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高中物理質(zhì)譜儀和磁流體發(fā)電機(jī)壓軸題學(xué)問點(diǎn)及練習(xí)題一、高中物理解題方法:質(zhì)譜儀和磁流體發(fā)電機(jī)q帶電粒子的電荷量與質(zhì)量之比〔 〕叫做比荷。比荷的測(cè)定對(duì)爭(zhēng)論帶電粒子的組成和m構(gòu)造具有重大意義。利用質(zhì)譜儀可以測(cè)量帶電粒子的比荷。如下圖為一種質(zhì)譜儀的原理A下方的小孔飄入加速電場(chǎng)〔其初速度可視為零〕,之后自O(shè)點(diǎn)沿著與磁場(chǎng)邊界垂直的方向進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,最終打到照相底片上的P點(diǎn)。無視重力的UB時(shí),OP點(diǎn)間的距離為L。請(qǐng)你說該帶電粒子帶正電還是帶負(fù)電。求該帶電粒子的比荷?!敬鸢浮?1)(2)【解析】【詳解】
q 8Um 依據(jù)粒子在磁場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)軌跡,結(jié)合左手定則可知粒子帶正電。帶電粒子在加速電場(chǎng)中加速,依據(jù)動(dòng)能定理1qU2mv2帶電粒子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)時(shí),洛倫茲力充當(dāng)向心力v2由題知
qvBmR1解得帶電粒子的比荷
R2Lq 8Um B2L2利用電場(chǎng)和磁場(chǎng),可以將比荷不同的離子分開,這種方法在化學(xué)分析和原子核技術(shù)等領(lǐng)域有重要的應(yīng)用.如下圖的矩形區(qū)域ACDG〔AC邊足夠長〕中存在垂直于紙面的勻強(qiáng)磁場(chǎng),A處有一狹縫.離子源產(chǎn)生的離子,經(jīng)靜電場(chǎng)加速后穿過狹縫沿垂直于GA邊且垂直于磁場(chǎng)的方向射入磁場(chǎng),一段時(shí)間后運(yùn)動(dòng)到GA邊,被相應(yīng)的收集器收集.整個(gè)裝置內(nèi)部2 1 為真空.被加速的兩種正離子的質(zhì)量分別是m1m〔m>m〕,q.加速電場(chǎng)的電勢(shì)差為U2 1 假設(shè)無視狹縫的寬度,當(dāng)磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小為BGA邊落點(diǎn)的間距x;假設(shè)狹縫寬度不能無視,狹縫過寬可能使兩束離子在GA邊上的落點(diǎn)區(qū)域交疊,導(dǎo)致兩種離子無法完全分別.設(shè)磁感應(yīng)強(qiáng)度大小可調(diào),GALd,狹縫右A處.離子可以從狹縫各處射入磁場(chǎng),入射方向仍垂直于GA邊且垂直于磁場(chǎng).為保證上述兩種離子能落在GA邊上并被完全分別,求狹縫的最大寬度.【答案】〔1〕
m 〔2〕 L8UqB2m2m8UqB2m2m m122m1m2【解析】【分析】m (1)m 1 2GA邊落點(diǎn)的間距。(2)由題意畫出草圖,通過圖找出兩個(gè)軌跡因?qū)挾葹閐狹縫的影響,從而應(yīng)用幾何學(xué)問找出各量的關(guān)系,列式求解?!驹斀狻俊?〕由動(dòng)能定理得qU
1mv2211解得由牛頓其次定律
v ①2qU2qUm1mv2如下圖
qvbRRmvqB利用①式得離子在磁場(chǎng)中的軌道半徑為別為2mU 2mUR 1 ,R 2 ②1GA上落點(diǎn)的間距
qB2
2 qB2x2R2
R〕=1
8U qB2
m-m ③1 2(2)m1GA邊上的落點(diǎn)都在其入射點(diǎn)左側(cè)2R1d,dm2GAd。如圖為保證兩種離子能完全分別,兩個(gè)區(qū)域應(yīng)無交疊,條件為利用②式帶入④得
2R1
2m2m2m12R1- >dR1的最大值滿足得
12R1m
Ldm2m2m1求最大值
Ld
1-
