存儲器產(chǎn)業(yè)專題報(bào)告之一：中國企業(yè)有機(jī)會在3DNAND Flash領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)彎道超車

閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 存儲器行業(yè) 存儲器行業(yè)和微處理器是繞不開的課題。本篇報(bào)告通過50+頁的篇幅，詳細(xì)論證了存儲器Flash等子行業(yè)的應(yīng)用領(lǐng)域、競爭格局、市場規(guī)模、未來發(fā)展趨勢等，最后認(rèn)為中動，這使得大公司總有擴(kuò)大產(chǎn)Flash，隨著平面工藝尺寸縮減難度越來越大，在16nm左右，采用平面縮減工藝中國可借助3DNandFlash技術(shù)轉(zhuǎn)換機(jī)會實(shí)現(xiàn)彎道超車。從產(chǎn)值角度看，存儲器占半導(dǎo)體產(chǎn)品產(chǎn)值的22%，在半導(dǎo)體產(chǎn)品中算“大件”。發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)，對國家整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步拉動效應(yīng)明顯。2DNandFlash的進(jìn)步主要是通過微縮技術(shù)實(shí)現(xiàn)的，而3DNandFlash的關(guān)鍵技術(shù)是極度復(fù)雜的刻蝕和薄膜工藝，技術(shù)工藝差別較大，而且美光、SK海力士等巨頭在3DNandFlash布局方面走的并不遠(yuǎn)。如果中國企業(yè)現(xiàn)在通過技術(shù)合作，快速切入該領(lǐng)域，在這個技術(shù)變革過程中很有可能在存儲器領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)彎道超車。力成等為其晶圓制造和封測的合作伙伴。國內(nèi)存儲器產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)的企業(yè)有兆易創(chuàng)新h制造)、中芯國際(0981.HK，存儲器芯片晶圓制造)等，另外未來如果存儲器產(chǎn)料、封測、模組、控制器芯片等配套風(fēng)險提示：行業(yè)景氣度劇烈波動、技術(shù)更新?lián)Q代等行業(yè)研究持首次相關(guān)研究SAC執(zhí)業(yè)證書編號：S06tseccomSAC執(zhí)業(yè)證書編號：S4060002bhtseccom3219816ccom11閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 1.存儲器行業(yè)發(fā)展特點(diǎn) 91.1存儲器產(chǎn)業(yè)近兩年景氣度高，相關(guān)企業(yè)盈利頗豐 91.2存儲器長期發(fā)展的不確定性因素 92.存儲器的分類 113.DRAM市場分析 14DRAM點(diǎn)：技術(shù)更新快、周期風(fēng)暴、寡頭壟斷 14 3.3DRAM下游應(yīng)用市場 19 及可穿戴拉動利基型DRAM 21DRAM定、Mobile比重繼續(xù)增加、新技術(shù) 23 4.NandFlash市場分析 25 shD NANDFlash高速增長、國內(nèi)市場增長快 33 h NORFlash 44 22可穿戴設(shè)備拉動 46 7.其他存儲技術(shù) 50 8.1存儲器與微處理器，占據(jù)超四成的半導(dǎo)體產(chǎn)值 51 9.投資建議：關(guān)注存儲器產(chǎn)業(yè)鏈上下游 52附錄.部分專用名詞說明 5333圖1美光營收和凈利潤的波動性(百萬美元) 9圖2SKHynix營收和凈利潤的波動性(千億韓元) 9圖3美光(MU.O)股價相對漲幅 9圖4華亞科(3474.TW)股價相對漲幅 9 圖7全球智能手機(jī)滲透率已高 10圖8存儲器按結(jié)構(gòu)和特性分類 129存儲器按級別分類 13 圖122008-2014年DRAM合約價波動圖(單位：美元) 15 圖15全球DRAM產(chǎn)業(yè)由三星電子、SK海力士、美光三強(qiáng)鼎立 17 圖182012-2017年DRAM市場總營收及其預(yù)測(百萬美元) 21RAM 圖202014年Q2全球MobileDRAM營業(yè)收入排名(單位：億元) 23 圖232012年全球NAND市場銷售額比例分布(億元) 26圖242012年中國NAND市場銷售額比例分布(億元) 26 44NANDFlash單位：億元) 28圖27eMMC和NandFlash讀取速率對比(MB/s) 28 圖29近期eMMC價格與容量關(guān)系(美元) 29圖30近期eMCP價格與架構(gòu)關(guān)系(美元) 30圖31SSD近期價格與容量的關(guān)系(美元) 30 NDFlash 圖35NANDFlash近兩年品牌營業(yè)收入(百萬美元) 34NANDFlash單位：億美元) 34圖372008-2015年中國NANDFlash市場規(guī)模及預(yù)測(按銷售額，單位：億元) 35圖38近年來NandFlash價格走勢(美元) 35 圖412014年SLC、MLC、TLC價格對比 38iPhoneGTLCMLC對比 39iPhoneGTLCMLC對比 39 圖452012年全球NORFlash市場份額分布(億美元) 41 圖482012年全球NORFlash芯片市場區(qū)域結(jié)構(gòu)(按銷售額，單位：億美元) 43圖492012年中國NOR市場銷售額比例分布(億元) 43 NORFlash與增長率及未來幾年預(yù)測 45NORFlash與增長率及未來幾年預(yù)測 4655美元) 46 47NandDRAM、壽命等方面的比較 47 ash 66表1三種主要存儲器的比較 13 表3主要DRAM芯片廠納米制程技術(shù)時程圖(Roadmap) 19表4主要NANDFlash芯片廠納米制程技術(shù)時程圖(Roadmap) 26表5各大存儲廠商3DNandFlash技術(shù)路線圖 33D 表7主要的新興存儲技術(shù)比較 5077閱讀正文之后的信息披露和法律聲明投資要點(diǎn)從產(chǎn)值角度看，存儲器和微處理器是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的兩大件，分別占半導(dǎo)體產(chǎn)品產(chǎn)值不開的課題。