超高亮度LED芯片生產(chǎn)商業(yè)計劃書

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項目名稱：超高亮度LED芯片生產(chǎn)

超高亮度發(fā)光二極管生產(chǎn)中國是發(fā)光二極管的生產(chǎn)大國，全世界50%以上的發(fā)LED在中國封裝。但是中國所封裝的LED芯片90%均從臺灣、日本進(jìn)口。國內(nèi)有五家光二極管管芯制造廠，除我公司外國內(nèi)只有兩家生產(chǎn)LED芯片。這些廠家均不能大量生產(chǎn)、銷售12milLED芯片。美國NDR控股的甘肅天水新天公司發(fā)光二極管生產(chǎn)已經(jīng)初具規(guī)模，是唯一一家具有專門技術(shù)、人才，專業(yè)生產(chǎn)超高亮度的從8mil到40mil的管芯的公司，我公司的產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)可以與美國惠普、臺灣國聯(lián)、臺灣光磊相媲美。目前12mil以上的超高亮度管芯供不應(yīng)求，市場需求量達(dá)到每年400億人民幣以上。并按40%的增長率增長。在中國生產(chǎn)超高亮度管芯有著巨大的商機。我公司生產(chǎn)的高亮度發(fā)光二極管產(chǎn)能可達(dá)到：加工12mil以上高亮度LED外延芯片：100片/天,2′′激光器芯片：20片/片，生產(chǎn)工藝與設(shè)備已調(diào)通,可批量化生產(chǎn)。到今年底可達(dá)到150片/天,2′′激光器芯片：100片/片，每天芯片產(chǎn)值可達(dá)到50萬人民幣。為了發(fā)展LED光電產(chǎn)業(yè)與國家照明工程,超越光電有限公司與甘肅新天科技有限公司將考慮強強聯(lián)合,在內(nèi)地建造LED芯片生產(chǎn)基地,以下是我的建議：在ZZZ地成立合資公司,籌建高亮度LED芯片生產(chǎn)，研發(fā)，銷售合資企業(yè)。甘肅新天公司與美國NDR公司（新天公司的母公司）將高亮度LED芯片生產(chǎn)的所需的專門技術(shù)與設(shè)備投入到合資公司,同時超越光電有限公司投入資金,購買其余所需設(shè)備,新天公司將派出技術(shù)人員到合資公司安裝設(shè)備,調(diào)試工藝等。合資公司負(fù)責(zé)廠房改造,人員招聘,流動資金等.合資公司也將購買甘肅新天公司股權(quán),建立了如下合作關(guān)系:第一階段:在凈化廠房未建好之前,合資公司購買外延片,委托甘肅新天公司來料加工LED芯片,立即進(jìn)入市場,合資公司盡快建立研發(fā)，生產(chǎn)與應(yīng)用的團(tuán)隊。第二階段:合資公司將購買芯片加工設(shè)備,甘肅公司將已有的部分芯片設(shè)備搬到凈化廠房,開始調(diào)試加工設(shè)備。第三階段:合資公司開始全面生產(chǎn)芯片,合資公司應(yīng)購買甘肅股份,使甘肅公司成為XXX合資公司的加工基地.超越光電有限公司投資

2000萬元RMB（現(xiàn)金）NDR

投資

4000萬元RMB設(shè)備

本項目計劃以最少的資金投入，利用XXX現(xiàn)有的各種資源,發(fā)展SSS市光電子核心技術(shù),與光電子應(yīng)用器件（包括超高亮度發(fā)光二極管，半導(dǎo)體激光器，半導(dǎo)體燈）。建立一支富有創(chuàng)新能力的技術(shù)、管理團(tuán)隊；構(gòu)建具有自主知識產(chǎn)權(quán)與專有技術(shù)的從外延,到芯片,到封裝的產(chǎn)業(yè)鏈。項目初期由留美回國創(chuàng)業(yè)的，國家863計劃高亮度發(fā)光二極管項目負(fù)責(zé)人杭志強博士,并聘請國內(nèi)外光電子器件專家（其中現(xiàn)有美國NDR公司美國專家）加入,在XXX廠的基礎(chǔ)上建立高亮度發(fā)光二極管(LED)生產(chǎn)線。力爭兩年內(nèi)達(dá)到每日生產(chǎn)200片LED外延片,4,000,000個LED管芯,封裝200,000LED器件。計劃進(jìn)行高亮度紅光,藍(lán)光,與白光LED外延片的生產(chǎn)制造；高亮度紅光,藍(lán)光LED管芯的生產(chǎn)制造；紅,藍(lán),白LED管芯的封裝；高亮度藍(lán)光LED的各種應(yīng)用制造。第一階段產(chǎn)品：超高亮度LED芯片（紅，黃，綠，藍(lán)，白）超高亮度發(fā)光二極管芯（紅，黃，綠，藍(lán)，白）功率發(fā)光二極管燈（紅，黃，綠，藍(lán)，白）超高亮度顯示屏

公司介紹

XXX有限公司將由美國NDR和YYY集團(tuán)投資設(shè)立。XXX有限公司將采用先進(jìn)、合適的技術(shù)和科學(xué)的管理方式，利用美國NDR的技術(shù)開發(fā)與生產(chǎn)優(yōu)勢、專有技術(shù)，人才和YYY集團(tuán)公司的資金及銷售網(wǎng)絡(luò)與信息優(yōu)勢，籍以研究、開發(fā)、生產(chǎn)和銷售高亮度發(fā)光二極管外延片，管芯，燈，半導(dǎo)體激光器、發(fā)光二極管燈，發(fā)光二極管顯示屏，彌補我國在高亮度發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域的空白，提高我國的光電子技術(shù)水平投資方簡介：1）美國NewDimensionResearch&Instrument,Inc美國NewDimensionResearch&Instrument,Inc(NDR).，組建于1997年l6月，位于美國波士頓以北的128公路（即美國東部硅谷）上。NDR公司是一家以光機電一體化與化合物半導(dǎo)體集成電路技術(shù)為核心，集研究、開發(fā)、生產(chǎn)、工程為一體的高科技的企業(yè)。公司研究中心連續(xù)五年榮獲美國衛(wèi)生部、國防部、國家科研基金會的12個發(fā)明獎金，多次被美國小企業(yè)部評為最優(yōu)秀的創(chuàng)新企業(yè)，被美國Fobers雜志評為優(yōu)秀的創(chuàng)新小企業(yè)之一。公司的激光掃描器獲得了重大技術(shù)上突破。

為三維微小成像與醫(yī)療檢測儀取得了革命性的發(fā)展。公司目前開發(fā)制造的重要醫(yī)療檢測儀器產(chǎn)品有以下幾類：高亮度發(fā)光二極管半導(dǎo)體激光器·基因芯片掃描儀·多頭壓電式DNA點樣儀，多頭壓電式化學(xué)液體噴射儀·基因芯片雜交儀·手提式激光掃描顯微鏡·腦動脈硬化檢測儀NDR公司從創(chuàng)立開始即以“創(chuàng)新、質(zhì)量、信譽”作為企業(yè)生存和發(fā)展的第一要素，公司的所有產(chǎn)品在開發(fā)與生產(chǎn)管理上嚴(yán)格按照ISO9000的標(biāo)準(zhǔn)體系進(jìn)行質(zhì)量控制，對醫(yī)療儀器在生產(chǎn)過程中按美國GMP標(biāo)準(zhǔn)對產(chǎn)品進(jìn)行嚴(yán)格測試、制造。新天公司所開發(fā)的產(chǎn)品將會價格合理，性能良好，其優(yōu)越性要遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過國內(nèi)外的同類產(chǎn)品。公司擁有產(chǎn)品的核心技術(shù)與國際專利?！伴_拓創(chuàng)新，精益求精”是NDR公司每個員工的精神動力與不懈追求。公司堅持“人才第一，誠信為本”的方針，吸引了一大批優(yōu)秀技術(shù)人員、管理人員和銷售人員。他們在各自的領(lǐng)域內(nèi)都有著全面的專業(yè)知識及豐富的經(jīng)驗。公司幾乎所有的技術(shù)人員都是來自于美國，俄國大學(xué)的博士與教授。公司首席科學(xué)家——杭志強博士是美國著名的光學(xué)掃描顯微鏡專家，美國衛(wèi)生部研究院基金會評審員，中國國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃（04年863計劃）引導(dǎo)項目—高亮度發(fā)光二極管項目首席科學(xué)家，并連續(xù)多年獲得美國政府發(fā)明獎。公司的研究部主任Victor是俄羅斯莫斯科大學(xué)著名的光學(xué)專家，有著近30項光學(xué)專利與研究文章。目前NDR擁有15項醫(yī)療儀器?？?。NDR公司幾乎所有的技術(shù)人員都是來自于美國和俄國大學(xué)的博士與教授。公司首席科學(xué)家——杭志強博士是美國著名的光電子器件專家，曾連續(xù)多年獲得美國政府發(fā)明獎。公司的研究部主任Victor是俄羅斯莫斯科大學(xué)著名的光學(xué)專家，他有著近30項光學(xué)專利與研究文章。目前NDR公司擁有15項激光器與光電子器件專利。