>dm mm m122m1m2m如下圖,兩平行金屬板間電勢(shì)差為U,板間電場(chǎng)可視為勻強(qiáng)電場(chǎng),金屬板下方有一磁B的勻強(qiáng)磁場(chǎng).帶電量為+qm的粒子,由靜止開頭從正極板動(dòng)身,經(jīng)電場(chǎng)加速后射出,并進(jìn)入磁場(chǎng)做勻速圓周運(yùn)動(dòng).無視重力的影響,求:v的大??;粒子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng)的半徑R.2Uqm2Uqm1 B q【解析】【詳解】設(shè)帶電粒子射出電場(chǎng)時(shí)的速度為v,由動(dòng)能定理可得:1解得粒子射出速度
qU2qUmv2qUm
2mv2帶電粒子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),由牛頓其次定律可得:v2可得帶電粒子圓周運(yùn)動(dòng)的半徑m 2Uqm 2UqqB m1 B q
qvBmRR qB1質(zhì)譜儀原理如下圖,aU;b為速度選擇器,磁場(chǎng)與電場(chǎng)正B1d;cB2.今有一質(zhì)量為1me的正粒子(不計(jì)重力),經(jīng)加速后,該粒子恰能通過速度選擇器,粒子進(jìn)入分離器后做勻速圓周運(yùn)動(dòng).求:v為多少?U2為多少?B2R為多大?【答案】(1)
12eU1m2eU1m2mU12eU1m2eU1m2mU1eB12【解析】【詳解】11解:(1)在電場(chǎng)中,粒子被加速電場(chǎng)U加速,由動(dòng)能定理有:eU 112eU
mv22解得粒子的速度:v m1U在速度選擇器中,粒子受的電場(chǎng)力和洛倫茲力大小相等,則有:e
2evB解得速度選擇器的電壓:U
BdvBd
d 12eU12 1 1 m在磁場(chǎng)中,粒子受洛倫茲力作用而做圓周運(yùn)動(dòng),則有:evB2
mv2 Rmv 1 2mU解得半徑:ReB B e 12 2如下圖是磁流體發(fā)電機(jī)的裝置,a、bd,板平面的面SB的勻強(qiáng)磁場(chǎng)。現(xiàn)持續(xù)將一束等離子體(即高溫下電離的氣體,含有大量帶正電和負(fù)電的微粒,而整體呈中性)垂直噴入磁場(chǎng),每個(gè)離子的速度為vR,當(dāng)發(fā)電機(jī)穩(wěn)定發(fā)電時(shí),負(fù)載中電阻的電流為I,求:a、b兩板哪塊板的電勢(shì)高?E;兩板間等離子體的電阻率。【答案】(1)a板帶正電,電勢(shì)高(2)Bdv (3)【解析】【詳解】
BdvIRSId依據(jù)左手定則,正電荷向上偏轉(zhuǎn),所以a板帶正電,電勢(shì)高。最終電荷在電場(chǎng)力和洛倫茲力作用下處于平衡,有qvBqEd解得依據(jù)閉合電路歐姆定律,有
EBdvr為板間電離氣體的電阻,且聯(lián)立解得電阻率的表達(dá)式為
IRrErdESBdvIRSId如下圖,磁流體發(fā)電機(jī)的通道是一長為Lρ的等離子體,通道中左、右一對(duì)側(cè)壁是導(dǎo)電的,其高為h,相距為a,而通道的上下壁是絕緣的,所B,與通道的上下壁垂直.r的電阻經(jīng)導(dǎo)線相接,通道兩端氣流的壓強(qiáng)差為Δp,不計(jì)摩擦及粒子間的碰撞,求等離子體的速率是多少.【答案】【解析】【詳解】
p(aLhr)B2aL等離子體通過管道時(shí),在洛倫茲力作用下,正負(fù)離子分別偏向右、左兩壁,由此產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì)等效于金屬棒切割磁感線產(chǎn)生的電動(dòng)勢(shì),其值為E=Bavp p 1 2p1Svp2Sv,其功率損失為p1Sv-p2Sv=ΔpSv由能量守恒,此損失的功率完全轉(zhuǎn)化為回路的電功率,即E2 (Bav)2ΔpSv= =又代入上式中得
v=
