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文檔簡介
第四章雙極型三極管及放大電路第一頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五4.1半導(dǎo)體三極管4.1.1BJT的結(jié)構(gòu)簡介4.1.2放大狀態(tài)下BJT的工作原理4.1.3BJT的V-I特性曲線4.1.4BJT的主要參數(shù)4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)第二頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五(d)4.1.1BJT的結(jié)構(gòu)簡介(a)小功率管(b)小功率管(c)大功率管(d)中功率管4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)第三頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五BJT外形圖4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)第四頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五
半導(dǎo)體三極管的結(jié)構(gòu)示意圖如圖所示。它有兩種類型:NPN型和PNP型。(a)
NPN型管結(jié)構(gòu)示意圖4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)(b)
PNP型管結(jié)構(gòu)示意圖(c)
NPN
管的電路符號(d)
PNP
管的電路符號第五頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五集成電路中典型NPN型BJT的截面圖(了解)4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)第六頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五
三極管的放大作用是在一定的外部條件控制下,通過載流子傳輸體現(xiàn)出來的。4.1.2放大狀態(tài)下BJT的工作原理發(fā)射結(jié)正偏4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)1.內(nèi)部載流子的傳輸過程(以NPN為例)
發(fā)射區(qū):發(fā)射載流子外部條件:集電結(jié)反偏NNPecbReVEEReVCC集電區(qū):收集載流子基區(qū):傳送和控制載流子
IeIcIb由于三極管內(nèi)有兩種載流子(自由電子和空穴)參與導(dǎo)電,故稱為雙極型三極管或BJT(BipolarJunctionTransistor)。
IC=InC+ICBOIE=IB+IC第七頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五2.電流分配關(guān)系根據(jù)傳輸過程可知
IC=InC+ICBO通常
IC>>ICBO
為電流放大系數(shù)。它只與管子的結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜濃度有關(guān),與外加電壓無關(guān)。一般
=0.90.99
。IE=IB+IC(放大狀態(tài)下BJT中載流子的傳輸過程)發(fā)射極注入電流設(shè)=α傳輸?shù)郊姌O的電流即EI=αnCICEII?α
則有4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)第八頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五
是另一個電流放大系數(shù)。同樣,它也只與管子的結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜濃度有關(guān),與外加電壓無關(guān)。一般
>>1。根據(jù)IE=IB+ICIC=InC+ICBO且令I(lǐng)CEO=(1+)ICBO(穿透電流)ααβ-=1
又設(shè)EnCII=α
BCEOCIII-=
則bCEOCII>>
時,當(dāng)4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)BCII?b第九頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五3.三極管的三種組態(tài)共集電極接法,集電極作為公共電極,用CC表示。共基極接法,基極作為公共電極,用CB表示;共發(fā)射極接法,發(fā)射極作為公共電極,用CE表示;(BJT的三種組態(tài))4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)(圖b)(圖a)(圖c)第十頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五4.放大作用若vI=20mV電壓放大倍數(shù)使iE=-1mA,則iC=iE=-0.98mA,vO=-iC?
RL=0.98V,當(dāng)=0.98時,4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)(共基極放大電路)第十一頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五
綜上所述,三極管的放大作用,主要是依靠它的發(fā)射極電流能夠通過基區(qū)傳輸,然后到達(dá)集電極而實現(xiàn)的。4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)實現(xiàn)這一傳輸過程的兩個條件是:
(1)內(nèi)部條件:發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)雜質(zhì)濃度,且基區(qū)很薄。
(2)外部條件:發(fā)射結(jié)正向偏置,集電結(jié)反向偏置。第十二頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五共射極連接4.1.3BJT的V-I
特性曲線(2)當(dāng)vCE≥1V時,
vCB=vCE-vBE>0,集電結(jié)已進(jìn)入反偏狀態(tài),開始收集電子,基區(qū)復(fù)合減少,同樣的vBE下IB減小,特性曲線右移。(1)當(dāng)vCE=0V時,相當(dāng)于發(fā)射結(jié)的正向伏安特性曲線。1.輸入特性曲線(以共射極放大電路為例)
iB=f(vBE)
