實(shí)驗(yàn)二電路元器件的認(rèn)識(shí)和測(cè)量edit

實(shí)驗(yàn)二電路元器件的認(rèn)識(shí)和測(cè)量R。電阻的種類(lèi)繁多，在電路中起著限流、降60%碳膜電阻是用設(shè)備使氣態(tài)碳?xì)浠衔镌诟邷?、真空環(huán)境中分解；分解出的碳均勻金屬膜電阻采用設(shè)備以高溫加熱合金，使其蒸發(fā)并附著于陶瓷圓柱體或陶瓷管的普通線(xiàn)繞電阻是一種精度較低、其應(yīng)有無(wú)特指技術(shù)要求的線(xiàn)繞電阻、普通線(xiàn)繞電阻由電阻是一種新型雙功能元件，它既有普通電阻的限流特性，也有絲的熔斷功額定值時(shí)會(huì)快速熔斷。可恢復(fù)型電阻當(dāng)其通過(guò)電流驟然增大時(shí)，自身溫度隨之上升，保護(hù)。若電流持續(xù)過(guò)大，則對(duì)電路實(shí)現(xiàn)持續(xù)保護(hù)；若電流恢復(fù)正常，則該電阻的阻值PN敏電阻、多晶硅電阻和晶體管電阻（MOS電阻）等。這些電阻的具體特點(diǎn)、等本講義通用電阻器：功率：0.1~1W10Ω~10MΩ，工作電壓意義意義RT碳膜1普通用數(shù)字1、2…表示，對(duì)主性能指標(biāo)稍有標(biāo)的差別影響同序號(hào)加以區(qū)WP2普通U3頻H4高阻I5高溫J6高溫Y7精密S8高壓或特殊函數(shù)N9特殊X線(xiàn)繞GR熱敏T可調(diào)G光敏X小型M壓敏LCW穩(wěn)壓DJ精密2：電阻器、電位器的標(biāo)稱(chēng)阻值系列Ⅰ Ⅱ Ⅲ 差范圍，它標(biāo)志著電阻器、電位器的阻值精度。表3為精度等級(jí)與容許誤差關(guān)系。01ⅠⅡⅢ 如表4所示。類(lèi)額定功率系列1/20、1/8、1/4、1/5、75、8、10、、、、、 、0、源分成2類(lèi)：熱噪聲和過(guò)剩噪聲。I：熱噪聲：電阻在通電運(yùn)行時(shí)會(huì)出現(xiàn)熱效應(yīng)，當(dāng)溫度升高時(shí)，電流中的點(diǎn)傳導(dǎo)載流子Utut由阻值、溫度II在運(yùn)行中還會(huì)產(chǎn)生過(guò)剩噪聲。過(guò)剩噪聲來(lái)自?xún)蓚€(gè)方面，1是因?yàn)殡娮璞∧げ⒉唤^對(duì)均勻；2化。這2個(gè)原因共同對(duì)電生調(diào)制作用，產(chǎn)生過(guò)剩噪聲；該噪聲由阻值、流過(guò)電路的電流0.5W5。顏色ABCD黑00棕11紅224橙33黃44綠55蘭66紫77灰88白99 金銀ABCD紅紅棕金ABCDE棕黑綠棕棕四環(huán)色標(biāo)電阻器：A、B兩環(huán)為有效數(shù)字，ABCD紅紅棕金ABCDE棕黑綠棕棕 圖 色環(huán)電阻示意條件下，可用多種儀器進(jìn)量，也可采用電流表、電壓表或比較法。儀器的測(cè)量誤差對(duì)單個(gè)的通用電阻器（不在電），一般可采用萬(wàn)用表進(jìn)量。若采用機(jī)械表量時(shí)，不能雙手接觸電阻引線(xiàn)，防止電阻與被測(cè)電阻并聯(lián)。若采用數(shù)字式萬(wàn)用表，若對(duì)焊接在電路板上的電阻元件進(jìn)行阻值測(cè)量，則需要根據(jù)電路板上電阻網(wǎng)絡(luò)的串聯(lián)、并聯(lián)和混連等不同連接方式，事先計(jì)算該網(wǎng)絡(luò)的等效阻值后進(jìn)量，若測(cè)量值和功率大1倍以上。使用電阻器時(shí)，除了過(guò)額定功率，防止受熱損壞外，還應(yīng)注意（二）驅(qū)動(dòng)調(diào)節(jié)；后部設(shè)置有接地鐵制蓋；蓋一方面起到密封作用，另一方面對(duì)竄入的干擾起到靜電與磁的作用。（線(xiàn)繞）WX：100Ω~100KΩ，BWH：470Ω~4.7MΩ，BWY：10Ω~100KΩ，根據(jù)結(jié)構(gòu)不同，可分單圈（360o）、多圈（α40×360o）電