表1-3：NDR公司獲得的主要榮譽時間項目名稱獲獎代碼頒獎部門

1997年P(guān)ORTABLEGENESCANNER1R43GM057108-01

美國國家衛(wèi)生部CONFOCALSCANNINGMICROLASER/DETECTORMICROSCOPE1R43RR012279-01Low-WeightLow-VisionDisplayDeviceDMI-9760942美國國家科學(xué)基金會

1998年OPTICALOCULAROXYGENSENSOR1R43EY011823-01A1

美國國家衛(wèi)生部HANDHELDCONFOCALSCANNINGOPHTALMOSCOPE1R43EY012067-01ULTRAUNIFORMTEMPERATUREPCRTHERMALCYCLER1R43HG001796-01CONFOCALSCANNINGMICRO-LASER/DETECTORMICROSCOPE2R44RR012279-02FastOpticalCompactDiskDrive

美國國防部

1999年GLASSBASEDBIOCHIPandOPTICALDETECTOR1R43GM059010-01美國國家衛(wèi)生部CONFOCALSCANNINGMICRO-LASER/DETECTORMICROSCOPE5R44RR012279-032000年AHAND-HELDCONFOCALSCANNINGOPHTHALMOSCOPE2R44EY012067-02A2美國國家衛(wèi)生部2001年AHAND-HELDCONFOCALSCANNINGOPHTHALMOSCOPE5R44EY012067-03美國國家衛(wèi)生部

2002年CompactBlueLaserModuleforBiomedicalInstruments1R43RR017136-01美國國家衛(wèi)生部AnOpticalSensorforSemiconductorBack-EndProcessesDMI-0213609美國國家科學(xué)基金會

2003年Miniaturediode-pumpedgreenlaser1R43RR018042-01A1美國國家衛(wèi)生部AnOpticalSensorforSemiconductorBack-EndProcessesDMI-0213609美國國家科學(xué)基金會

2）YYY集團(tuán)

4.1.4公司發(fā)展戰(zhàn)略5.1.4.1LED發(fā)展戰(zhàn)略中、長期目標(biāo)XXX光電科技有限公司的中、長期目標(biāo)是建設(shè)、發(fā)展成為國內(nèi)最具實力的高亮度LED芯片生產(chǎn)基地。短期目標(biāo)是6個月內(nèi)完成高亮度LED批量生產(chǎn)和試銷，達(dá)到設(shè)計產(chǎn)能的60%，再用半年的時間達(dá)到設(shè)計產(chǎn)能的80%。從第三年開始，進(jìn)入設(shè)計產(chǎn)能規(guī)模的生產(chǎn)和銷售。

發(fā)展民族產(chǎn)業(yè)高亮度GaN基藍(lán)白光發(fā)光二極管（HB—LED）是目前全球電子產(chǎn)業(yè)的前沿和熱點，以高亮度GaN基藍(lán)光LED為基礎(chǔ)而實現(xiàn)的高亮度白光LED更被譽為繼愛迪生發(fā)明白熾燈以來最大的光源革命。我國已將發(fā)展高亮度發(fā)光二極管列入下一個五年計劃國家重點項目之一。YYY光電科技有限公司將充分利用企業(yè)現(xiàn)有的技術(shù)和基礎(chǔ)，使高亮度藍(lán)光LED產(chǎn)業(yè)化，組建新的具有競爭規(guī)模的LED生產(chǎn)企業(yè)，打破國際上同行業(yè)的壟斷，促進(jìn)我國光電器件行業(yè)的發(fā)展。

構(gòu)建完整的產(chǎn)業(yè)鏈XXX有限公司將建立一支富有創(chuàng)新能力的技術(shù)、管理團(tuán)隊；構(gòu)建具有自主知識產(chǎn)權(quán)與專有技術(shù)的從外延,到芯片,到封裝的產(chǎn)業(yè)鏈。

2005年生產(chǎn)及封裝高亮度紅、黃、藍(lán)、白色LED芯片，產(chǎn)品進(jìn)入長江三角洲和珠江三角洲為主的市場；在ZZZ建立集產(chǎn)品研發(fā)、銷售一體的制造中心。

2007年應(yīng)用母公司專利技術(shù)，大量生產(chǎn)發(fā)光二極管、激光陣列、LED陣列以及LED外延。6.半導(dǎo)體激光器發(fā)展戰(zhàn)略在半導(dǎo)體激光器的發(fā)展道路上將堅持以下策略：

利用技術(shù)優(yōu)勢促進(jìn)國內(nèi)激光產(chǎn)業(yè)集團(tuán)的建立和發(fā)展目前我國多數(shù)激光產(chǎn)業(yè)公司規(guī)模較小，運行機制不靈活，缺乏市場競爭能力。XXX有限公司以先進(jìn)的技術(shù)為切入點，聯(lián)合一些經(jīng)營良好、實力較強的企業(yè)為核心，吸收或兼并其它企業(yè)，形成地區(qū)性的激光產(chǎn)業(yè)集團(tuán)公司。解決好多方面的經(jīng)濟(jì)利益及分配，形成科研、開發(fā)、生產(chǎn)、營銷一體化的經(jīng)營機制，參與市場競爭。然后結(jié)合激光加工站，激光加工中心建立產(chǎn)業(yè)集團(tuán)公司。合資經(jīng)營的目的。雙方投入資金，創(chuàng)辦XXX

有限公司，采用先進(jìn)而適用的技術(shù)和科學(xué)的管理方法，為客戶提供優(yōu)質(zhì)價廉的超高亮度發(fā)光二極管，半導(dǎo)體照明光源產(chǎn)品和服務(wù)，力爭在三年內(nèi)培養(yǎng)出本公司制程技術(shù)和開發(fā)技術(shù)人才，形成合資公司制造方面的核心能力和優(yōu)勢，爭取成為國內(nèi)最具竟?fàn)幜Φ牧慨a(chǎn)高亮度LED芯片生產(chǎn)企業(yè)之一，力爭在三年內(nèi)達(dá)到年產(chǎn)10億人民幣的要求。合資公司除采用成熟的生產(chǎn)技術(shù)外，根據(jù)合資企業(yè)發(fā)展需要，采取與國內(nèi)外學(xué)術(shù)研究機構(gòu)合作的方式建立企業(yè)長期技術(shù)研發(fā)支援體系，致力于開發(fā)LED上游產(chǎn)品外延片和芯片的生產(chǎn)新工藝和新技術(shù)，發(fā)展新產(chǎn)品，努力提高產(chǎn)品質(zhì)量，服務(wù)質(zhì)量和降低生產(chǎn)成本，努力提高公司的持續(xù)發(fā)展能力，使合資公司在國內(nèi)LED產(chǎn)品市場上具有較強的競爭力，從而為投資各方帶來滿意的經(jīng)濟(jì)效益。合資公司的經(jīng)營范圍。合資初期生產(chǎn)銷售LED芯片，并根據(jù)用戶的不同要求提供不同檔次的委托加工業(yè)務(wù)和其他業(yè)務(wù)，今后將根據(jù)國內(nèi)外市場的需要和可能開發(fā)生產(chǎn)情況擴展LED中游或向上、下游發(fā)展。在合資公司董事會決議的基礎(chǔ)上，經(jīng)原審批機關(guān)批準(zhǔn)同意，合資公司經(jīng)營范圍可以變更。合資公司的生產(chǎn)規(guī)模。合資公司生產(chǎn)線的建設(shè)規(guī)模分兩階段進(jìn)行。第一階段建成投產(chǎn)月產(chǎn)150

