的使用量將得到極大的擴(kuò)展，因?yàn)榕cNANDFlash相比，NORFlash具有以下優(yōu)點(diǎn)：在相對(duì)較小的存儲(chǔ)需求下，NANDFlash不具備性價(jià)比優(yōu)勢；與上文所述其他領(lǐng)域相同，NORFlash具備芯片內(nèi)執(zhí)行的特點(diǎn)，可用來存儲(chǔ)啟動(dòng)代碼；NORFlash具有長期供貨的能力，NANDFlash一旦推出新產(chǎn)品，舊產(chǎn)品就會(huì)很快被擠掉停產(chǎn)，而汽車廠商更傾向于選擇可以數(shù)十年甚至更長時(shí)間內(nèi)都可大量出貨的產(chǎn)品，以便于設(shè)備維修時(shí)替換。我們將在下文簡單介紹幾種高端車載電子系統(tǒng)對(duì)NORFlash的應(yīng)用。ADAS系統(tǒng)主要涉及自動(dòng)操作或調(diào)整、增強(qiáng)汽車系統(tǒng)以實(shí)現(xiàn)更安全、舒適的駕駛體驗(yàn)。安全性功能包括通過提醒駕駛員以避免潛在的交通事故、在部分情況下通過實(shí)施保護(hù)措施或接管控制車輛等來避免碰撞或降低碰撞損失，舒適性功能包括自動(dòng)照明、提供自適應(yīng)巡航控制、自動(dòng)剎車、保持車輛行駛車道等。ADAS系統(tǒng)包括布置在車輛周圍的大量傳感器、攝像頭，以及實(shí)現(xiàn)各自功能的多個(gè)子系統(tǒng)。通常情況下，車輛為保證數(shù)據(jù)的完整性，需要慎重考慮車輛事故突然掉電的情況下數(shù)據(jù)不丟失的問題，因此NORFlash便成為不可或缺的存儲(chǔ)芯片。上圖所示為一個(gè)包含攝像頭、雷達(dá)等傳感器的ADAS子系統(tǒng)結(jié)構(gòu)，可以在圖中看到，該系統(tǒng)包含兩路互相冗余的SoC，以及一顆專用的計(jì)算芯片，三顆芯片分別搭載一顆NORFlash。汽車儀表盤、信息娛樂系統(tǒng)的高清顯示屏需要搭載一顆大容量的NORFlash芯片。現(xiàn)隨著車載電子系統(tǒng)的功能越來越強(qiáng)大，車上的屏幕越來越多、越來越大、分辨率越來越高，最新的儀表盤系統(tǒng)還包括將駕駛信息投射在汽車擋風(fēng)玻璃上的平視顯示器（HUD）。而這些顯示系統(tǒng)一項(xiàng)很重要的指標(biāo)就是啟動(dòng)速度，需要在啟動(dòng)汽車后立刻在各個(gè)顯示屏幕內(nèi)顯示各項(xiàng)信息，較長時(shí)間的等待會(huì)立刻降低車內(nèi)系統(tǒng)的體驗(yàn)感（參考手機(jī)、計(jì)算機(jī)的啟動(dòng)時(shí)間）。即時(shí)啟動(dòng)(instanton)的最佳解決方案就是采用NORFlash，除啟動(dòng)代碼之外、系統(tǒng)數(shù)據(jù)之外，F(xiàn)lash內(nèi)部還存儲(chǔ)著圖像數(shù)據(jù)，系統(tǒng)啟動(dòng)后可迅速將數(shù)據(jù)顯示在屏幕上，減少系統(tǒng)反應(yīng)時(shí)間。由于圖像數(shù)據(jù)較大，所以應(yīng)用在該類系統(tǒng)上的NORFlash的容量較大，一般在128M-1G之間。根據(jù)測算，汽車電子的NORFlash未來市場空間將超過百億人民幣，是NORFlash市場的重要組成部分。目前Cypress是汽車市場的領(lǐng)導(dǎo)者，2018年市占率為68%，但已成功邁入汽車市場，已依據(jù)AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證了GD25全系列產(chǎn)品，是目前唯一的全國產(chǎn)化車規(guī)閃存產(chǎn)品，有望在此快速發(fā)展的市場分到一席之位。2.2.6結(jié)論：數(shù)十年市場空間下行已成歷史，新應(yīng)用將要激發(fā)新增長除上述主要應(yīng)用之外，在其他細(xì)分領(lǐng)域也有較為廣泛的應(yīng)用，如5G基站等。