GB/T 10067.417-2023電熱和電磁處理裝置基本技術(shù)條件第417部分：碳化硅單晶生長(zhǎng)裝置

ICS2518010

CCSK.61.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T10067417—2023

.

電熱和電磁處理裝置基本技術(shù)條件

第417部分碳化硅單晶生長(zhǎng)裝置

:

Basicspecificationsforelectroheatingandelectromagneticprocessing

installations—Part417Siliconcarbidecrstalrowthinstallations

:yg

2023-05-23發(fā)布2023-12-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T10067417—2023

.

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅴ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

產(chǎn)品分類(lèi)

4…………………2

型號(hào)參數(shù)

4.1……………2

單晶爐形式加熱方法及代號(hào)

4.2、………………………2

主要參數(shù)

4.3……………3

技術(shù)要求

5…………………3

總體要求

5.1……………3

設(shè)計(jì)和制造的補(bǔ)充要求

5.2……………4

性能要求

5.3……………6

成套要求

5.4……………7

試驗(yàn)方法

6…………………7

一般要求

6.1……………7

壓升率的測(cè)量

6.2………………………7

爐溫穩(wěn)定度的測(cè)量

6.3…………………7

運(yùn)動(dòng)參數(shù)相對(duì)偏差的測(cè)量

6.4…………8

速度百分偏差的測(cè)量

6.5………………8

爬行量的測(cè)量

6.6………………………8

同軸度的測(cè)量

6.7………………………8

工業(yè)生長(zhǎng)晶體試驗(yàn)

6.8…………………8

檢驗(yàn)規(guī)則

7…………………9

一般要求

7.1……………9

出廠檢驗(yàn)項(xiàng)目

7.2………………………9

型式檢驗(yàn)項(xiàng)目

7.3………………………9

標(biāo)志包裝運(yùn)輸和貯存

8、、…………………9

一般要求

8.1……………9

其他要求

8.2……………10

訂購(gòu)與供貨

9………………10

一般要求

9.1……………10

特殊要求

9.2……………10

Ⅰ

GB/T10067417—2023

.

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是電熱和電磁處理裝置基本技術(shù)條件的第部分已經(jīng)發(fā)

GB/T10067《》417。GB/T10067

布了以下部分

:

第部分通用部分

———1:;

第部分電弧加熱裝置

———2:;

第部分大型交流電弧爐

———21:;

第部分感應(yīng)電熱裝置

———3:;

第部分中頻無(wú)心感應(yīng)爐

———31:;

第部分電壓型變頻多臺(tái)中頻無(wú)心感應(yīng)爐成套裝置

———32:;

第部分工頻無(wú)心感應(yīng)熔銅爐

———33:;

第部分晶體管式高頻感應(yīng)加熱裝置

———34:;

第部分中頻真空感應(yīng)熔煉爐

———35:;

第部分感應(yīng)透熱裝置

———36:;

第部分間接電阻爐

———4:;

第部分網(wǎng)帶式電阻加熱機(jī)組

———41:;

第部分推送式電阻加熱機(jī)組

———42:;

第部分強(qiáng)迫對(duì)流井式電阻爐

———43:;

第部分箱式電阻爐

———44:;

第部分真空淬火爐

———45:;

第部分罩式電阻爐

———46:;

第部分真空熱處理和釬焊爐

———47:;

第部分臺(tái)車(chē)式電阻爐

———48:;

第部分自然對(duì)流井式電阻爐

———49:;

第部分單晶爐

———410:;

第部分電熱浴爐

———411:;

第部分箱式淬火爐

———412:;

第部分實(shí)驗(yàn)用電阻爐

———413:;

第部分工業(yè)寶石爐

———414:;

第部分鋁材退火爐

———415:;

第部分多晶硅鑄錠爐

———416:;

第部分碳化硅單晶生長(zhǎng)裝置

———417:;

第部分高頻介質(zhì)加熱設(shè)備

———5:;

第部分電渣重熔爐

———8:。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專(zhuān)利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專(zhuān)利的責(zé)任

。。

本文件由中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)提出

。

本文件由全國(guó)工業(yè)電熱設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC121)。

本文件起草單位江蘇星特亮科技有限公司西安電爐研究所有限公司安徽瑞馳新能源有限公司

:、、、

Ⅲ

GB/T10067417—2023

.