KK芯，100

KK單燈封裝驗證生產(chǎn)線。第二階段在第一階段的基礎(chǔ)上，建成月產(chǎn)6000

片LED

外延片生產(chǎn)線，600KK芯片、1000

KK單燈封裝驗證生產(chǎn)線。第一階段投資總額安門與注冊資本

合資公司的第一階段投資總額為600萬美元。除甲、乙雙方注入投資資金外，合資公司資金不足部分向銀行金融機構(gòu)申請貸款，貸款用合資公司財產(chǎn)抵押，抵押不足部分按雙方投資比例分別由甲、乙雙方擔(dān)保解決。合資公司注冊資金為500

萬美元，其中甲方（美國NDR

有限公司）出資270

萬美元（設(shè)備），占公司注冊資本的

%，乙方（YYY出資230萬美元，占公司注冊資本的

%。技術(shù)股100萬美元.合資公司董事會合資公司設(shè)董事會。董事會是公司的最高權(quán)力機構(gòu)。合資公司注冊登記日期為合資公司董事會成立日期。合資公司董事會由

5人組成，甲方委派3人，乙方委派2人。其中董事長1名由甲方委派，副董事長1名由乙方委派，董事3名。合資公司董事會成員任期4年，委派方繼派可以連任。董事會根據(jù)平等的原則，決定合資公司的重大事情。合資各方應(yīng)書面通知董事會及合資另一方免去或更換由該方委派的任職期間的任何一董事。如因董事退休、離職、辭職、疾病、受傷、死亡等原因致使董事職位出現(xiàn)空缺時，需由原委派方委派繼任董事，任期內(nèi)更換時，后任者的任期為前任者的剩余任期，以完成該董事職位的全部任期。包括董事長和副董事長在內(nèi)的所有董事享有平等的表決權(quán)。公司第一階段產(chǎn)品：產(chǎn)品大綱公司在第一階段將封裝大功率發(fā)光二極管（紅，黃，綠，藍(lán)，白）

六角星狀

六角星狀邊發(fā)射中心發(fā)射燈

燈坐

線狀

面發(fā)射

環(huán)狀

環(huán)狀

規(guī)格

產(chǎn)品號色波長光強

（流明）CJOP-NB96Blue470nm100CJOP-NB97Blue470nm50CHOP-NE96Cyan505nm300CJOP-NE97Cyan505nm150CJOP-NM96Green530nm300CHOP-NM97Green530nm150CHOP-NW96White5500K250CHOP-NW97White5500K125CHOP-ND92Red625nm450CHOP-ND93Red625nm225CHOP-NL92Amber590nm370CHOP-NL93Amber590nm185

特征超高亮度，高達(dá)120流明長壽，長達(dá)10萬小時從白，到紅，黃低工作電壓無紫外線冷光源，上述功率型發(fā)光二極管功率電平比傳統(tǒng)的5mm指示燈LED高20倍，發(fā)光效率高出50%.,壽命長達(dá)10萬小時。5W白光單管輸出和15W白燈相當(dāng)，而體積是燈泡的1%,功耗僅為1/3。12個110流明的燈可制成汽車的前燈。兩個大功率LED可制成交通信號燈，傳統(tǒng)的LED信號燈需要64個5mm的LED。

應(yīng)用市場：照明;b)交通信號；c)照相機背光源，d)娛樂，e)汽車與摩托車燈，f)礦燈與手電，g)電視背光源，h)醫(yī)療儀器材料來源大功率芯片紅，黃，綠：40mil,20milAlGaInP芯片材料白光：GaN40mil,20mil芯片材料甘肅新天底座由本公司設(shè)計，在廣東外包模具，注塑透鏡由本公司設(shè)計，在寧波外包模具，注塑附料：廣東需求：1）目前中國有八千萬礦工，需要1億以上礦燈，電筒。國家要求必須用發(fā)光二極管礦燈。目前大功率發(fā)光二極管國內(nèi)外供不應(yīng)求需要三個月等待期。礦燈2）所有的醫(yī)療儀器的燈將要用大功率發(fā)光二極管燈取代燈泡。B）合資公司第一年推入市場的LED芯片型號：

型號

顏色光強IF=20mA（mcd）波長（nm）正向電壓If=20mA（V）反向電流Vr=-5v(uA)典型值最大值典型值最大值最大值COE588-8A黃色759559022.155COE588-9A黃色7510059022.155COE588-10A黃色801105902.052.205COE588-12A黃色1001505902.052.255COE630-8A紅色851306291.962.005COE630-9A紅色901306291.962.055COE630-10A紅色1001606292.002.105COE630-12A紅色1502006292.052.155B)產(chǎn)品型號說明：芯片尺寸發(fā)光顏色電極形狀公司名稱XXXCOE

電極形狀：A--實心圓圈

B--十字加圓圈

C--M形實心圓

D--S形功率型高亮度LED燈型號

波長

電流（mA）

電壓(V)COLAMP-01

460

300

3.4COLAMP-02

460

150

3.4COLAMP-03

白色

300

3.4COLAMP-04

白色

150

3.4COLAMP-05

580

300

1.8COLAMP-06

580

150

1.8COLAMP-07

625

300

1.8COLAMP-08

625

150

1.8

技術(shù)比較國內(nèi)有二到三家公司封裝功率型發(fā)光二極管。這些公司無設(shè)備，無研發(fā)能力解決散熱，鍍膜，倒扣封裝問題。這些公司的產(chǎn)品只能賣1/3的美國公司的價格。因為功率發(fā)光二極管芯片供不應(yīng)求，國內(nèi)工廠買不到高品質(zhì)芯片，僅做低價位的封裝。。臺灣有五家封裝功率型發(fā)光二極管無研發(fā)能力解決散熱，鍍膜，倒扣封裝問題，他們的品質(zhì)遠(yuǎn)低于美國與日本。本公司有美國的技術(shù)解決散熱，鍍膜，倒扣封裝問題，有專門技術(shù)設(shè)計管座，有專家?guī)椭鉀Q鍍膜等問題。公司有公司的母公司與國外LED廠有很好的關(guān)系，另外新天公司正生產(chǎn)功率發(fā)光二極管芯片，我們有芯片來源的保證。

7.3.

行業(yè)與市場

8.3.1LED行業(yè)發(fā)展歷史與現(xiàn)狀

上世紀(jì)六十年代開始應(yīng)用的普通發(fā)光二極管應(yīng)用十分普遍，但這些早期產(chǎn)品發(fā)光效率低，光亮度只能達(dá)到燭光級。隨著新材料及半導(dǎo)體工業(yè)技術(shù)的發(fā)展，在九十年代中后期國外出現(xiàn)了高亮度LED實用新技術(shù)、新產(chǎn)品，其廣泛的應(yīng)用給LED行業(yè)帶來了更廣闊的市場商機。使得LED應(yīng)用由室內(nèi)使用提升到戶外使用，能在陽光強烈的場合下清晰顯示，發(fā)光效率極高，滿足了全彩色顯示和便攜產(chǎn)品低功耗要求，這些高亮度的發(fā)光管包括：

A、藍(lán)色、綠色發(fā)光二極管藍(lán)色LED材料有碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）及銦氮鎵（InGaN）三元材料等，采用InGaN/AlGaN結(jié)構(gòu)制成的藍(lán)色發(fā)光燈峰值波長470nm，法向光強達(dá)到2000mcd，綠色發(fā)光燈峰值波長520nm，法向光強可達(dá)5000mcd，其中還有峰值波長500nm的藍(lán)綠色（交通綠）發(fā)光燈，在藍(lán)色發(fā)光的基礎(chǔ)上，包封時在其芯片上添加幾毫克的螢光物質(zhì)轉(zhuǎn)換成白色，白光二極管是微型白熾燈的最佳替代品，價格雖比電燈泡貴，但不易破碎，更加省電，工作時幾乎不發(fā)熱，可以連續(xù)照明10多年，這些產(chǎn)品在日本、德國、美國及臺灣等著名的光電子公司生產(chǎn)并推向市場。

B、新穎的LED八十年代后期開發(fā)上市的GaAlAs材料，制成紅色發(fā)光管，首先實現(xiàn)超高亮度的要求，發(fā)光強度超過1000mcd，但是光衰很大，因此應(yīng)用范圍受到限制，九十年代中開發(fā)成功的InGaAlP四次元材料，制成產(chǎn)品可以獲得紅、橙、黃、琥珀四種顏色，發(fā)光效率極高，并且高溫性能很好，是戶外使用的理想產(chǎn)品。