經(jīng)過以上討論我們認(rèn)為，NORFlash已經(jīng)告別過去數(shù)十年的市場空間下行歷史，在新興應(yīng)用的推動(dòng)下，市場規(guī)模將重回增長。根據(jù)我們的測算，未來NORFlash在新興應(yīng)用的推動(dòng)下，每年市場規(guī)模將保持10%左右的增速。2.3國際大廠逐步退出，市占率躍居第三面對(duì)不斷下滑的市場空間，NORFlash巨頭美光和Cypress于2017年先后宣布未來將逐步退出中低容量的消費(fèi)品、PC市場，轉(zhuǎn)而專注于工業(yè)控制、車用等市場。美光和Cypress的退出也給華邦、旺宏和留下了發(fā)展空間，產(chǎn)能的減少也改善了市場的供需關(guān)系。如下圖所示，在2019年消費(fèi)品領(lǐng)域需求上升的背景下，華邦、旺宏以及兆易創(chuàng)新的季度NORFlash銷售額逐步增加，而Cypress與美光的季度營收逐步降低。從季度數(shù)據(jù)看，無論是絕對(duì)增長額還是增速，均領(lǐng)先于華邦與旺宏，并先后于2019年第二、第三季度分別超過Cypress與美光，市占率達(dá)到18.2%，位列第三名，與前兩名的差距也越來越小。我們認(rèn)為，在NORFlash市場空間逐步開始增大的情況下，美光由于專注大容量NANDFlash和DRAM的生產(chǎn)而不再關(guān)注消費(fèi)領(lǐng)域的NORFlash產(chǎn)品，Cypress則致力專注于車載領(lǐng)域而并未計(jì)劃重返消費(fèi)品市場，國產(chǎn)廠商如迎來了市場空間增大和市場份額擴(kuò)張的雙重機(jī)遇，未來發(fā)展可期。3.寡頭壟斷DRAM市場，本土企業(yè)有望破局3.1DRAM簡介：市場規(guī)模最大的存儲(chǔ)器DRAM是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DynamicRandomAccessMemory）的縮寫，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來代表一個(gè)二進(jìn)制比特（bit）是1還是0。由于在現(xiàn)實(shí)中晶體管會(huì)有漏電電流的現(xiàn)象，因此對(duì)于DRAM來說，周期性地充電是一個(gè)無可避免的要件。由于這種需要定時(shí)刷新的特性，因此被稱為“動(dòng)態(tài)（Dynamic）”

存儲(chǔ)器。DRAM的特征是運(yùn)算速度快，但掉電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，常應(yīng)用于系統(tǒng)硬件的運(yùn)行內(nèi)存。不同于硬盤、優(yōu)盤等外部設(shè)備，DRAM用于計(jì)算機(jī)、手機(jī)的運(yùn)行數(shù)據(jù)保存以及與CPU直接通訊。在計(jì)算機(jī)、服務(wù)器的應(yīng)用領(lǐng)域，DRAM以內(nèi)存模組（俗稱內(nèi)存條）的形式出現(xiàn)。如下圖所示，內(nèi)存模組由DRAM內(nèi)存顆粒（即內(nèi)存芯片）和內(nèi)存接口芯片以及配套的印制電路板組成，一個(gè)內(nèi)存模組一般包括8-16顆內(nèi)存顆粒。在手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備領(lǐng)域，DRAM直接以一顆芯片的形安裝在主板上。DRAM按照產(chǎn)品分類分為DDR/LPDDR/GDDR和傳統(tǒng)型（Legacy/SDR）DRAM，其特點(diǎn)分別如下：DDR是DoubleDataRateSDRAM的縮寫，即雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，主要應(yīng)用在個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器上。