河南天利熱工裝備股份有限公司廈門(mén)曉訊新能源科技有限公司成都粵海金半導(dǎo)體材料有限公司

、、、

常州市樂(lè)萌壓力容器有限公司河北同光半導(dǎo)體股份有限公司張家港市中亞特種變壓器制造有限公

、、

司西安慧金科技有限公司株洲瑞德?tīng)栔悄苎b備有限公司中山市合碩高品電器有限公司廣東飛成新

、、、、

材料有限公司西安福萊特?zé)崽幚碛邢薰?/p>

、。

本文件主要起草人李留臣余維江李琨曹姣謝萍張永武李明科趙然潘燕萍楊昆周正星

:、、、、、、、、、、、

李小杰陳佩嫻金星宇尹丹段春芳楊禎

、、、、、。

Ⅳ

GB/T10067417—2023

.

引言

電熱和電磁處理裝置是國(guó)民經(jīng)濟(jì)各工業(yè)部門(mén)的重要熱工藝裝備該裝置主要按不同電加熱方式和

。

電磁處理分類(lèi)也可按不同應(yīng)用不同工作頻率和不同工作氣氛等分類(lèi)為了保證該裝置的開(kāi)發(fā)生產(chǎn)

,、。、、

使用和銷(xiāo)售有序進(jìn)行促進(jìn)其技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)品質(zhì)量的提高更好滿足熱工藝的要求有必要制定該裝置

,,,

的基本技術(shù)條件這也為制定其安全和試驗(yàn)方法標(biāo)準(zhǔn)提供了必要條件在這方面我國(guó)已建立了

,。,

電熱和電磁處理裝置基本技術(shù)條件系列標(biāo)準(zhǔn)由通用部分及其補(bǔ)充和按上述分類(lèi)的各專(zhuān)

GB/T10067《》,

用部分組成旨在規(guī)定電熱和電磁處理裝置的產(chǎn)品分類(lèi)以及在設(shè)計(jì)制造安全節(jié)能和

。GB/T10067、、、

環(huán)保性能和成套等方面需要滿足的要求并且描述用于判定該要求是否得到滿足的證實(shí)方法擬由以下

、,

個(gè)部分構(gòu)成

39。

第部分通用部分目的在于規(guī)定各類(lèi)電熱和電磁處理裝置的通用技術(shù)要求

———1:。。

第部分真空電熱和電磁處理裝置的通用要求目的在于規(guī)定真空電熱和電磁處理裝置

———1101:。

的通用技術(shù)要求

。

第部分電弧加熱裝置目的在于規(guī)定電弧加熱裝置的特殊技術(shù)要求

———2:。。

第部分大型交流電弧爐目的在于規(guī)定大型交流電弧爐的特殊技術(shù)要求

———21:。。

第部分真空重熔電弧爐目的在于規(guī)定真空重熔電弧爐的特殊技術(shù)要求

———22:。。

第部分感應(yīng)電熱裝置目的在于規(guī)定感應(yīng)電熱裝置的特殊技術(shù)要求

———3:。。

第部分中頻無(wú)心感應(yīng)爐目的在于規(guī)定中頻無(wú)心感應(yīng)爐的特殊技術(shù)要求

———31:。。

第部分電壓型變頻多臺(tái)中頻無(wú)心感應(yīng)爐成套裝置目的在于規(guī)定電壓型變頻多臺(tái)中頻無(wú)