225.1-4700pf6800pF。瓷介電容有如下顯著好，可靠性高、Q3 材料（用字母表示，以區(qū)別產(chǎn)品的介質(zhì)材料，表6） 意意意意CJCLZ注：*表示除聚苯乙烯外的其他非極性有機(jī)薄膜介質(zhì)材料時(shí)，應(yīng)在“B”后再加一字母，**除滌綸薄膜介質(zhì)材料僅用“L”表示外，其他極性有機(jī)薄膜材料應(yīng)在“L”后面再 123456789無(wú)引線(xiàn)（LL）電容：薄、厚膜圓柱形、磚塊形LL電容等；Ⅰ Ⅱ Ⅲ D %S=–20Z=–201.6、4、6.、、、、*、40、50*、 、、、00、、、、00、100000。化而變化：環(huán)境溫度越高，漏電流越大；一般高溫漏電流要比低溫漏電流大5-10倍。 1/31/2左右。部分常用電容器的最高工作頻率為：如小、中型云母電容為：150~250MHz、75~100MHz；小、中型圓片形瓷介2000~3000MHz、200~300MHz150~200MHz、50~MHz、1~1.5MHz。1p2表示1.2p，33n表示0.033μF；不標(biāo)單位，直接用數(shù)碼表示容量，如：47004700pF0.0680.068μF。用10000pF；若第三位為910-1，如：33933×10-1=3.3pF。紅，兩個(gè)橙色就標(biāo)為一道寬的色標(biāo)，表示3300pF。若電容器的額定工作電壓低于電路中的實(shí)際電壓，電容器會(huì)發(fā)生擊穿損壞。一般應(yīng)高于125%~%極性接錯(cuò)，否則會(huì)損壞甚至?xí)械摹?、檢波二極管以整流電流的大小（100mA）作為界線(xiàn)通常把輸出電流小于100mA的幅、削波、調(diào)制、混頻、開(kāi)關(guān)等電路。也有為調(diào)頻檢波的特性一致性好的兩只二極管2從輸入交流中得到輸出的直流是整流。以整流電流的大?。?00mA）100mAKHz，最高反向253000A～X222CZ型、②3、限幅二極管大多數(shù)二極管能作為限幅使用。也有象保護(hù)儀表用和高頻管那樣的限幅二極管。為了使這些二極管具有特別強(qiáng)的限制振幅的作用，通常使用硅材4、調(diào)制二極管通常指的是環(huán)形調(diào)制的二極管。就是正向特性一致性好的四個(gè)二5、混頻二極管使用二極管混頻方式時(shí)，在500～10,000Hz的頻率范圍內(nèi)，多采用型和點(diǎn)接觸型二極管。6、放大二極管用二極管放大，大致有依靠隧道二極管和體效應(yīng)二極管那樣的負(fù)7、開(kāi)關(guān)二極管有在小電流下（10mA程度）使用的邏輯運(yùn)算和在數(shù)百毫安下使開(kāi)關(guān)電路用；2CK 壓VR變化，取代可變電容，用作調(diào)諧回路、振蕩電路、鎖相環(huán)路，常用于電視機(jī) 200mW100W以上的產(chǎn)品。工作在反向擊穿狀態(tài)，硅材料制作，動(dòng)11、PIN型二極管（PINDiode）PN區(qū)之間夾一層本征半導(dǎo)體（或低濃12(AvalancheDiode)由這些簡(jiǎn)并態(tài)半導(dǎo)體的量子力學(xué)效應(yīng)所產(chǎn)生。發(fā)生隧道效應(yīng)具備如下三個(gè)條件：①能級(jí)位于導(dǎo)帶和滿(mǎn)帶內(nèi)；②空間電荷層寬度必須很窄（0.01微米以下）；P型區(qū)和N型區(qū)中的空穴和電子在同一能級(jí)上有交疊的可能性。二極管為雙端子有源器件。其主要參數(shù)有峰谷電流比（IP/PV），其中，下標(biāo)"P"代表"峰"；而下標(biāo)"V"代表"谷"。14、快速關(guān)斷（階躍恢復(fù)）二極管(StepRecovaryDiode)PN結(jié)1、二極管（okyaro）它是具有特性的金屬半導(dǎo)體結(jié)"的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等N的N結(jié)大得多。由于二極管中少數(shù)載流RC時(shí)間常數(shù)限制，因而，它是高頻和快速開(kāi)關(guān)的理想器件。其工作頻率可達(dá)10z。并且，MI（金屬－絕緣體－半導(dǎo)體）二極管可以用來(lái)制作能電池或發(fā)光二極管。PN結(jié)構(gòu)造面的特點(diǎn)，把晶外延型二極管、二極管。圖 二極管的不同形用漢語(yǔ)拼音字母表示器件的材料2P普通管穩(wěn)壓管整流管隧道管VPWCZLPSN3PNPUKNPNXAPNPNPN型硅DGBJTY 1、最大整流電流是指二極管長(zhǎng)期連續(xù)工作時(shí)允許通過(guò)的最大正向電流值，其值2、最高反向工作電壓加在二極管兩端的反向電壓高到一定值時(shí)，會(huì)將管子擊穿，失去單向?qū)щ娔芰?。為了保證使用安全，規(guī)定了最高反向工作電壓值。例如，IN4001管反向耐壓為50V，IN4007反向耐壓為1000V。