單片機(jī)實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書

2試驗(yàn)一擴(kuò)展存儲器讀寫試驗(yàn)一.試驗(yàn)要求編制簡潔程序，對試驗(yàn)板上供給的外部存貯器〔62256〕進(jìn)展讀寫操作。二.試驗(yàn)連線將P1.0接至L1三.試驗(yàn)說明單片機(jī)系統(tǒng)中，對片外存貯器的讀寫操作是最根本的操作。用戶藉此來生疏MCS51單片機(jī)編程的根本規(guī)章、根本指令的使用和使用本仿真試驗(yàn)系統(tǒng)調(diào)試程序的方法。用戶編程可以參考例如程序和流程框圖。本例如程序中對片外存貯器中一固定地址單元進(jìn)展讀寫操作，并比較讀寫結(jié)果是否全都。不全都則說明讀寫操作不行靠或該存儲器單元不行靠，程序轉(zhuǎn)入出錯處理代碼段〔本例如程序通過熄滅一個發(fā)光二極管來表示出錯。為了全面檢驗(yàn)對該存儲器單元各位的讀寫，程序中使用55H和AAH兩個數(shù)值〔請思考為何選用這兩個數(shù)值〕來驗(yàn)證寫存貯器和讀存貯器的操作。用戶調(diào)試該程序時，可以靈敏使用單步、斷點(diǎn)和變量觀看的等方法，來觀看程序執(zhí)行的流程和各中間變量的值。四.試驗(yàn)程序及框圖試驗(yàn)例如程序流程框圖如下：試驗(yàn)二P1口輸入、輸出試驗(yàn)一.試驗(yàn)要求編寫程序，使從P1口的低四位讀入四位撥動開關(guān)的電平，再用P1口的高四位點(diǎn)亮四個發(fā)光二極管，使得發(fā)光二極管的亮滅變化與四位撥動開關(guān)的狀態(tài)相全都。二.試驗(yàn)連線使用專用試驗(yàn)連線，將撥動開關(guān)的低四位K1-K4P1P1.0–P1.3，依次對應(yīng)連接起來。將單片機(jī)P1口的高四位P1.4–P1.7與發(fā)光二極管L1—L4，依次對應(yīng)連接起來。三.試驗(yàn)說明P1口是準(zhǔn)雙向口。它作為輸出口時與一般的雙向口使用方法一樣。由準(zhǔn)雙向口構(gòu)造可知當(dāng)P1口作為輸入口時，必需先對它置高電平使內(nèi)部MOS管截止。由于內(nèi)部上拉電阻阻值是20KΩ~40KΩ，故不會對外部輸入產(chǎn)生影響。假設(shè)不先對它置高，且原來是低電平，則MOS管導(dǎo)通，讀入的數(shù)據(jù)是不正確的。四.試驗(yàn)程序及框圖試驗(yàn)例如程序見配套盤片中的EXP2.ASM。試驗(yàn)例如程序流程框圖如下： 開頭P1口低四位置高讀入四位開關(guān)量高四位輸出至指示燈適當(dāng)延時試驗(yàn)三A/D轉(zhuǎn)換試驗(yàn)一.試驗(yàn)要求利用試驗(yàn)板上的ADC0809 做A/D轉(zhuǎn)換器，利用試驗(yàn)板上的電位器W1供給模擬量輸入。編制程序，將模擬量轉(zhuǎn)換成二進(jìn)制數(shù)字量，用發(fā)光二極管顯示。二.試驗(yàn)連線ADC0809 的片選已固定接至138譯碼地址8600H。使用專用試驗(yàn)連線將電位器W1的V-BASE 點(diǎn)與+VREF〔+5V〕連接。電位器W1的V-OUT點(diǎn)(即中心抽頭)接至ADC0809 的IN0〔通道0。ADC0809 的EOC(已經(jīng)經(jīng)一級74LS14 反向)接至單片機(jī)的INT1。將單片機(jī)的P1.0~P1.7 接至八位發(fā)光二極管L1--L8。三.試驗(yàn)說明ADC0809是八位逐次靠近法A/D轉(zhuǎn)換器，每采集一次一般需100us。中斷方式下，A/D轉(zhuǎn)換完畢后會自動產(chǎn)生EOC信號，經(jīng)一級74LS14反向后與8031INT0相接。試驗(yàn)系統(tǒng)中其片選已固定接至138譯碼地址8600H。本例如程序?qū)嵭辛酥袛嗵幚韥碚_讀取A/D轉(zhuǎn)換的結(jié)果。用戶也可以用延時來保證A/D轉(zhuǎn)換完