本篇報(bào)告通過50+頁的篇幅，詳細(xì)論證了存儲器(Memory)行業(yè)的發(fā)展本篇深度報(bào)告編寫的目的：1)存儲器是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重要的組成部分，通過對存儲器產(chǎn)業(yè)的研究，讓投資者更深地理解半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展規(guī)律；2)提示關(guān)注國內(nèi)存儲器產(chǎn)業(yè)鏈的投資機(jī)會。國內(nèi)存儲器產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)的企業(yè)有兆易創(chuàng)新(IPO排隊(duì)，NORFlashK材料、封測、模組、控制器芯片等配套都可能有投資機(jī)會，我們保持密切關(guān)注。新?lián)Q代快，用戶和產(chǎn)品粘性弱，容易被取代。市場容量可以被迅速推動，如智能手機(jī)的內(nèi)種方式對大公司而言似乎總是正確。市場行情好的時候擴(kuò)張可以薄利多銷擠占市場，行所以從供給角度看競爭格局比較穩(wěn)定；2)且從需求角度看，智能手機(jī)市場的爆發(fā)，對y高景氣狀態(tài)表示疑慮，波動性特點(diǎn)可能很難改變，理由主要有：1)存儲器行業(yè)波動性宏觀經(jīng)濟(jì)波動正相關(guān)，存儲器景氣波動幅度甚至大于宏觀經(jīng)濟(jì)的波動；2)供應(yīng)角度：通過研究存儲器行業(yè)及各大相關(guān)公司的發(fā)展歷史，也可以發(fā)現(xiàn)存儲器行業(yè)的長期波動性海力士、美光等當(dāng)前并未停止大肆擴(kuò)張的腳步，所以我們對存儲器產(chǎn)業(yè)的周期波動特性放松警惕。sh88閱讀正文之后的信息披露和法律聲明h動增長率將有所回升。入該領(lǐng)域，在這個技術(shù)變革過程中很有可能在存儲器領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)彎道超車。991.存儲器行業(yè)發(fā)展特點(diǎn)具有高度的標(biāo)準(zhǔn)化特性，更新?lián)Q代快，用戶和產(chǎn)品粘性弱，容易取代。市場容量可以被擴(kuò)大規(guī)模的沖動，而這種方式對大公司而言似乎總是正確。市場行情好的時候擴(kuò)張可以薄利多銷擠占市場，行情差的時候大公司耐受能力強(qiáng)從而將對手拖垮。圖1美光營收和凈利潤的波動性(百萬美元)0(320)200000(320)營業(yè)總收入(百萬美元)凈利潤(百萬美元)16358150009073878889073878884828234527256885272480350003045185011906767200620072008(1619)2200620072008(1619)201120122013(1032)2014(1835)(5000)資料來源：Wind，海通證券研究所整理圖2SKHynix營收和凈利潤的波動性(千億韓元)2005000500(50)(100)營收(千億韓元)凈利潤(千億韓元)營收(千億韓元)141.65119.73101.88101.6284.3476.6575.6976.6575.6964.9528.95228.9512.733.28.29-9-4.642009201020112012200920102011201220132014H1-47.21.1存儲器產(chǎn)業(yè)近兩年景氣度高，相關(guān)企業(yè)盈利頗豐所以從供應(yīng)角度看競爭格局比較穩(wěn)定；2)且從需求角度看，智能手機(jī)市場的爆發(fā)，對圖3美光(MU.O)股價相對漲幅圖4華亞科(3474.TW)股價相對漲幅資料來源：Wind，海通證券研究所整理(收盤價截止到2015.1.16)1.2存儲器長期發(fā)展的不確定性因素業(yè)長期維持高景氣狀態(tài)表示疑慮，波動性特點(diǎn)可能很難改變，惟有強(qiáng)資本實(shí)力、擁先進(jìn)占相對有利地位。閱讀正文之后的信息披露和法律聲明閱讀正文之后的信息披露和法律聲明需求的周期性：國際經(jīng)濟(jì)形勢波動、智能終端的滲透率存儲器行業(yè)波動性的原因之一就是宏觀經(jīng)濟(jì)的波動性影響存儲器的需求，歷史上存儲器價格波動基本都跟宏觀經(jīng)濟(jì)波動正相關(guān)，存儲器景氣波動幅度甚至大于宏觀經(jīng)濟(jì)的D濟(jì)的重4332211099989796959493OECD綜合領(lǐng)先指標(biāo):G7(點(diǎn)，右軸)現(xiàn)貨平均價:DRAM:DDR21Gb128Mx8800MHz(美金，左軸)網(wǎng)、智能家居、智能硬件等產(chǎn)業(yè)還未明顯起動，對存儲器的總體需求有待觀察。