宏微科技研究報(bào)告芯領(lǐng)域“新”客戶

宏微科技研究報(bào)告-芯領(lǐng)域“新”客戶一、國內(nèi)領(lǐng)先功率器件制造商，車規(guī)產(chǎn)品加速布局1.1、模塊+單管齊頭并進(jìn)公司是國內(nèi)知名的功率半導(dǎo)體器件制造商，于2006年在江蘇常州市成立。公司于2007年成功研發(fā)出了快恢復(fù)外延二極管（FRED）第一代芯片（M1d）F系列；2010年，公司成功推出第一代IGBT產(chǎn)品—1200V平面柵NPT結(jié)構(gòu)的IGBT芯片M1i。2021年，公司在上?？苿?chuàng)板上市。公司主要從事以IGBT、FRED為主的功率半導(dǎo)體芯片、單管和模塊設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。公司主要為電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)、充電樁、光伏逆變器、變頻器、電焊機(jī)、UPS電源等領(lǐng)域的客戶提供應(yīng)用廣泛、性能優(yōu)異的功率半導(dǎo)體器件。公司主營(yíng)業(yè)務(wù)包括模塊業(yè)務(wù)、單管業(yè)務(wù)兩大類。模塊業(yè)務(wù)主要包括電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)、變頻器，電焊機(jī)、逆變器和UPS電源；單管業(yè)務(wù)包括變頻器、伺服電機(jī)、電焊機(jī)、UPS電源、充電樁。公司自成立之初即專注于FRED芯片和IGBT芯片的研發(fā)。IGBT、FRED單管和模塊的核心是IGBT芯片和FRED芯片，公司擁有自主研發(fā)設(shè)計(jì)市場(chǎng)主流IGBT和FRED芯片的能力。公司主營(yíng)業(yè)務(wù)中芯片、單管完全采用自研芯片；模塊產(chǎn)品分別采用自研芯片和外購芯片。公司依靠自身技術(shù)、工藝、人才、管理等優(yōu)勢(shì)的長(zhǎng)期積累，成功實(shí)現(xiàn)了IGBT、FRED等功率半導(dǎo)體器件（涵蓋芯片、單管及模塊）的多類型產(chǎn)品布局。公司控股股東、實(shí)際控制人為趙善麒。截止2022年12月16日，公司控股股東趙善麒持有公司17.78%的股份，同時(shí)擔(dān)任公司的董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理。核心高管控股有助于公司經(jīng)營(yíng)活動(dòng)與管理層戰(zhàn)略保持高度一致。公司的第二大股東為贛州常春新優(yōu)投資合伙企業(yè)，持有公司5.11%的股份。全資子公司江蘇宏電業(yè)務(wù)包括太陽能光伏設(shè)備研發(fā)、生產(chǎn)、銷售，以及風(fēng)力發(fā)電技術(shù)研發(fā)、風(fēng)力發(fā)電設(shè)備及配件制造、銷售等；同時(shí)公司還參股了兩家股權(quán)投資合伙企業(yè)。1.2、研發(fā)投入效果明顯，業(yè)績(jī)進(jìn)入加速期公司營(yíng)收穩(wěn)步增長(zhǎng)，2021、2022Q3營(yíng)收加速增長(zhǎng)。2017至2021年，公司營(yíng)業(yè)收入復(fù)合增速達(dá)27.38%。2021年?duì)I收同比增速達(dá)66.04%，呈現(xiàn)加速態(tài)勢(shì)。2022前三季度實(shí)現(xiàn)營(yíng)收6.15億，同比增速達(dá)66.18%；2022年前三季度公司歸母凈利潤(rùn)為0.61億元，同比增加31.53%。公司由于下游客戶結(jié)構(gòu)優(yōu)秀，對(duì)應(yīng)市場(chǎng)景氣度較高，截止2022Q3接受的訂單飽滿，整體產(chǎn)能利用率有所提高，反映到業(yè)績(jī)端，公司自2021年后業(yè)績(jī)保持高速增長(zhǎng)。毛利率穩(wěn)定，費(fèi)用管控能力逐步提升。2017至2020年公司整體毛利率較為平穩(wěn)，2022前三季度公司綜合毛利率21.77%，相較于2021全年，提升0.20pct。凈利率方面，由于公司加大研發(fā)投入以及相關(guān)財(cái)務(wù)費(fèi)用增加導(dǎo)致短期波動(dòng)，2022前三季度公司凈利率9.95%。費(fèi)用方面，公司三費(fèi)呈現(xiàn)逐年下降態(tài)勢(shì)，表明了公司的管控能力逐步提升。