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文檔簡(jiǎn)介

微電子科學(xué)與工程介紹第一頁(yè),共十七頁(yè),編輯于2023年,星期二介紹要點(diǎn)1.經(jīng)典著作2.高校院系3.行業(yè)資源4.科學(xué)網(wǎng)站5.行業(yè)牛人6.總結(jié)第二頁(yè),共十七頁(yè),編輯于2023年,星期二微電子的經(jīng)典書(shū)籍

信息來(lái)源:百度

關(guān)鍵字:微電子經(jīng)典書(shū)籍

模擬CMOS集成電路設(shè)計(jì)作者:畢查德·拉扎維

半導(dǎo)體制造技術(shù)作者:MichaelQuirk/JulianSerda

晶體管原理與設(shè)計(jì)作者:陳星弼

模擬電路版圖的藝術(shù)作者:黑斯廷斯半導(dǎo)體制造技術(shù)作者:MichaelQuirk/JulianSerda

模擬集成電路的分析與設(shè)計(jì)作者:PaulR.Gay

第三頁(yè),共十七頁(yè),編輯于2023年,星期二第四頁(yè),共十七頁(yè),編輯于2023年,星期二信息來(lái)源:豆瓣網(wǎng)第五頁(yè),共十七頁(yè),編輯于2023年,星期二期刊:《微電子學(xué)》

《微電子學(xué)》是由中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二十四研究所主辦,并向國(guó)內(nèi)外公開(kāi)發(fā)行的科學(xué)技術(shù)刊物。國(guó)內(nèi)統(tǒng)一連續(xù)出版物號(hào):CN50-1090/TN;國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)連續(xù)出版物號(hào):ISSN1004-3365;國(guó)際刊名代碼(CODEN):WEIDFK;雙月刊,A4幅面,128頁(yè),每逢雙月20日出版。

《微電子學(xué)》創(chuàng)刊于1971年。她經(jīng)歷了中國(guó)微電子事業(yè)從無(wú)到有的創(chuàng)業(yè)歷程,目睹了微電子科研戰(zhàn)線上無(wú)數(shù)次沖鋒陷陣;她肩負(fù)著傳播微電子科學(xué)技術(shù)知識(shí)的重任,記載著微電子科研工作者辛勤的耕耘和豐碩的收獲。多年來(lái),《微電子學(xué)》為推動(dòng)和促進(jìn)我國(guó)微電子事業(yè)的發(fā)展做出了應(yīng)有的貢獻(xiàn)。在廣大讀者和作者的熱心支持和辛勤澆灌下,《微電子學(xué)》已獲得巨大的社會(huì)效益,成為廣大工程技術(shù)人員的良師益友,深受廣大讀者的喜愛(ài),在半導(dǎo)體、微電子學(xué)界和業(yè)界贏得了很高的聲譽(yù)?!段㈦娮訉W(xué)》是中國(guó)權(quán)威期刊檢索工具書(shū)《中文核心期刊要目總覽》評(píng)定的無(wú)線電電子學(xué)、電信技術(shù)類“中文核心期刊”和《中國(guó)科技論文統(tǒng)計(jì)與分析》引用期刊,即“中文科技核心期刊”;《微電子學(xué)》是首批入選“中國(guó)期刊方陣”的“雙效期刊”,曾多次榮獲電子工業(yè)部、信息產(chǎn)業(yè)部、工業(yè)和信息化部“編輯質(zhì)量獎(jiǎng)”、“優(yōu)秀電子科技期刊獎(jiǎng)”、“電子科技期刊報(bào)道選題獎(jiǎng)”、“期刊學(xué)術(shù)技術(shù)水平優(yōu)秀獎(jiǎng)”等榮譽(yù)?!段㈦娮訉W(xué)》已被多家國(guó)內(nèi)外知名數(shù)據(jù)庫(kù)收錄,其中包括英國(guó)INSPEC數(shù)據(jù)庫(kù)、俄羅斯《文摘雜志》(РЖ)數(shù)據(jù)庫(kù),和中國(guó)學(xué)術(shù)期刊綜合評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)庫(kù)、中國(guó)科學(xué)引文數(shù)據(jù)庫(kù)、中文核心期刊(遴選)數(shù)據(jù)庫(kù)、中國(guó)知網(wǎng)-中國(guó)期刊網(wǎng)、萬(wàn)方數(shù)據(jù)-數(shù)字化期刊群、維普資訊-中文科技期刊數(shù)據(jù)庫(kù),以及《電子科技文摘》、《中國(guó)無(wú)線電電子學(xué)文摘》等重要檢索文獻(xiàn)。信息來(lái)源:百度關(guān)鍵字:微電子的期刊編輯出版:微電子學(xué)雜志編輯部