vCE=const討論4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)第十三頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五2.輸出特性曲線
iC=f(vCE)
iB
=const討論4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)飽和區(qū):iC明顯受vCE控制的區(qū)域,該區(qū)域內(nèi),一般vCE<0.7V
(硅管)。此時,發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)正偏或反偏電壓很小。輸出特性曲線的三個區(qū)域:截止區(qū):iC接近零的區(qū)域,相當(dāng)iB=0的曲線的下方。此時,
vBE小于死區(qū)電壓,或發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)反偏。放大區(qū):iC平行于vCE軸的區(qū)域,曲線基本平行等距。此時,發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏。共射極連接第十四頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五1.電流放大系數(shù)
4.1.4BJT的主要參數(shù)(2)共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)
4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)(1)
共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)b(IC-ICEO)/IB≈IC/IB
vCE=constb==IC/IBvCE=const(與iC的關(guān)系曲線)
b第十五頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五
(4)
共基極交流電流放大系數(shù)α4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)αα=(IC-ICBO)/IE≈IC/IE
α=IC/IEvCB=const
當(dāng)ICBO和ICEO很小時,≈、≈,可以不加區(qū)分。aab第十六頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五
2.極間反向電流(1)
集電極基極間的反向飽和電流ICBO
發(fā)射極開路時,集電結(jié)的反向飽和電流。
4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)(2)集電極發(fā)射極間的反向飽和電流
ICEOICEO=(1+)
bICBO
ICEO與ICBO關(guān)系第十七頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五(1)
集電極最大允許電流
ICM(2)
集電極最大允許功率損耗
PCM
PCM=ICVCE
3.極限參數(shù)4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)第十八頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五(3)
反向擊穿電壓
V(BR)CBO
—發(fā)射極開路時的集電結(jié)反向擊穿電壓。V(BR)EBO
—集電極開路時發(fā)射結(jié)的反 向擊穿電壓。
V(BR)CEO—基極開路時集電極和發(fā)射極間的擊穿電壓。幾個擊穿電壓有如下關(guān)系:
V(BR)CBO>V(BR)CEO>V(BR)EBO4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)第十九頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五4.1.5溫度對BJT參數(shù)及特性的影響(1)溫度對ICBO的影響溫度每升高10℃,ICBO約增加一倍。(2)溫度對
的影響溫度每升高1℃,
值約增大0.5%~1%。
(3)溫度對反向擊穿電壓V(BR)CBO、V(BR)CEO的影響溫度升高時,V(BR)CBO和V(BR)CEO都會有所提高。
1.溫度對BJT參數(shù)的影響4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)第二十頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五2.溫度對BJT特性曲線的影響(1)對輸入特性的影響T1T2溫度升高時,BJT共射極連接時的輸入特性曲線將向左移,vBE隨溫度變化的規(guī)律與二極管正向?qū)妷弘S溫度變化的規(guī)律一樣,即溫度每升高10C,vBE減小2mV~2.5mV。(2)對輸出特性的影響溫度升高時,BJT的ICBO、ICEO、
b都將增大,結(jié)果導(dǎo)致BJT的輸出特性曲線向上移動,而且各條曲線間距離加大。T2>T1這說明在iB相同的條件下,vBE將減小。4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)第二十一頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五4.2共射極放大電路的工作原理4.2.1基本共射極放大電路的組成(基本共射極放大電路)
4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)第二十二頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五4.2.2基本共射極放大電路的工作原理1.靜態(tài)(直流工作狀態(tài))
輸入信號vi=0時,放大電路的工作狀態(tài)稱為靜態(tài)或直流工作狀態(tài)。
(直流通路)
VCEQ=VCC-ICQRc
4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)第二十三頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五(交流通路)2.動態(tài)
輸入正弦信號vs
后,電路將處在動態(tài)工作情況。此時,BJT各極電流及電壓都將在靜態(tài)值的基礎(chǔ)上隨輸入信號作相應(yīng)的變化。
4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)第二十四頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五4.3放大電路的分析方法4.3.1圖解分析法4.3.2小信號模型分析法1.靜態(tài)工作點的圖解分析2.動態(tài)工作情況的圖解分析3.非線性失真的圖解分析4.圖解分析法的適用范圍1.BJT的H參數(shù)及小信號模型2.用H參數(shù)小信號模型分析基本共射極放大電路3.小信號模型分析法的適用范圍4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)第二十五頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五4.3.1圖解分析法1.靜態(tài)工作點的圖解分析