模塊業(yè)務(wù)持續(xù)高增，單管業(yè)務(wù)成長(zhǎng)可期。模塊業(yè)務(wù)依舊是公司的主要收入來源，2021年公司模塊業(yè)務(wù)營(yíng)收3.52億元，同比增速為41.44%；同時(shí)在2021年單管業(yè)務(wù)顯著增長(zhǎng)，2021年業(yè)務(wù)營(yíng)收1.49億，同比增長(zhǎng)243.99%。毛利率方面，受托加工、芯片和單管2021年毛利率分別為54.35%、28.17%和24.21%。加碼研發(fā)，高投入下成果涌現(xiàn)。公司近年來不斷加碼研發(fā)投入，2022年前三季度公司研發(fā)費(fèi)用4143.53萬元，同比增長(zhǎng)100.95%；研發(fā)費(fèi)用營(yíng)業(yè)收入占比6.74%。2021年研發(fā)投入研發(fā)人員提升至113名，占總員工比例超過20%。截止2022H1公司多產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)突破進(jìn)展：公司的M5i微溝槽650V系列除了在光伏行業(yè)所使用的單管產(chǎn)品上獲得了驗(yàn)證和批量交付，針對(duì)UPS和光伏行業(yè)領(lǐng)域同期推出新的定制模塊產(chǎn)品規(guī)格，目前制樣進(jìn)展順利，預(yù)期會(huì)在2022H2完成客戶端的驗(yàn)證和新產(chǎn)品導(dǎo)入等工作；基于12寸IGBT平臺(tái)，公司在M3i的基礎(chǔ)上開始微溝槽M4i750V和M6i1200V的研發(fā)，預(yù)計(jì)將在2022年底完成技術(shù)驗(yàn)證；2022H1公司首顆M7i1200VIGBT通過客戶驗(yàn)證并獲得小批量訂單，中大電流規(guī)格產(chǎn)品拓展正在進(jìn)行，預(yù)計(jì)2022H2陸續(xù)出樣，2023年全面推向市場(chǎng)；車用820A/750V模塊產(chǎn)品已獲得客戶驗(yàn)證并開始批量交付；車用400A/750V定制型模塊產(chǎn)品已獲得客戶認(rèn)證，且批量交付使用，整體性能及可靠性表現(xiàn)良好，預(yù)計(jì)2022H2可并入公司自動(dòng)化線進(jìn)行生產(chǎn)；

光伏逆變器用80A逆變模塊開發(fā)進(jìn)展順利，22H1大批量交付客戶安裝使用；

光伏用大功率模塊已立項(xiàng)研發(fā)，可實(shí)現(xiàn)800A/1200V電流電壓等級(jí)，預(yù)計(jì)2023年可實(shí)現(xiàn)批量交付。公司長(zhǎng)期處于功率電子行業(yè)高研發(fā)梯隊(duì)。縱觀A股上市功率半導(dǎo)體核心公司，近三年研發(fā)費(fèi)用率在2.2%~11.2%區(qū)間，宏微科技研發(fā)費(fèi)用率近年來均不低于6.7%，在整個(gè)行業(yè)中屬于較高范疇。我們認(rèn)為長(zhǎng)期的高強(qiáng)度研發(fā)投入一方面使得公司產(chǎn)品持續(xù)迭代，同時(shí)有利于提升公司對(duì)于IGBT模塊、SiC等新產(chǎn)品的研發(fā)速度。我們認(rèn)為前期的高強(qiáng)度研發(fā)投入將使得公司在未來發(fā)展更加順利。公司2022年6月發(fā)布了股權(quán)激勵(lì)，本次股權(quán)激勵(lì)涉及公司高管和公司核心技術(shù)人員在內(nèi)的130人，合計(jì)授予176.56萬股，占總股本約1.28%。本次股權(quán)激勵(lì)業(yè)績(jī)考核為2022~2024三個(gè)會(huì)計(jì)年度：

以2021年?duì)I業(yè)收入為基數(shù)，2022年?duì)I業(yè)收入增長(zhǎng)不低37%。以2021年?duì)I業(yè)收入為基數(shù)，2023年?duì)I業(yè)收入增長(zhǎng)不低于81%。以2021年?duì)I業(yè)收入為基數(shù)，2024年?duì)I業(yè)收入增長(zhǎng)不低172%。根據(jù)公司測(cè)算，首次授予的限制性股票數(shù)為141.25萬股，需攤銷的總費(fèi)用為5861.73萬元，其中2022/2023/2024/2025年分別需要攤銷

