電力電子技術(shù)期末考試樣卷含答案

閱卷教師一〔101.0閱卷教師一1〔900晶閘管變流器就可實(shí)現(xiàn)有源逆變。2( 波可控整流電路帶阻感性負(fù)載時，晶閘管承受反向陽極電壓馬上關(guān)斷。3、〔〕在目前全部電力電子器件開關(guān)中，電力場效應(yīng)管開關(guān)速度最快。4、〔〕IGBT可視為一個場效應(yīng)管和一個電力晶體管的達(dá)林頓連接。5、〔〕三相橋式全控整流電路，輸出電壓波形的脈動頻300HZ。6〔〕移相掌握角越大，整流電路的功率因數(shù)越高。7、〔〕晶閘管內(nèi)部可視為兩個晶體三極管的負(fù)反響連接?！?4。9、〔〕高頻PWM逆變電路輸出電壓含有低次諧波。10、〔〕晶閘管整流電路中的功率因數(shù)與電流波形畸變無關(guān)。閱卷教師二二、單項(xiàng)選擇題〔202.0閱卷教師二1、由IGBT組成的無源逆變器中其換流方式是〔〕A.電網(wǎng)換流B.器件換流C.強(qiáng)迫換流D.負(fù)載換流2、帶電阻性負(fù)載的單相全控橋，晶閘管所承受的最大正向和反向()。A. 2U, 2U B. 2U,2 2U C. 2U /2, 2U D. 2U, 2U /22 2 2 2 2 2 2 2。A.Id

UR

cos

B.Id

1.15UR

cosC.Id

0.9UR

cos

D.Id

0.45UR

cos4()。I /d

2I 3d3

C.I /3 D.2I /33d d3、晶閘管直流側(cè)過電壓保護(hù)的元器件是〕A.快速熔斷器 B.壓敏電阻 C.快速開關(guān) D.過流繼電器6,ton

壓與負(fù)載電壓平均U

ton,

toff〕o T TA.Uo

E B.Uo

E C.Uo

E D.Uo

1 E、7為)。A.單相全控橋式電路 B.單相半控橋式電路C.帶續(xù)流二極管的單相全控橋式電路D.帶續(xù)流二極管的單相半控橋式電路8SPWM(變)。A.三角載波幅值 B.三角載波頻率C.正弦調(diào)制波的幅值 D.正弦調(diào)制波的頻率上圖中的電力電子元件依次為。A.IGBT、GTR、GTOB.C.IGBT、GTO、GTRD.(成)諧振軟開關(guān)電路。閱卷教師三A．B.C.D閱卷教師三201.0分〔在此題下的表格中〕1、電力電子技術(shù)是使用1 對2 換和掌握的技術(shù)，分為電力電子器件技術(shù)和3 電力電子應(yīng)用系統(tǒng)一般由4 、5 和6組成為了提高系統(tǒng)牢靠性，應(yīng)參加7 力電子技術(shù)的進(jìn)展方向是高頻、8 、高功率密度和9 。、幾乎全部的電力半導(dǎo)體器件均10 開關(guān)。電力二極r 、晶閘門極可關(guān)斷晶閘電力晶體電力場效應(yīng)、絕緣柵雙極型晶體中，在可控的器件中，功率范圍最大的是11，開關(guān)頻率最高的_12?；?，呈13 效應(yīng)。電力MOSFET漏源極之間有寄生14。其通態(tài)電阻具有溫度系數(shù)IGBT內(nèi)部存在寄生。4、軟開關(guān)技術(shù)可以分為 17和18 兩大類。5三相六拍1800示。1,ia,b,ca,b,c開關(guān)接通，i相應(yīng)地，a”,b”,c”開關(guān)關(guān)斷，Z為相阻抗〕,圖中VDC