主辦:中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二十四研究所

出版周期:雙月刊出版地:重慶市

語(yǔ)種:中文ISSN:1004-3365第六頁(yè),共十七頁(yè),編輯于2023年,星期二中國(guó)知名論文

來(lái)源于百度,搜索內(nèi)容為:中國(guó)微電子知名論文微電子學(xué)研究院的5篇論文被微機(jī)電系統(tǒng)領(lǐng)域頂級(jí)國(guó)際會(huì)議——IEEE第26屆微機(jī)電系統(tǒng)國(guó)際會(huì)議(IEEE

MEMS

2013)錄用。其中,有兩篇來(lái)自于張海霞教授研究團(tuán)隊(duì),一篇由吳文剛教授指導(dǎo)的碩士研究生完成。值得一提的是,另有兩篇論文是2009級(jí)本科生常一陽(yáng)、歐陽(yáng)偉作為第一作者完成,分別由張錦文副教授和王瑋副教授指導(dǎo)的。這是微電子學(xué)研究院首次由本科生作為第一作者在IEEEMEMS會(huì)議上發(fā)表論文。IEEEMEMS會(huì)議是MEMS領(lǐng)域的國(guó)際頂級(jí)會(huì)議。第26屆會(huì)議將于2013年1月20—24日在臺(tái)北舉行,最終錄用311篇高水平論文(論文錄用率為40%)。

第七頁(yè),共十七頁(yè),編輯于2023年,星期二中國(guó)高校情況

(百度知道)211院校:

排名學(xué)校名稱等級(jí)排名學(xué)校名稱等級(jí)排名學(xué)校名稱等級(jí)1北京大學(xué)A+6東南大學(xué)A11浙江大學(xué)A2西安電子科技大學(xué)A+7西安交通大學(xué)A12吉林大學(xué)A3清華大學(xué)A+8電子科技大學(xué)A13天津大學(xué)A4復(fù)旦大學(xué)A9南京大學(xué)A

