電路設(shè)計(jì)的主要步驟

電路設(shè)計(jì)步驟明確設(shè)計(jì)任務(wù)和要求。選擇總體方案。設(shè)計(jì)單元電路。計(jì)算參數(shù)。選擇元器件。繪制總體電路圖。審查電路圖。組裝與調(diào)試。撰寫設(shè)計(jì)報(bào)告開關(guān)電源電路設(shè)計(jì)步驟步驟1確定開關(guān)電源的根本參數(shù)①溝通輸入電壓最小值umin②溝通輸入電壓最大值umax③電網(wǎng)頻率Fl 開關(guān)頻率fVO〔V〕：PO〔W〕：⑥電源效率η：80％Z=0Z=1Z=0.5步驟2依據(jù)輸出要求，選擇反響電路的類型以及反響電壓VFB3依據(jù)u，POCINVImintc=3msu，CINViminCIN,VIminu(V)PO(W)(μF/W)CIN(μF)VImin(V)固定輸入:100/1152~3(2~3)×PO≥90通用輸入:85~2652~3(2~3)×PO≥90固定輸入:230±351PO≥2404u，VOR、VBuVOR、VBVBTVSu(V)初級(jí)感應(yīng)電壓VOR(V)鉗位二極管 固定輸入:100/1156090通用輸入:85~265135200固定輸入:230±351352005依據(jù)ViminVORDmax①設(shè)定MOSFETVDS(ON)②應(yīng)在u=uminDmax，DmaxuIPKRP，KRP=IR/IPu(V)KRP固定輸入:100/1150.41通用輸入:85~2650.41固定輸入:230±350.617IAVGIPIRIRMS8依據(jù)電子數(shù)據(jù)表和所需IP值選擇TOPSwitch10％，所選芯片的極限電流最小值ILIMIT(min)應(yīng)滿足：0.9ILIMIT(min)≥IP910計(jì)算芯片結(jié)溫Tj①按下式結(jié)算：Tj＝[I2RMS×RDS(ON)+1/2×CXT×(VImax+VOR)2f]×Rθ＋25℃CXT的芯片步驟11驗(yàn)算IP IP=0.9ILIMIT(min)①輸入的KRPKRP=1IP③迭代KRP=1IP=0.9ILIMIT(min)12計(jì)算高頻變壓器初級(jí)電感量LP，LPμH步驟13選擇變壓器所使用的磁芯和骨架，查出以下參數(shù)：Sj〔cm2〕，即有效磁通面積。l〔cm〕AL(μH/2)b〔mm〕14為初級(jí)層數(shù)dNs①開頭時(shí)取d＝2〔1≤d≤2〕Ns=1(100V/115VNs=0.6(220V③Ns=0.6×(VO+VF1)④在使用公式計(jì)算時(shí)可能需要迭代15計(jì)算初級(jí)繞組匝數(shù)NpNFVF1VF2NPNF16~22BM、初級(jí)繞組電流密度J、磁芯的氣隙寬度δ，進(jìn)展迭代。①設(shè)置安全邊距M230VM=3mm110V/115VM=1.5mmM=0BM=0.2～0.3TNP，BM0.2~0.3TBM＜0.2TNP③磁芯氣隙寬度δ≥0.051mmδ＝40πSJ(NP2/1000LP－1/1000AL)要求δ≥0.051mm，假設(shè)小于此值，需增大磁芯尺寸或增加NP值。J=(4~10)A/mm2J＞4A/mm2；NP⑤確定初級(jí)繞組最小直徑〔裸線〕DPm(mm)⑥確定初級(jí)繞組最大外徑〔帶絕緣層〕DPM(mm)dbMbe〔mm〕be=d(b－2M)然后計(jì)算初級(jí)導(dǎo)線外徑〔帶絕緣層〕DPM：DPM＝be/NP23ISP、ISRMS、IRI、DSM、DSmISP=IP×(NP/NS)ISRMS(A)IRI(A)⑤次級(jí)導(dǎo)線最小直徑〔裸線〕DSm(mm)⑥次級(jí)導(dǎo)線最大外徑〔帶絕緣層〕DSM(mm)24確定V(BR)S、V(BR)FBV(BR)S＝VO+VImax×NS/NPV(BR)FB＝VFB+VImax×NF/NP步驟25選擇鉗位二極管和堵塞二極管2627利用步驟23IRI,COUT①濾波電容COUT105℃、100KHZ≥IRIr0IRI，r0L0④COUTIOM步驟28～29當(dāng)輸出端的紋波電壓超過規(guī)定值時(shí)，應(yīng)再增加一級(jí)LC濾波器IOM＜1A選用磁圍繞制成的扼流圈。②為減小LL=3.3μHr030選擇反響電路中的整流管31選擇反響濾波電容32選擇掌握端電容及串連電阻承受一般電解電容即可。與之相串連6.2Ω、1/4W，在不連續(xù)模式下可省掉此電阻。3334①整流橋的反向擊穿電壓VBR≥1.25√2 umaxIBR,IBR≥2IRMSIRMS如下：0.5