為直流側(cè)電源。當(dāng)開關(guān)函數(shù)Sa,b,c

AN

19 ，線電壓UBC

20 。〔寫在本表格中〕1234567891011121314151617181920閱卷教師四同？〔5分〕閱卷教師四

〔共20分〕1、無源逆變電路和有源逆變電路有何不2〔3分為什么提高開關(guān)頻率可以削減變壓器的體積和重量？〔3分高頻化會帶來什么問題？〔4分〕答：3、提高晶閘管整流電路網(wǎng)側(cè)功率因數(shù)的主要方法有哪些？〔5分〕答：閱卷教師五五、綜合分析計(jì)算〔30閱卷教師五試畫出PWM升壓直流變換電路原理〔10分S〔3分，畫出工作波形并簡述工作原5分E，占空比為t diDon，式中tT on

為ST

off

為開關(guān)關(guān)斷時間Ul

L L，dt式中L為電感值i 為流過電感的電流t t T試推導(dǎo)其輸入輸出電壓的關(guān)系L on 0ff〔10分。并計(jì)算E50V,R25,T50s,t 20s，設(shè)L,C值很大計(jì)算onUo

Io

〔2分。解：〔101.0分〕題號12345678910答案ⅩⅩ√√√ⅩⅩⅩⅩⅩ二、單項(xiàng)選擇題〔202.0分〕題號 1題號 12345678910答案 BCCBBCADBB201.0分〔將答案寫在此題下的表格中〕1電力電子器2電能〔電3件功率〕5驅(qū)動電路6掌握電路79智能化10單向單極1113電容14二極管15變流技術(shù)術(shù)〕4主回路〔功率變換器〕檢測電路和保護(hù)電路8高效管)12管〕正16晶閘管17電流〕18零電流壓〕19V /變流技術(shù)術(shù)〕4主回路〔功率變換器〕檢測電路和保護(hù)電路8高效管)12管〕正16晶閘管17電流〕18零電流壓〕19V /3DC20VDC缺少VDC

，可判定會計(jì)算，相應(yīng)只扣一分?！补?0分〕1、無源逆變電路和有源逆變電路有何不同？〔5分〕承受晶閘管工作在有源逆變狀態(tài)。評分標(biāo)準(zhǔn)：空白或答案內(nèi)容與題目完全不符，零分，其它相應(yīng)扣分；2〔3分為什么提高開關(guān)頻率可以削減變壓器的體積和重量？〔3分高頻化會帶來什么問題？〔4分〕f

12 LCL,CL,C12 LCU4.4.4fNBSf提高時NS參數(shù)值會減小，件開關(guān)技術(shù)則是解決高頻化問題的一種特別技術(shù)。評分標(biāo)準(zhǔn)：答對濾波器體積重量降低緣由3分〕，3〔分分〕和開關(guān)損2分〕它內(nèi)容與答案內(nèi)容不附者，相應(yīng)扣分。3、提高晶閘管整流電路網(wǎng)側(cè)功率因數(shù)的主要方法有哪些？〔5分〕答：12、附加有源功率因數(shù)校正器；3、增加整流相數(shù)即整流電路多重化；4、設(shè)計(jì)時盡量設(shè)法讓整流裝置運(yùn)行在移相掌握角比較小的狀況下；評分標(biāo)準(zhǔn)：空白零分；填寫內(nèi)容與題意完全相符且要點(diǎn)全出者，總分值；所寫內(nèi)容與題意不完全相符，相應(yīng)扣分。五、綜合分析計(jì)算〔30分〕、電路原理圖如下所示10分〕評分標(biāo)準(zhǔn)：〕號并標(biāo)注電壓和電流方向的總分值；電路正確便無元件物理量符但接近者〔如二極管方向錯誤或缺少電容等〕27分；無圖無符號或空白者，扣10213分?！瞐〕電路原理圖 〔b〕穩(wěn)態(tài)工作波形25分VE向LCRV量的電感和電源一起向電容充電且向負(fù)載供電?！?-33分；無文字說明者2-無5分。3〔10分〕設(shè)VLEIton設(shè)V斷態(tài)的時間，此期間電L釋放的能量為U E)It0 1offT中電感L積蓄能量與釋放能量相等：EIt1on

(U0

E)It1off

t

toff

ET E 1 E0 to