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學(xué)習(xí)目標(biāo)在學(xué)習(xí)“硅及其化合物”知識(shí)之旅的過程中,體會(huì)“位—構(gòu)—性”認(rèn)知模型,并應(yīng)用此模型預(yù)測(cè)元素及其化合物的性質(zhì)。1.3.3預(yù)測(cè)元素及其化合物的性質(zhì)芯片危機(jī)活動(dòng)一預(yù)測(cè)硅元素的性質(zhì)Si元素初識(shí)CPU制備CPU展望CPU模型應(yīng)用原子結(jié)構(gòu)化合價(jià)原子半徑原子得失電子能力核電核數(shù)電子層數(shù)最外層電子數(shù)原子序數(shù)周期族初識(shí)CPU制備CPU展望CPU決定決定反映反映反映反映元素位置元素性質(zhì)元素相似性遞變性“比較”視角活動(dòng)二預(yù)測(cè)含硅化合物的性質(zhì)H2SiO3初識(shí)CPU制備CPU展望CPU活動(dòng)二預(yù)測(cè)含硅化合物的性質(zhì)初識(shí)CPU制備CPU展望CPU能否制得硅酸?能證明得電子能力:Cl>C>Si?酸的選擇同周期:磷酸、硫酸、高氯酸同主族:碳酸常識(shí):鹽酸、硝酸初識(shí)CPU制備CPU展望CPU原子結(jié)構(gòu)元素位置元素性質(zhì)元素決定決定反映反映反映反映物質(zhì)化性同類物質(zhì)一般性質(zhì)相似性、遞變性建立“元素性質(zhì)”與“物質(zhì)性質(zhì)”的關(guān)聯(lián)活動(dòng)二預(yù)測(cè)含硅化合物的性質(zhì)H2SiO3SiO2初識(shí)CPU制備CPU展望CPU活動(dòng)二預(yù)測(cè)含硅化合物的性質(zhì)SiO2初識(shí)CPU制備CPU展望CPUSi沙子的變形記?初識(shí)CPU制備CPU展望CPU原子結(jié)構(gòu)元素位置元素性質(zhì)元素決定決定反映反映反映反映物質(zhì)化性同類物質(zhì)一般性質(zhì)相似性、遞變性氧化性、還原性類價(jià)律高溫SiO2+2C===Si+2CO(粗硅)初識(shí)CPU制備CPU展望CPU活動(dòng)三硅單質(zhì)的性質(zhì)展望CPU制備CPU初識(shí)CPU展望CPU制備CPU初識(shí)CPU傳統(tǒng)硅基芯片受限,北大突破材料領(lǐng)域研發(fā)出碳納米晶體管
芯片制程的不斷進(jìn)步,單個(gè)元器件越來越小,逐漸逼近物理極限國(guó)產(chǎn)超導(dǎo)量子芯片問世,浙江大學(xué)立功了。改變芯片組合方式,復(fù)旦大學(xué)繞開EUV突破底層技術(shù)晶圓級(jí)硅基二維互補(bǔ)疊層晶體管認(rèn)清危機(jī),自主創(chuàng)新,科技興國(guó)國(guó)內(nèi)純自研發(fā)以及制造的芯片才能不被別人卡脖子展望CPU制備CPU初識(shí)CPU學(xué)習(xí)目標(biāo)素養(yǎng)目標(biāo)在學(xué)習(xí)“硅及其化合物”知識(shí)之旅的過程中,體會(huì)“位—構(gòu)—性”認(rèn)知模型,并應(yīng)用其預(yù)測(cè)元素及其化合物的性質(zhì)的過程。1.3.3預(yù)測(cè)元素及其化合物的性質(zhì)宏觀辨識(shí)與微觀探析科學(xué)精神與社會(huì)責(zé)任證據(jù)推理與模型認(rèn)知展望CPU制備CPU初識(shí)CPU1.碲(Te)是52號(hào)元素,位于元素周期表中ⅥA族,處于金屬區(qū)與非金屬區(qū)的交界線上。下列敘述中錯(cuò)誤的是()A.碲的單質(zhì)具有半導(dǎo)體的性能B.碲化氫(H2Te)比H2S更穩(wěn)定C.碲可在空氣中燃燒生成二氧化碲(TeO2)D.H2TeO4的酸性比H2SO4弱B2.在半導(dǎo)體行業(yè)中有這樣一句話:“從沙灘到用戶”,說的是用二氧化硅制取硅,下列有關(guān)說法不正確的是(
)A.制備粗硅的化學(xué)方程式為:SiO2+C===Si(粗硅)+CO2↑B.光導(dǎo)纖維的主要成分是高純度的二氧化硅C.不能用石英坩堝
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