5哈爾濱工業(yè)大學(xué)A10華中科技大學(xué)A

B+等(21個(gè)):上海交通大學(xué)、合肥工業(yè)大學(xué)、北京工業(yè)大學(xué)、華南理工大學(xué)、華南師范大學(xué)、河北工業(yè)大學(xué)、山東大學(xué)、南開(kāi)大學(xué)、北京理工大學(xué)、大連理工大學(xué)、西北工業(yè)大學(xué)、中山大學(xué)、北京郵電大學(xué)、上海大學(xué)、西安理工大學(xué)、華東師范大學(xué)、蘭州大學(xué)、貴州大學(xué)、武漢大學(xué)、廈門(mén)大學(xué)、北京航空航天大學(xué)B等(21個(gè)):湖南大學(xué)、南京理工大學(xué)、黑龍江大學(xué)、北京交通大學(xué)、西北大學(xué)、同濟(jì)大學(xué)、杭州電子科技大學(xué)、四川大學(xué)、中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)、山東師范大學(xué)、揚(yáng)州大學(xué)、湘潭大學(xué)、重慶郵電大學(xué)、河北大學(xué)、重慶大學(xué)、江南大學(xué)、福州大學(xué)、廣東工業(yè)大學(xué)、蘇州大學(xué)、長(zhǎng)春理工大學(xué)、哈爾濱理工大學(xué)C等(14個(gè)):名單略安大大概排三四十名第八頁(yè),共十七頁(yè),編輯于2023年,星期二源于百度,檢索結(jié)果2009年安大微電子培養(yǎng)方案培養(yǎng)目標(biāo):本專業(yè)培養(yǎng)具有微電子學(xué)、電子技術(shù)、信息系統(tǒng)知識(shí)的高級(jí)工程技術(shù)人才。畢業(yè)后能從事VLSI設(shè)計(jì)、微電子器件與工藝、電子線路設(shè)計(jì)、計(jì)算機(jī)應(yīng)用方面的工作。主要課程:半導(dǎo)體物理、半導(dǎo)體器件物理、集成電路設(shè)計(jì)原理、信號(hào)與系統(tǒng)、電子線路、通信原理、電磁場(chǎng)與微波技術(shù)、數(shù)字信號(hào)處理、數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、微機(jī)原理及應(yīng)用等。就業(yè)去向:國(guó)家機(jī)關(guān)、大中專院校、科研院所、集成電路設(shè)計(jì)、微電子器件制造、電子、通信以及與電子信息技術(shù)相關(guān)的企事業(yè)單位。授予學(xué)位:工學(xué)學(xué)士。安大微電子培養(yǎng)方案第九頁(yè),共十七頁(yè),編輯于2023年,星期二行業(yè)資源

信息來(lái)源百度博客隨著第三次工業(yè)革命的興起,硅作為一種新材料引起世人的重視,微電子作為一個(gè)獨(dú)立的專業(yè)逐漸從物理學(xué)中分離出來(lái)。第三次工業(yè)革命起源于美國(guó),因此,微電子專業(yè)也首先從美國(guó)興起。在現(xiàn)在知識(shí)經(jīng)濟(jì)時(shí)代,信息技術(shù)是基礎(chǔ)和支柱,而微電子技術(shù)又是信息技術(shù)的基礎(chǔ)和支柱,因此微電子引起世界各國(guó)的高度重視,都積極發(fā)展微電子專業(yè)教育,為微電子工業(yè)培養(yǎng)研究開(kāi)發(fā)人才。

美國(guó)對(duì)微電子專業(yè)的教育是相當(dāng)重視的,在美國(guó)的“麻省理工大學(xué)”、“斯坦福大學(xué)”等世界知名大學(xué)都設(shè)有微電子專業(yè),并視為國(guó)家重點(diǎn)學(xué)科。美國(guó)的微電子研究所遍布美國(guó)大部分高校,并且對(duì)微電子研究的投資是相當(dāng)巨大的。