1694.6/2531.4/1236.3/339.5萬元。1.3、積極募資，車規(guī)產(chǎn)能規(guī)劃清晰公司于2022年9月26日召開董事會(huì)，審議通過了《關(guān)于投資建設(shè)車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體分立器件生產(chǎn)研發(fā)項(xiàng)目的議案》，同意投資6.00億元進(jìn)行車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體分立器件生產(chǎn)研發(fā)項(xiàng)目建設(shè)。預(yù)計(jì)建設(shè)周期3年。項(xiàng)目建成后，公司將形成年產(chǎn)車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體器件840萬塊的生產(chǎn)能力。2022年9月，宏微科技發(fā)布公告，計(jì)劃向不特定對(duì)象發(fā)行可轉(zhuǎn)換公司債券擬募集資金總額不超過4.50億元。募集資金投資項(xiàng)目為“車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體分立器件生產(chǎn)研發(fā)項(xiàng)目

（一期）”，項(xiàng)目選址位于江蘇省常州市新北區(qū)新竹路5號(hào)，項(xiàng)目計(jì)劃總投資5.07億元，本項(xiàng)目建成后，將形成年產(chǎn)車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體器件240萬塊的生產(chǎn)能力，助力公司深化主營(yíng)業(yè)務(wù)發(fā)展，顯著提升收入規(guī)模和盈利水平，強(qiáng)化公司市場(chǎng)地位，從而保持市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。二、功率電子：新領(lǐng)域、大機(jī)遇2.1、IGBT：核心領(lǐng)域持續(xù)加速功率器件通常也稱為電力電子器件，是電力電子電路中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電壓和頻率，或?qū)⒅绷鬓D(zhuǎn)換為交流、交流轉(zhuǎn)換為直流等的電力轉(zhuǎn)換。功率半導(dǎo)體的目的是使電能更高效、更節(jié)能、更環(huán)保并給使用者提供更多方便，應(yīng)用于一般工業(yè)、交通運(yùn)輸、通信系統(tǒng)、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、新能源系統(tǒng)，以及照明、家用電器、個(gè)人電腦、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。廣義上講功率半導(dǎo)體分為功率（分立）器件和功率集成電路（PowerIntegratedCircuit，PIC）。分立器件指采用特殊的半導(dǎo)體制備工藝，實(shí)現(xiàn)特定單一功能的半導(dǎo)體器件，且該功能往往無法在集成電路中實(shí)現(xiàn)或在集成電路中實(shí)現(xiàn)難度較大、成本較高，功率器件為分立器件中的重要組成部分主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MOSFET、IGBT等?？v觀功率器件領(lǐng)域過去近70年的發(fā)展史，從上世紀(jì)80年代以前以半控型晶閘管為核心器件的傳統(tǒng)電力電子時(shí)代（第一代電力電子技術(shù)），到80年代后以MOSFET、IGBT等全控型功率器件為核心的現(xiàn)代電力電子時(shí)代（第二代電力電子技術(shù)），功率器件的發(fā)明和迭代驅(qū)動(dòng)著電力電子技術(shù)不斷進(jìn)步。MOSFET（MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor）中文名稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，即利用金屬層（M）的柵極隔著氧化物（O）利用電場(chǎng)的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）即絕緣柵雙極型晶體管，性能優(yōu)良，應(yīng)用廣泛，被稱為電子行業(yè)里的“CPU”。