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文檔簡介
第4章
焊接結構的應力腐蝕破壞
1本章內容及重點:
4.1應力腐蝕破壞概述
4.2應力腐蝕斷裂的過程及斷口特征★
4.3斷裂力學在結構抗應力腐蝕中的應用
4.4防止焊接結構產生應力腐蝕的措施★
4.4.1正確選材
4.4.2合理的結構設計
4.4.3消除和調節(jié)殘余應力
4.4.4控制電位——陰極和陽極保護
4.4.5用鍍層或涂層隔離環(huán)境
4.4.6控制和改善環(huán)境24.1應力腐蝕破壞概述4.1.1應力腐蝕及應力腐蝕破壞應力腐蝕破壞簡寫為SCC(StressCorrosionCracking),又簡稱為應力腐蝕,它是指材料或結構在腐蝕介質和靜拉應力共同作用下引起的斷裂。應力腐蝕破壞是一個自發(fā)的過程,只要把金屬材料置于特定的腐蝕介質中,同時承受一定的應力,就可能產生應力腐蝕破壞。它往往在遠低于材料屈服點的低應力下和即使是很微弱的腐蝕環(huán)境中以裂紋的形式出現(xiàn),是一種低應力下的脆性破壞,危害極大。應力腐蝕破壞發(fā)生的特定條件:(1)拉應力。這種拉應力可以是外加載荷引起的,也可以是殘余應力,例如:焊接殘余應力、裝配應力、熱應力等。在一般情況下,發(fā)生應力腐蝕時的拉應力都很低,如果沒有腐蝕介質的共同作用,該構件可以在該應力水平下長期工作而不發(fā)生斷裂。(2)腐蝕介質。這種腐蝕介質一般都很弱,如果沒有拉應力同時作用,材料或構件在這種介質下的腐蝕速度很慢。3
產生應力腐蝕的介質一般都是特定的。即:每種材料只對某些介質敏感,而這些介質對其他材料可能沒有明顯作用。例如:黃銅在氨氣中,不銹鋼在具有氯離子的腐蝕介質中都容易發(fā)生應力腐蝕。反過來則不敏感。表4-l列出工業(yè)上常用金屬材料相應的應力腐蝕敏感介質。4圖4-l應力腐蝕產生條件示意圖
(3)一般只有合金才會產生應力腐蝕,純金屬不會發(fā)生。
合金也只有在拉應力和特定的腐蝕介質聯(lián)合作用下才會發(fā)生應力腐蝕破壞。圖4-1為應力腐蝕產生條件示意圖。51.焊接結構的應力腐蝕由于焊接過程中的不均勻加熱等因素,使得焊接結構存在殘余應力,其拉伸殘余應力和腐蝕介質共同作用,就可導致其產生應力腐蝕破壞。
鋼制壓力容器和其他焊接結構,由應力腐蝕導致的破壞現(xiàn)象相當普遍,造成的后果也很嚴重。而由焊接殘余應力引起的應力腐蝕破壞事故占絕大多數(shù),可達80%左右。并且絕大多數(shù)破壞是焊接熱影響區(qū)中。另外,弧坑、打弧及電弧擦傷等部位發(fā)生在焊縫附近,特別是都會誘發(fā)應力腐蝕開裂?,F(xiàn)場組裝焊縫、未經消除應力處理的修補焊縫也是發(fā)生應力腐蝕開裂最嚴重的區(qū)域。顯然,焊接殘余應力和組裝時的拘束應力提供應力腐蝕開裂的應力條件,而焊接缺陷又助長它的發(fā)生。4.1.2焊接結構的應力腐蝕破壞
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2.焊接結構的應力腐蝕破壞事例
應力腐蝕破壞是危害最大的腐蝕形態(tài)之一,它是一種災難性腐蝕。因為它是一種事先不易察覺的脆性斷裂,即它使金屬結構等突然破壞,會引起各種不幸事故,如爆炸、火災、環(huán)境污染等。