所以我圖6全球智能手機(jī)出貨增速下滑3503002502005000500全球智能手機(jī)出貨量(百萬臺，左軸)YoY(%，右軸)100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%圖7全球智能手機(jī)滲透率已高00%全球手機(jī)出貨量(百萬臺，左軸)智能手機(jī)滲透率(%，右軸)供應(yīng)的周期性：各大廠商的擴(kuò)張基因繼續(xù)隱現(xiàn)DRAM頭壟斷局面，各大閱讀正文之后的信息披露和法律聲明器行業(yè)及各大相關(guān)公司的發(fā)展歷史，也可以發(fā)現(xiàn)存儲器行業(yè)的在業(yè)界也是臭名昭著。甚至在2006年，三星電子三名高官因涉嫌操縱內(nèi)存價格而被美引起業(yè)界一片哀嚎。這一慣用手段貫穿三星電子過往發(fā)展史，甚星“成功法寶”之一。三星的最新擴(kuò)張：三星DRAM產(chǎn)品有4個廠，均為12寸產(chǎn)線，均建置于韓國華在臺灣也有產(chǎn)線，并和臺灣茂德有長期合作，同時在歐洲有研發(fā)中心。SK海力士擴(kuò)建鑒于以上分析，我們認(rèn)為存儲器產(chǎn)業(yè)最大的特性就是景氣周期波動性大。后續(xù)我們DRAMNandFlashNorFlash及發(fā)展趨勢等。2.存儲器的分類存儲器可定義為將信息數(shù)字化后再以利用電、磁或光學(xué)等方式的媒體加以存儲的設(shè)D機(jī)結(jié)構(gòu)中，按是否可以直接被CPU讀取可以分為內(nèi)存(主存，如RAM)和外存(如ROM，硬盤等)，按掉電后是否保存信息分為易失性存儲器(volatileMemory)和非易閱讀正文之后的信息披露和法律聲明圖8存儲器按結(jié)構(gòu)和特性分類券研究所整理DRAM和Flash。DRAM主要包括用于智能ower市場份額已經(jīng)超過標(biāo)準(zhǔn)DRAM；最后一類是利基型DRAM(NicheDRAM)，包括AMM閱讀正文之后的信息披露和法律聲明時鐘周期0時鐘周期0圖9存儲器按級別分類寄存器寄存器一一級緩存SRAM二二級緩存SRAM主主存(內(nèi)存)(DRAM→SDRAM→DDR1→DDR2→DDR3→DDR4。。。)外部存儲器外部存儲器FlashROMHDDSSDCD，磁帶。。。)網(wǎng)絡(luò)存儲器理D表1三種主要存儲器的比較特性DRAMNANDFlashNORFlash揮發(fā)性易失性非易失性非易失性隨機(jī)讀取50ns25000ns100ns帶寬100MB/s10MB/s1MB/s壽命無限10^4-510^5功耗高低低軟件容易難適中擦除不能可以可以主要廠家三星、SK海力士、美光三星、SK海力士、美光、東芝/閃迪旺宏、兆易、華邦、宜揚(yáng)典型應(yīng)用DDR、GDDR、LPDDReMMCEMCPSSDU盤IOT、可穿戴、智能手機(jī)理AMsh閱讀正文之后的信息披露和法律聲明80%0%60%50%40%30%20%%20132014220132014DRAMNANDNOR證券研究所整理RAM3.1DRAM行業(yè)歷史發(fā)展特點(diǎn)：技術(shù)更新快、周期風(fēng)暴、寡頭壟斷技術(shù)更新?lián)Q代快(又稱SDRDRAM)。在1996-2002年期間，SDRAM逐步取代了其他DRAM稱雄PC內(nèi)存市場。在SDRAM基礎(chǔ)上，又發(fā)展了雙倍速率同步動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存DDRDDR還衍生除了專用于圖形處理的GDDR，用于移動平臺的低功耗LPDDR(mobile理閱讀正文之后的信息披露和法律聲明C危機(jī)后，臺灣DRAM廠商被迫轉(zhuǎn)型，日本爾必達(dá)被AM圖122008-2014年DRAM合約價波動圖(單位：美元)4332211043322110現(xiàn)貨平均價:DRAM:DDR21Gb128Mx8800MHz(美金)閱讀正文之后的信息披露和法律聲明研發(fā)能力較強(qiáng)的美國。到了80年代產(chǎn)品進(jìn)入了成長期，產(chǎn)品的品質(zhì)、價格決定了市場DRAM移與廠商數(shù)量減少研究所整理DRAMSK鼎立其他美光三星0%海力士海力士s閱讀正文之后的信息披露和法律聲明表2主要DRAM公司2014第二、三季度營業(yè)收入(百萬美元)及市場份額排名公司Q3營業(yè)收入Q2營業(yè)收入環(huán)比Q3市場份額Q2市場份額1三星samsung5019423718.46%41.7%2SK海力士Hynix319129747.30%26.5%27.4%3美光MicronGroup286527294.98%23.7%25.2%44363963.6%3.7%5華邦winBond75665.42%1.5%1.5%6力晶powerchip其他22488225-5.56%10.22%0.8%布比較MobileDRAM封裝(MultiChipPackage,MCP)等產(chǎn)品。ComputingDRAM主導(dǎo)航、數(shù)位相機(jī)、數(shù)位攝影機(jī)、數(shù)位單眼相機(jī)(DSLR)等消費(fèi)型產(chǎn)品;GraphicDRAM主要應(yīng)用于筆電、桌上型電腦等可大量且高速執(zhí)行繪圖運(yùn)算之資訊運(yùn)算產(chǎn)品。MobileAMMCPinem閱讀正文之后的信息披露和法律聲明存儲原廠三星SK海力士美光金士頓DRAM產(chǎn)線YESYESYESYESDRAM制程25nm29nm28nmPSC產(chǎn)線38nm海通證券研究所整理率、利潤、3D技術(shù)等方面均處于絕對領(lǐng)先位置。