計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)第五章電子內(nèi)存演示

計(jì)算機(jī)組裝與維護(hù)第五章電子課件內(nèi)存當(dāng)前第1頁\共有29頁\編于星期一\14點(diǎn)5.1內(nèi)存學(xué)習(xí)目標(biāo)1.掌握內(nèi)存的分類2.了解內(nèi)存的結(jié)構(gòu)3.掌握內(nèi)存的技術(shù)指標(biāo)4.了解內(nèi)存的選購方法5.掌握內(nèi)存故障及維修當(dāng)前第2頁\共有29頁\編于星期一\14點(diǎn)一、內(nèi)存概述存儲器是用來存儲程序和數(shù)據(jù)的部件，對于計(jì)算機(jī)來說，有了存儲器，才有記憶功能，才能保證正常工作。存儲器的種類很多，按其用途可分為主存儲器和輔助存儲器，主存儲器又稱內(nèi)部存儲器（簡稱內(nèi)存），輔助存儲器又稱為外部存儲器，如硬盤、光盤、U盤等。

當(dāng)前第3頁\共有29頁\編于星期一\14點(diǎn)一、內(nèi)存概述內(nèi)存是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中非常重要的組成部分，是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)性能的重要標(biāo)志之一。內(nèi)存通常采用大規(guī)模及超大規(guī)模集成電路工藝制造，具有高密度、體積小、重量輕、存取速度快等特點(diǎn)，是CPU可以直接進(jìn)行訪問的存儲器。計(jì)算機(jī)外存儲器雖然容量很大，但相對于CPU來說其速度太慢，無法及時(shí)大量地向CPU提供數(shù)據(jù)，因此必須在CPU和外存儲器之間增加速度比外存儲器要快得多的內(nèi)存儲器，避免CPU經(jīng)常處于等待狀態(tài)。當(dāng)前第4頁\共有29頁\編于星期一\14點(diǎn)二、內(nèi)存的分類按內(nèi)存的工作原理分類：ROM（只讀存儲器）RAM（隨機(jī)存儲器）Cache（高速緩存）當(dāng)前第5頁\共有29頁\編于星期一\14點(diǎn)二、內(nèi)存的分類ROM表示只讀存儲器（ReadOnlyMemory），在制造ROM的時(shí)候，信息（數(shù)據(jù)或程序）就被存入并永久保存。這些信息只能讀出，一般不能寫入，即使機(jī)器掉電，這些數(shù)據(jù)也不會丟失。ROM一般用于存放計(jì)算機(jī)的基本程序和數(shù)據(jù)，如BIOSROM。其物理外形一般是雙列直插式（DIP）的集成塊。1、ROM（只讀存儲器）當(dāng)前第6頁\共有29頁\編于星期一\14點(diǎn)二、內(nèi)存的分類1、ROM：資料在制造過程中用特殊方法燒錄進(jìn)去2、PROM（可編程ROM）：可用專用編程器將資料寫入，但只能寫入一次。3、EPROM（可擦除可編程ROM）：可以反復(fù)利用專用擦除器或紫外線清除資料，再利用編程器寫入資料。4、EEPROM（電可擦除可編程ROM）：利用電子信號，通過專用刷新程序可以改寫芯片內(nèi)容。5、FLASHROM（閃速存儲器）：本質(zhì)上屬于EEPROM，加入一個(gè)較高的電壓就可以寫入或擦除。ROM的分類當(dāng)前第7頁\共有29頁\編于星期一\14點(diǎn)ROM芯片EPROMEEPROM當(dāng)前第8頁\共有29頁\編于星期一\14點(diǎn)二、內(nèi)存的分類隨機(jī)存取存儲器，用來暫時(shí)存放程序和數(shù)據(jù)，其特點(diǎn)是存儲的數(shù)據(jù)在掉電后會丟失。系統(tǒng)運(yùn)行時(shí)，首先將指令和數(shù)據(jù)從外部存儲器（外存）中調(diào)入內(nèi)存，CPU再從內(nèi)存中讀取指令和數(shù)據(jù)進(jìn)行運(yùn)算，并將運(yùn)算結(jié)果存入內(nèi)存中。它又分為兩種：1、動態(tài)隨機(jī)存取存儲器（DRAM，DynamicRAM）DRAM主要應(yīng)用在計(jì)算機(jī)中的主存儲器中，如內(nèi)存條特點(diǎn)：集成度高，結(jié)構(gòu)簡單，功耗低，生產(chǎn)成本低。2、靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SRAM，StaticRAM）SRAM主要應(yīng)用在計(jì)算機(jī)中的高速小容量存儲器，如CACHE特點(diǎn)：結(jié)構(gòu)相對復(fù)雜，造價(jià)高，速度快。2、RAM（隨機(jī)存儲器）當(dāng)前第9頁\共有29頁\編于星期一\14點(diǎn)二、內(nèi)存的分類1、FPM（FastPageMode快頁模式）