據(jù)統(tǒng)計:美、英原子能容器及系統(tǒng)配管破壞事故1/3以上是由應力腐蝕引起的。德國一家大化工廠1968~1972年間,在全部設備的腐蝕破壞事故中,應力腐蝕破壞超過總數(shù)的1/4。日本1965~1975年間化工設備所發(fā)生的破壞事故中有近半數(shù)屬于應力腐蝕破壞。我國的各類球罐,從1975~1979年所發(fā)生的20起球罐破壞事故中,有40%是由應力腐蝕引起的。
下面是幾個典型事例。
7應力腐蝕的典型事例
美國西弗吉尼亞州和俄亥俄州之間的一座橋梁,1967年12月突然塌陷,當時正在過橋的車輛連同行人墜入河中,死亡46人。事后由專家檢查發(fā)現(xiàn),鋼梁因應力腐蝕和腐蝕疲勞的共同作用,產生了裂紋而斷裂。引起應力腐蝕的環(huán)境是大氣中含有微量的SO2或H2S。美國輸氣管線和沙特阿拉伯油田的油井管線,分別于1965年3月和1977年9月,由于管道應力腐蝕破裂泄漏汽油,而發(fā)生大火,死亡多人,并造成巨大損失。1962年2月日本川崎工廠,一臺容積2000m3,材料HT80,板厚16.5mm的球罐,投產后僅20d就在環(huán)縫上產生應力腐蝕裂紋。還有一臺500m3,采用HT70制造的球罐,僅用12d就由應力腐蝕引起破裂。它們都是在H2S介質里引起的應力腐蝕。
我國北京某廠用8mm厚的Q345(16Mn)鋼板制作的一臺大型NaOH儲罐,使用僅32d就發(fā)生破裂,經多次補焊,越補越裂,最后報廢。上海某化工廠用12mm厚的鍋爐鋼板制作的高位槽,使用僅2周,就在焊縫熱影響區(qū)部位破壞。南京某化肥廠的高壓熱交換器管束運轉40d就發(fā)現(xiàn)泄漏。天津某廠1000m3球罐也只使用2個月,就在焊縫附近發(fā)現(xiàn)多處裂紋。
可見,應力腐蝕和腐蝕疲勞破壞在石油化工容器、管道、橋梁、儲罐及其他焊接結構,如海洋平臺、導管架、船舶、建工建筑物及核容器等上都會經常發(fā)生。因此,應力腐蝕破壞應是我們高度重視的問題之一。84.2應力腐蝕斷裂的過程及斷口特征
4.2.1應力腐蝕斷裂的過程
應力腐蝕斷裂的過程也是一種裂紋成核、長大的過程。如果材料表面沒有預先存在的裂紋或其他缺陷,并被氧化膜覆蓋,則其斷裂過程如圖4-2。首先,金屬材料在拉應力及腐蝕介質的共同作用下,表面的氧化膜局部受到破壞,即氧化膜局部穿透,然后在腐蝕介質的繼續(xù)作用下,氧化膜局部穿透處形成腐蝕坑孔,它本身也是一種形核及長大的過程;當應力腐蝕裂紋長大到足夠的長度且應力并未松弛時,將產生失穩(wěn)擴展,剩余的部分以很高的速度(約為1/3聲速)斷裂。環(huán)境介質對于最終的快速斷裂并無影響。圖4-2應力腐蝕斷裂過程示意圖
應力腐蝕斷裂過程分為四個階段:
1)氧化膜破裂。2)形成腐蝕坑孔。3)裂紋的形核及長大。4)最終斷裂。94.2.2應力腐蝕的斷裂機理
影響應力腐蝕的因素眾多而復雜,至今還沒有得出一個完整的斷裂機理。下面介紹一種為多數(shù)人接受的應力腐蝕機理,即保護膜破壞機理:這是較早的一種應力腐蝕機理,認為產生應力腐蝕是電化學反應起控制作用。在很多情況下,應力腐蝕與氫脆是共存的。
10應力腐蝕裂紋的形成及擴展