采用該方法分析靜態(tài)工作點,必須已知三極管的輸入輸出特性曲線。
(共射極放大電路)4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)第二十六頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五
首先,畫出直流通路列輸入回路方程
4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)列輸出回路方程(直流負(fù)載線)
cCCCCERiV-=v(直流通路)
1.靜態(tài)工作點的圖解分析第二十七頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五在輸入特性曲線上,作出直線
,兩線的交點即是Q點,得到IBQ。bBBBBERiV-=v4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)在輸出特性曲線上,作出直流負(fù)載線,與IBQ曲線的交點即為Q點,從而得到VCEQ
和ICQ。cCCCCERiV-=vIBQQVBEQQICQVCEQ第二十八頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)
根據(jù)vs
的波形,在BJT的輸入特性曲線上畫出vBE、iB的波形。2.動態(tài)工作情況的圖解分析第二十九頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五2.動態(tài)工作情況的圖解分析
根據(jù)iB的變化范圍,在輸出特性曲線上畫出iC和vCE的波形。4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)第三十頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五
共射極放大電路中的電壓、電流波形4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)第三十一頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)3.靜態(tài)工作點對波形失真的影響即工作點靠下,會出現(xiàn)截止失真的波形
第三十二頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五即工作點靠上,會出現(xiàn)飽和失真的波形
4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)故Q點應(yīng)選在直線的中央(稍靠下)第三十三頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五4.圖解分析法的適用范圍幅度較大而工作頻率不太高的情況優(yōu)點:
直觀、形象。有助于建立和理解交、直流共存,靜態(tài)和動態(tài)等重要概念;有助于理解正確選擇電路參數(shù)、合理設(shè)置靜態(tài)工作點的重要性。能全面地分析放大電路的靜態(tài)、動態(tài)工作情況。缺點:
不能分析工作頻率較高時的電路工作狀態(tài),也不能用來分析放大電路的輸入電阻、輸出電阻等動態(tài)性能指標(biāo)。4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)第三十四頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五4.3.2小信號模型分析法1.
BJT的H參數(shù)及小信號模型建立小信號模型的意義建立小信號模型的思路
當(dāng)放大電路的輸入信號電壓很小時,就可以把三極管小范圍內(nèi)的特性曲線近似地用直線來代替,從而可以把三極管這個非線性器件所組成的電路當(dāng)作線性電路來處理。
由于三極管是非線性器件,這樣就使得放大電路的分析非常困難。建立小信號模型,就是將非線性器件做線性化處理,從而簡化放大電路的分析和設(shè)計。4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)第三十五頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五H參數(shù)的引出在小信號情況下,對上兩式取全微分得用小信號交流分量表示vbe=hieib+hrevceic=hfeib+hoevce
對于BJT雙口網(wǎng)絡(luò),已知輸入輸出特性曲線如下:iB=f(vBE)vCE=const可以寫成:iC=f2(iB,vCE)vBE=f1(iB,vCE)iC=f(vCE)iB=const4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)(BJT雙口網(wǎng)絡(luò))第三十六頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五輸出端交流短路時的輸入電阻;輸出端交流短路時的正向電流傳輸比或電流放大系數(shù);輸入端交流開路時的反向電壓傳輸比;輸入端交流開路時的輸出電導(dǎo)。其中:四個參數(shù)量綱各不相同,故稱為混合參數(shù)(H參數(shù))。vbe=hieib+hrevceic=hfeib+hoevce4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)第三十七頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五H
參數(shù)小信號模型根據(jù)可得小信號模型(BJT的H參數(shù)模型)vbe=hieib+hrevceic=hfeib+hoevce(BJT雙口網(wǎng)絡(luò))4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)第三十八頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五
H參數(shù)都是小信號參數(shù),即微變參數(shù)或交流參數(shù)。
H參數(shù)與工作點有關(guān),在放大區(qū)基本不變。
H參數(shù)都是微變參數(shù),所以只適合對交流信號的分析。
受控電流源hfeib,反映了BJT的基極電流對集電極電流的控制作用。電流源的流向由ib的流向決定。