FPMDRAM又叫快速頁面模式動態(tài)存儲器。它是較早時(shí)期（386、486時(shí)代）使用的一種內(nèi)存，采用30線或72線SIMM類型的接口，工作電壓為5V，帶寬32位，基本速度60ns以上，大約每隔3個(gè)時(shí)鐘周期傳送一次數(shù)據(jù)。當(dāng)前第10頁\共有29頁\編于星期一\14點(diǎn)二、內(nèi)存的分類2、EDO（ExtendedDataOut擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出）由Micron（美光）公司開發(fā)，有72線和168線之分。EDODRAM的工作電壓為5V，帶寬32位，必須成對使用。基本速度40ns以上。每隔2個(gè)時(shí)鐘周期傳輸一次數(shù)據(jù)，使存取速度提高了30%，在中檔以下的Petium機(jī)上使用，現(xiàn)已被淘汰。當(dāng)前第11頁\共有29頁\編于星期一\14點(diǎn)二、內(nèi)存的分類3、SDRAM（SynchronousDynamicRAM同步動態(tài)隨機(jī)存儲器）有168pin和144pin（其中144pin用于筆記本），使用3.3V電壓，其數(shù)據(jù)寬度為64Bit。其工作原理是將RAM與CPU以相同的頻率進(jìn)行控制，取消了CPU的等待時(shí)間提高存取速度。其發(fā)展可分為3個(gè)階段：⑴.PC-66規(guī)范：主板設(shè)計(jì)為4個(gè)72pin+2個(gè)168pin⑵.PC-100規(guī)范：主板設(shè)計(jì)為2-4個(gè)168pin⑶.PC-133規(guī)范：主板設(shè)計(jì)為2-4個(gè)168pin當(dāng)前第12頁\共有29頁\編于星期一\14點(diǎn)二、內(nèi)存的分類SDRAM內(nèi)存條當(dāng)前第13頁\共有29頁\編于星期一\14點(diǎn)二、內(nèi)存的分類4、RDRAM（RambusDRAM,存儲器總線式DRAM）由Rambus公司和Intel公司推出的一種內(nèi)存規(guī)格，184pin，使用2.5V電壓，可在單個(gè)時(shí)鐘內(nèi)的上升沿和下降沿各傳輸數(shù)據(jù)。Intel發(fā)布了三種RDRAM：400MHzPC800RDRAM(1.6GB/s)356MHzPC700RDRAM(1.4GB/s)300MHzPC600RDRAM(1.2GB/s)當(dāng)前第14頁\共有29頁\編于星期一\14點(diǎn)二、內(nèi)存的分類5、DDRSDRAM（雙倍速率SDRAM）DDRRAM比SDRAM的速度高一倍，特點(diǎn)是在時(shí)鐘周期內(nèi)的上升沿和下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù)。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來的，SDRAM在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)只傳輸一次數(shù)據(jù)，它是在時(shí)鐘的上升期進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸；而DDR內(nèi)存則是一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)傳輸兩次次數(shù)據(jù)，它能夠在時(shí)鐘的上升期和下降期各傳輸一次數(shù)據(jù)，因此稱為雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器。DDR內(nèi)存可以在與SDRAM相同的總線頻率下達(dá)到更高的數(shù)據(jù)傳輸率。當(dāng)前第15頁\共有29頁\編于星期一\14點(diǎn)二、內(nèi)存的分類DDR內(nèi)存條當(dāng)前第16頁\共有29頁\編于星期一\14點(diǎn)二、內(nèi)存的分類6、DDRIISDRAMDDR2可以看作是DDR技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的一種升級和擴(kuò)展：DDR的核心頻率與時(shí)鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時(shí)鐘頻率的兩倍，也就是說在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)必須傳輸兩次數(shù)據(jù)。而DDR2采用“4bitPrefetch(4位預(yù)取)”機(jī)制，核心頻率僅為時(shí)鐘頻率的一半、時(shí)鐘頻率再為數(shù)據(jù)頻率的一半，換句話說，DDR2內(nèi)存每個(gè)時(shí)鐘能夠以4倍外部總線的速度讀/寫數(shù)據(jù)，并且能夠以內(nèi)部控制總線4倍的速度運(yùn)行。