當應力腐蝕敏感材料置于腐蝕介質中(圖a),首先在表面形成一層保護膜,它阻止腐蝕進行,即所謂“鈍化”(圖b);由于拉應力和保護膜增厚帶來的附加應力使局部地區(qū)的保護膜破裂。破裂處基體金屬直接暴露在腐蝕介質中,該處的電極電位比保護膜完整的部分低,而成為微電池的陽極,產生陽極溶解(圖c);因為陽極小、陰極大,所以溶解速度很快,腐蝕到一定程度又形成新的保護膜(圖d),但在拉應力的作用下又可能重新破壞,發(fā)生新的陽極溶解(圖e)。隨后又形成新的保護膜(圖f)。這種保護膜反復形成和破裂的過程,使某些局部地區(qū)腐蝕加深,最后形成孔洞??锥吹拇嬖谟衷斐蓱校铀倏锥幢砻娓浇乃苄宰冃魏捅Wo膜破裂。這樣拉應力與腐蝕介質共同作用形成應力腐蝕裂紋。裂紋不斷迅速向前擴展,最終導致金屬結構的斷裂。圖4-3應力腐蝕裂紋的形成及擴展示意圖陽極114.2.3應力腐蝕斷裂的斷口特征
應力腐蝕斷裂的斷口特征比較復雜。它與材料的晶體結構、力學性能、合金成分、熱處理、環(huán)境氣氛、溫度以及應力狀態(tài)有關。它大多呈現(xiàn)脆性斷口,有時也可呈延性斷口,破斷方式是晶間或穿晶的。
(1)應力腐蝕斷口的宏觀特征
應力腐蝕裂源常常發(fā)生于金屬材料表面,由于電化學作用在裂源處形成腐蝕坑。在一般情況下,應力腐蝕裂源經常是多源的,這些裂紋在擴展的過程中發(fā)生合并,形成臺階或放射狀條紋等形貌。裂紋的擴展部分具有明顯的放射條紋,其放射方向為裂紋的擴展方向;匯聚處為裂紋源。
宏觀形貌呈現(xiàn)脆性斷口特征,裂紋以裂源為中心,呈弧形向外擴展,最終斷裂部分為撕裂或剪切唇斷裂形貌。由于腐蝕介質的作用,在斷口上可以看到腐蝕特征或氧化現(xiàn)象,斷口表面具有一定的顏色,通常呈現(xiàn)黑色或灰黑色。而最終斷裂部分具有金屬光澤,很少看到腐蝕或氧化現(xiàn)象發(fā)生。12
(2)應力腐蝕斷口的微觀特征
應力腐蝕斷裂方式可能是穿晶或沿晶的,這由材料與腐蝕環(huán)境決定的。
碳鋼及低合金鋼的應力腐蝕斷口大部分是沿晶開裂的,裂紋沿著大致垂直于拉應力的晶界延伸。斷裂方式不僅與材料有關,而且還與介質有關。碳鋼在NO3-介質中呈現(xiàn)晶界斷裂,而在CN-介質中的穿晶斷裂。在含Cl-的介質中,鉻不銹鋼呈現(xiàn)沿晶開裂,奧氏體不銹鋼為穿晶斷裂。圖4-4泥紋狀斷口(鋁合金)微觀斷口可以觀察到塑性變形特征,即呈現(xiàn)韌窩花樣。另外,顯微斷口還具有腐蝕坑及二次裂紋等形貌。對于穿晶型的應力腐蝕斷口,往往具有“塊狀花樣”、“泥狀花樣”、“河流花樣”及“扇形花樣”等形貌特性。泥紋狀斷口如圖4-4。134.3斷裂力學在結構抗應力腐蝕中的應用
測試材料的抗應力腐蝕性能,傳統(tǒng)上通常是用光滑試件在應力和腐蝕介質共同作用下,依據(jù)發(fā)生斷裂的延遲時間來判斷的。并用它研究合金元素、組織結構以及介質等對材料應力腐蝕敏感性的影響。但是試驗表明:一些按傳統(tǒng)試驗方法得出的結論往往與實際情況發(fā)生矛盾,即用上述方法確定的對相應介質來說是鈍化的材料,而用該材料制成的構件在工作中有時卻發(fā)生應力腐蝕破壞。原因:由于用光滑試件測定的應力腐蝕斷裂時間t,包含有裂紋源的生核孕育階段90%和裂紋擴展階段10%兩部分。而實際構件一般都不可避免不同程度地存在著裂紋或類似裂紋的缺陷。用傳統(tǒng)試驗方法確定的對應力腐蝕是免疫的材料,只能說明該材料在應力腐蝕條件下不產生裂紋源,但并不能反映出已有裂紋的構件在應力腐蝕條件下裂紋是否擴展。因此,用常規(guī)的研究方法不能反映帶裂紋的金屬構件抗應力腐蝕的性能。