C、新品種LED：工作電流為70ma，發(fā)出極強的光束，視角較大，一般為40－70度，用于汽車標(biāo)志燈；貼片式（SMD）LED在小電流下工作，一般為1－2mA有足夠亮度，可節(jié)省便攜式產(chǎn)品的耗電量；恒壓發(fā)光二極管，制時將電阻封裝在內(nèi)部，使用時不需限流電阻，一般工作在12V以下，使用者十分方便，同樣在封裝時加進(jìn)一塊集成電路，一般在5V以下工作，當(dāng)通電時會閃爍發(fā)光，可以作為狀態(tài)顯示，使用也很方便，這種集群LED芯片、器件，組件可以制成發(fā)光模塊，實現(xiàn)特定的功能要求，利用LED多芯片的集群組成多彩色燈具，典型的紅、綠、藍(lán)三色可以組成全色燈，在三色中間交合處呈現(xiàn)白色光。

這些新器件的出現(xiàn)拓展了LED的應(yīng)用領(lǐng)域，首先是交通訊號顯示光源的應(yīng)用，具有抗震耐沖擊，光響應(yīng)速度快，省電壽命長等特點，美國HP公司在1996年推出的LED汽車尾燈模塊可以隨意組合成各種汽車尾燈；LED背光源，特別是高效側(cè)部發(fā)光的背光源最為引人注目，作為LCD背光源應(yīng)用，具有壽命長，出光效率高，無干擾和性價比高等特點，有電子手表、手機、BP機、電子計算器、刷卡機等廣泛應(yīng)用，隨著便攜電子產(chǎn)品日趨小型化，LED背光源更具優(yōu)勢，在手機中都選用LED背光源，因此背光源制作技術(shù)將向更薄型、低功耗，均勻一致方面發(fā)展，LED側(cè)部背光板的厚度可做到0.7-3.5mm，出光效率達(dá)到50-70%，并且有綠色、紅色、藍(lán)色及各種混合色隨客戶選用，不久可能出現(xiàn)厚度相當(dāng)于EL的超薄背光源。

人們最感興趣的LED照明光源，直接目標(biāo)是LED光源替代白熾燈和螢光燈，這種趨勢已從局部領(lǐng)域和由小到大的開始替代，日本通產(chǎn)省號召全國節(jié)約能源，正在計劃替代白熾燈的發(fā)光二極管項目（稱為照亮日本的項目），頭五年的預(yù)算為50億日元，如果LED替代半數(shù)的白熾燈和螢光燈，每年可節(jié)約相當(dāng)于60億升原油的能源相當(dāng)于五個1.35×106KW核電站的發(fā)電量，并可減少二氧化碳和其它溫室氣體的產(chǎn)生，改善人們生活居住的環(huán)境，因此人們正面臨照明變革，期待LED給人們帶來福音。由于發(fā)光二極管產(chǎn)業(yè)不斷涌現(xiàn)新技術(shù)、新產(chǎn)品、新的應(yīng)用，呈現(xiàn)了朝陽工業(yè)的欣欣向榮的景象，相信未來十年高亮度LED產(chǎn)業(yè)會得到持續(xù)發(fā)展，主要在以下幾個方面：1．制造廠商會在超高亮、全彩色技術(shù)面擴張投資，提升產(chǎn)能，從業(yè)人員會有增加，我國（包括臺灣和香港地區(qū)）將成為世界LED的主要產(chǎn)地，預(yù)計占世界總量的六成以上，五年之后產(chǎn)值達(dá)到七十億元，超高亮度LED會有30%速度增長。2．今后LED發(fā)展的主導(dǎo)是照明光源，開始在一些領(lǐng)域取代白熾燈，期間會與其它光源互補，并存，共同發(fā)展，人們面臨著照明光源的變革，有人預(yù)言LED是21世紀(jì)的照明光源。3．世界光電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展推動應(yīng)用領(lǐng)域的變化發(fā)展，相信隨著LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展會有更多的資金投向LED的研究和生產(chǎn)，因此現(xiàn)有超高亮度、藍(lán)色、綠色LED的技術(shù)為少數(shù)廠商壟斷將會突破，預(yù)計產(chǎn)品成本會有大幅度的下降，從而促進(jìn)市場再開發(fā)，應(yīng)用于的再拓展?？梢韵嘈?，半導(dǎo)體發(fā)光技術(shù)不會被其它技術(shù)產(chǎn)品取代，而且會繼續(xù)沿著原來的軌道向前發(fā)展。

9.3.2高亮度LED市場前景

高亮度LED是比普通發(fā)光二極管亮度高千百倍、并可作為民用照明甚至工業(yè)級應(yīng)用的新型光源，僅以照明業(yè)為例，在同等亮度下，耗電僅為普通白熾燈的10分之一，壽命卻是其100倍。美國每年用在照明用電為6000億度，我國為2000億度，故自2000年該新技術(shù)產(chǎn)品問世以來，得到各先進(jìn)國家的極大重視，世界各照明業(yè)巨頭紛紛斥巨資研發(fā)和成立半導(dǎo)體照明企業(yè)。我國政府對此給予了極大重視，并于2003年6月專門發(fā)文，對該行業(yè)給予政策傾斜支持，國內(nèi)某些有實力的企業(yè)及研究機構(gòu)也紛紛投巨資進(jìn)行該技術(shù)產(chǎn)品的研制。具預(yù)測2010年前后，美國將有55%的白熾燈和熒光燈被半導(dǎo)體燈替代，形成一個500億美元的大產(chǎn)業(yè)，在我國該行業(yè)尚待起步，其發(fā)展?jié)摿褪袌隹臻g同樣巨大。

據(jù)預(yù)測，全球高亮度發(fā)光二極管市場產(chǎn)值將由16億美元增至26.4億美元；而高亮度發(fā)光二極管市場將從2006年起快速成長，并于2008年占全球市場22%份額。一般照明設(shè)備將是未來的主流，2008年可望達(dá)8.44億美元，其中預(yù)測汽車燈、信號燈和背景燈將占這類市場60%以上。2004年開始LED發(fā)展成本大幅減少，勢必激增產(chǎn)量，其中，標(biāo)準(zhǔn)和指示燈的LED出貨將占這類產(chǎn)品的大部份。但是，到2008年，將以高亮度發(fā)光二極管(HB-LEDs)和超高亮度發(fā)光二極管(UHB-LEDs)為主要營收的產(chǎn)品種類。高亮度發(fā)光二極管(HB-LEDs)新的應(yīng)用產(chǎn)品不斷出新，目前眾多常見的產(chǎn)品:電視、個人計算機顯示器、數(shù)字相機、手機、汽車、交通信號燈和普通照明用的燈具等。

由于彩屏手機對LED需求殷切，自2003年下半年開始，手機市場已成為LED市場的主要出貨對象。由于彩屏手機需要搭配白光LED當(dāng)背光源，使得白光LED在2003年具備了相當(dāng)大的成長性。據(jù)了解，手機上所應(yīng)用的LED包含了約需1顆的LED來電指示燈，2至4顆的屏幕背光源及6至8顆的按鍵背光源需求，手機上附加照相功能所需的3至4顆閃光燈用白光LED，整體來說一臺彩屏手機對于LED顆粒的需求量，平均將可達(dá)10到12顆之多。據(jù)IDC的資料預(yù)估，今明兩年(2004-2005)全球手機的出貨量將可達(dá)5.6億部及6.1億部，其中，彩色手機之出貨量將可達(dá)手機總出貨量之85%及93%，簡單來說，就是到2005年時，若以一支彩色手機最少需10顆LED來計算，則對LED需求量將達(dá)到56億顆之水準(zhǔn)，其年成長率仍將高達(dá)20%。

除來自手機市場的需求外，業(yè)內(nèi)多數(shù)觀點認(rèn)為，LED產(chǎn)業(yè)的長期發(fā)展應(yīng)以取代目前的照明燈具為主。根據(jù)ReedElectronicsResearch預(yù)估，2004年全球白光LED市場規(guī)模將達(dá)5.66億美元。因此若LED能進(jìn)入室內(nèi)及室外的照明市場，則LED未來的潛力無窮。雖然目前白光LED仍未達(dá)到照明要求的技術(shù)，且成本過高，但在白光LED具有省電的優(yōu)點和全球能源危機影響下，采用白光LED將是一種必然的趨勢，預(yù)期2005年將會出現(xiàn)較具規(guī)模的市場。表3-1：全球發(fā)光二極管(LED)市場情況

單位：億美元項目2004年2008年市場占有率市場總產(chǎn)值3256

高亮度LED1626.447%超高亮度LED

12.3222%一般照明設(shè)備LED

8.44

白光LED

5.66

我國從事LED產(chǎn)業(yè)的單位超過400家(外商除外)，從業(yè)人員超過5萬人，其中技術(shù)人員超過5000人。2002年LED產(chǎn)量超過150億只，產(chǎn)值超過80億人民幣；2003年LED產(chǎn)值超過100億人民幣，產(chǎn)量約200億只，其中超高亮度LED只有幾十億只。近幾年LED的發(fā)展速度超過30%，其中高亮度LED的發(fā)展速度超過50%。我國投入超高亮度LED領(lǐng)域，到目前為止，四元系A(chǔ)lGaInp的紅、橙、黃色芯片已經(jīng)可以大批量產(chǎn)，估計每年可提供8億～10億只，GaN基藍(lán)、綠色芯片已可以小批量生產(chǎn)，估計每年可提供3億只左右，白光LED(小功率)封裝產(chǎn)品已批量生產(chǎn)，芯片以進(jìn)口為主，估計年產(chǎn)約為5億～8億只。由于高亮度LED具有非常廣泛的用途，特別是藍(lán)光LED的出現(xiàn)，應(yīng)用更豐富，10.