這樣即使核心頻率還在200MHz，DDR2內(nèi)存的數(shù)據(jù)頻率也能達(dá)到800MHz，也就是所謂的DDR2800。當(dāng)前第17頁\共有29頁\編于星期一\14點(diǎn)二、內(nèi)存的分類DDR2內(nèi)存條當(dāng)前第18頁\共有29頁\編于星期一\14點(diǎn)二、內(nèi)存的分類DDR3內(nèi)存條當(dāng)前第19頁\共有29頁\編于星期一\14點(diǎn)二、內(nèi)存的分類SDRAMDDRDDR2DDR3工作電壓3.3V2.5V1.8V1.5V引腳數(shù)168PIN184PIN240PIN240PIN工作頻率（MHZ）66/100/133200/266333/400400/533667/800800/10661333/1600預(yù)讀位數(shù)1Bit2Bit4Bit8Bit封裝工藝TSOPTSOPFBGAFBGA幾種常見內(nèi)存條比較當(dāng)前第20頁\共有29頁\編于星期一\14點(diǎn)三、內(nèi)存的結(jié)構(gòu)空位金手指內(nèi)存顆粒PCB板固定缺口缺腳SPD芯片當(dāng)前第21頁\共有29頁\編于星期一\14點(diǎn)四、內(nèi)存的主要技術(shù)指標(biāo)1、內(nèi)存的容量內(nèi)存容量是指該內(nèi)存條的存儲容量，是內(nèi)存條的關(guān)鍵性參數(shù)。內(nèi)存容量以MB或GB作為單位。一般是2的整次方倍，如64M、128M、256M、512M、1G、2G等2、內(nèi)存的頻率內(nèi)存主頻和CPU主頻一樣，習(xí)慣上被用來表示內(nèi)存的速度，它代表著該內(nèi)存所能達(dá)到的最高工作頻率。內(nèi)存主頻是以MHz（兆赫）為單位來計(jì)量的。一般情況下內(nèi)存的工作頻率是和主板的外頻相一致的。當(dāng)前第22頁\共有29頁\編于星期一\14點(diǎn)四、內(nèi)存的主要技術(shù)指標(biāo)3、存取速度（時(shí)間）TAC：存取數(shù)據(jù)時(shí)的時(shí)間，即存儲器進(jìn)行一次完整的存取操作所需要的時(shí)間，單位為納秒。時(shí)間越小，速度越快。目前，DDR內(nèi)存的存取時(shí)間一般為6ns，而更快的存儲器多用在顯卡的顯存上，如：5ns、4ns、3.6ns、3.3ns、2.8ns、4、CAS的延遲時(shí)間（CL）指的是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時(shí)間，簡單的說，就是內(nèi)存接到CPU的指令后的反應(yīng)速度，CAS信號需要經(jīng)過多少個(gè)時(shí)鐘周期之后才能讀/寫數(shù)據(jù)。一般的參數(shù)值是2和3兩種。數(shù)字越小，代表反應(yīng)所需的時(shí)間越短。當(dāng)前第23頁\共有29頁\編于星期一\14點(diǎn)四、內(nèi)存的主要技術(shù)指標(biāo)5.內(nèi)存工作電壓內(nèi)存正常工作所需要的電壓值，不同類型的內(nèi)存電壓也不同，但各自均有自己的規(guī)格，超出其規(guī)格，容易造成內(nèi)存損壞。6.內(nèi)存糾錯和ECC校驗(yàn)內(nèi)存錯誤根據(jù)其原因還可分為硬錯誤和軟錯誤。ECC（ErrorCheckingandCorrecting，錯誤檢查和糾正）校驗(yàn)，簡單地說，其具有發(fā)現(xiàn)錯誤，糾正錯誤的功能。當(dāng)前第24頁\共有29頁\編于星期一\14點(diǎn)四、內(nèi)存的主要技術(shù)指標(biāo)7.內(nèi)存的帶寬=內(nèi)存工作頻率×總線寬度×每時(shí)鐘數(shù)據(jù)段數(shù)量／8每時(shí)鐘數(shù)據(jù)段數(shù)量：SDRAM=1DDRRAM=2RDRAM=2當(dāng)前第25頁\共有29頁\編于星期一\14點(diǎn)五、內(nèi)存的選購1、內(nèi)存的容量和類型

容量大小、工作頻率、是否雙通道2、內(nèi)存的品質(zhì)

顆粒、PCB板、貼片元件、金手指、制造工藝3、謹(jǐn)防假冒當(dāng)前第26頁\共有29頁\編于星期一\14點(diǎn)內(nèi)存生產(chǎn)廠家國外品牌

現(xiàn)代(Hy)金士頓(Kingston)三星金條英飛凌(Infineon)海盜船(CORSAIR)NCPMDT美商必恩威(PNY)世邁(SMART)國內(nèi)品牌Kingmax宇瞻(Apacer)創(chuàng)見金邦(GEIL)黑金剛(KingBox)威剛勤茂(TwinMOS)超勝富豪金士泰當(dāng)前第27頁\共有29頁\編于星期一\14點(diǎn)六、內(nèi)存常見故障及維修1.內(nèi)存故障分析

如果在開機(jī)加電自檢時(shí)出現(xiàn)關(guān)于內(nèi)存錯誤的聲音和文字提示