IGBT是由BJT和MOSFET組成的復(fù)合功率半導(dǎo)體器件，因此它既具備MOSFET開關(guān)速度高、輸入阻抗高、控制功率小、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、開關(guān)損耗小的優(yōu)點(diǎn)，又有BJT導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點(diǎn)，簡(jiǎn)言之IGBT在高壓、大電流、高速等方面是其他功率器件所不能比擬的。采用IGBT進(jìn)行功率變換，能夠提高用電效率和質(zhì)量、高效節(jié)能、綠色環(huán)保，因而是電力、電子領(lǐng)域較為理想的開關(guān)器件，IGBT主要被用于焊機(jī)、逆變器、變頻器、電鍍電解電源、超音頻感應(yīng)加熱等領(lǐng)域，小到家電，大到飛機(jī)、艦船、交通、電網(wǎng)等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)都會(huì)用到IGBT。IGBT常見的形式是模塊，可顯著提升高壓高電流能力。在IGBT應(yīng)用中最常見的形式是模塊（Module）。模塊是多個(gè)芯片以絕緣方式組裝到金屬基板上，通過高壓硅脂或硅脂等絕緣材料封裝，IGBT模塊對(duì)內(nèi)部的芯片的一致性要求較高。模塊通過多個(gè)IGBT芯片并聯(lián)，電流規(guī)格和電壓一般會(huì)比IGBT單管高1-2個(gè)等級(jí)，多個(gè)IGBT芯片通過特定電路形式組合，可以減少外部電路連接的復(fù)雜性，同時(shí)在同一個(gè)金屬基板上，等于是在獨(dú)立的散熱器與IGBT芯片之間增加了一塊均熱板，工作更可靠。IGBT在發(fā)展過程中經(jīng)歷了多次技術(shù)突破。其發(fā)展歷程可總結(jié)為：第一代：IGBT為簡(jiǎn)單在MOSFET背面的漏電極增加了一個(gè)P+層，由于導(dǎo)通電阻和關(guān)斷功耗都比較高，所以沒有普及使用。第二代：PT-IGBT，即在P+與N-drift之間加入N+buffer層，其在600V以上有優(yōu)勢(shì)，但不適用于1200V。第三代：NPT-IGBT，不再采用外延生長(zhǎng)技術(shù)而是采用立子注入技術(shù)來生成P+集電極，技術(shù)比較成熟而且在穩(wěn)態(tài)損耗損耗關(guān)斷損耗間取得了很好的折中，被廣泛采用。第四代：Trench-IGBT，采用Trench結(jié)構(gòu)同時(shí)繼續(xù)沿用第三代的P+集電極技術(shù)，使得其導(dǎo)通電阻變小且具有高耐壓能力。第五代FS-IGBT、第六代FS-Trench是經(jīng)歷了上述四次技術(shù)改進(jìn)實(shí)踐后對(duì)各種技術(shù)措施的重新組合，其中第五代是第四代產(chǎn)品“透明集電區(qū)技術(shù)”與“電場(chǎng)中止技術(shù)”的組合，第六代產(chǎn)品是在第五代基礎(chǔ)上改進(jìn)了溝槽柵結(jié)構(gòu)。目前IGBT產(chǎn)品迭代至第七代，芯片面積相較于第一代產(chǎn)品有了大幅的縮小，工藝線寬也由5微米減低至0.3微米。IGBT為新能源車的關(guān)鍵配件。IGBT被行業(yè)稱為新能源汽車的CPU，是新能源汽車的核心，直接控制了驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)直流、交流電的轉(zhuǎn)換，決定了系能源汽車最大輸出功率和扭矩等核心數(shù)據(jù)。在新能源汽車中，IGBT模塊單車價(jià)值量高。根據(jù)OFweek數(shù)據(jù)，在整個(gè)新能源汽車自造過程中，電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)占全車制造成本15~20%，而其中IGBT占電機(jī)成本的約50%，則可以算出IGBT占整車成本7~10%。根據(jù)新浪汽車數(shù)據(jù)，在特斯拉的雙電機(jī)全驅(qū)動(dòng)版車型ModelX中，使用了132個(gè)IGBT管：其中前電機(jī)有36個(gè)，后電機(jī)有96個(gè)，價(jià)值大約在650美金。IGBT在光伏等新能源領(lǐng)域也有快速發(fā)展，在智能電網(wǎng)領(lǐng)域也被廣泛應(yīng)用。近年來以風(fēng)能、太陽能等為代表的新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速。