斷裂力學方法在應力腐蝕中的應用大約是在20世紀60年代中期提出。該方法彌補使用光滑試件的傳統(tǒng)應力腐蝕試驗方法的不足,而且具有一系列優(yōu)點和工程實用價值。所以,該方法很快被廣泛地采用,并得到發(fā)展。14斷裂力學與傳統(tǒng)的試驗方法相比,其優(yōu)點:1)采用斷裂力學方法對構件抗應力腐蝕性能的評定是測定材料在某種環(huán)境中能夠誘發(fā)應力腐蝕開裂的臨界應力強度因子KISCC及裂紋在介質中的擴展速率da/dt等,可直接應用于構件的選材和設計。2)傳統(tǒng)方法使用光滑試件的應力腐蝕試驗周期很長,蝕坑的形成階段通常需要半年甚至更長時間。而用帶有尖銳裂紋的試件可節(jié)約近90%以上的時間。3)由于人為制造的預裂紋具有整齊的幾何形狀,便于通過斷裂力學手段進行應力分析和精確計算,可得到定量的結果。4)采用預制裂紋試件試驗,所得的結果是安全可靠的。4.3.1斷裂力學在應力腐蝕中的評定指標4.3.2KISCC和dα/dt量在設計中的應用154.4防止焊接結構產生應力腐蝕的措施
應力腐蝕破壞是危害最大的腐蝕形態(tài)之一,不僅造成大量的經濟損失,還經常引起災難性事故,因此,有必要采取防護措施,盡量避免和消除應力腐蝕破壞。4.4.1正確選材應力腐蝕的腐蝕介質隨著材料種類的不同,其腐蝕程度也不同。防止和減輕腐蝕危害最常用的方法是針對特定腐蝕環(huán)境選擇合適的金屬材料。選材時應盡量采用耐應力腐蝕性好,價格適宜的金屬與介質的組合。可能時也可選用非金屬或非金屬襯里保護。
例如:碳鋼和低合金鋼,抗拉強度相同的材料,w(c)為0.2%時比w(c)為0.4%時的耐蝕性好,添加Ti可增加耐蝕性;在材料中添加Al、Mo、Nb、V、Cr等元素有改善耐蝕性的效果,P、N、O是有害于耐蝕性的元素,S的影響不大。目前橋梁等所使用的高強度螺栓就體現(xiàn)以上結論。
164.4.1正確選材---續(xù)
不銹鋼在含Cl-的溶液:奧氏體不銹鋼耐應力腐蝕最差,18Crl8Ni2Si[w(c)為0.06%]鋼在高Cl-溶液中耐蝕性較好,而在低Cl-溶液耐蝕性則不好。而奧氏體鐵素體雙相鋼(Cr20Ni18)對含低Cl-的水則有較好的耐應力腐蝕性,w(Ni+Cu)大于>0.5%的鋼在這種介質中也有較好的耐蝕性。在奧氏體鋼中加入少量的Mo或Cu,可增大耐應力腐蝕性。
另外,在選取合金時,應盡量選用有較高KISCC的合金,以提高構件抵抗應力腐蝕的能力。
總之,正確選材是一項復雜的工作,需要根據(jù)許多因素(物理力學性能、材料供應情況、價格等)綜合考慮。174.4.2合理的結構設計
1)在設計中,除了要考慮材料強度外,同時還要考慮耐腐蝕性。在設計壓力容器、管道、槽及其他結構時,需要對壁厚增加腐蝕裕度。