3.3LED芯片市場競爭對手情況

國內(nèi)目前共有5家企業(yè)生產(chǎn)高亮度LED芯片，他們是：

上海金橋大晨光電科技有限公司由美國PrinceGlory投資公司與上海金橋（集團(tuán)）公司合資組建，成立于1999年，產(chǎn)品品種主要有RD、SR、SRK、YG、YU、OU等二元、三元素高亮度LED芯片，以及M系列紅、橙、黃、綠等超高亮LED四元素產(chǎn)品。廠房建筑面積3300平方米，近250名員工，生產(chǎn)的LED芯片的主要材料，外延片材料來自美、日等國家。

廈門三安電子有限公司成立于2000年11月，注冊資金2億元，擁有近一萬平方米的現(xiàn)代化潔凈車間，引進(jìn)美國、德國、日本、英國的生產(chǎn)和檢測設(shè)備。產(chǎn)品以全色列高品質(zhì)的超高亮度紅、橙、黃、綠、藍(lán)、紫色LED外延、芯片為主，同時涉足其它光電子材料領(lǐng)域，是目前國內(nèi)最具規(guī)模的，集科研開發(fā)、生產(chǎn)銷售、培訓(xùn)服務(wù)為一體的光電材料生產(chǎn)企業(yè)。

南昌欣磊光電科技有限公司成立于1993年，現(xiàn)由江西聯(lián)創(chuàng)光電科技股份有限公司、香港普光科技有限公司和香港達(dá)華中外有限公司共同投資，注冊資本5560萬元，是國內(nèi)最大的專業(yè)生產(chǎn)發(fā)光芯片與器件的半導(dǎo)體生產(chǎn)廠家之一，每月產(chǎn)能達(dá)到200KK，據(jù)悉該公司正在擬定擴產(chǎn)計劃，目標(biāo)是每月產(chǎn)能500KK。已形成年產(chǎn)30億只普通LED芯片的能力(主要是南昌欣磊公司)，并在后工序封裝、LED應(yīng)用以及配套等方面形成普通LED產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)鏈。

方大集團(tuán)股份有限公司A股上市公司，成立于1991年12月，是我國目前規(guī)模最大的新材料高新技術(shù)企業(yè)，方大集團(tuán)現(xiàn)已形成新型建材產(chǎn)業(yè)、機電一體化工程產(chǎn)業(yè)、半導(dǎo)體照明及光電子產(chǎn)業(yè)等三大產(chǎn)業(yè)體系。新型建材產(chǎn)業(yè)包括各類建筑幕墻、鋁塑復(fù)合板、單層鋁板、節(jié)能環(huán)保門窗、鋁型材、新型采暖散熱器、特種結(jié)構(gòu)等；機電一體化工程產(chǎn)業(yè)包括地鐵屏蔽門、自動門、特種門等；半導(dǎo)體照明及光電子產(chǎn)業(yè)包括氮化鎵（GaN）基藍(lán)、綠、白光LED外延片和藍(lán)、綠、白光LED芯片以及集成電路、半導(dǎo)體照明等。在2000年開始進(jìn)軍氮化鎵(CaN)基半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，至今已累計投資2億多元人民幣，形成了年產(chǎn)氮化鎵(CaN)外延片35000片和600kk芯片的生產(chǎn)能力。

上海寬頻科技股份有限公司A股上市公司。公司主營業(yè)務(wù)為：通信網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品、集成電路設(shè)計、寬帶網(wǎng)絡(luò)運營、異型鋼管加工。2004年4月，公司將與韓國NiNEX司合資設(shè)立中外合資企業(yè)上海明芯電子有限公司(注冊資本為1000萬美元。建設(shè)一條月產(chǎn)5000萬只高亮度蘭光、綠光、白光LED(發(fā)光二極管)芯片和2000萬只LED封裝產(chǎn)品的生產(chǎn)線。計劃總投資為2500萬美元。合資公司將是國內(nèi)唯一一家集氮化鎵(GaN)基高亮度藍(lán)光、綠光、白光LED芯片規(guī)模化制造和封裝為一體的廠家。這些公司沒有尖端加工設(shè)備、沒有尖端技術(shù)人員和技術(shù)，他們大多生產(chǎn)低于0.1元RMB的低端LED芯片。新天公司生產(chǎn)LED專門技術(shù)

與國內(nèi)外發(fā)光二級管芯片制造商相比:新天公司在制造功率型發(fā)光二極管有著下列專門技術(shù):新天公司引進(jìn)了美國發(fā)展了20年的激光器﹑半導(dǎo)體芯片,發(fā)光二極管的研發(fā)、制造技術(shù).公司發(fā)明了獨特的表面粗糙化加工技術(shù)。工藝簡單﹑加工成本低,可提高發(fā)光效率至少30%,而國內(nèi)的同行不具備此類技術(shù).如圖(1-1)

表面粗糙化技術(shù)(1-1)鍍光膜

光刻

腐蝕

清洗具有先進(jìn)的砷化鎵襯底剝離技術(shù),使得發(fā)光強度增加2倍以上。如下圖襯底剝離技術(shù)(1-2)

N-metal

發(fā)展了一系列提高發(fā)光強度的技術(shù),如光增透膜﹑電流限制技術(shù)等。如下圖：1.

PR2.

PR3.

PRA.增透膜技術(shù)（1－3）

層片

SiN膜

去膠

光刻（接上圖1－3）干法腐蝕

清洗B.電流限制技術(shù)（1－4）光膠

光刻

干法刻蝕

公司發(fā)明了電極成形技術(shù),可免除光刻、腐蝕的工藝,大大降低了制造成本,提高了發(fā)光強度。公司發(fā)明了功率型發(fā)光二極管的封裝技術(shù),我們可以制造1w--5w的發(fā)光二極管。具有一流的加工設(shè)備,從PECVD到ICP、光刻等等，在同行內(nèi)屬設(shè)備先進(jìn)之列。本公司具有一流的研發(fā)人才,有來自Motorola的從業(yè)40余年的工程師,俄羅斯的高級工程師、美國的高級工藝專家等高、精、尖人才。綜上所述，我公司無論是技術(shù)優(yōu)勢，還是硬件條件都居國內(nèi)外領(lǐng)先水平。公司生產(chǎn)的發(fā)光二極管，價格低，發(fā)光強度大，市場前景光明。未來公司的產(chǎn)品方向:（一）公司將制造半導(dǎo)體激光器,垂直發(fā)射激光器陣列等.（二）公司具有最前沿的制造激光器應(yīng)用產(chǎn)品專利技術(shù),例：激光掃描儀﹑激光治療青春痘﹑痤瘡粉刺等。（三）公司具有硅工藝與技術(shù)，制造大功率半導(dǎo)體二極管﹑外延片等.

