存儲(chǔ)芯片行業(yè)之東芯股份研究本土SLC NAND龍頭聚焦利基型存儲(chǔ)

存儲(chǔ)芯片行業(yè)之東芯股份研究-本土SLCNAND龍頭聚焦利基型存儲(chǔ)一、存儲(chǔ)為長期高成長賽道，利基市場需求高增1.1存儲(chǔ)是長期高成長賽道，利基型存儲(chǔ)空間廣闊存儲(chǔ)芯片是長期高成長的賽道。只要有數(shù)據(jù)就離不開存儲(chǔ)，新型終端或應(yīng)用的誕生及爆發(fā)，拉動(dòng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求不斷增長。復(fù)盤歷史，存儲(chǔ)器市場出現(xiàn)過多輪新終端或應(yīng)用驅(qū)動(dòng)的成長周期，如90年代PC的滲透，2000年代功能機(jī)的滲透及iPod等推出，2010年代智能機(jī)的滲透及云計(jì)算的爆發(fā)，未來存儲(chǔ)器需求將在5G、AI以及汽車智能化的驅(qū)動(dòng)下步入下一輪成長周期。存儲(chǔ)芯片市場規(guī)模維持長期增長，在半導(dǎo)體市場的占比波動(dòng)上行。全球存儲(chǔ)芯片市場于波動(dòng)中保持上升趨勢，市場規(guī)模從2005年的546億美元增至2020年的1229億美元，復(fù)合增速達(dá)5.6%，ICInsights預(yù)計(jì)2021年全球存儲(chǔ)芯片市場規(guī)模將同比增長22%，2023年將超過2000億美元。存儲(chǔ)芯片在整個(gè)半導(dǎo)體中的占比2002年在10%出頭，到上一輪景氣度高點(diǎn)2018年，達(dá)到33.1%，整體處于波動(dòng)上行的狀態(tài)。2019年和2020年，由于存儲(chǔ)器周期下行，該比例有所下降，2020年該比例約為27%。從結(jié)構(gòu)上看，DRAM和NANDFlash為存儲(chǔ)芯片的核心品類。根據(jù)IDC，DRAM和NANDFlash兩者自2005年以來一直占據(jù)存儲(chǔ)芯片市場的大部分份額，兩者合計(jì)占比達(dá)75%，2020年該份額上升至96%。5G手機(jī)、服務(wù)器、PC等下游需求驅(qū)動(dòng)，存儲(chǔ)芯片市場規(guī)?？焖贁U(kuò)張。2020年DRAM下游市場中，計(jì)算、無線通訊、消費(fèi)和工業(yè)分別占45.9%、36.5%、9.6%、4.5%，而NANDFlash下游市場中，計(jì)算、無線通訊、消費(fèi)和工業(yè)分別占54.8%、34.1%、6.1%、2.6%。智能手機(jī)5G升級(jí)，帶動(dòng)智能手機(jī)單機(jī)容量提升，云計(jì)算和AI發(fā)展，推動(dòng)存儲(chǔ)需求不斷上行。另外，2020年至今新冠疫情帶來的工作、生活方式的轉(zhuǎn)變，遠(yuǎn)程服務(wù)的諸多應(yīng)用持續(xù)帶動(dòng)服務(wù)器需求，而平板、筆記本電腦等也因遠(yuǎn)程辦公、教學(xué)需求，出貨量大幅增長。下游市場發(fā)展將帶動(dòng)DRAM和NANDFlash快速發(fā)展。從產(chǎn)品分類看，存儲(chǔ)芯片可分為隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM）和只讀存儲(chǔ)器（ROM）兩大類，RAM可進(jìn)一步分為DRAM、DRAM、MRAM、RRAM等，ROM可進(jìn)一步分為Flash、EEPROM等，其中Flash包括NANDFlash和NORFlash。從市場規(guī)?？?，存儲(chǔ)芯片包括DRAM、NANDFlash和NORFlash三大類，其余存儲(chǔ)芯片市場規(guī)模較小。