三星在小時，技術(shù)難度帶來的成本增加將超過規(guī)模效應(yīng)的效益，因此普遍由美光主導(dǎo)，南科(2014年9華亞科(inotera)由于與美光議價結(jié)構(gòu)的關(guān)系，繼續(xù)保持DRAM廠中獲利最佳的位置，2014年第三季利潤率高達(dá)到51.9%。公司計(jì)劃2015年更新產(chǎn)線，以求后續(xù)順利轉(zhuǎn)20nm制程。南亞科(NanyaTechnology)目前以生產(chǎn)利基型存儲器為主，2014年第三季營業(yè)力晶(Powerchip)受代工業(yè)務(wù)價格下滑影響，在2014年第三季DRAM營業(yè)收入DRAM游應(yīng)用市場閱讀正文之后的信息披露和法律聲明mobileDDRLPDDRLowpowerDDR)，以及少量的PSRAM；用PC其它21%Consumer4%Server12%Mobile32%M閱讀正文之后的信息披露和法律聲明及可穿戴拉動利基型DRAM。圖182012-2017年DRAM市場總營收及其預(yù)測(百萬美元)000201220132014E2015E2016E2017EPCDRAMMobileDRAM閱讀正文之后的信息披露和法律聲明M持高利潤態(tài)勢。AMMeXchange華邦電子,南華邦電子,1%1%1%美光,22.60%三星電子,45.40%SK海力士,閱讀正文之后的信息披露和法律聲明QMobileDRAM：億元)0三星電子SK海力士美光南亞科華邦電子MAM和一般消費(fèi)性電子追求大容量、高速率不同，物聯(lián)網(wǎng)更多地追求穩(wěn)定性和低功耗而對容市場，Be年供不應(yīng)求，穩(wěn)定獲利SKDRAM供不應(yīng)求。相比閱讀正文之后的信息披露和法律聲明商提高M(jìn)obileDRAM比t%90%80%70%60%50%40%30%20%%2005200620072008200920102011201220132014E2015E2016E2017E2018EM分則由于智能手機(jī)與平板在中國市場的熱銷，主流產(chǎn)品也逐漸由標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存轉(zhuǎn)為移動內(nèi)存，加上中國自有智能手機(jī)品牌廠成為重要的需求來源。除了中興與華為外銷比例較高以外，大部分中國品牌廠仍以內(nèi)銷為主。以2014年總消耗量做計(jì)算，中國地區(qū)就占了AM閱讀正文之后的信息披露和法律聲明45%40%35%30%25%20%15%10% 5%%2014嵌入式：(AIMM，消費(fèi)電子，智能家電)2018企業(yè)級：服務(wù)器(企業(yè)和云服務(wù))，網(wǎng)絡(luò)證券研究所整理面加劇排名第三的美光制程進(jìn)度落后于韓國兩企業(yè)，長期看恐加劇寡頭壟斷局面。三星mM各廠以獲利為先DRAM產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)為寡占市場結(jié)構(gòu)，僅存的三大DRAM廠皆以獲利導(dǎo)向?yàn)閮?yōu)先，謹(jǐn)慎動存儲器，擠壓了標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)出，讓標(biāo)準(zhǔn)型存儲器市場價格維持高價水位。穩(wěn)定成長獲利的一年。新技術(shù)快速導(dǎo)入m些新技術(shù)短期不會影響整體存儲器市場格局。NandFlash市場分析閱讀正文之后的信息披露和法律聲明市場比例基本一致。圖232012年全球NAND市場銷售額比例分布(億元)圖242012年中國NAND市場銷售額比例分布(億元)美光,其其他,5.7,東芝東芝/閃迪,28%海力士,13%三星,237.6,38%美光,0%3.6,22%東芝/閃迪,53.8,27%三星,海力士,76.8,39%,12%其他,0.8,資料來源：產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)，海通證券研究所整理資料來源：產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)，海通證券研究所整理m表4主要NANDFlash芯片廠納米制程技術(shù)時程圖(Roadmap)廠商201120122013201420152015制程等級2xnm2ynm1xnm1ynm1znm3DNAND三星27nm21nm19nm16nm14nm24nm東芝/閃迪24nm19nm19nm16nm12nm28nm美光25nm20nm20nm18nm15nm32nmSK海力士26nm20nm20nm16nm13nm32nm海通證券研究所整理h閱讀正文之后的信息披露和法律聲明MLCSK海力士、美光、C架構(gòu)比MLC架構(gòu)要快速三倍以上。再者，MLC能耗比SLC高，在相同使用條件下比場需求。C然而由于具有成本優(yōu)勢，適合做消費(fèi)電子移動設(shè)備的大容量存儲，未來市場份額將會進(jìn)應(yīng)用分布其他3%移動存儲25%consumer2%ssd31%mobile39%證券研究所整理閱讀正文之后的信息披露和法律聲明265.423.2162.1193.14265.423.2162.1193.148.8169.3136.7271.7151.849.4138.0227.933.7188.652.2130.853.4132.4100090080070060050040030020010002013年2014年E2015年EFlashCardUSBHandsetTabletPMPOthers證券研究所整理eMMCeMCPkage起的方式。eMCP(eMMC+MCP)是將eMMC進(jìn)行MCP封裝，而成的智能手機(jī)內(nèi)嵌機(jī)更薄，更方便升級。