2)在設計時應盡量避免和減小局部應力集中,盡可能使截面過渡平緩,應力分布均勻。可以采用流線型設計,將邊、縫、孔等置于低應力區(qū)或壓應力區(qū)。另外,避免在結構上產生縫隙、拐角和死角,因為這些部位容易引起介質溶液的濃縮而導致應力腐蝕破壞。3)設計時,如果對槽、容器等采用焊接不用鉚接,對施焊部位用連續(xù)焊而不用斷續(xù)焊,則可以避免產生縫隙,增加結構抗應力腐蝕的能力。
圖4-8結構上的改進示例184)設計槽及容器時,應考慮易于清洗和將液體排放干凈。槽底與排液口應有坡度,使其放空后不至積留液體。設計中要防止有利于應力腐蝕的空氣混入,如對于化工設備,特別要注意可能帶進空氣的攪拌器、液體進口和其他部位的設計。5)避免不同金屬接觸以防止電偶腐蝕。全部體系盡量選用同類材料,或將不同材料之間絕緣。6)換熱操作中應避免局部過熱點,設計時應保證有均勻的溫度梯度。因為溫度不均會引起局部過熱和高腐蝕速率,過熱點產生的應力會引起應力腐蝕破壞。綜上所述,設計時要避免不均勻和多樣性。不同的金屬、氣相空間、熱和應力分布不均勻以及體系中各部位間的其他差別,都會引起腐蝕破壞。因此,設計時應努力使整個體系的所有條件盡可能地均勻一致。4.4.2合理的結構設計---續(xù)194.4.3消除和調節(jié)殘余應力
由表4-2可知,因焊接和加工時的殘余應力所引起的事故是應力腐蝕破壞事故總數(shù)的80%以上。所以在機械設計和施工時,應盡可能地減小殘余應力,以防止應力腐蝕破壞事故的發(fā)生。20消除和調節(jié)殘余應力---方法
1)采用合理的施焊工藝降低殘余應力,并在加工過程中避免由于裝配不當?shù)人斐傻木植繎Α?)采用熱處理方法減小或消除殘余應力。
對于一般焊接鋼結構采用消除應力退火處理即可(見第l章)。注意:奧氏體不銹鋼,在550~850℃的熱處理會降低耐蝕性,所以希望至少加熱至870℃以上,如果可能,應采取加熱至1050℃并急冷的固溶處理?;鼗鸫嘈缘匿摚?00MPa級的高強度鋼,進行消除應力退火雖然會惡化焊接區(qū)的斷裂韌度,但是減小殘余應力具有防止應力腐蝕裂紋的效果。氫脆型高強度鋼,熱處理消除應力的辦法無助于防止破裂。
總之,熱處理消除應力是一項有效的、普遍的防止應力腐蝕的措施,但是也有不便之處,尤其是對大型結構。另外一些復雜結構是由具有不同膨脹系數(shù)的不同材料組合成的,也不宜同時加熱,對于這些結構可以采用局部熱處理或利用感應加熱處理等。
213)調節(jié)殘余應力場使構件表面產生壓應力。
如果熱處理消除殘余應力實行起來很困難,可以采用噴鋼丸等機械方法使構件表面造成壓應力場,以提高構件抗應力腐蝕的能力。224.4.4控制電位—陰極和陽極保護
如一臺不銹鋼換熱器,管外含有Cl-的水,因積存在花板與管子間隙之中,引起不銹鋼管應力腐蝕破壞。在不銹鋼花板上面加一層較厚的碳鋼板,碳鋼提供犧牲陽極的陰極保護作用,用了三年,未發(fā)現(xiàn)不銹鋼管破裂(圖4-9)。而未加碳鋼表層時,則在使用1-9個月內即破裂。
圖4-9防止不銹鋼換熱器管應力腐蝕破壞的結構實例a)容易造成應力腐蝕破壞的結構b)不銹鋼管得到保護的結構
使金屬在介質中的電位遠離應力腐蝕斷裂的敏感電位區(qū)域,從而完成電化學保護。注意:對于高強度鋼或其他對氫脆敏感的材料,采用陰極保護或陽極保護均無效,有時反而會促進破壞。234.4.5用鍍層或涂層隔離環(huán)境