現(xiàn)主流的DDR標(biāo)準(zhǔn)是DDR4，但DDR5已經(jīng)發(fā)布，預(yù)計(jì)未來滲透率會(huì)越來越高LPDDR即LowPowerDDR，又稱為mDDR（MobileDDR），主要應(yīng)用于移動(dòng)端電子產(chǎn)品；GDDR指的是GraphicsDDR，主要應(yīng)用于圖像處理領(lǐng)域；相對(duì)于DDR的雙倍速率（在時(shí)鐘上升沿和下降沿都可以讀取數(shù)據(jù)），傳統(tǒng)的DRAM只在時(shí)鐘上升沿讀取數(shù)據(jù)，速度相對(duì)慢。應(yīng)用領(lǐng)域相對(duì)較窄，是利基型的DRAM。DDR/LPDDR為DRAM的應(yīng)用最廣的類型，因此DRAM主要應(yīng)用于計(jì)算機(jī)、服務(wù)器和移動(dòng)設(shè)備上，根據(jù)Yole數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，兩者合計(jì)占DRAM應(yīng)用比例約為90%。DRAM是存儲(chǔ)器市場規(guī)模最大的芯片，2018年DRAM市場規(guī)模已超過1000億美元，2019年由于價(jià)格大幅下降以及服務(wù)器、手機(jī)等下游均出現(xiàn)同比下滑，市場空間出現(xiàn)下降，根據(jù)TrendForce數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2019年DRAM市場空間約621億美元。DRAM由于其價(jià)格波動(dòng)幅度較大，而價(jià)格又在較大程度上依賴于供求關(guān)系，因此其市場空間難以直接預(yù)測。但DRAM的需求量的發(fā)展則相對(duì)更容易理解，伴隨著服務(wù)器需求增長、移動(dòng)設(shè)備內(nèi)存增大，DRAM未來的需求量將保持持續(xù)增長的態(tài)勢。3.1.1服務(wù)器2019年短期低迷，2020年將重拾增勢經(jīng)過多年的高速增長后，受云服務(wù)商采購下滑、宏觀經(jīng)濟(jì)不確定性等因素影響，服務(wù)器出貨量在2018年3季度創(chuàng)出新高后便持續(xù)下滑，2019年服務(wù)器出貨量出現(xiàn)全年同比下降的現(xiàn)象。但多項(xiàng)數(shù)據(jù)表明，2020年服務(wù)器市場有望恢復(fù)增長態(tài)勢。從短期數(shù)據(jù)看：Intel的數(shù)據(jù)中心（DCG）部門主要面對(duì)服務(wù)器市場，作為服務(wù)器的重要上游材料，其產(chǎn)品銷售數(shù)據(jù)可直接反應(yīng)下游服務(wù)器制造商未來的出貨量情況。通過數(shù)據(jù)可以看出，IntelDCG業(yè)務(wù)營收同比增速自2018年3季度開始下滑，2019年3季度恢復(fù)正增長，并創(chuàng)出歷史新高，2019年4季度營收繼續(xù)上升，且同比增速已達(dá)到20%。，預(yù)示著服務(wù)器市場亦將迎來新增長。其他服務(wù)器上游，如控制芯片廠商信驊、硬盤廠商等公司公開數(shù)據(jù)也已表明未來服務(wù)器出貨量將要回暖。長期看，在未來增量需求及替代需求驅(qū)動(dòng)下，服務(wù)器出貨量仍將長期保持增長態(tài)勢。增量需求：