通過標(biāo)準(zhǔn)接口管理閃存，可以簡化手機(jī)存儲器的設(shè)計(jì)，更新速度快，加速產(chǎn)品研發(fā)速度，降低功耗，節(jié)省空間，提升容量及速度，因此在智能手機(jī)及平。閱讀正文之后的信息披露和法律聲明計(jì)主要有臺灣慧榮科技(siliconMotion)，臺灣群聯(lián)(Phison)，臺灣擎泰科技，臺灣5%。其中，三星電子(SamsungElectronics)占35.6%的市場份額，成為全球第一的證券研究所整理圖29近期eMMC價格與容量關(guān)系(美元)研究所整理閱讀正文之后的信息披露和法律聲明圖30近期eMCP價格與架構(gòu)關(guān)系(美元)研究所整理SSD始增長SSD目前主要用在企業(yè)級產(chǎn)品中，并保持較高增長速率。IHS預(yù)計(jì)到2018年之前，企業(yè)級SSD的使用數(shù)量將保持每年39%的增長率。在筆記本上，2015年SSD在筆記本電腦的搭載率可望提升至26%。在平板電腦中，除了微軟(Microsoft)推出的SurfacePro采用SATA固態(tài)硬盤(SSD)，其他大多數(shù)平板電腦也是以eMMC做為標(biāo)準(zhǔn)的存儲器配置，市場空間不大。圖31SSD近期價格與容量的關(guān)系(美元)研究所整理設(shè)計(jì)主要有三星、希捷，臺灣慧榮科技(siliconMotion)，臺灣群聯(lián)(Phison)，臺灣閱讀正文之后的信息披露和法律聲明SSD引爆市場。從需求面來看，固態(tài)硬盤(SSD)求壓力將由2014年第4季延續(xù)到2015年上半年。000SSD需求量(GB,左軸)YOY(%，右軸)2011201220132014E2015E臺灣慧榮科技(siliconMotion)，臺灣群聯(lián)(Phison)，臺灣擎泰科技SKymedi，臺灣鑫創(chuàng)科技(solidstatesystem)，臺灣安國(alcor)，臺灣銀燦科技(innostor)，深圳硅格(siliconGo)。圖33USB2.0和3.0價格對比(單位：人民幣)研究所整理閱讀正文之后的信息披露和法律聲明各家產(chǎn)能繼續(xù)擴(kuò)大NANDFlash儲器模hQsh東芝及閃迪(SanDiSK)加快日本Fab5第2期量產(chǎn)，同時東芝對Fab5擴(kuò)建也于M其它,0.40%IntelIntel,6.60%SKHynix,9.50%三星,30.80%Micron,SanDisk,東芝,20.50%D格局閱讀正文之后的信息披露和法律聲明nmNANDDNAND相布局3D各大存儲廠商3DNandFlash技術(shù)路線圖廠商架構(gòu)技術(shù)送樣時間量產(chǎn)時間簡圖三星Samsung3DTCAT/VG2014年Q1東芝/閃迪Toshiba/SandiSK3DP-BiCS2014年Q12015年下半年美光Micron3DDGTFT2014年Q2待定SK海力士SK-Hynix3DSMArt2014年Q32015年海通證券研究所整理DSSD供應(yīng)商包括NANDFlash大廠，如三星電子(SamsungElectronics)、東芝目前最早將3DNANDFLASH技術(shù)實(shí)用化的的公司還是三星的32層的堆疊SK海力士(SKHynix)在固態(tài)硬盤(SSD)市場表現(xiàn)出色，同時將從2015年量產(chǎn)3D的IMFT所生產(chǎn)的3DNAND將具有32層堆疊，每顆MLC顆粒可提供256Gb(32GB)、TLC則是384Gb(48GB)的容量。eMMC受移動智能終端的拉動，NANDFlash增長迅猛，甚至已經(jīng)超過DRAM。eMMC前景看好，也帶來新競爭者進(jìn)入市場。三星電子(SamsungElectronics)仍shiba4.4NANDFlash市場規(guī)模：高速增長、國內(nèi)市場增長快閱讀正文之后的信息披露和法律聲明2014年NANDFlash市場應(yīng)用成長動能仍集中在固態(tài)硬盤(SSD)和內(nèi)嵌式存儲器圖35NANDFlash近兩年品牌營業(yè)收入(百萬美元)三星東芝SanDiskMicronSKHynixIntel013Q113Q213Q313Q414Q114Q214Q3NANDFlash成本隨著制程演進(jìn)而持續(xù)下滑，各種終端應(yīng)用如SSD與eMMC等0025020002008200920102011201220132014E2015E證券研究所整理NANDFlash腦驅(qū)動因素來自于中低端機(jī)種；平板電腦恐因產(chǎn)品提早進(jìn)入成熟期與硬件規(guī)格差異化縮小090080070060050040030020002008200920102011201220132014E2015E證券研究所整理價格走勢h當(dāng))增加幅度只有8%的年成長，供給端重心將會放在半導(dǎo)體制程微縮最后一個世代hTLC圖38近年來NandFlash價格走勢(美元)z閱讀正文之后的信息披露和法律聲明DSSDeMMC關(guān)控制芯片的發(fā)展，兩大領(lǐng)域的控制芯片應(yīng)用再度變化。期供過于求為疲軟。上半年高端智能手機(jī)及平板銷售低迷，中低端智能手機(jī)雖然暢銷，但搭載季Nand價格短暫止跌。固態(tài)硬盤(SSD)銷售雖然開始升溫，但消費(fèi)電子領(lǐng)域主要只已逾3成。供過于求壓力將由2014年第4季延續(xù)到2015年上半年。DNand中移動設(shè)備份額基本不T閱讀正文之后的信息披露和法律聲明cconsumer3%其他其他15%ssd39%mobile40%證券研究所整理D很快會到來。