生產(chǎn)高亮度發(fā)光二極管所需設(shè)備序號名稱型號1光刻機KarlSussMA562涂膠機SVG80003清洗臺VictorAssociates4烘箱Yes5顯微鏡Nikon6酸洗清洗臺Raynolds7等離子增強鍍膜機STSPECVD8干法刻蝕機STSRIEorApplied9等離子去膠機RamcoorLam10高密度等離子刻蝕機PlasmaTherma11電子束蒸發(fā)臺ChaorEdwards12減薄機Disco13劃片機Disco14膜厚測試儀器Nanometrics15臺階儀Daktak16電子掃描顯微鏡JOELorHitachi17測試設(shè)備Agilent18封裝設(shè)備ASM

2）新天LED生產(chǎn)流程一、產(chǎn)品品種本項目以技術(shù)難度最大、市場最迫切需求的白光LED為主，以目前市場需求量最大的紅光、綠光LED為輔。

二、產(chǎn)品制造過程在GaN基MOCVD專用設(shè)備上，利用金屬有機化學(xué)氣相淀積（MOCVD）技術(shù)，采用三鉀基鎵、二茂鎂、氨氣、硅烷等原材料，在藍(lán)寶石（α-Al2O3）或其它襯底基片上，外延生長出具有雙異質(zhì)結(jié)、量子阱等多層結(jié)構(gòu)的薄膜狀GaN基LED外延片，再經(jīng)過襯底檢測、清洗，PEVCD生產(chǎn)鈍化層，光刻，干法刻蝕，光刻P區(qū)，蒸鍍P型電極，光刻透明電極窗，蒸透明電極，光刻N區(qū)，蒸N型電極，合金、減薄、貼片、擴片等形成GaN基LED管芯，再經(jīng)封裝工序，即可制成高亮度LED。其中，從外延生長出具有雙異質(zhì)結(jié)的工序起到減薄的工序是本項目的核心技術(shù)所在。

三、典型產(chǎn)品的工藝流程示意

外延片（MOCVD）

芯片制造與測試光刻――SiN鍍膜――干法刻蝕－－金屬化――減薄――切刻――測試

KarlSuss光刻

涂膠

光刻（CA-400）

SiN鍍膜（PECVD）

SiN與SiO2鍍膜（ECR-PECVD）

干法刻蝕（ICP）

干法刻蝕（RIE）

金屬化

氧化

退火

膜厚檢測

氧化退火

切刻

GaN基藍(lán)、白光LED技術(shù)在GaN基MOCVD專用設(shè)備上，利用金屬有機化學(xué)氣相淀積（MOCVD）技術(shù)，采用三鉀基鎵、二茂鎂、氨氣、硅烷等原材料，在藍(lán)寶石（α-Al2O3）或其它襯底基片上，外延生長出具有雙異質(zhì)結(jié)、量子阱等多層結(jié)構(gòu)的薄膜狀GaN基藍(lán)光LED外延片（前道產(chǎn)品）。GaN基藍(lán)光LED外延片，再經(jīng)過以下工藝流程加工成藍(lán)光LED管芯（中道產(chǎn)品）：“襯底檢測—襯底清洗—GaN發(fā)光二極管材料生長—PEVCD生產(chǎn)sio2—光刻臺面—干法刻蝕臺面—光刻P區(qū)—蒸鍍P型電極—光刻透明電極窗—蒸透明電極—光刻N區(qū)—蒸N型電極—合金—減薄—貼片—擴片—裂片—分類。GaN基藍(lán)光LED管芯，再經(jīng)封裝工序，即可制成藍(lán)色超高亮度發(fā)光二極管（UHB—LED）（后道產(chǎn)品）。GaN基藍(lán)光LED的產(chǎn)業(yè)鏈如下圖所示:藍(lán)光LED管子藍(lán)光LED管芯藍(lán)光LED外延片MOCVD

切割

封裝

LED的發(fā)光的機制是：在電流作用下，LED器件n區(qū)的電子和P區(qū)的空穴被注入到量子阱中進(jìn)行復(fù)合發(fā)光，從而把電能直接轉(zhuǎn)變?yōu)楣饽?，它沒有傳統(tǒng)白熾燈和日光燈燈絲的白熱，是一種冷光源，因此大大地節(jié)電。阱區(qū)的化學(xué)組分和結(jié)構(gòu)決定了器件的發(fā)光顏色；器件的結(jié)構(gòu)和質(zhì)量則決定了LED的發(fā)光效率和性能。GaN基藍(lán)光LED的技術(shù)含量就主要體現(xiàn)在器件的結(jié)構(gòu)和質(zhì)量這方面上。

GaN基藍(lán)光LED器件的基本結(jié)構(gòu)示意圖如下所示:

白光是多種顏色的混合光，因此實現(xiàn)白光LED主要有以下途徑：A.目前主要是商業(yè)化做法：以460nm的InGaN藍(lán)光芯片涂上一層YAG熒光粉，利用藍(lán)光和被照的熒光粉轉(zhuǎn)化出555nm波長混合而得到肉眼所需的白光。這中方法制管工藝簡單，成本低。但是白光LED的壽命被熒光粉的壽命限制（目前約一萬多小時），能量也有損耗。B.利用藍(lán)光管芯和黃色光管芯封裝成雙管芯的白光LED。C.利用藍(lán)光管芯、綠色管芯和紅光管芯封裝成三管芯白光LED。D.利用紫光單芯片加上紅、藍(lán)、綠三基色熒光粉封裝成白光LED。E.日本億友公司開發(fā)出一硒化鋅的白光LED，但發(fā)光功率較差。

四、廠房及設(shè)備等生產(chǎn)要素要求主廠房約2000平方，需配置1萬級凈化、恒溫、恒濕，另需充足的氮氣和動力電、去離子水等配置，技術(shù)工廠以三班制計算，需60人左右。主要生產(chǎn)設(shè)備包括RIE,PECVD,ICP,Maskaligner,Sputtering,CMP,E-beam,Cleaner,SEM,Ellipsometer,Diffusion,Overns。主要檢測設(shè)備：Microscopes,PL,FT-IR,Profiler,Prober,LappingPolishing,waferprobes。

11.

4.

公司管理

12.

4.1公司管理結(jié)構(gòu)

質(zhì)量控制部總經(jīng)理董事會銷售經(jīng)理人力后勤部技術(shù)總監(jiān)生產(chǎn)部財務(wù)部圖4-1：潮州光電管理構(gòu)架

13.

4.2采購

生產(chǎn)LED芯片的主要原材料—-基板將從臺灣、美國購買，激光基板將從臺灣專門定制，需一周左右時間。被覆材料將購至臺灣或中國大陸，在進(jìn)口以上材料方面，中國大陸并無特別限制。其余供應(yīng)材料如環(huán)氧膠與支架可在浙江或廣東定制，下定單后一周左右可拿到。

14.

7.2財務(wù)預(yù)測

表7-1：產(chǎn)量預(yù)測第一年第二年第三年第四年第五年LEDwafers2560044000600006600080000LEDchips668kk800900kk1520kk1800kkLEDlamp200k500k4kk6kk12kkLDChips20k150k500k800k1000k

表7-2：銷售收入預(yù)測

單位：萬元第一年第二年第三年第四年第五年LEDchips9,680.0010,200.0012,000.0015,.00022,000.00LDchips2.0010.0050.0080.00100.00LEDlamps8.0010.00600.001,200.001,800.00others15.0020.0040.0060.00100.00合

計9,705.009,240.0012,690.0016,340.0024,000.00

表7-3：生產(chǎn)成本預(yù)測(直接材料、人工和制造費用，未含折舊與攤銷)

單位：萬元

第一年第二年第三年第四年第五年Totalmaterials2,100.003,400.004,100.005,200.006,412.00

合

計2,100.003,400.004,100.005,200.006,412.00

表7-4：固定費用、折舊與攤銷預(yù)測

單位：萬元

第一年第二年第三年第四年第五年管理費用280.00500.00600.00700.00700.00營業(yè)費用150.00200.00250.00300.00350.00財務(wù)費用20.0040.0060.0080.0090.00折

舊250.00300.00400.00500.00500.00攤

銷13.00121.00200.00200.00300.00科研費用0.00300.00338.00386.00166.00合

計713.001,461.001,848.002,166.002,106.00

表7-5：未來5年利潤預(yù)測

單位：萬元第一年第二年第三年第四年第五年銷售收入9680.0010200.009,690.0015000.0022000.00

主營業(yè)務(wù)成本2,363.003,821.004,700.005,900.007,212.00

稅金及附加339.26521.28697.68825.121,008.00主營業(yè)務(wù)利潤2,009.742,897.724,292.324,734.885,780.00

管理費用280.00500.00600.00700.00700.00

營業(yè)費用150.00200.00250.00300.00350.00

財務(wù)費用20.0040.0060.0080.0090.00利潤總額1,559.742,157.723,382.323,654.884,640.00

所得稅0.000.00558.08603.06765.60凈利潤1,559.742,157.722,824.243,051.8211000.40凈利潤率47.90%41.80%32%46.63%47.67%注：管理費用包括科研費用