風(fēng)能、太陽能發(fā)電產(chǎn)生的電力要經(jīng)過逆變器才能并網(wǎng)使用，IGBT模塊是逆變器的核心電子元器件，因此，未來新能源領(lǐng)域的快速發(fā)展將會(huì)推動(dòng)IGBT行業(yè)的快速發(fā)展。同時(shí)IGBT廣泛應(yīng)用于智能電網(wǎng)的發(fā)電端、輸電端、變電端及用電端：從發(fā)電端來看，風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電中的整流器和逆變器都需要使用IGBT模塊。從輸電端來看，特高壓直流輸電中FACTS柔性輸電技術(shù)需要大量使用IGBT等功率器件。從變電端來看，IGBT是電力電子變壓器(PET)的關(guān)鍵器件。從用電端來看，家用白電、微波爐、LED照明驅(qū)動(dòng)等都對(duì)IGBT有大量的需求。多領(lǐng)域助力功率電子市場(chǎng)發(fā)展?？v觀功率半導(dǎo)體的發(fā)展，我們發(fā)現(xiàn)在不同的時(shí)間階段，具有不同的高增速應(yīng)用場(chǎng)景來支撐行業(yè)發(fā)展，根據(jù)Yole統(tǒng)計(jì)，1970~2000期間，工業(yè)制造領(lǐng)域發(fā)展迅速，同時(shí)也是功率電子的重要應(yīng)用場(chǎng)景；2000年之后，隨著手機(jī)、筆記本電腦的普及以及升級(jí)，消費(fèi)電子領(lǐng)域引領(lǐng)功率電子繼續(xù)發(fā)展；2010年之后，光伏產(chǎn)業(yè)隨著裝機(jī)量的提升從而對(duì)于功率電子帶動(dòng)顯著；2015年至今，隨著新能源汽車的不斷滲透，給功率電子市場(chǎng)持續(xù)注入動(dòng)力。同時(shí)根據(jù)Yole預(yù)測(cè)，未來隨著工業(yè)自動(dòng)化、5G通信技術(shù)普及以及新型通信技術(shù)的發(fā)展、光伏裝機(jī)量的持續(xù)提升以及新能源汽車的持續(xù)滲透，到2030年整個(gè)功率電子市場(chǎng)都或?qū)⒈３衷鲩L(zhǎng)態(tài)勢(shì)。全球功率電子市場(chǎng)穩(wěn)步提升。根據(jù)Yole統(tǒng)計(jì)，2020年由于外部環(huán)境因素對(duì)終端需求短期的影響，功率電子市場(chǎng)出現(xiàn)停滯，后續(xù)隨著相關(guān)因素的逐步緩解，2021年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到192.79億美元，同比上升9.5%。同時(shí)Yole預(yù)測(cè)，到2026年全球規(guī)模預(yù)計(jì)將達(dá)到262.74億美金，2020~2026年復(fù)合增速6.9%，但是如果將其中增速緩慢的老一代產(chǎn)品去除后，只考慮IGBT模塊、SiC/GaN等高增速器件，則整體復(fù)合增速將顯著提升。功率模塊產(chǎn)品增速較快。在功率器件中，模塊器件的增速將遠(yuǎn)高于行業(yè)增速，主要原因系模塊產(chǎn)品相較于單管的分器件而言，能夠?qū)崿F(xiàn)更可靠、高集成和高效率，在大電流和電壓的場(chǎng)景中優(yōu)勢(shì)尤為顯著，而未來增速較快的應(yīng)用領(lǐng)域，例如新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等領(lǐng)域均需要滿足大電流/電壓下的可靠性和高效性。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2021年全球功率模塊市場(chǎng)規(guī)模為60.21億美金，相較于2020年同比提升15.25%。預(yù)計(jì)到2026年全球功率模塊市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到97.49億美金，2020~2026年復(fù)合增速11.0%。根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，2020年全球IGBT市場(chǎng)規(guī)模約為54億美金，其中主要應(yīng)用場(chǎng)景及占比：

工業(yè)控制（31%）、家電（24%）、EV/HEV新能源汽車（9%）、軌道交通（6%）、光伏