證券研究所整理閱讀正文之后的信息披露和法律聲明廠商2014年2D(1y)2015年3D3D技術(shù)三星16nm14nm32/24nmCTF(電荷擷取Flash)東芝/閃迪16nm12nm28nmp-BiCS(管道成形位元可變成本)SK海力士16nm13nm32nmVSAT(垂直堆疊陣列Flash)美光/英特爾16nm15nm32nmHKMG(高介電金屬柵極)理TLC升閱讀正文之后的信息披露和法律聲明星和江波龍的TLCeMMC產(chǎn)品，由于在平板市場和盒子等市場上價格特別敏感，4GB0MB/s(RandomTest)MB/s(RandomTest)86420HYNIXMLCTOSHIBAMLCSANDISKTLCiPhoneMLCTLC事件減緩了TLC擴(kuò)展步伐。以前，蘋果在iOS設(shè)備iPhone統(tǒng)內(nèi)存作為緩存，進(jìn)而提升性能，甚至比MLC還快近2倍，但這一狀況在4096KB之后機(jī)型拷進(jìn)行貝時，系統(tǒng)內(nèi)存并沒有針對磁盤進(jìn)行快速存取，不過在數(shù)據(jù)拷貝的過程中整eMMC但如果eMMC換代速度出現(xiàn)瓶頸，UFS(UniversalFlashStorage，通用閃存存儲)可能在未來的幾2011年電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(JointElectronDeviceEngineeringCouncil，UFS主要在速率上優(yōu)于eMMC。UFS2.0速率為1400M/S，約是當(dāng)前最先進(jìn)的S2.0能夠同時并行處理多個命令且通過排序確保整體速度最快。這一點(diǎn)類似DDR取代閱讀正文之后的信息披露和法律聲明5.8Gbps2.9Gbps15.8Gbps2.9Gbps104Mbps200Mbps400Mbps300MbpsM還要多，只不過由于它可以相對更快地完成操作而更早地切換到待機(jī)狀態(tài)，從而實(shí)現(xiàn)功SMB/s70006000500040003000200010000eMMC4.41eMMC4.5eMMC5.0UFS1.0eMMC4.41eMMC4.5eMMC5.0UFS1.0UFS2.0HS-G2理一定能得到市場的仍可。畢竟如今臺式電腦閃存速率也就500M/S，過高的速率對用戶體發(fā)展過程中，價格一直是敏感的，很多新標(biāo)準(zhǔn)雖然技術(shù)上領(lǐng)先，但因?yàn)橥茝V或是其他RFlash5.1NORFlash市場現(xiàn)狀：份額小、市場集中在亞太企業(yè)只進(jìn)行閃存芯片的設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)，制造和封測等環(huán)節(jié)均委托第三方代工廠進(jìn)行。頭圖452012年全球NORFlash市場份額分布(億美元)其他,3.4,宜揚(yáng)科技,宜揚(yáng)科技,兆易創(chuàng)新,.8,華邦,3.7,三星,3.1,索,8.9,其他,6.3,8%兆易創(chuàng)新,8.3,11%美光,18.4,25%華邦,8.1,三星,7,9%旺宏,10.3,飛索,16.6,22%h、飛索，在略微下滑，三星保持不變，而臺灣旺宏、宏旺則迎來明顯增長。巨頭逐步淡出NORFlash芯片市場，為國內(nèi)NOR技，兆易科擠，旺宏等。中游產(chǎn)業(yè)包括代工流片和封測，代工廠商主要有臺積電、中芯L閱讀正文之后的信息披露和法律聲明閱讀正文之后的信息披露和法律聲明書，海通證券研究所整理閱讀正文之后的信息披露和法律聲明美洲,3.8,歐洲,4.4,亞太地區(qū),26.5,76%證券研究所整理Flash圖492012年中國NOR市場銷售額比例分布(億元)其他,6.3,%兆易創(chuàng)新,%美光,18.4,25%華邦,8.1,三星,7,9%旺宏,10.3,飛索,16.6,22%證券研究所整理閱讀正文之后的信息披露和法律聲明NORFlash游行業(yè)應(yīng)用hNORFlash量網(wǎng)、智能家居市場NorFlash應(yīng)用的另一大重要場景就是網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備和智能家居，尤其是近期興起閱讀正文之后的信息披露和法律聲明bAND終端電子產(chǎn)品因內(nèi)部指令執(zhí)行、系統(tǒng)數(shù)據(jù)交換等功能需要，必需配置相應(yīng)容量的代碼存.3NORFlash市場規(guī)模：下滑速度放緩NORFlash部分傳統(tǒng)市場如功能手機(jī)、硬盤、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備仍具有較大的市場空間，部分新hashNORFlash與增長率及未來幾年預(yù)測605040302002008200920102011201220132014E2015E銷售額(億美元)增長率證券研究所整理閱讀正文之后的信息披露和法律聲明NORFlash與增長率及未來幾年預(yù)測100908070605040302002008200920102011201220132014E2015E銷售額(億元)增長率2%0%-2%-4%-6%-8%-10%-12%-14%-16%證券研究所整理量編碼型快閃存儲器(NORFlash)需求，有望拉動NORFlash市場止跌。備拉動SPINORFlash流30252015105025.125.122.817.313.59.57.56.66.52008200920102011201220132014E2015E證券研究所整理閱讀正文之后的信息披露和法律聲明接下來是美光。圖542008-2015年國內(nèi)串行NORFlash市場規(guī)模統(tǒng)計(jì)預(yù)測(按銷售額，單位：億元)6050403020045.445.449334.933.528.927.129.729.12008200920102011201220132014E2015E證券研究所整理物聯(lián)網(wǎng)、智能家居、可穿戴拉動物聯(lián)網(wǎng)中大量應(yīng)用的嵌入式電子、醫(yī)療電子、汽車電子等，需要大容量NORFlash。