良好的涂層可以使金屬表面和環(huán)境隔離,從而避免產生應力腐蝕。一般涂層總含有微孔,在強腐蝕性介質中不安全,但產生應力腐蝕的環(huán)境通常是溫和的環(huán)境,如含Cl-的水。涂層的存在不僅大大增加了溶解阻力,也使金屬表面局部破裂的可能性減小。如:輸送熱溶液的不銹鋼管子,外表面用石棉層絕熱,由于石棉層中有Cl-浸出,引起不銹鋼的受熱表面破裂;若不銹鋼外表面涂上有機硅涂料后,就不再破裂。對于高強度鋼可用聚氨脂或加有緩蝕劑(如鉻酸鹽)的環(huán)氧樹脂涂料作隔離層,如:對于含鉻質量分數(shù)為5%的鉻鋼采用高溫鍍鋁層,在工業(yè)大氣和海洋大氣中使用效果良好。244.4.6控制和改善環(huán)境
改變介質條件減小或消除材料對應力腐蝕斷裂敏感性。主要方法是減少或消除助長應力腐蝕斷裂的有害化學離子。
例如:奧氏體不銹鋼換熱器在高溫密閉下操作,如果將循環(huán)冷卻水中含氧和Cl-量控制在百萬分之一以下,則可以避免應力腐蝕。為了防止煉油廠中鉻鎳不銹鋼設備受連多硫酸的應力腐蝕,當設備停產時可用堿液洗滌,然后充氮,這樣就可以,防止產生連多硫酸(硫化物與氧作用產生)。另外通過凈化水的處理,可以降低冷卻水與蒸汽中的Cl-含量,這對預防不銹鋼的應力腐蝕斷裂是有效的。
降溫常常也是有效的。但對潮濕氣體,如H2S的濕氣,應使溫度保持在露點以上,以避免水分冷凝。此外,在介質環(huán)境中加緩蝕劑也可以降低金屬材料的腐蝕速率。25本章結束26MagneticResonanceImaging磁共振成像發(fā)生事件作者或公司磁共振發(fā)展史1946發(fā)現(xiàn)磁共振現(xiàn)象BlochPurcell1971發(fā)現(xiàn)腫瘤的T1、T2時間長Damadian1973做出兩個充水試管MR圖像Lauterbur1974活鼠的MR圖像Lauterbur等1976人體胸部的MR圖像Damadian1977初期的全身MR圖像
Mallard1980磁共振裝置商品化1989
0.15T永磁商用磁共振設備中國安科
2003諾貝爾獎金LauterburMansfierd時間MR成像基本原理實現(xiàn)人體磁共振成像的條件:人體內氫原子核是人體內最多的物質。最易受外加磁場的影響而發(fā)生磁共振現(xiàn)象(沒有核輻射)有一個穩(wěn)定的靜磁場(磁體)梯度場和射頻場:前者用于空間編碼和選層,后者施加特定頻率的射頻脈沖,使之形成磁共振現(xiàn)象信號接收裝置:各種線圈計算機系統(tǒng):完成信號采集、傳輸、圖像重建、后處理等
人體內的H核子可看作是自旋狀態(tài)下的小星球。自然狀態(tài)下,H核進動雜亂無章,磁性相互抵消zMyx進入靜磁場后,H核磁矩發(fā)生規(guī)律性排列(正負方向),正負方向的磁矢量相互抵消后,少數(shù)正向排列(低能態(tài))的H核合成總磁化矢量M,即為MR信號基礎ZZYYXB0XMZMXYA:施加90度RF脈沖前的磁化矢量MzB:施加90度RF脈沖后的磁化矢量Mxy.并以Larmor頻率橫向施進C:90度脈沖對磁化矢量的作用。即M以螺旋運動的形式傾倒到橫向平面ABC在這一過程中,產生能量
三、弛豫(Relaxation)回復“自由”的過程
1.