5G時(shí)代云計(jì)算將加速普及，邊緣計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)等新增應(yīng)用將會(huì)帶來巨量的數(shù)據(jù)流量，井噴的數(shù)據(jù)流量需要更強(qiáng)算力的服務(wù)器支持，運(yùn)營商、云服務(wù)廠商將進(jìn)入大量建設(shè)數(shù)據(jù)中心的階段，服務(wù)器需求將持續(xù)增長；替代需求：由于產(chǎn)品老化、性能升級(jí)等原因，服務(wù)器更換周期一般為3-5年，2017、2018年采購的大量服務(wù)器將于未來幾年進(jìn)行更換，帶動(dòng)服務(wù)器需求。根據(jù)DIGITIMESResearch，未來全球服務(wù)器出貨量的復(fù)合增長率為6.5%。服務(wù)器作為DRAM下游需求的重要領(lǐng)域，將成為DRAM未來增長的持續(xù)動(dòng)力。3.1.2手機(jī)：出貨量有望回升，運(yùn)行內(nèi)存變大亦成趨勢以手機(jī)為代表的移動(dòng)設(shè)備是DRAM應(yīng)用的另一大下游領(lǐng)域。我們認(rèn)為，手機(jī)出貨量2020年將出現(xiàn)反彈，疊加手機(jī)運(yùn)行內(nèi)存變大的趨勢，DRAM在手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備上的需求量未來將繼續(xù)增長。手機(jī)出貨量將重回增勢：從數(shù)據(jù)看，根據(jù)counterpoint數(shù)據(jù)，2017-2019年的手機(jī)出貨量分別為15.6億、15億、14.9億。手機(jī)出貨量在2017年創(chuàng)出新高后在2018年與2019年分別下降4%與1%。出貨量在2019年下滑速度已經(jīng)減緩，有望在2020年走出反彈趨勢；

從市場看，2020年將迎來兩波驅(qū)動(dòng)因素帶來的換機(jī)潮：2017年手機(jī)出貨量最高，到2020年已經(jīng)三年，多數(shù)手機(jī)的使用周期都為2-3年，到2020年將迎來“新舊換機(jī)潮”；2020年是5G正式起量的第一年，同時(shí)2020年將迎來4G到5G的“升G換機(jī)潮”。我們認(rèn)為，兩波換機(jī)潮的疊加將導(dǎo)致2020年智能手機(jī)銷量的回升，即使2020年疫情將影響供給能力與需求量，但這只會(huì)推遲需求而不會(huì)減少需求，下半年疫情結(jié)束后銷量將重回增勢。單部手機(jī)的內(nèi)存變大已成趨勢：手機(jī)運(yùn)行大小和運(yùn)行速度沒有直接的關(guān)系，但內(nèi)存越大同時(shí)運(yùn)行的程序更多、可運(yùn)行更大的程序，當(dāng)正運(yùn)行程序的數(shù)據(jù)量接近運(yùn)行內(nèi)存大小時(shí)，內(nèi)存大小將直接影響手機(jī)的運(yùn)行速度。目前，手機(jī)軟件的大小正伴隨著功能的增加而逐漸變大，手機(jī)運(yùn)行內(nèi)存逐漸增大也已成為趨勢。由于蘋果和安卓系統(tǒng)運(yùn)行機(jī)制不一樣，其運(yùn)行內(nèi)存的大小也不存在可比性。但我們可以在以上兩圖中不同時(shí)間推出的手機(jī)內(nèi)存大小對(duì)比可以看出，手機(jī)內(nèi)存越來越大已經(jīng)成為趨勢。經(jīng)過我們分析DRAM下游最重要的應(yīng)用領(lǐng)域可以看出，服務(wù)器出貨量將持續(xù)攀升，手機(jī)出貨量也將增加，疊加單臺(tái)設(shè)備使用的內(nèi)存變大，DRAM未來的需求量仍將保持增長態(tài)勢。3.2DRAM市場競爭激烈，三大巨頭壟斷95%自美國AdvancedMemory推出首款1KDRAM至今已超過50年，累積創(chuàng)造了超過1萬億美元的產(chǎn)值。DRAM市場格局變化風(fēng)起云涌，從1980年代的百家齊放，到2000年的戰(zhàn)國紛爭，再到現(xiàn)在的寡頭壟斷格局，全球DRAM市場的玩家在不斷變化。為幫助投資者理解當(dāng)前的格局，我們將DRAM的發(fā)展歷史簡單整理如下：1969年美國公司AdvancedMemory正式推出首款商業(yè)化1KDRAM；1970年和TI是市場上的主要玩家；從TI離職的工程師創(chuàng)建了Mostek，在1970年代后期，Mostek一度占據(jù)全球DRAM市場85%的份額；1978年Mostek的4名離職員工創(chuàng)建美光，從1981年開始投產(chǎn)64KDRAM;為攻破美國技術(shù)壁壘，1976年日本、三菱、富士通、和NEC五大公司聯(lián)合研究機(jī)構(gòu)聯(lián)合研發(fā)DRAM，投資720億日元。