R RS=haaR=ρ +rLhp(aLhr)B2aL為,由動(dòng)量定理得①在放射離子過程中,衛(wèi)星和放射出的離子系統(tǒng)動(dòng)量守恒,設(shè)噴出離子總質(zhì)量為,則有由動(dòng)能定理得為,由動(dòng)量定理得①在放射離子過程中,衛(wèi)星和放射出的離子系統(tǒng)動(dòng)量守恒,設(shè)噴出離子總質(zhì)量為,則有由動(dòng)能定理得②由①②可得得〔〕發(fā)動(dòng)機(jī)動(dòng)放射離子的功率個(gè)氙離子的質(zhì)量為,電量為,加速電壓為,設(shè)衛(wèi)星原處于靜止?fàn)顟B(tài),,假設(shè)要使數(shù)目和速率,能準(zhǔn)確獲得所需的糾偏動(dòng)力個(gè)氙離子的質(zhì)量為,電量為,加速電壓為,設(shè)衛(wèi)星原處于靜止?fàn)顟B(tài),,假設(shè)要使數(shù)目和速率,能準(zhǔn)確獲得所需的糾偏動(dòng)力.假設(shè)衛(wèi)星〔連同離子發(fā)動(dòng)機(jī)〕總質(zhì)量為,每衛(wèi)星在離子發(fā)動(dòng)機(jī)起動(dòng)的初始階段能獲得大小為的動(dòng)力,則〔〕發(fā)動(dòng)機(jī)單位時(shí)間內(nèi)應(yīng)噴出多少個(gè)氙離子?〔〕該探測(cè)器要到達(dá)的目的地是博協(xié)利彗星,打算飛行年〔〕.離子發(fā)〔〔〕該探測(cè)器要到達(dá)的目的地是博協(xié)利彗星,打算飛行年〔〕.離子發(fā)〔〕此時(shí)發(fā)動(dòng)機(jī)動(dòng)放射離子的功率為多大?動(dòng)機(jī)向外噴射氙離子的等效電流大小為,氙離子的比荷.試【答案】〔〕;〔〕;〔〕〔或〕【解析】【分析】可設(shè)單位時(shí)間內(nèi)噴出個(gè)離子,單位時(shí)間內(nèi)噴出個(gè)離子就知道,由動(dòng)量定理求力和個(gè)數(shù)、速度,在放射離子過程中,由動(dòng)量守恒以及動(dòng)能定理和功率公式求P?!病硾]離子噴出尾管時(shí)的速度為,單位時(shí)間內(nèi)噴出個(gè)離子,則時(shí)間內(nèi)噴出的離子數(shù)〔〕由氙離子的荷質(zhì)比聯(lián)立解得到〔或〕又由電流的定義式質(zhì)譜儀是一種測(cè)定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具,它的根本原理如圖22所示.離子源S產(chǎn)生質(zhì)量為m〔〕由氙離子的荷質(zhì)比聯(lián)立解得到〔或〕又由電流的定義式計(jì).離子經(jīng)勻強(qiáng)電場(chǎng)加速后從縫隙S1
垂直進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),然后沿圓弧經(jīng)過半個(gè)圓周的運(yùn)動(dòng)到達(dá)照相底片上的位置P而被記錄下來.加速電場(chǎng)兩平行板間的距d,兩板間有場(chǎng)強(qiáng)為E的勻強(qiáng)電場(chǎng),并測(cè)得位置P與縫隙S1
處的距離為y.試導(dǎo)出離子my值之間的函數(shù)關(guān)系.【答案】 y28Ed【解析】【詳解】設(shè)離子經(jīng)加速電場(chǎng)加速后的速度為v;由動(dòng)能定理,對(duì)加速過程,則有:
qEd
12mv2離子進(jìn)入磁場(chǎng)后做勻速圓周運(yùn)動(dòng),設(shè)圓周運(yùn)動(dòng)的半徑為R;依據(jù)牛頓其次定律,則有:v2vqvBm ;R1PSy2R;1聯(lián)立以上三式得:2mqB2y28Ed如圖為質(zhì)譜儀工作原理圖,離子從電離室A中的小孔S1逸出〔初速度不計(jì)〕,經(jīng)電壓為U的加速電場(chǎng)加速后,通過小孔S2S3,從磁場(chǎng)上邊界垂直于磁場(chǎng)方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度為B勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,運(yùn)動(dòng)半個(gè)圓周后打在接收底版D上并被吸取。對(duì)于同一種元素,假設(shè)有幾種同位素時(shí),就會(huì)在D上的不同位置消滅按質(zhì)量大小分布的譜線,經(jīng)過分析譜線的條數(shù)、強(qiáng)度〔單位時(shí)間內(nèi)打在底版D上某處的粒子動(dòng)能〕就可以分析該種元素的同位素組成。求比荷為