縱向弛豫(T1弛豫):
M0(MZ)的恢復,“量變”高能態(tài)1H→低能態(tài)1H自旋—晶格弛豫、熱弛豫
吸收RF光子能量(共振)低能態(tài)1H高能態(tài)1H
放出能量(光子,MRS)T1弛豫時間:
MZ恢復到M0的2/3所需的時間
T1愈小、M0恢復愈快T2弛豫時間:MXY喪失2/3所需的時間;T2愈大、同相位時間長MXY持續(xù)時間愈長MXY與ST1加權成像、T2加權成像
所謂的加權就是“突出”的意思
T1加權成像(T1WI)----突出組織T1弛豫(縱向弛豫)差別
T2加權成像(T2WI)----突出組織T2弛豫(橫向弛豫)差別。
磁共振診斷基于此兩種標準圖像磁共振常規(guī)h檢查必掃這兩種標準圖像.T1的長度在數(shù)百至數(shù)千毫秒(ms)范圍T2值的長度在數(shù)十至數(shù)千毫秒(ms)范圍
在同一個馳豫過程中,T2比T1短得多
如何觀看MR圖像:首先我們要分清圖像上的各種標示。分清掃描序列、掃描部位、掃描層面。正?;虍惓5乃诓课?--即在同一層面觀察、分析T1、T2加權像上信號改變。絕大部分病變T1WI是低信號、T2WI是高信號改變。只要熟悉掃描部位正常組織結構的信號表現(xiàn),通常病變與正常組織不會混淆。一般的規(guī)律是T1WI看解剖,T2WI看病變。磁共振成像技術--圖像空間分辨力,對比分辨力一、如何確定MRI的來源(一)層面的選擇1.MXY產生(1H共振)條件
RF=ω=γB02.梯度磁場Z(GZ)
GZ→B0→ω
不同頻率的RF
特定層面1H激勵、共振
3.層厚的影響因素
RF的帶寬↓
GZ的強度↑層厚↓〈二〉體素信號的確定1、頻率編碼2、相位編碼
M0↑--GZ、RF→相應層面MXY----------GY→沿Y方向1H有不同ω
各1H同相位MXY旋進速度不同同頻率一定時間后→→GX→沿X方向1H有不同ω沿Y方向不同1H的MXYMXY旋進頻率不同位置不同(相位不同)〈三〉空間定位及傅立葉轉換
GZ----某一層面產生MXYGX----MXY旋進頻率不同
GY----MXY旋進相位不同(不影響MXY大?。?/p>
↓某一層面不同的體素,有不同頻率、相位
MRS(FID)第三節(jié)、磁共振檢查技術檢查技術產生圖像的序列名產生圖像的脈沖序列技術名TRA、COR、SAGT1WT2WSETR、TE…….梯度回波FFE快速自旋回波FSE壓脂壓水MRA短TR短TE--T1W長TR長TE--T2W增強MR最常用的技術是:多層、多回波的SE(spinecho,自旋回波)技術磁共振掃描時間參數(shù):TR、TE磁共振掃描還有許多其他參數(shù):層厚、層距、層數(shù)、矩陣等序列常規(guī)序列自旋回波(SE),快速自旋回波(FSE)梯度回波(FE)反轉恢復(IR),脂肪抑制(STIR)、水抑制(FLAIR)高級序列水成像(MRCP,MRU,MRM)血管造影(MRA,TOF2D/3D)三維成像(SPGR)彌散成像(DWI)關節(jié)運動分析是一種成像技術而非掃描序列自旋回波(SE)必掃序列圖像清晰顯示解剖結構目前只用于T1加權像快速自旋回波(FSE)必掃序列成像速度快多用于T2加權像梯度回波(GE)成像速度快對出血敏感T2加權像水抑制反轉恢復(IR)水抑制(FLAIR)抑制自由水梗塞灶顯示清晰判斷病灶成份脂肪抑制反轉恢復(IR)脂肪抑制(STIR)抑制脂肪信號判斷病灶成分其它組織顯示更清晰血管造影(MRA)無需造影劑TOF法PC法MIP投影動靜脈分開顯示水成像(MRCP,MRU,MRM)含水管道系統(tǒng)成像膽道MRCP泌尿路MRU椎管MRM主要用于診斷梗阻擴張超高空間分辨率掃描任意方位重建窄間距重建技術大大提高對小器官、小病灶的診斷能力三維梯度回波(SPGR) 早期診斷腦梗塞
彌散成像MRI的設備一、信號的產生、探測接受1.磁體(Magnet):靜磁場B0(Tesla,T)→組織凈磁矩M0