根據(jù)IDC統(tǒng)計(jì)，2020年全球存儲(chǔ)芯片市場中，DRAM是存儲(chǔ)芯片最大細(xì)分市場，占整體市場的53%，NANDFlash占43%，NORFlash占2%，其余占2%。東芯股份的產(chǎn)品主要為SLCNAND、NORFlash和利基型DRAM，合計(jì)市場空間可達(dá)139億美金，占整體存儲(chǔ)市場的9.3%。具體地，NANDFlash按結(jié)構(gòu)可分為2D和3D，按存儲(chǔ)密度可分為SLC、MLC、TLC、QLC等（SLC：即每單元可存儲(chǔ)1比特?cái)?shù)據(jù)，性能優(yōu)、壽命長、擦寫次數(shù)多、容量?。?，公司的產(chǎn)品主要為2DSLCNAND，屬于中小容量利基型，對(duì)應(yīng)2021年的市場空間約21億美金。NORFlash可分為SPI和PPI兩種接口，公司兩種產(chǎn)品均有布局，對(duì)應(yīng)2021年的市場空間約34億美金。DRAM可分為主流DRAM和利基型DRAM，公司主要布局利基型DRAM，對(duì)應(yīng)2021年的市場空間約84億美金。1.1.1SLCNAND：物聯(lián)網(wǎng)、5G通訊、汽車等新興需求支撐，市場規(guī)模穩(wěn)定增長SLCNAND擁有中低容量，應(yīng)用于5G通信設(shè)備、安防監(jiān)控、可穿戴設(shè)備。NANDFlash具有存儲(chǔ)容量大、寫入/擦除速度快等特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于電子資料存儲(chǔ)、通訊設(shè)備、消費(fèi)電子、汽車電子等領(lǐng)域，2020年其市場規(guī)模接近600億美元。從競爭格局來看，中大容量NAND市場已經(jīng)高度集中，三星電子、SK海力士、美光、西部數(shù)據(jù)/鎧俠等合計(jì)占據(jù)90%以上的市場份額，新廠商入局較難。相對(duì)資金投入巨大的中高容量存儲(chǔ)，SLCNAND為中小容量，目前主要應(yīng)用于對(duì)可靠性要求要高的領(lǐng)域，如5G通信設(shè)備、安防監(jiān)控、可穿戴設(shè)備等，競爭格局相對(duì)分散，尚未形成壟斷。物聯(lián)網(wǎng)、5G通訊、智能汽車等新興需求支撐，市場規(guī)模穩(wěn)定增長。根據(jù)Gartner，2019年SLCNAND全球市場規(guī)模達(dá)到16.71億美元，2019年受行業(yè)周期影響略有下降，2020年開始保持增勢，達(dá)到21億美元。未來，在原有剛性需求和新興應(yīng)用（物聯(lián)網(wǎng)、5G通訊、智能汽車）不斷出現(xiàn)的支撐下，預(yù)計(jì)SLCNAND市場將繼續(xù)保持增長態(tài)勢，2024年市場規(guī)模達(dá)到23.24億美元，2019-2024年復(fù)合增速達(dá)6%。（1）物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域：隨著傳統(tǒng)家居向智能家居方向發(fā)展，搭載物聯(lián)網(wǎng)模塊的智能家居也將成為未來消費(fèi)電子市場的重要發(fā)展方向。同時(shí)傳統(tǒng)通訊領(lǐng)域隨著5G、WiFi6等技術(shù)的運(yùn)用，類似PON、路由器、機(jī)頂盒等通訊設(shè)備同步在升級(jí)換代，對(duì)SLCNAND的市場需求形成支撐。（2）5G通訊：5G通訊設(shè)備需要高速且穩(wěn)定可靠的存儲(chǔ)芯片作為各類數(shù)據(jù)站點(diǎn)。以5G宏基站為例，其部署環(huán)境復(fù)雜惡劣，且需要全