q的粒子進(jìn)入磁場(chǎng)的速度大?。籱3a、b、cDS的距離分別為31 2 3 1 2 L、L、LP、P、P1 2 3 1 2 12;3a、b、cm:m:m12;32qUm1 2 a、b、c在該種元素物質(zhì)組成中所占的質(zhì)量之比M:M:2qUm1 2 【答案】〔1〕v
【解析】【分析】
1 2
11 2 2 3 3〔1〕粒子在加速電場(chǎng)中加速的過程,依據(jù)動(dòng)能定理求解粒子進(jìn)入磁場(chǎng)的速度大小;〔2〕找出粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的半徑,依據(jù)qvBmv2求解質(zhì)量關(guān)系;依據(jù)單位時(shí)間內(nèi)打在底版RD上某處的粒子動(dòng)能求解三種同位素a、b、c在該種元素物質(zhì)組成中所占的質(zhì)量之比.【詳解】1粒子在加速電場(chǎng)中加速的過程,依據(jù)動(dòng)能定理可知:qU mv20122qUmv2qUm①帶電粒子進(jìn)入磁場(chǎng)后,在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),洛倫茲力供給向心力:qvBmv2R1RL11 2
;R L2 2L
;R 3L3 2LB2L2q B2L2q B2L2q解得:m 1 8U
2
2 ;m 38U 3 8Um:m
1 2 3 1 2 31②依據(jù)PN1
mv2,2qU
mv22
P P P∴三種同位素a、b、c的數(shù)量分別為:N 11 qU
;N 22
;N 33 qU三種同位素a、b、c在該種元素物質(zhì)組成所占的質(zhì)量分別為:1 1 1 2 2 2 3 3 M=Nm;M=Nm;M=N1 1 1 2 2 2 3 3 三種同位素a、b、c在該種元素物質(zhì)組成所占的質(zhì)量之比:M
:M:M
1 2 3 11
2 2 3 33如圖為某質(zhì)譜儀工作原理圖,離子從電離室AS1逸出(初速度不計(jì)),經(jīng)電壓US2S,從磁場(chǎng)上邊界垂直于磁場(chǎng)方向進(jìn)入磁感應(yīng)強(qiáng)度B勻強(qiáng)磁場(chǎng)中,運(yùn)動(dòng)半個(gè)圓周后打在接收底版D上并被吸取。對(duì)于同一種元素,假設(shè)有幾3種同位素時(shí),就會(huì)在D上的不同位置消滅按質(zhì)量大小分布的譜線,經(jīng)過分析譜線的條數(shù)、強(qiáng)度(D上某處的粒子動(dòng)能)就可以分析該種元素的同位素組成。1Smq,求該粒子進(jìn)入磁場(chǎng)后運(yùn)動(dòng)的軌道半徑;1a、b、cDS的距離分別為3L、L、LP、P、P,求:1 2 3 1 2 3;1a、b、cm;1
:m2
:m3②三種同位素a、b、c分別形成的環(huán)形電流大小之比I:I :I。1 2 3【答案】(1)【解析】【分析】
L:L:L;P:P:P1 1 B q〔1〕離子在電場(chǎng)中加速,由動(dòng)能定理可以求出離子進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí)的速度.離子在磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),洛倫茲力供給向心力,由牛頓其次定律可以求出離子的軌道半徑.〔2〕①求解粒子質(zhì)量的表達(dá)式,從而求解三種同位素a、b、c的粒子質(zhì)量之比;②依據(jù)單位時(shí)間內(nèi)粒子射到底板上的強(qiáng)度Pa、b、c分別形成的環(huán)形電流大小之比;【詳解】2qU2qUm1qU mv212