主要研究開發(fā)人員序號姓

名性別職務(wù)/職稱從事專業(yè)1杭志強男總經(jīng)理/博士半導(dǎo)體2范廣涵男教授半導(dǎo)體光電子材料3Lazarev男博士磁性物理學(xué)4Vasilyev男博士電子設(shè)計和制造5Choquette男博士真空集成制造技術(shù)6Webb男博士儀器件設(shè)計7Geib男碩士電氣工程8陳正宇男博士物理電子和光電子9徐謙剛男高工電子技術(shù)10李旺勤男高工半導(dǎo)體11楚振生男博士半導(dǎo)體激光封裝團(tuán)隊：馮應(yīng)奇

原871廠封裝分廠廠長，總工程師，30年以上經(jīng)驗

鄧喜明

原871廠封裝分廠主任，總工程師，25年以上經(jīng)驗JohnRhee

原美國Motorola公司總工，三星封裝部總工，美國密西根大學(xué)博士30年以上經(jīng)驗貢愛兵

原美國Corning公司激光封裝部高工

15年以上經(jīng)驗公司獎勵制度公司將拿出20%的期權(quán)股獎勵管理，與技術(shù)員工。備注：技術(shù)股說明：NDR技術(shù)股占總股本的15%。甲方（NDR公司）從1997年開始研究激光器，功率型LED的散熱，封裝等問題。公司在此研發(fā)上化了3百萬以上的美元。我們將功率型LED封裝技術(shù)投入新公司。技術(shù)內(nèi)容包括：封裝工藝，配方，設(shè)計圖紙，工夾具，專用工具，專用設(shè)備的設(shè)計，設(shè)備的專門需求。材料的來源，OEM材料制造。相關(guān)專利。

管理團(tuán)隊簡介

董事會：

總裁兼行政總監(jiān)(President&CEO)：杭志強(JimHang)總工程師兼技術(shù)總監(jiān)：杭志強(JimHang)技術(shù)副總裁：

VictorLazarev總經(jīng)理：徐磊(StanleyXu)項目開發(fā)部經(jīng)理：待聘高級工程師：

SergeyVasilyev工程師：待聘顧問：

沈德忠，許祖諺，陳庚華生產(chǎn)部經(jīng)理：待聘市場部經(jīng)理：

待聘財務(wù)部經(jīng)理：待聘日本部經(jīng)理：Fukumura(原三洋公司總裁)臺灣部經(jīng)理：DavidLiu

研究部：

主任：Dr.VictorLazarev工程師：喻孟昕科技顧問委員會：顧問委員會每年舉行一次會議，商討有關(guān)產(chǎn)品開發(fā)方向和市場走向，不斷完善公司發(fā)展方向。NDR將承擔(dān)顧問委員會成員StockOption和會議差旅費。

管理梯隊：

杭志強博士Dr.JimHang公司創(chuàng)辦人，全職員工職位:執(zhí)行長職責(zé):日常公司管理，應(yīng)用研究;生產(chǎn)和營銷

經(jīng)歷：杭博士在1991年7月從紐約城市大學(xué)(NYC)獲得物理博士學(xué)位。他從事7年III-V半導(dǎo)體領(lǐng)域研究共發(fā)表了25篇有關(guān)半導(dǎo)體處理和特性的論文。1996年5月他建立了NewDimensionResearch&Instrument，Inc.并擔(dān)當(dāng)董事長及總裁。他是Tufts大學(xué)醫(yī)學(xué)院的新英格蘭眼科中心的助理教授。他還是上海的復(fù)旦大學(xué)的客座教授.他的早先經(jīng)驗包括在麻省Lahey醫(yī)院擔(dān)任二年激光研究實驗室的技術(shù)主任。從1992-1994年，杭博士在AmericanOpticalCorporation擔(dān)任技術(shù)經(jīng)理，負(fù)責(zé)發(fā)展一次性醫(yī)療設(shè)備。杭博士的主要研究領(lǐng)域是在為生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用的光學(xué)設(shè)備。他是VCSEL共焦掃描顯微鏡的發(fā)明者，他還發(fā)明了基于VCSEL的CD，DVD和CDR光學(xué)頭，和一個用于早期癌癥檢測的熒光成像內(nèi)窺鏡設(shè)備。他從美國衛(wèi)生總署(NIH)，美國國家科學(xué)基金會(NSF)獲得了10項獎金，并從國防部得到一個合同，共計4百萬美金.杭博士在在半導(dǎo)體VCSEL處理，光學(xué)和生物醫(yī)學(xué)工程學(xué)，發(fā)表25篇論文并獲得四項批準(zhǔn)專利和10等待專利.他是在光學(xué)，共焦掃描學(xué)，和生物光學(xué)領(lǐng)域知名的專家。1999年他開始擔(dān)任美國衛(wèi)生署(NIH)一個顯微鏡研究部分的評委。他有三個專利是關(guān)于大功率激光和CD/DVD中VCSEL的應(yīng)用。

徐磊

Mr.StanXu總經(jīng)理職責(zé)：行政和財務(wù)管理

經(jīng)歷：徐先生在進(jìn)出口產(chǎn)業(yè)有著廣泛的管理經(jīng)驗，并具有國際電信市場的豐富知識和以及在東歐，中國和美國的跨國銷售背景。從97年10月起徐先生是NewDimensionResearch和Instrument，Inc.的總經(jīng)理。在95年5月到97年7月之間，他在AmericanNetworkTechnologies，Inc.，Natick，MA擔(dān)任營銷經(jīng)理，他協(xié)助中國銀行和中國農(nóng)業(yè)銀行實現(xiàn)了其銀行業(yè)務(wù)通訊網(wǎng)絡(luò)現(xiàn)代化。徐先生還在麻州Belmont的量子國際集團(tuán)的營銷經(jīng)理，Belmont，MA，，負(fù)責(zé)商業(yè)合同和電信產(chǎn)業(yè)的交易。從9/90到7/93，徐先生擔(dān)任上海對外貿(mào)易公司(中國最大的進(jìn)口公司)在波蘭的貿(mào)易代表，負(fù)責(zé)洽談貿(mào)易他的教合同。他的教育經(jīng)歷包括美國麻州Bentley學(xué)院的工商管理碩士和北京外國語大學(xué)的學(xué)士學(xué)位。

Dr.VictorLazarev全職員工職稱:技術(shù)副總裁職責(zé):主管研發(fā)工作

經(jīng)歷：Lazarev博士于1976年從莫斯科州立大學(xué)獲得物理和數(shù)學(xué)博士學(xué)位。他于1996年2月加入NewDimensionResearch&Instrument，Inc.擔(dān)任研究主任一職。他的早先經(jīng)驗包括莫斯科州立大學(xué)26年的研究經(jīng)驗，他是數(shù)學(xué)實驗室的主任。他的主要研究領(lǐng)域包括在反磁性和高度激動的氣體分子的弛豫過程，激光和應(yīng)用光學(xué)，由于酶反應(yīng)的化學(xué)發(fā)光，和基于熒光的分析方法。Lazarev博士是在光學(xué)和生物光學(xué)領(lǐng)域的知名專家，在磁性，生物物理學(xué)，激光和應(yīng)用光學(xué)方面出版50篇論文，并擁有4個專利。Lazarev博士將擔(dān)當(dāng)主管公司光電研究與發(fā)展的副總裁。

Dr.SergeyVasilyev全職員工職稱:高級電子工程師職責(zé):研發(fā)實驗室

經(jīng)歷：在1997年1982年，獲得莫斯科州立大學(xué)物理和數(shù)學(xué)博士，Vasilyev博士被NDR聘為一位高級電機工程師從事電子設(shè)計和制造。Vasilyev博士在電子，機械設(shè)計，布局和原型發(fā)展有廣泛的經(jīng)驗，他出版了30份論文。從1972年到1997年他在Radiophysics部門擔(dān)任初級和資深科學(xué)家。他發(fā)明了俄國第一個放射性掃描通道顯微鏡(STM)。他是負(fù)責(zé)發(fā)展一個具有核子分辨率的掃描探測顯微鏡，并對神經(jīng)結(jié)構(gòu)和低維度系統(tǒng)有著堅實的研究。Vasilyev博士為在高(7Tesla)磁場和低溫中的高溫超導(dǎo)體開發(fā)了一種低溫STM和一個為干凈表面作準(zhǔn)備的原地卵裂系統(tǒng)。他還開發(fā)一種對預(yù)熱至400度的樣品作真空研究的STM。他在掃描通道顯微鏡和原子強力顯微鏡的研究和應(yīng)用方面有超過23年的管理經(jīng)驗。