1980年宣告研發(fā)成功，保證了DRAM量產(chǎn)良率達(dá)到80%，遠(yuǎn)超美國的50%，奠定了日本在DRAM市場的霸主地位。日本乘勝追擊挑起價(jià)格戰(zhàn)，降價(jià)幅度一度高達(dá)90%，到1986年時(shí)，日本廠商在世界DRAM市場市占率高達(dá)80%。美國企業(yè)壓力巨大，因特爾1985年宣布退出DRAM市場，TI在1998年將存儲(chǔ)業(yè)務(wù)賣給美光。但是日本經(jīng)濟(jì)在1990年初到達(dá)巔峰后開始進(jìn)入漫長的下行期，逐漸開始衰落，1999年NEC和合并了他們的DRAM業(yè)務(wù)，成立了爾必達(dá)存儲(chǔ)器；富士通退出了DRAM業(yè)務(wù)；2001年將DRAM業(yè)務(wù)賣給了美光；2003年?duì)柋剡_(dá)吸收了三菱的DRAM業(yè)務(wù)；2012年?duì)柋剡_(dá)破產(chǎn)后被美光收購。韓國存儲(chǔ)企業(yè)的發(fā)展也采用了日本的模式，1986年三星、LG、現(xiàn)代和韓國的六所大學(xué)聯(lián)合攻關(guān)DRAM核心技術(shù)。1992年三星超越了日本的NEC，首次成為世界第一大DRAM內(nèi)存制造商，在其后至今的28年里一直保持世界第一的位置。1999年韓國現(xiàn)代半導(dǎo)體和LG半導(dǎo)體合并，2001年更名為海力士，在金融危機(jī)時(shí)海力士陷入破產(chǎn)邊緣，在SK的支持下度過難關(guān)，并于2012年更名為SK海力士。

的DRAM技術(shù)來自于和美國的IBM、摩托羅拉的合作，1999年將其半導(dǎo)體部門分拆成立英飛凌，2006年英飛凌將存儲(chǔ)業(yè)務(wù)分拆成立奇夢達(dá)

（Qimonda），但奇夢達(dá)未能成功渡過經(jīng)濟(jì)危機(jī)，已于2009年破產(chǎn)。目前，DRAM芯片的市場格局是由三星、SK海力士和美光統(tǒng)治，三大巨頭市場占有率合計(jì)已超過95%，而三星一家公司市占率就已經(jīng)逼近50%。寡頭壟斷的格局使得中國企業(yè)對(duì)DRAM芯片議價(jià)能力很低，也使得DRAM芯片成為我國受外部制約最嚴(yán)重的基礎(chǔ)產(chǎn)品之一。與世界先進(jìn)的DRAM企業(yè)相比，中國的企業(yè)則相對(duì)落后。1980年代中科院半導(dǎo)體曾成功研制DRAM，但后來并未得到大規(guī)模商用；雖1990年代的成立的首鋼NEC和華虹NEC均曾量產(chǎn)DRAM，但后來均因市場環(huán)境惡化退出DRAM產(chǎn)業(yè)；中芯國際雖曾為奇夢達(dá)、爾必達(dá)代工DRAM，但后來也退出了DRAM領(lǐng)域。本土公司在DRAM領(lǐng)域一直未站穩(wěn)腳跟，但現(xiàn)在也涌現(xiàn)出了一些公司，有望幫助國產(chǎn)DRAM走向世界。福建晉華：臺(tái)灣合作建設(shè)DRAM項(xiàng)目。該項(xiàng)目已于2018年4季度試產(chǎn)，有望在2019年量產(chǎn)，成為國內(nèi)第一家DRAM廠商。然而在中美貿(mào)易摩擦的背景下，美光指控晉華竊取其知識(shí)產(chǎn)權(quán)，在美國禁令的壓力下，聯(lián)電不得不中斷與晉華的合作，晉華也因此至今停擺無復(fù)工希望。合肥長鑫：2017年，與合肥產(chǎn)投簽署協(xié)議，預(yù)算180億在合肥開展19nm12英寸DRAM項(xiàng)目，約定公司未來收購合肥產(chǎn)投在該項(xiàng)目中的權(quán)益。合肥長鑫采取與奇夢達(dá)合作的路線獲取DRAM技術(shù)，獲取奇夢達(dá)的技術(shù)也讓合肥長鑫避免了福建晉華的悲劇。