hrevce是一個受控電壓源。反映了BJT輸出回路電壓對輸入回路的影響。4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)第三十九頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五小信號模型的簡化
hre和hoe都很小,常忽略它們的影響。
BJT在共射連接時,其H參數(shù)的數(shù)量級一般為[]ú?ùê?éW=ú?ùê?é=---S101010~101052433oefereieehhhhh4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)第四十頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五H參數(shù)的確定
一般用測試儀測出;rbe
與Q點有關(guān),可用圖示儀測出。rbe=rbb’+(1+
)re其中對于低頻小功率管
rbb’≈200
一般也用公式估算
rbe
′(忽略re
)(T=300K)
而er==VT)mV(26)mV(EQI)mA(EQI)mA(則
)mV(26)1(200)mA(EQIber++W?b4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)(適用范圍為
0.1mA<IE<5mA)第四十一頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五2.用H參數(shù)小信號模型分析基本共射極放大電路(1)利用直流通路求Q點
(共射極放大電路)一般硅管VBE=0.7V,鍺管VBE=0.2V,
已知。4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)第四十二頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五(2)畫小信號等效電路(H參數(shù)小信號等效電路)4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)在交流通路基礎(chǔ)上畫小信號等效電路第四十三頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五(3)求放大電路動態(tài)指標(biāo)根據(jù)則電壓增益為(可作為公式)①
電壓增益(H參數(shù)小信號等效電路)vi=ib(Rb+rbe)ic=βibvo=-ic(Rc//RL)4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)第四十四頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五②輸入電阻③輸出電阻Ro=Rc
所以=Rb+rbe
Riib(Rb+rbe)=ib令vi=0
vi
ii=vi
ib=ib=0
4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)Ri第四十五頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五3.小信號模型分析法的適用范圍
放大電路的輸入信號幅度較小,BJT工作在其V-T特性曲線的線性范圍(即放大區(qū))內(nèi)。H參數(shù)的值是在靜態(tài)工作點上求得的。所以,放大電路的動態(tài)性能與靜態(tài)工作點參數(shù)值的大小及穩(wěn)定性密切相關(guān)。優(yōu)點:
分析放大電路的動態(tài)性能指標(biāo)(Av、Ri和Ro等)非常方便,且適用于頻率較高時的分析。缺點:
在BJT與放大電路的小信號等效電路中,電壓、電流等電量及BJT的H參數(shù)均是針對變化量(交流量)而言的,不能用來分析計算靜態(tài)工作點。4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)第四十六頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五(共射極放大電路)(1)放大電路的Q點。此時BJT工作在哪個區(qū)域?(2)當(dāng)Rb=100k時,放大電路的Q點。此時BJT
工作在哪個區(qū)域?(忽略BJT的飽和壓降)解:(1)靜態(tài)工作點為Q(40A,3.2mA,5.6V),例題
放大電路如圖所示。已知BJT的
?=80,
Rb=300k,Rc=2k,VCC=+12V,求:VCEQ=VCC-Rc·ICQ=12V-2KΩ×3.2mA=5.6VICQ=β·IBQ=80×40μA=3.2mA4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)BJT工作在放大區(qū)。第四十七頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五(2)當(dāng)
Rb=100k時,其最小值也只能為
0,所以BJT工作在飽和區(qū)。VCE不可能為負(fù)值,此時,Q(120uA,6mA,0V),(共射極放大電路)由于β·IBQ>ICM
,VCEQ=VCC-Rc·ICQ=12V-2KΩ×9.6mA=-2.7V即
IC的最大電流為:4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)第四十八頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五4.4放大電路靜態(tài)工作點的穩(wěn)定問題4.4.1溫度對靜態(tài)工作點的影響4.4.2射極偏置電路1.基極分壓式射極偏置電路2.含有雙電源的射極偏置電路3.含有恒流源的射極偏置電路4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)第四十九頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五4.4.1溫度對靜態(tài)工作點的影響
4.1.6節(jié)討論過,溫度上升時,BJT的反向電流ICBO、ICEO及電流放大系數(shù)或都會增大,而發(fā)射結(jié)正向壓降VBE會減小。這些參數(shù)隨溫度的變化,都會使放大電路中的集電極靜態(tài)電流ICQ隨溫度升高而增加(ICQ=
IBQ+ICEO),從而使Q點隨溫度變化。
要想使ICQ基本穩(wěn)定不變,就要求在溫度升高時,電路能自動地適當(dāng)減小基極電流IBQ。4雙極結(jié)型三極管及放大電路基礎(chǔ)第五十頁,共六十頁,編輯于2023年,星期五4.4.2射極偏置電路(1)穩(wěn)定工作點原理
目標(biāo):溫度變化時,使IC維持恒定。
如果溫度變化時,b點電位能基本不變,則可實現(xiàn)靜態(tài)工作點的穩(wěn)定。T
穩(wěn)定原理:
IC
IE
VE、VB不變
VBE
IBIC(反饋控制)1.基極分壓式射極偏置電路(a)原理電路(b)直流通路
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