（4%）、直流充電設(shè)備（1%）。根據(jù)Yole預(yù)測(cè)，到2026年全球IGBT規(guī)模將達(dá)到約84億美金，其中EV/HEV新能源汽車領(lǐng)域規(guī)模將達(dá)到17億美金，占比提升至20%，2020~2026年新能源汽車領(lǐng)域規(guī)模CAGR達(dá)到22.26%。全球功率電子市場(chǎng)長(zhǎng)期被海外公司占據(jù)。根據(jù)Omdia數(shù)據(jù)，2021年全球功率半導(dǎo)體前十大收入廠商大部分為海外企業(yè)，其中英飛凌收入48.69億美元位居世界第一，安森美與意法半導(dǎo)體位居TOP2-3，收入分別為20.51億美元、17.14億美元。2.2、SiC：行業(yè)高景氣度持續(xù)碳化硅電力電子市場(chǎng)規(guī)模有望在2027年達(dá)到63億美金，汽車占比79%。根據(jù)Yole2022最新報(bào)告，2021年碳化硅電力電子市場(chǎng)規(guī)模10.9億美金，隨著下游汽車、工業(yè)等領(lǐng)域的需求快速增長(zhǎng)，尤其是800V平臺(tái)架構(gòu)下快充對(duì)于碳化硅功率器件的需求，推動(dòng)碳化硅電力電子市場(chǎng)規(guī)模有望在2027年增長(zhǎng)至63.0億美金，2021-2027年復(fù)合增速達(dá)到34%。單車SiC價(jià)值量提升顯著，逆變器占90%。根據(jù)全球碳化硅龍頭Wolfspeed最新投資者日法說會(huì)，從燃油車到純電動(dòng)汽車，其動(dòng)力總成系統(tǒng)的單車半導(dǎo)體價(jià)值含量接近翻倍。未來隨著純電動(dòng)車滲透率的穩(wěn)步提升，以及充電樁設(shè)施的持續(xù)完善布局，公司預(yù)計(jì)2026年全球車用碳化硅滲透率將超過50%。車用碳化硅市場(chǎng)規(guī)模也有望從2022年的10.6億美金增長(zhǎng)至2027年的49.9億美金，而這其中約90%的價(jià)值量來源于逆變器，10%來源于OBC。襯底是SiCMOSFET成本占比最高的環(huán)節(jié)，襯底自供將顯著降低芯片成本。根據(jù)SystemPlusConsulting，以6英寸SiCMOSFET晶圓前道制造為例，其成本中44%來源于襯底，是占比最高的環(huán)節(jié)。對(duì)比海外主流廠商同等電壓級(jí)別，同Rfson的SiCMOSFET器件成本結(jié)構(gòu)，同樣可以看到襯底是占比最高的環(huán)節(jié)，此外值得注意的是，Wolfspeed的SiCMOSFET器件的每安培成本低于其他幾家廠商。根據(jù)PGCConsultancy，碳化硅行業(yè)中具備垂直整合能力的公司，其襯底自供將顯著降低成本。根據(jù)Yole，目前全球范圍內(nèi)，意法半導(dǎo)體、Wolfspeed、安森美和英飛凌科技等龍頭公司在近年分別宣布了其SiC的戰(zhàn)略規(guī)劃及目前成果：例如意法半導(dǎo)體的SiC模塊在特斯拉

Model3中已經(jīng)使用多年；英飛凌在2021年SiC器件業(yè)務(wù)實(shí)現(xiàn)126%的同比增長(zhǎng)；

Wolfspeed在法說會(huì)中表示，未來活動(dòng)中心將放在SiC業(yè)務(wù)中。從這些事例中不難看出，SiC或?qū)⒊蔀槲磥砝^IGBT后功率電子公司的又一重點(diǎn)發(fā)展領(lǐng)域。根據(jù)Yole統(tǒng)計(jì)，目前中國有超過50家企業(yè)已經(jīng)宣布以不同的方式以及戰(zhàn)略進(jìn)入SiC領(lǐng)域。三、技術(shù)實(shí)力+行業(yè)趨勢(shì)鑄就機(jī)遇3.1、技術(shù)積累深厚，研發(fā)加碼蓄力未來研發(fā)是公司保持技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)力的核心。公司是由一批長(zhǎng)期在國內(nèi)外從事電力電子產(chǎn)品研發(fā)和生產(chǎn)，具有多種專項(xiàng)技術(shù)的科技人員組建的國家重點(diǎn)高新技術(shù)企業(yè)。是國家高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化示范工程基地，國家IGBT和FRED標(biāo)準(zhǔn)起草單位；江蘇省博士后創(chuàng)新基地，江蘇省新型高頻電力半導(dǎo)體器件工程技術(shù)研究中心等。公司自成立以來一直高度重視研發(fā)投入，收獲了大量的成果并實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)化。