紫光集團(tuán)：奇夢達(dá)破產(chǎn)時(shí)，其于西安的設(shè)計(jì)公司被浪潮集團(tuán)收購，成立了西安華芯。2015年西安華芯被收購，因此紫光便擁有了DRAM的技術(shù)，現(xiàn)紫光國微。2019年9月紫光集團(tuán)與重慶市政府簽訂協(xié)議，計(jì)劃在重慶建設(shè)DRAM內(nèi)存芯片工廠，預(yù)計(jì)2021年正式量產(chǎn)。除以上廠商之外，DRAM國內(nèi)的設(shè)計(jì)企業(yè)還有存儲(chǔ)IC設(shè)計(jì)公司矽成（ISSI）和。矽成原為美國企業(yè)，2015年被武岳峰創(chuàng)投收購，現(xiàn)被收購，產(chǎn)品以中低密度DRAM、EEPROM、SRAM為主；兆易創(chuàng)新于2019年10月宣布募投資金開展消費(fèi)型和移動(dòng)型DRAM產(chǎn)品的研發(fā)，計(jì)劃2020年流片成功，并在2021年完成客戶驗(yàn)證后開始量產(chǎn)?？v觀歷年來國內(nèi)外DRAM的發(fā)展格局，可以看出DRAM具有較高的技術(shù)門檻，在巨頭廠商的成本與價(jià)格優(yōu)勢下，新入廠商的競爭格局較為激烈。國產(chǎn)DRAM雖獲取了國外的技術(shù)，但仍處于技術(shù)與產(chǎn)能的劣勢狀態(tài)下。當(dāng)前局面較為樂觀的因素在于，國產(chǎn)存儲(chǔ)已成為國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)較為主要的訴求之一，國內(nèi)資本和政策都有較大的支持力度。在當(dāng)前良好的支持因素下，國內(nèi)DRAM廠商有望像1980年代的日本和1990年代的韓國，逐步在市場中打拼出一片屬于自己的份額。3.3DRAM發(fā)展展望：制程工藝逐步推進(jìn)，供需不平迎漲價(jià)周期DRAM的技術(shù)發(fā)展路徑本質(zhì)未發(fā)生變化，仍然是以微縮制程來提高存儲(chǔ)密度。但存儲(chǔ)的制程工藝進(jìn)入20nm之后，制造難度就越來越高，內(nèi)存芯片廠商對(duì)工藝的定義已不是具體的線寬，而是在具體制程范圍內(nèi)提升兩代或者三代技術(shù)來提高存儲(chǔ)密度。具體來講，2X/2Y/2Z是指20nm級(jí)別第一代、第二代、第三代技術(shù),1X/1Y/1Z是指10nm級(jí)別第一代、第二代、第三代技術(shù)，未來還有1α/1β/1γ。具體將1X/1Y/1Z與半導(dǎo)體傳統(tǒng)制程工藝進(jìn)行對(duì)應(yīng)，1Xnm工藝相當(dāng)于16-19nm級(jí)別、1Ynm相當(dāng)于14-16nm，1Znm工藝相當(dāng)于12-14nm級(jí)別。目前市場上DRAM的應(yīng)用較為廣泛的制程是2Xnm和1Xnm，三星、美光、海力士等巨頭廠商均已開發(fā)出1Znm制程的DRAM。國產(chǎn)DRAM廠商合肥長鑫現(xiàn)已量產(chǎn)的DRAM為19nm制程，預(yù)計(jì)2021年可投產(chǎn)17nmDRAM，均為1Xnm，技術(shù)與國際先進(jìn)的廠商還有較大的差距，國產(chǎn)廠商的成長之路還較為漫長。像所有存儲(chǔ)器一樣，DRAM價(jià)格變化呈現(xiàn)周期趨勢。如下所示，DRAM價(jià)格在2013年初到2016年中經(jīng)歷了一波價(jià)格下跌之后開始一波上揚(yáng)，在2017年底到達(dá)高點(diǎn)，然后又連續(xù)跌了2年，到2019年底觸底?；仡櫳弦徊▋r(jià)格的上漲與下跌，其行情的變化主要來自于供需失配：2017年，供給端，DRAM廠家同年將部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)移至3DNAND，并無擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃；需求端，2017年無論是手機(jī)還是服務(wù)器銷量均跨上歷史高點(diǎn)，下游需求旺盛。