量編碼型快閃存儲器(NORFlash)需求。穿戴裝置如智能手表或智能眼鏡等，多是針對單一功能所設(shè)計(jì)，而且對低功耗要求更高，讓程式運(yùn)算速度更快且功耗更低的NORFlash到新的增長點(diǎn)。NandDRAM本、壽命等方面的比較證券研究所整理閱讀正文之后的信息披露和法律聲明研發(fā)新的存儲技術(shù)，目標(biāo)就是在延遲、耐久性、非易失性和成本方面此外，新興存儲器由于非易失性隨機(jī)存儲、高度讀取方面的特點(diǎn)，傳統(tǒng)PCIe無法發(fā)揮最大性能，需要使用NVMe(non-volatileMemory)接口。證券研究所整理PCRAM(相變存儲器)OUM)是目前研究最多的新型存儲器。相變存儲器(PCRAM)是基于奧弗辛斯基效應(yīng)的元件，因此又稱為弗辛斯基電效應(yīng)統(tǒng)一存儲器(OUM，Ovonicsunifiedmemory)。其最為核心的是以硫?qū)倩衔餅榛A(chǔ)的相變材料，基本原理是通過電流脈沖控制相變材料在晶態(tài)和非晶態(tài)之間來回轉(zhuǎn)換，晶態(tài)和非晶態(tài)對應(yīng)材料電阻的巨大差異，通過電阻率的作是，用高電壓短脈沖寫入數(shù)據(jù)(使材料非晶化)，通過低電壓長脈沖讀取數(shù)據(jù)(測電阻率)，用中電壓長脈沖擦除數(shù)據(jù)(使材料晶相化)。PCRAM是目前研究最多、距離市場最近的新型存儲器，各大閃存公司均在布局主知識產(chǎn)權(quán)的相變存儲器在中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所誕生。美閱讀正文之后的信息披露和法律聲明RRAM取存儲器)電阻)是另一種可能的下一代非易失性存儲技術(shù)。其速度可與SRAM匹敵，而成本與RRAM具有諸多優(yōu)點(diǎn)，一是制備簡單。存儲單元為金屬-氧化物-金屬三明治結(jié)構(gòu)，可通過濺射、氣相沉積等常規(guī)的薄膜工藝制備；二是擦寫速度快。擦寫速度由觸發(fā)電阻MRRAMRRAM成熟，預(yù)MRAM器)MRAM(MagneticRandomAccessMemory)是一種非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲器。磁阻內(nèi)存采用兩塊納米級鐵磁體，在界面上用一個非磁金屬層或絕緣層來夾持一個Rr衛(wèi)星就宣布使用飛思卡爾半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的MRAM替換其所有的閃存元件。EverspinTechnologies是目前MRAM晶片主要廠商，目前產(chǎn)品最大記憶體容量為64Mb；而FeRAM(鐵電存儲器)AM的鐵電效應(yīng)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲，即在鐵電晶體上施加一定的電場時，晶體中心原子達(dá)后原子位置不變。閱讀正文之后的信息披露和法律聲明表7主要的新興存儲技術(shù)比較類別縮寫優(yōu)點(diǎn)缺點(diǎn)備注相變存儲器PRAM壽命高、讀取快、非易失性、密度CMOS溫度敏感，晶化一致性控制最為成熟，三星、IBM記憶電阻RRAM壽命高、讀取快、非易失性、密度高、成本低、CMOS工藝兼容、3D化技術(shù)難度低、無散熱問題理論機(jī)理還不成熟，漏電流問題發(fā)展較快，Crossbar，美光鐵電存儲器FRAM讀取快、非易失性、抗干擾破壞性讀取，容量小醫(yī)療設(shè)備，富士通，東芝、英飛凌磁存儲器MRAM壽命高、讀取快、非易失性結(jié)構(gòu)復(fù)雜，容量小honewell，F(xiàn)reescale，芝海通證券研究所整理7.其他存儲技術(shù)只讀存儲器ROM(readonlymemory)特點(diǎn)是非易失性存儲，即把信息寫入存儲ROMROM微機(jī)的監(jiān)控程序、。可編程只讀存儲器EPROM(ErasableProgrammableReadOnlyMemory)可利光。電子抹除式可復(fù)寫只讀存儲器EEPROM(ElectricallyErasableProgrammable此不需要透明窗。PSRAMDRAM功耗而設(shè)計(jì)，早起用在功能機(jī)的D閱讀正文之后的信息披露和法律聲明8.1存儲器與微處理器，占據(jù)超四成的半導(dǎo)體產(chǎn)值存儲器和微處理器是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的兩大件，也是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基石。發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)據(jù)顯示，2013年全球半導(dǎo)體行業(yè)市場規(guī)模達(dá)到3043億美元，圖57全球半導(dǎo)體分產(chǎn)品市場占比通證券研究所整理從產(chǎn)值角度看，存儲器占半導(dǎo)體產(chǎn)品產(chǎn)值的22%，在半導(dǎo)體產(chǎn)品中算“大件”。經(jīng)過20多年的發(fā)展，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體仍然大幅落后于海外國家和地區(qū)，在存儲器領(lǐng)域更是基本上屬于一窮二白。發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)，對國家整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步拉動效應(yīng)明顯。