———32:。

心感應(yīng)爐成套裝置的特殊技術(shù)要求

。

第部分工頻無(wú)心感應(yīng)熔銅爐目的在于規(guī)定工頻無(wú)心感應(yīng)熔銅爐的特殊技術(shù)要求

———33:。。

第部分晶體管式高頻感應(yīng)加熱裝置目的在于規(guī)定晶體管式高頻感應(yīng)加熱裝置的特殊技

———34:。

術(shù)要求

。

第部分中頻真空感應(yīng)熔煉爐目的在于規(guī)定中頻真空感應(yīng)熔煉爐的特殊技術(shù)要求

———35:。。

第部分感應(yīng)透熱裝置目的在于規(guī)定感應(yīng)透熱裝置的特殊技術(shù)要求

———36:。。

第部分超導(dǎo)直流感應(yīng)透熱裝置目的在于規(guī)定超導(dǎo)直流感應(yīng)透熱裝置的特殊技術(shù)要求

———37:。。

第部分間接電阻爐目的在于規(guī)定間接電阻爐的特殊技術(shù)要求

———4:。。

第部分網(wǎng)帶式電阻加熱機(jī)組目的在于規(guī)定網(wǎng)帶式電阻加熱機(jī)組的特殊技術(shù)要求

———41:。。

第部分推送式電阻加熱機(jī)組目的在于規(guī)定推送式電阻加熱機(jī)組的特殊技術(shù)要求

———42:。。

第部分強(qiáng)迫對(duì)流井式電阻爐目的在于規(guī)定強(qiáng)迫對(duì)流井式電阻爐的特殊技術(shù)要求

———43:。。

第部分箱式電阻爐目的在于規(guī)定箱式電阻爐的特殊技術(shù)要求

———44:。。

第部分真空淬火爐目的在于規(guī)定真空淬火爐的特殊技術(shù)要求

———45:。。

第部分罩式電阻爐目的在于規(guī)定罩式電阻爐的特殊技術(shù)要求

———46:。。

第部分真空熱處理和釬焊爐目的在于規(guī)定真空熱處理和釬焊爐的特殊技術(shù)要求

———47:。。

第部分臺(tái)車(chē)式電阻爐目的在于規(guī)定臺(tái)車(chē)式電阻爐的特殊技術(shù)要求

———48:。。

第部分自然對(duì)流井式電阻爐目的在于規(guī)定自然對(duì)流井式電阻爐的特殊技術(shù)要求

———49:。。

第部分單晶爐目的在于規(guī)定單晶爐的特殊技術(shù)要求

———410:。。

第部分電熱浴爐目的在于規(guī)定電熱浴爐的特殊技術(shù)要求

———411:。。

第部分箱式淬火爐目的在于規(guī)定箱式淬火爐的特殊技術(shù)要求

———412:。。

第部分實(shí)驗(yàn)用電阻爐目的在于規(guī)定實(shí)驗(yàn)用電阻爐的特殊技術(shù)要求

———413:。。

Ⅴ

GB/T10067417—2023

.

第部分工業(yè)寶石爐目的在于規(guī)定工業(yè)寶石爐的特殊技術(shù)要求

———414:。。

第部分鋁材退火爐目的在于規(guī)定鋁材退火爐的特殊技術(shù)要求

———415:。。

第部分多晶硅鑄錠爐目的在于規(guī)定多晶硅鑄錠爐的特殊技術(shù)要求

———416:。。

第部分碳化硅單晶生長(zhǎng)裝置目的在于規(guī)定碳化硅單晶生長(zhǎng)裝置的特殊技術(shù)要求

———417:。。

第部分高頻介質(zhì)加熱設(shè)備目的在于規(guī)定電熱和電化學(xué)用等離子體設(shè)備的特殊技術(shù)要求

———5:。。

第部分工業(yè)微波加熱裝置目的在于規(guī)定工業(yè)微波加熱裝置的特殊技術(shù)要求

———6:。。

第部分具有電子槍的電熱裝置目的在于規(guī)定具有電子槍的電熱裝置的特殊技術(shù)要求

———7:。。

第部分電渣重熔爐目的在于規(guī)定電渣重熔爐的特殊技術(shù)要求

———8:。。

第部分高頻介質(zhì)加熱設(shè)備目的在于規(guī)定高頻介質(zhì)加熱設(shè)備的特殊技術(shù)要求

———9:。。

第部分半熱系統(tǒng)目的在于規(guī)定半熱系統(tǒng)的特殊技術(shù)要求

———10:。。

第部分電磁處理裝置目的在于規(guī)定電磁處理裝置的特殊技術(shù)要求

———11:。。

第部分紅外電熱裝置目的在于規(guī)定紅外電熱裝置的特殊技術(shù)要求

———12:。。

本文件和各專(zhuān)用部分根據(jù)通用部分制定針對(duì)各類(lèi)裝置的特點(diǎn)分別對(duì)通用部分的有關(guān)規(guī)定進(jìn)行完

,

善和補(bǔ)充

。

Ⅵ

GB/T10067417—2023

.

電熱和電磁處理裝置基本技術(shù)條件

第417部分碳化硅單晶生長(zhǎng)裝置

:

1范圍

本文件規(guī)定了碳化硅單晶生長(zhǎng)裝置的產(chǎn)品分類(lèi)技術(shù)要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則標(biāo)志包裝運(yùn)輸和

、、、、、、

貯存以及訂購(gòu)與供貨

。

本文件適用于在真空或保護(hù)氣氛下采用間接電阻加熱生長(zhǎng)碳化硅單晶的電熱裝置采用高頻感

,。

應(yīng)加熱的生長(zhǎng)碳化硅單晶的裝置參照使用

。

本文件適用于物理氣相輸運(yùn)法碳化硅單晶生長(zhǎng)裝置其他方法的碳化硅單晶生長(zhǎng)裝置參照使用

,。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

所有部分