截止2022H1，公司已有37項(xiàng)發(fā)明專利，93項(xiàng)實(shí)用新型專利?？茖W(xué)研究和技術(shù)合作在在推動(dòng)行業(yè)科技進(jìn)步的同時(shí)，也助力企業(yè)實(shí)現(xiàn)不斷發(fā)展。核心技術(shù)對(duì)標(biāo)行業(yè)龍頭：公司建立了健全的研發(fā)體系和研發(fā)管理制度，加強(qiáng)對(duì)研發(fā)組織管理和研發(fā)過程管理，不斷強(qiáng)化芯片設(shè)計(jì)、模塊封裝測(cè)試等工藝技術(shù)積累，在核心技術(shù)方面不斷突破，打造了自身在功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域和模塊封裝領(lǐng)域的核心能力，并形成了公司的主要核心技術(shù)。目前公司核心技術(shù)已與行業(yè)龍頭基本一致。創(chuàng)新機(jī)制提供源源活力：公司高度重視技術(shù)創(chuàng)新，堅(jiān)持以研發(fā)促進(jìn)公司發(fā)展，從研發(fā)管理機(jī)制、人才隊(duì)伍建設(shè)、技術(shù)交流與合作研發(fā)機(jī)制、知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)等方面促進(jìn)技術(shù)持續(xù)創(chuàng)新，保持核心技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。人才隊(duì)伍建設(shè)：堅(jiān)持人才培養(yǎng)與優(yōu)秀人才引進(jìn)并舉的策略，建立起了靈活有效的研發(fā)人才聘用機(jī)制，自主人才培養(yǎng)方面，公司重視將員工的個(gè)人成長(zhǎng)和企業(yè)發(fā)展緊密結(jié)合，通過擇優(yōu)的選拔機(jī)制來提拔優(yōu)秀人才；在人才引進(jìn)方面，公司積極通過各大院校、社會(huì)招聘等方式引進(jìn)國內(nèi)外優(yōu)秀的人才。技術(shù)交流機(jī)制：對(duì)內(nèi)，公司不定期舉辦各種技術(shù)交流和分享會(huì)；對(duì)外，公司積極安排相關(guān)研發(fā)人員不定期參加國內(nèi)外高水平的行業(yè)展會(huì)和學(xué)術(shù)交流會(huì)，并不定期邀請(qǐng)國內(nèi)外行業(yè)內(nèi)高級(jí)別專家對(duì)公司研發(fā)人員進(jìn)行培訓(xùn)與指導(dǎo)。知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)：公司對(duì)自身核心技術(shù)通過申請(qǐng)專利的方式進(jìn)行保護(hù)，同時(shí)通過使用保密軟件，并在研發(fā)工作中與員工簽訂保密協(xié)議和競(jìng)業(yè)禁止協(xié)議，設(shè)定研發(fā)文件保密等級(jí)限制接觸人員等方式對(duì)公司核心技術(shù)進(jìn)行保護(hù)。研發(fā)管理機(jī)制：為保障研發(fā)項(xiàng)目的順利進(jìn)行，公司建立了一系列的研發(fā)項(xiàng)目管理制度，同時(shí)通過ERP系統(tǒng)等先進(jìn)企業(yè)管理系統(tǒng)對(duì)項(xiàng)目進(jìn)行輔助管理。3.2、產(chǎn)品性能優(yōu)、品類全，新品接棒有望達(dá)到國際先進(jìn)水平產(chǎn)品類別全、迭代快，性能覆蓋業(yè)內(nèi)平均水準(zhǔn)。公司產(chǎn)品類別全面、性能先進(jìn)：目前，公司產(chǎn)品已涵蓋IGBT、FRED、MOSFET芯片及單管產(chǎn)品100余種，IGBT、FRED、MOSFET、整流二極管及晶閘管等模塊產(chǎn)品400余種.經(jīng)過公司多年持續(xù)的投入研發(fā)，公司產(chǎn)品性能與工藝技術(shù)水平處于行業(yè)先進(jìn)水平。產(chǎn)品迭代快速：目前在功率器件行業(yè)，國內(nèi)廠家技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)份額與國際巨頭均存在一定程度的差距，公司緊跟行業(yè)趨勢(shì)不斷加碼研發(fā)投入，進(jìn)行產(chǎn)品升級(jí)迭代，確保公司產(chǎn)品能始終保持較強(qiáng)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。