8.2NandFlash從平面轉(zhuǎn)向3D，中國可借此實(shí)現(xiàn)彎道超車券研究所整理閱讀正文之后的信息披露和法律聲明入該領(lǐng)域，在這個技術(shù)變革過程中很有可能在存儲器領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)彎道超車。存儲器產(chǎn)業(yè)技術(shù)門檻和資金門檻高，切入該領(lǐng)域必需要有國家的大力支持，中國企9.投資建議：關(guān)注存儲器產(chǎn)業(yè)鏈上下游美光外協(xié)訂單較多，臺灣華亞科、南茂、力成等為其晶圓制造和封測的合作伙伴。國內(nèi)上市，目前涉及NorFlash晶圓制造)、中芯國際(0981.HK，存儲器芯片晶圓制造)等，另外未來如果存儲器產(chǎn)業(yè)在中國大力發(fā)展起來，國內(nèi)的相關(guān)設(shè)備、材料、封測、模風(fēng)險提示：行業(yè)景氣度劇烈波動、技術(shù)更新?lián)Q代等閱讀正文之后的信息披露和法律聲明附錄.部分專用名詞說明隨機(jī)存取存儲器NANDFlash型快閃記憶體NORFlash機(jī)存儲器器雙倍數(shù)據(jù)傳輸率存儲器多媒體卡多級單元FlashSLCFlash單層單元FlashTLCFlash三層單元Flash商set-topbox(STB)頂盒overthetop(OTT)iPSPINORFlash傳銷NORFlash電存儲器磁存儲器相變存儲器級明級個股相對大盤漲幅在15%以上；個股相對大盤漲幅介于5%與15%之間；個股相對大盤漲幅介于-5%與5%之間；15%。業(yè)投資評級信息披露分析師聲明子行業(yè)本人具有中國證券業(yè)協(xié)會授予的證券投資咨詢執(zhí)業(yè)資格，以勤勉的職業(yè)態(tài)度，獨(dú)立、客觀地出具本報(bào)告。本報(bào)告所采用的數(shù)據(jù)和信息分析師負(fù)責(zé)的股票研究范圍投資評級說明投資評級的比較標(biāo)準(zhǔn)投資評級分為股票評級和行業(yè)評級的6個月內(nèi)的市場表現(xiàn)為比較行業(yè)指數(shù))的漲跌幅相對同期的海通綜指的投資建議的評級標(biāo)準(zhǔn)報(bào)告發(fā)布日后的6個月內(nèi)的公司股價(或行業(yè)指數(shù))的漲跌幅相對同期的海通綜指的漲法律聲明本報(bào)告僅供海通證券股份有限公司(以下簡稱“本公司”)的客戶使用。本公司不會因接收人收到本報(bào)告而視其為客戶。在任何情況下，本報(bào)告中的信息或所表述的意見并不構(gòu)成對任何人的投資建議。在任何情況下，本公司不對任何人因使用本報(bào)告中的任何內(nèi)容所引致本報(bào)告所載的資料、意見及推測僅反映本公司于發(fā)布本報(bào)告當(dāng)日的判斷，本報(bào)告所指的證券或投資標(biāo)的的價格、價值及投資收入可能市場有風(fēng)險，投資需謹(jǐn)慎。本報(bào)告所載的信息、材料及結(jié)論只提供特定客戶作參考，不構(gòu)成投資建議，也沒有考慮到個別客戶特殊的投資目標(biāo)、財(cái)務(wù)狀況或需要?？蛻魬?yīng)考慮本報(bào)告中的任何意見或建議是否符合其特定狀況。在法律許可的情況下，海通證券及其所屬司提供投資銀行服務(wù)或其他服務(wù)。本報(bào)告僅向特定客戶傳送，未經(jīng)海通證券研究所書面授權(quán)，本研究報(bào)告的任何部分均不得以任何方式制作任何形式的拷貝、復(fù)印件或復(fù)制品，或再次分發(fā)給任何其他人，或以任何侵犯本公司版權(quán)的其他方式使用。所有本報(bào)告中使用的商標(biāo)、服務(wù)標(biāo)記及標(biāo)記均為本公處為海通證券研究所，且證券投資咨詢業(yè)務(wù)。閱讀正文之后的信息披露和法律聲明閱讀正文之后的信息披露和法律聲明限公司研究所路穎所長eccom金融產(chǎn)品研究團(tuán)隊(duì)開佳(021)23219448韻婷(021)23219419羅震(021)23219326唐洋運(yùn)(021)23219004孫志遠(yuǎn)(021)23219443陳亮(021)23219914陳瑤(021)23219645伍彥妮(021)23219774桑柳玉(021)23219686陳韻騁(021)23219444本俊(021)23212001聯(lián)系人經(jīng)濟(jì)研究團(tuán)隊(duì))23212042瀟嘯(021)23219394系人王丹(021)23219885于博(021)23219820)23212042寧(021)23219431霞(021)2321980745981shankj@ niyt@ luozh@tangyy@szy7856@cl7884@chenyao@wyn6254@sly6635@cyc6613@tbj8936@fl4@jhtseccom金融工程研究團(tuán)隊(duì)19449(021)23219395(021)23219732(021)23219745(021)23219370(021)23219773(021)23219948人021)23219760余浩淼(021)23219883沈澤承(021)23212067021)23212230wuxx@zhengyb@fengjr@ zhujt@zxw6607@zym6586@jxj8404@dg9378@yhm9591@szc9633@ylq9619@jc9001@xxhtseccomwd@jc9001@lin@zx6701@2198192231副所長jc9001@htseccomcom究團(tuán)隊(duì)