微電子學(xué)在我國(guó)起步較晚,在五六十年代,作為半導(dǎo)體物理專業(yè)研究。隨著改革開(kāi)放,我國(guó)現(xiàn)代化建設(shè)對(duì)微電子人才需求迫切,微電子專業(yè)逐漸發(fā)展并普及起來(lái)?,F(xiàn)在,北京大學(xué)、清華大學(xué)、南開(kāi)大學(xué)、西安交通大學(xué)等大部分重點(diǎn)院校都設(shè)有微電子專業(yè)。第十頁(yè),共十七頁(yè),編輯于2023年,星期二李志堅(jiān)同志是我國(guó)微電子的先驅(qū),現(xiàn)任北京大學(xué)微電子研究所所長(zhǎng),中科院院士,主要從事微電子新工藝新器件新結(jié)構(gòu)集成電路、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)等方面的研究,已經(jīng)出版著作5部,發(fā)表學(xué)術(shù)論文150余篇,獲得國(guó)家發(fā)明獎(jiǎng)、教育部科技進(jìn)步獎(jiǎng)等13項(xiàng)國(guó)家和部委級(jí)獎(jiǎng)勵(lì)。劉訓(xùn)春同志作為中科院微電子中心課題負(fù)責(zé)人,曾長(zhǎng)期從事硅雙極高速集成電路的研究。研制成功當(dāng)時(shí)在國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的肖特基TTL和ECL等電路及等平面隔離等技術(shù)。近幾年來(lái),從事CaAs器件的研究。首次報(bào)導(dǎo)了在高溫退火時(shí)砷蒸汽對(duì)難溶金屬Au∕WSiN柵的影響并研究成功高跨導(dǎo)、亞微米Au∕WSiN柵自對(duì)準(zhǔn)GaAs器件。圓滿完成了“七五”和“八五”攻關(guān)課題研究。張利春同志任北京大學(xué)教授,主要從事多晶硅發(fā)射極超高速器件及集成電路技術(shù)、GeSi異質(zhì)結(jié)雙極器件及其集成電路,多晶硅技發(fā)射極和GeSi異質(zhì)結(jié)高頻功率晶體管等方面的理論模型、器件結(jié)構(gòu)、工藝技術(shù)和電路設(shè)計(jì)的研究工作。已發(fā)表學(xué)術(shù)論文80余篇,獲國(guó)家發(fā)明專利3項(xiàng),獲全國(guó)科學(xué)大會(huì)獎(jiǎng)、國(guó)家重大科技成果獎(jiǎng)、國(guó)家教委科技進(jìn)步獎(jiǎng)等8項(xiàng)國(guó)家和部委級(jí)獎(jiǎng)勵(lì)。

第十一頁(yè),共十七頁(yè),編輯于2023年,星期二

從建國(guó)到現(xiàn)在,我國(guó)在微電子領(lǐng)域取得了輝煌的成就,這些成就的取得離不開(kāi)一批微電子科研人員和高校知名教授的共同努力。王陽(yáng)元微電子技術(shù)在新世紀(jì)仍然將具有巨大的開(kāi)發(fā)潛力,因?yàn)樾虏牧喜粩喑霈F(xiàn),硅也將繼續(xù)保持其使用的優(yōu)勢(shì)地位。同其它關(guān)鍵技術(shù)相比,微電子技術(shù)越成熟,其未來(lái)的開(kāi)發(fā)可能性就越大。未來(lái)的微電子技術(shù)的高溫、高頻、高數(shù)據(jù)傳輸率和超導(dǎo)方面將展現(xiàn)出全新的面貌。另外,納米技術(shù)的發(fā)展,也將為微電子發(fā)展提供新的天地。

在我國(guó),電子行業(yè)方興未艾,蓬勃發(fā)展,尤其在現(xiàn)在知識(shí)經(jīng)濟(jì)下,IT業(yè)發(fā)展得如火如荼。如今,國(guó)際電子市場(chǎng)與國(guó)內(nèi)接軌,電子類產(chǎn)品將受到很大沖擊。這些發(fā)展和變化給微電子專業(yè)人才既帶來(lái)了機(jī)遇,也帶來(lái)了挑戰(zhàn)。對(duì)于微電子教育,國(guó)家投入的人力物力在逐漸加強(qiáng),相信微電子專業(yè)必將有一個(gè)光明的前途。第十二頁(yè),共十七頁(yè),編輯于2023年,星期二微電網(wǎng)站微電子技術(shù)與半導(dǎo)體技術(shù)第一門(mén)戶-中國(guó)微電子網(wǎng)中國(guó)科學(xué)院微電子研究所網(wǎng)站清華大學(xué)微電子所網(wǎng)站復(fù)旦微電子網(wǎng)站電子科技大學(xué)微電子網(wǎng)站天馬微電子集團(tuán)網(wǎng)第十三頁(yè),共十七頁(yè),編輯于2023年,星期二專業(yè)牛人