3、反向電流 反向電流是指二極管在規(guī)定的溫度和最高反向電壓作用下，流過(guò)二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶?。值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關(guān)系，大約溫度每升高10℃，向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二管，在25℃時(shí)向電流若為250uA溫升高到5反向電流將上升到500uA依此推，在75℃時(shí)它的反向電流已達(dá)8m，不僅失去了單方向?qū)щ娞匦裕€會(huì)使管子過(guò)熱而損壞又如2P10型硅管25反向電流僅為5u度升高到75時(shí)反向電流也不過(guò)160u。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩(wěn)定性。動(dòng)態(tài)電阻Rd 2.8V的開(kāi)路電壓（紅表筆正、黑表筆負(fù)）PN1mA電左右）PN結(jié)反偏時(shí)，反向電流極小，PN2.8V，表頭顯示“1”共基極小信號(hào)電流放大系數(shù)（α）：0.9~共射極小信號(hào)交流放大系數(shù)（hfe）：10共射極小信號(hào)直流放大系數(shù)（hFE、β）：10集電極—基極反向截止電流（ICBO）：鍺管為幾十μA，硅管為幾μA=發(fā)射極—基極反向擊穿電壓（V（BR）EBO）V~幾十V集電極最大允許電流（ICM）：低頻小功率鍺、硅管：10~500mA100，高頻管>降（700mV300mV左右），而黑表筆接該管腳，紅表反之，若測(cè)量顯示以上述相反，則該管為PNP，該管腳同樣為b極。fT≥3×工作頻率、PCMβ40~100、ICEO選擇小的、V（BR）CEO≥2×電源電壓。替換時(shí)應(yīng)根據(jù)手冊(cè)參數(shù)選擇相近或超出。導(dǎo)體上，代替了分立元件，集成電路具有體積小、重量輕、功耗低、性能好、可靠②厚膜集成電路：在陶瓷等絕緣基片上，用厚膜工藝制作厚膜無(wú)源網(wǎng)絡(luò)，而后裝接二極管、三極管或半導(dǎo)體集成電路，構(gòu)成具有特定功能的電路。③半導(dǎo)體集成電路：用平面工藝在半導(dǎo)體晶片上制成的電路。根據(jù)采用的晶體管不同P溝道、PMOSMOSCMOS集成電1010~10010~100100~1000100~1000100010000①數(shù)字集成電路：能夠傳輸“0”和“1”兩種狀態(tài)信息并能進(jìn)行邏輯、算術(shù)運(yùn)算和存TTL54××、74××、74LS××等系列，CMOS電路有、、HC××系列。0準(zhǔn)用數(shù)字Cμ器集成電路封裝不僅起到集成電路內(nèi)鍵合點(diǎn)與外部進(jìn)行電氣連接的作用，也為集成電路提供了一個(gè)穩(wěn)定可靠的工作環(huán)境，對(duì)集成電路起到機(jī)械或環(huán)境保護(hù)的作用，從而集成電路能夠發(fā)揮正常的功能，其具有高穩(wěn)定性和可靠性?？傊?，隨著微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)器件和片上（lab-on-chip）器件的不斷發(fā)展，封裝起到了的作用：如限制與外界的接觸、滿(mǎn)足壓差的要求以及滿(mǎn)足化學(xué)和大氣環(huán)境的要求。人們還日注并積極投身于光電子封裝的研究，以滿(mǎn)足這一重要領(lǐng)域不斷發(fā)展的要求。最近幾年人們對(duì)IC封裝的重要性和不斷增加的功能的看法發(fā)生了很大的轉(zhuǎn)變，ICIC本講義涉及的集成塊，都是雙列直插式（DIP）封裝(dualin-linepackage)。雙10.16mm的封裝分別稱(chēng)為skinnyDIP和slimDIP(窄體型DIP分，只簡(jiǎn)單地統(tǒng)稱(chēng)為DIP。另外，用低玻璃密封的陶瓷DIP也稱(chēng)為cerdip。正面是插孔，其插孔內(nèi)部是通過(guò)金屬卡簧相連的。上圖中的圖，粗直線(xiàn)表示插孔下卡簧的分布情況；通過(guò)卡簧連在一起的插孔，是物理上的。使用面包板時(shí)候，插孔之間的物理情況一定要了然于胸，以避免不必要的錯(cuò)誤。上圖中第一塊橫向相連的小板，用于 1 1 151/4W；標(biāo)稱(chēng)阻值欄填寫(xiě)按照色環(huán)讀出的電阻值，單位用最