供需失配的結(jié)果就是DRAM顆粒缺貨嚴(yán)重，全年價(jià)格一直處于上升趨勢。從2018年開始，需求端手機(jī)銷量開始下滑，服務(wù)器銷量增速也開始下降，供給端則由于三大廠商開始逐步擴(kuò)產(chǎn)而增加供給。在新一輪的供需失配情況下，高昂的價(jià)格更加抑制了下游的需求，因此價(jià)格便一路下滑。為平衡市場供需，減少存貨，供給端三星、美光和海力士紛紛決定放緩新廠的增產(chǎn)腳步，價(jià)格于2019年底企穩(wěn)。需求端，2019年下半年開始，服務(wù)器銷量開始增加，DRAM的需求開始抬升。供需趨于平衡的狀態(tài)中，在三星工廠停電等驅(qū)動(dòng)因素下，價(jià)格開始企穩(wěn)回升。我們認(rèn)為，當(dāng)前的供需狀況有利于國內(nèi)DRAM企業(yè)的發(fā)展：韓國企業(yè)DRAM銷售額約占全球的75%，當(dāng)前疫情在韓國發(fā)展的速度超過預(yù)期，若未來三星或SK海力士因?yàn)橐咔橥．a(chǎn)或降低產(chǎn)能，則當(dāng)前較為緊張的DRAM供應(yīng)會(huì)更加短缺；2020年服務(wù)器銷量增加，導(dǎo)致DRAM需求進(jìn)一步增加。未來DRAM價(jià)格上揚(yáng)有可能會(huì)超出部分人預(yù)期，而價(jià)格上漲、供給不足的預(yù)期會(huì)導(dǎo)致下游廠商加緊備貨，進(jìn)一步推升DRAM價(jià)格；相對(duì)于過去兩年持續(xù)下跌的價(jià)格，2020年DRAM價(jià)格回升企穩(wěn)有利于國內(nèi)企業(yè)的競爭。尤其是合肥長鑫，處于剛開始量產(chǎn)正逐步放量的階段，價(jià)格上揚(yáng)可保證公司價(jià)格的穩(wěn)定。4.NANDFlash巨頭領(lǐng)先市場，國產(chǎn)廠商開始崛起4.1NANDFlash是大容量存儲(chǔ)的首選方案NANDFlash存儲(chǔ)器是Flash存儲(chǔ)器的一種，存讀取原理已于第2章在和NORFlash進(jìn)行對(duì)比時(shí)進(jìn)行介紹，此處不過多贅述。NANDFlash具有容量大，改寫速度快等特點(diǎn)，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。從應(yīng)用形態(tài)上看，NANDFlash的具體產(chǎn)品包括USB（U盤）、閃存卡、SSD（固態(tài)硬盤），以及嵌入式存儲(chǔ)（eMMC、eMCP、UFS）等。USB屬于常見的移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備，閃存卡則用于常見電子設(shè)備的外設(shè)存儲(chǔ)，如相機(jī)、行車記錄儀、玩具等。SSD即常見的固態(tài)硬盤，一般應(yīng)用于個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)器等領(lǐng)域。SSD作為新興的大容量存儲(chǔ)設(shè)備，具有磁盤（傳統(tǒng)HDD硬盤）所不具備的優(yōu)點(diǎn)，前些年由于SSD高昂的價(jià)格，只攻占了磁盤的少部分領(lǐng)域。由于近年SSD價(jià)格下降，以及數(shù)據(jù)中心的迅速擴(kuò)張，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求也在不斷上升，因此由SSD驅(qū)動(dòng)的NANDFlash的需求增速也較為迅速。嵌入式存儲(chǔ)是NANDFlash應(yīng)用的另一大領(lǐng)域。其特征是將NANDFlash存儲(chǔ)芯片與控制芯片封裝在一起，控制芯片采用特定的通訊協(xié)議，可提升存儲(chǔ)數(shù)據(jù)通訊的速度與穩(wěn)定性。