百度:微電子專家中科院院士

中國(guó)微電子專家-李志堅(jiān)

李志堅(jiān),清華大學(xué)微電子學(xué)研究所教授,中國(guó)科學(xué)院院士,我國(guó)著名微電子專家。1928年生,浙江鎮(zhèn)海人。畢業(yè)于浙江大學(xué)物理系,1958年獲蘇聯(lián)列寧格勒大學(xué)副博士學(xué)位。1958年起在清華大學(xué)工作,長(zhǎng)期擔(dān)任電子工程系半導(dǎo)體教研室主任,微電子所所長(zhǎng)職務(wù)?,F(xiàn)任清華大學(xué)學(xué)術(shù)委員會(huì)副主任,國(guó)家信息化專家資深委員會(huì)委員。校外職務(wù)有:中國(guó)電子學(xué)會(huì)副理事長(zhǎng),全國(guó)科協(xié)委員,半導(dǎo)體和集成技術(shù)學(xué)會(huì)副主任委員,“電子學(xué)報(bào)”編委,“半導(dǎo)體學(xué)報(bào)”編委會(huì)副主任,以及國(guó)家超晶格實(shí)驗(yàn)室,國(guó)家表面物理實(shí)驗(yàn)室等學(xué)術(shù)委員會(huì)主任。曾多次獲國(guó)家獎(jiǎng)勵(lì),包括榮獲1997年度陳嘉庚信息科學(xué)獎(jiǎng)和2000年度何梁何利基金科學(xué)與技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)。第十四頁(yè),共十七頁(yè),編輯于2023年,星期二鄭耀宗-中國(guó)科學(xué)院院士,中國(guó)著名微電子學(xué)專家鄭耀宗簡(jiǎn)介:鄭耀宗,男,1939年2月9日生于香港,籍貫廣東中山。微電子學(xué)專家。1963年畢業(yè)于香港大學(xué),獲理學(xué)士學(xué)位。1967年獲加拿大卑詩(shī)大學(xué)博士學(xué)位。香港大學(xué)校長(zhǎng)、教授。1999年當(dāng)選為中國(guó)科學(xué)院院士。長(zhǎng)期以來(lái)對(duì)金屬-氧化硅-硅(MOS)系統(tǒng)及其器件物理和工藝技術(shù)進(jìn)行了系統(tǒng)研究。發(fā)明了摻氯化氫硅氧化技術(shù),解決了當(dāng)時(shí)MOS器件和集成電路閾值電壓漂移、不能穩(wěn)定工作的難題,使MOS器件和電路的性能、可靠性和成品率大大提高。在國(guó)際上首先提出了MOS反型層載流子表面粗糙度散射理論,在MOS集成電路進(jìn)入深亞微米階段后,這一機(jī)理已成為決定MOS反型層載流子遷移率的主要因素,這是對(duì)MOS器件物理的一大發(fā)展。是較早開(kāi)展氮化硅技術(shù)的研究者之一。在深亞微米器件模型研究工作中取得重要成果。第十五頁(yè),共十七頁(yè),編輯于2023年,星期二王陽(yáng)元微電子學(xué)專家,中國(guó)科學(xué)院院士

男,1935年1月生,漢,中國(guó)共產(chǎn)黨黨員,浙江寧波人。1958年畢業(yè)于北京大學(xué)物理系;1958年至今在北京大學(xué)工作,1982年至1983年美國(guó)加州大學(xué)伯克利分校高級(jí)訪問(wèn)學(xué)者。1995年當(dāng)選為中國(guó)科學(xué)院信息技術(shù)科學(xué)部院士。王陽(yáng)元現(xiàn)為北京大學(xué)信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院教授(1985年)、微電子學(xué)研究院首席科學(xué)家。第十六頁(yè),共十七頁(yè),編輯于2023年,星期二心得體會(huì)

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