IGBT產(chǎn)品-專注研發(fā)投入，性能比肩國際外龍頭性能指標(biāo)：公司一直專注于功率半導(dǎo)體芯片、單管和模塊研發(fā)及應(yīng)用，在IGBT芯片及模塊方面進(jìn)行了大量的深入的研究和開發(fā)，積累了豐富的設(shè)計(jì)和制造經(jīng)驗(yàn)。IGBT系列產(chǎn)品的性能主要由芯片性能決定，衡量IGBT芯片的核心性能指標(biāo)主要為電流密度、芯片損耗、擊穿耐壓、短路極限。綜上所述，公司的IGBT產(chǎn)品性能已基本實(shí)現(xiàn)對(duì)標(biāo)英飛凌各代主流IGBT產(chǎn)品。優(yōu)異的產(chǎn)品性能是實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代的核心，截止2022H1公司第七代IGBT產(chǎn)品第七代微溝槽IGBTM7i已完成芯片技術(shù)平臺(tái)的開發(fā)和驗(yàn)證，未來有望實(shí)現(xiàn)高端功率產(chǎn)品的進(jìn)口替代，進(jìn)一步優(yōu)化公司產(chǎn)品價(jià)格結(jié)構(gòu)。與國內(nèi)龍頭企業(yè)產(chǎn)品對(duì)比：

公司于2017年推出的宏微第三代IGBTM3i1200V50A與斯達(dá)半導(dǎo)的50A產(chǎn)品在擊穿耐壓、閾值電壓、短路極限等重要指標(biāo)方面基本相同，基于系統(tǒng)電磁兼容性考量，與行業(yè)內(nèi)公司英飛凌產(chǎn)品設(shè)計(jì)相似，公司產(chǎn)品有增加?xùn)艠O集成電阻，使得高溫開通損耗略高，公司產(chǎn)品與斯達(dá)半導(dǎo)產(chǎn)品性能不存在重大差異。3.3、“高景氣市場(chǎng)+優(yōu)質(zhì)客戶”持續(xù)增添成長(zhǎng)動(dòng)力市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)：公司功率產(chǎn)品目前覆蓋工業(yè)控制、光伏、新能源汽車等高景氣度下游領(lǐng)域。預(yù)計(jì)未來工業(yè)控制、光伏、新能源汽車等領(lǐng)域行業(yè)景氣度繼續(xù)維持，公司有望乘行業(yè)東風(fēng)步入高速發(fā)展階段。除了IGBT器件得到了廣泛的應(yīng)用和拓展，SiC器件由于高轉(zhuǎn)換效率、高開關(guān)頻率、高應(yīng)用結(jié)溫等自身優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)，也越來越多地得到了認(rèn)可和應(yīng)用。據(jù)公告，公司在SiC芯片和封裝方面也進(jìn)行了布局，相關(guān)SiC模塊已經(jīng)批量應(yīng)用于新能源

行業(yè)。工業(yè)控制：根據(jù)《2021年中國工業(yè)自動(dòng)化市場(chǎng)白皮書》數(shù)據(jù)，2022年中國自動(dòng)化整體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到2816億元，同比增長(zhǎng)11.3%左右。我們認(rèn)為隨著工廠智能化、機(jī)器換人、高端制造等行業(yè)需求的愈發(fā)突出，工業(yè)控制領(lǐng)域未來或?qū)⒕S持較好發(fā)展。光伏：全球碳中和推動(dòng)光伏高景氣，平價(jià)上網(wǎng)奠定中國光伏良性發(fā)展基調(diào)。2018年起，美國、歐盟、中國等主要經(jīng)濟(jì)體陸續(xù)出臺(tái)減碳政策，全球光伏行業(yè)受益高景氣度運(yùn)行。據(jù)BNEF數(shù)據(jù)，2021年全球年度新增光伏裝機(jī)量183GW，2018-2021年度新增裝機(jī)量CAGR+19.22%，預(yù)計(jì)2030年光伏新增裝機(jī)量334GW，2021-2030CAGR+6.91%，增長(zhǎng)空間廣闊。中國光伏行業(yè)經(jīng)歷多輪電價(jià)調(diào)整，2015-2017年搶裝熱后行業(yè)降溫，2021年開啟平價(jià)上網(wǎng)時(shí)代，對(duì)行業(yè)長(zhǎng)期良性發(fā)展意義重大。根據(jù)國家能源局?jǐn)?shù)據(jù)，2021年全國年度新增光伏裝機(jī)量54.88GW，同比