嵌入式存儲(chǔ)主要應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、游戲機(jī)、車載電子等新興領(lǐng)域，如下左圖可見，該手機(jī)主板采用的是eMMC。與計(jì)算機(jī)相同，手機(jī)同樣需要處理器、DRAM和NANDFlash，區(qū)別在于其產(chǎn)品的最終形態(tài)不同，計(jì)算機(jī)內(nèi)部的形態(tài)為CPU+內(nèi)存條+硬盤，而手機(jī)則采用eMMC或eMCP兩種形式：“處理器+eMCP”或“集成了LPDDR的處理器+eMMC”。eMMC存儲(chǔ)芯片內(nèi)部主要包括主控芯片和NANDFlash；

eMCP則是在eMMC的基礎(chǔ)上增加了LPDDR（DRAM的一種）；UFS內(nèi)部結(jié)構(gòu)與eMMC相似，均為主控芯片加NANDFlash，區(qū)別在于其通信協(xié)議的不同，應(yīng)用領(lǐng)域也以手機(jī)等設(shè)備為主。從下游具體的產(chǎn)品看，目前NANDFlash主要是應(yīng)用在手機(jī)和SSD上，其占比分別為48%和43%，因此該兩類產(chǎn)品的出貨量則會(huì)直接影響NANDFlash的需求。NANDFlash是市場規(guī)模僅次于DRAM的存儲(chǔ)芯片，2019年市場規(guī)模為460億美元。與DRAM相同，NANDFlash的市場空間很大程度上依賴于其價(jià)格，但是價(jià)格則依賴于市場的供需關(guān)系，因此直接預(yù)測其市場規(guī)模的趨勢較難實(shí)現(xiàn)。但NANDFlash本身的需求量上升的邏輯則較為清晰：一方面，手機(jī)、SSD作為NANDFlash的主要下游領(lǐng)域，未來將處于持續(xù)上升的趨勢，此部分已在DRAM章節(jié)進(jìn)行探討，此處不進(jìn)行過多贅述；另一方面，NANDFlash作為大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的首選設(shè)備，需求量主要依賴于數(shù)據(jù)量的大小，IDC預(yù)測，全球數(shù)據(jù)圈（以數(shù)據(jù)圈代表每年被創(chuàng)建、采集或是復(fù)制的數(shù)據(jù)集合）將從2018年的32ZB增長至2025年的175ZB，增幅將超過5倍。因此，NANDFlash未來需求的發(fā)展趨勢可在此窺探一二。4.2競爭格局：國際廠商領(lǐng)先全球，本土存儲(chǔ)奮起直追NANDFlash的產(chǎn)業(yè)鏈分為NANDFlash原廠顆粒、主控芯片設(shè)計(jì)、封裝工廠與品牌銷售。各產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)中，封裝企業(yè)與半導(dǎo)體封測企業(yè)有較大的重合，如日月光、長電、華天、等，我國在半導(dǎo)體封測領(lǐng)域處于國際上的第一梯隊(duì)，因此在NANDFlash存儲(chǔ)的封裝領(lǐng)域表現(xiàn)也較為優(yōu)異。NANDFlash顆粒原廠中，主要的廠家為三星、鎧俠、西數(shù)、美光等。與DRAM市場格局一樣，三星同樣處于領(lǐng)先地位，市占率為34%，但NANDFlash市場集中度稍微低于DRAM市場。鎧俠與西數(shù)的合資工廠產(chǎn)能共用，若將其收入合并計(jì)算，其市占率與三星伯仲相當(dāng)。國產(chǎn)廠商長江存儲(chǔ)處于起步狀態(tài)，正在市場與技術(shù)上奮起直追。NANDFlash顆粒原廠基本都有自己的品牌銷售，其中國產(chǎn)廠商長江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)的子公司，紫光集團(tuán)另一子公司紫光存儲(chǔ)負(fù)責(zé)產(chǎn)品的銷售，主要包括SSD產(chǎn)品。主控芯片方面，同樣以三星為代表的國外廠商處于領(lǐng)先地位。但在該領(lǐng)域中，部分國產(chǎn)廠商也有產(chǎn)品銷售