解得:v ①粒子進(jìn)入勻強(qiáng)磁場(chǎng)中做勻速圓周運(yùn)動(dòng),由牛頓其次定律得qvBmv2r1 B q粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)軌道半徑r1 B qqBS3
L=2r解得粒子的質(zhì)量(369 60)(36 27) ③1 2 3 1 2 a、b、c的粒子質(zhì)量之比為:m:m:m=L2:L2:L1 2 3 1 2 q②單位時(shí)間內(nèi)比荷為m1
PN,則P=N2
mv2 ④由①④得:NP ⑤UqI
NqPt Ua、b、c形成的環(huán)形電流之比為:I:I:IP:P:P1 2 3 1 2 3質(zhì)譜儀是一種測(cè)定帶電粒子質(zhì)量和分析同位素的重要工具,它的構(gòu)造原理如圖所S產(chǎn)生的各種不同正離子束(速度可看作為零),經(jīng)加速電場(chǎng)(加速電場(chǎng)極板間的dU)B的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)中做勻速圓周PPS1x.q/m.1 2 1 1 2 1 qmm的同位素離子(m>m),它們分別到達(dá)P、P位置(圖中末畫出)P、P間的距離△1 2 1 1 2 1 假設(shè)第(2)△t(磁場(chǎng)邊界與靠近磁場(chǎng)邊界的極板間的距離無視不計(jì)).8U【答案】(1)
B2x2Δx=2
2U(m)2mm)2m12md222md22qU2md21qUΔt=
1 2qB qB【解析】【分析】【詳解】粒子在磁場(chǎng)中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑為r=x/2.qvB=m
v2,解得vr1
qBr=qBx.m 2m依據(jù)動(dòng)能定理得,qU=2mv2聯(lián)立解得
q=8U .m B2x2qU=12mv2mvr=qB
,x=2r2mUqB2解得2mUqB2m1則x=2 2U(m1qB2
m〕.2d=1at
qU,2 a=,t=
2 1 md2md2md2qU1T=
2m.qBt=t
+T= m.2md22md2qU2md21qU1則△t= 2md21qU1【點(diǎn)睛】
2 qB2m2md22qU 2qB此題考察了帶電粒子在電場(chǎng)中的加速和在磁場(chǎng)中的偏轉(zhuǎn),關(guān)鍵是分析粒子的運(yùn)動(dòng)特點(diǎn),結(jié)合牛頓其次定律、運(yùn)動(dòng)學(xué)公式及動(dòng)能定理等綜合求解.質(zhì)譜分析技術(shù)已廣泛應(yīng)用于各前沿科學(xué)領(lǐng)域.湯姆孫覺察電子的質(zhì)譜裝置示意如圖,M、N為兩塊水平放置的平行金屬極板,板長為LDD遠(yuǎn)大于LOO為垂直于屏的中心軸線,不計(jì)離子重力和離子在板間偏離OO的距離.以屏中心OxOyx軸沿水平方向,y軸沿豎直方向.設(shè)一個(gè)質(zhì)量為m0、電荷量為q0的正離子以速度v0沿OO的方向從O點(diǎn)射入,板間O點(diǎn).假設(shè)在兩極板間加一沿yE的勻強(qiáng)電O場(chǎng),求離子射到屏上時(shí)偏離點(diǎn)的距離y;O0假設(shè)你利用該裝置探究未知離子,試依照以下試驗(yàn)結(jié)果計(jì)算未知離子的質(zhì)量數(shù).上述裝置中,保存原電場(chǎng),再在板間加沿y方向的勻強(qiáng)磁場(chǎng).現(xiàn)有電荷量一樣的兩種正O'點(diǎn)沿OO方向射入,屏上消滅兩條亮線.在兩線上取y坐標(biāo)x3.24mm3.00mmx坐標(biāo)大的光點(diǎn)是碳12離子擊中屏產(chǎn)生的,另一光點(diǎn)是未知離子產(chǎn)生的.盡管入射離子速度不完全相等,但入射度.速度都很大,且在板間運(yùn)動(dòng)時(shí)OOxy方向的分速度.qELD【答案】〔1〕y
0 2〔〕m22
01
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