陳正宇博士角色:全時雇員職稱:資深電子工程師職責(zé)：R&D實驗室。

經(jīng)歷：在1998年2月.于Sinica(中國科學(xué)院)技術(shù)物理所，獲得物理電子&光電子學(xué)博士。包括1993年3月上?？茖W(xué)院，光電子學(xué)技術(shù)碩士，自1999年以來，陳博士擔(dān)當(dāng)NDR的電機工程師，負(fù)責(zé)發(fā)展一個將基因測試的量化的光電生物醫(yī)學(xué)設(shè)備。他還參與了公司其他產(chǎn)品的設(shè)計和制造，包括氧氣檢測系統(tǒng)，由NIH支持根據(jù)VCSEL矩陣的激光共焦顯微鏡。之前，陳博士任職于德國的InstitutfuerExperimentelleKernphysik(IEKP)，擔(dān)任客座研究員，他參與了CMS跟蹤儀的外部前期控制(FEC)的電子設(shè)計和軟件開發(fā)。

薄寶旭職位：項目經(jīng)理(將在2月加入公司)職責(zé):晶園加工實驗室。

經(jīng)歷：薄先生從吉林大學(xué)獲得他的在半導(dǎo)體物理和設(shè)備碩士學(xué)位。他將于明年2月加入NewDimensionResearch&Instrument，Inc.任職晶園加工經(jīng)理。他的早先經(jīng)驗包括在中科院長春光學(xué)和精密儀器研究所擔(dān)任7年主管。負(fù)責(zé)研究MBE(VG，V80H)和二極管激光復(fù)合半導(dǎo)體材料，并在HPSL擔(dān)任工程師，研究LDs大功率設(shè)備制造和R&D。他有在CVD(China)/stripe處理設(shè)備方面的豐富實踐經(jīng)驗。他在半導(dǎo)體激光雜志上發(fā)表過14篇論文。

寧永強博士職稱:高級封裝工程師(明年3月加入NDR)職責(zé)：晶園加工實驗室

經(jīng)歷：寧先生中國學(xué)院長春分院獲得了他的固態(tài)物理學(xué)博士學(xué)位。他將于明年3月加入NewDimensionResearch&Instrument，Inc.任職高級封裝工程師。他的早先經(jīng)驗包括于長春物理研究所工作了7年，他的研究課題包括，理解激光的機制，再結(jié)合加工，和在量子點激光內(nèi)的載體弛豫，物質(zhì)結(jié)構(gòu)和設(shè)備結(jié)構(gòu)，譬如金屬接觸論證，光學(xué)平板印刷術(shù)，選擇性etching等方面的設(shè)備加工。主要研究集中在使用電性能、PL、EL等測量方法對材料和設(shè)備性能進(jìn)行描述。為顯微孔隙設(shè)備加工極低極限和放射狹窄激光。他在半導(dǎo)體激光雜志上發(fā)表了15篇論文。

Dr.KentD.Choquette職稱:顧問職責(zé)：設(shè)計和加工激光陣列芯片

經(jīng)歷：1990年威斯康辛麥迪遜大學(xué)Choquette獲得了他的材料學(xué)博士學(xué)位。從1990到1992年他服務(wù)于美國電信電話公司貝爾實驗室，負(fù)責(zé)開發(fā)了光電設(shè)備制造中的真空集成制造技術(shù)，并且做了他的第一次有關(guān)VCSEL的研究。他目前是亞伯科基Sandia國家實驗室的一名資深研究成員。他參與對VCSEL和其它光電設(shè)備的設(shè)計，制造，和特性的研究。這些研究包括新穎制造技術(shù)的開發(fā)，譬如VCSEL和顯微孔隙結(jié)構(gòu)物理的選擇性氧化作用和研究。他在大型光電會議上做過許多報告，發(fā)表了70項技術(shù)論文，擁有9個關(guān)于VCSEL的專利。Choquette博士是半導(dǎo)體激光和VCSEL制造領(lǐng)域的權(quán)威。他將為NDR設(shè)計和制造VCSEL作顧問。

RobertH.Webb職稱:顧問職責(zé)：掃描激光檢眼計設(shè)計

經(jīng)歷：Webb先生于1959年從Rutgers大學(xué)獲得物理博士學(xué)位。他的研究領(lǐng)域包括儀器設(shè)計、眼科學(xué)和生物醫(yī)學(xué)、顯微學(xué)的新方法、流動血細(xì)胞學(xué)和分子物理:磁共振等。他是Applamatic音調(diào)計的發(fā)明者(Digilab和Alcon)。自1978年以來，掃描激光檢眼計和它的分支是他的研究工作主要焦點。他現(xiàn)在是哈佛醫(yī)學(xué)院Schepens眼睛研究所(SERI)一位資深科學(xué)家。1993年他于馬薩諸塞總醫(yī)院光學(xué)醫(yī)學(xué)Wellman實驗室擔(dān)任研究工作。他的最近榮譽包括fellowship在美國光學(xué)協(xié)會醫(yī)療光學(xué)的獎金(1991)。1981年他獲紅外線100獎。Webb博士并且是視覺和眼科學(xué)協(xié)會的研究員和電子和電子工程師學(xué)院的成員。Webb博士在SLO和生物醫(yī)學(xué)儀器方面發(fā)表44篇論文和獲得17個專利。他并且是28份論文的受邀作者。

KentGeib先生職稱:顧問職責(zé)：激光陣列芯片設(shè)計和制造

經(jīng)歷：1979年Geib先生從科羅拉多州立大學(xué)獲得電氣工程碩士。1994年至今，他在Sandia國家實驗室擔(dān)任晶園加工工程師。他為設(shè)備研究和材料條件制造VCSEL。他制造了第一塊整體選擇性地被氧化的VCSEL，他創(chuàng)造了新的電流/電壓極限紀(jì)錄、效率轉(zhuǎn)換和迄今波長最短的VCSE。從1991-1994年，Geib先生于科羅拉多電機工程的州立大學(xué)部門和美國國家科學(xué)基金會的光電計算機系統(tǒng)部門擔(dān)任研究人員。他使用HPTs，發(fā)光二極管和VCSEL為數(shù)字式計算應(yīng)用開發(fā)了III-V半導(dǎo)體再生光電邏輯門的。他是知名的VCSEL制造和加工專家并出版80份有關(guān)VCSEL加工的論文。

15.

1）新天公司產(chǎn)品目錄。16.

17.

2）新天LED生產(chǎn)流程

目錄TOC\o"1-2"\h\z\u第一章總論 41.1項目概況 41.2編制依據(jù) 51.3項目建設(shè)內(nèi)容及規(guī)模 51.4項目投資概算及資金籌措 141.5產(chǎn)品方案 151.6原材料及動力 161.7主要技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo) 171.8項目實施進(jìn)度 181.9研究結(jié)論 18第二章項目建設(shè)背景和必要性 192.1項目建設(shè)背景 192.2項目建設(shè)必要性 20第三章市場分析和預(yù)測 223.1市場現(xiàn)狀 223.2**縣市場 233.3全國市場 233.4雞肉市場分析 243.5雞蛋市場分析 243.6有機肥市場分析 243.7銷售預(yù)測 25第四章項目區(qū)概況 264.1項目區(qū)基本情況 264.2項目區(qū)畜牧業(yè)生產(chǎn)現(xiàn)狀 274.3水、電、路、通訊、技術(shù)等條件 27第五章項目建設(shè)方案 295.1項目建設(shè)原則 295.2項目設(shè)計依據(jù)的規(guī)范與規(guī)程 295.3項目設(shè)計方案 305.4工程設(shè)計標(biāo)準(zhǔn) 335.5技術(shù)標(biāo)準(zhǔn) 365.6設(shè)備選型 53第六章消防安全 576.1消防依據(jù) 576.2消防工作程序 576.3消防安全流程 59第七章節(jié)水與節(jié)能 607.1節(jié)水工程與科技措施 607.2養(yǎng)殖節(jié)能措施 617.3飼料加工節(jié)能措施 617.4電氣節(jié)能措施 627.5減排 62HYPER