永磁型(permanentmagnet)常導型(resistivemagnet)超導型(superconductingmagnet)磁體屏蔽(magnetshielding)2.梯度線圈(gradientcoil):
形成X、Y、Z軸的磁場梯度功率、切換率3.射頻系統(tǒng)(radio-frequencesystem,RF)
MR信號接收二、信號的處理和圖象顯示數(shù)模轉換、計算機,等等;MRI技術的優(yōu)勢1、軟組織分辨力強(判斷組織特性)2、多方位成像3、流空效應(顯示血管)4、無骨骼偽影5、無電離輻射,無碘過敏6、不斷有新的成像技術MRI技術的禁忌證和限度1.禁忌證
體內彈片、金屬異物各種金屬置入:固定假牙、起搏器、血管夾、人造關節(jié)、支架等危重病人的生命監(jiān)護系統(tǒng)、維持系統(tǒng)不能合作病人,早期妊娠,高熱及散熱障礙2.其他鈣化顯示相對較差空間分辨較差(體部,較同等CT)費用昂貴多數(shù)MR機檢查時間較長1.病人必須去除一切金屬物品,最好更衣,以免金屬物被吸入磁體而影響磁場均勻度,甚或傷及病人。2.掃描過程中病人身體(皮膚)不要直接觸碰磁體內壁及各種導線,防止病人灼傷。3.紋身(紋眉)、化妝品、染發(fā)等應事先去掉,因其可能會引起灼傷。4.病人應帶耳塞,以防聽力損傷。掃描注意事項顱腦MRI適應癥顱內良惡性占位病變腦血管性疾病梗死、出血、動脈瘤、動靜脈畸形(AVM)等顱腦外傷性疾病腦挫裂傷、外傷性顱內血腫等感染性疾病腦膿腫、化膿性腦膜炎、病毒性腦炎、結核等脫髓鞘性或變性類疾病多發(fā)性硬化(MS)等先天性畸形胼胝體發(fā)育不良、小腦扁桃體下疝畸形等脊柱和脊髓MRI適應證1.腫瘤性病變椎管類腫瘤(髓內、髓外硬膜內、硬膜外),椎骨腫瘤(轉移性、原發(fā)性)2.炎癥性疾病脊椎結核、骨髓炎、椎間盤感染、硬膜外膿腫、蛛網膜炎、脊髓炎等3.外傷骨折、脫位、椎間盤突出、椎管內血腫、脊髓損傷等4.脊柱退行性變和椎管狹窄癥椎間盤變性、膨隆、突出、游離,各種原因椎管狹窄,術后改變,5.脊髓血管畸形和血管瘤6.脊髓脫髓鞘疾?。ㄈ鏜S),脊髓萎縮7.先天性畸形胸部MRI適應證呼吸系統(tǒng)對縱隔及肺門區(qū)病變顯示良好,對肺部結構顯示不如CT。胸廓入口病變及其上下比鄰關系縱隔腫瘤和囊腫及其與大血管的關系其他較CT無明顯優(yōu)越性心臟及大血管大血管病變各類動脈瘤、腔靜脈血栓等心臟及心包腫瘤,心包其他病變其他(如先心、各種心肌病等)較超聲心動圖無優(yōu)勢,應用不廣腹部MRI適應證主要用于部分實質性器官的腫瘤性病變肝腫瘤性病變,提供鑒別信息胰腺腫瘤,有利小胰癌、胰島細胞癌顯示宮頸、宮體良惡性腫瘤及分期等,先天畸形腫瘤的定位(臟器上下緣附近)、分期膽道、尿路梗阻和腫瘤,MRCP,MRU直腸腫瘤骨與關節(jié)MRI適應證X線及CT的后續(xù)檢查手段--鈣質顯示差和空間分辨力部分情況可作首選:1.累及骨髓改變的骨?。ㄔ缙诠侨毖詨乃?,早期骨髓炎、骨髓腫瘤或侵犯骨髓的腫瘤)2.結構復雜關節(jié)的損傷(膝、髖關節(jié))3.形狀復雜部位的檢查(脊柱、骨盆等)軟件登錄界面軟件掃描界面圖像瀏覽界面膠片打印界面報告界面報告界面2合理應用抗菌藥物預防手術部位感染概述外科手術部位感染的2/3發(fā)生在切口醫(yī)療費用的增加病人滿意度下降導致感染、止血和疼痛一直是外科的三大挑戰(zhàn),止血和疼痛目前已較好解決感染仍是外科醫(yī)生面臨的重大問題,處理不當,將產生嚴重后果外科手術部位感染占院內感染的14%~16%,僅次于呼吸道感染和泌尿道感染,居院內感染第3位嚴重手術部位的感染——病人的災難,醫(yī)生的夢魘
預防手術部位感染(surgicalsiteinfection,SSI)
手術部位感染的40%–60%可以預防圍手術期使用抗菌藥物的目的外科醫(yī)生的困惑★圍手術期應用抗生素是預防什么感染?★哪些情況需要抗生素預防?★怎樣選擇抗生素?★什么時候開始用藥?★抗生素要用多長時間?定義:指發(fā)生在切口或手術深部器官或腔隙的感染分類:切口淺部感染切口深部感染器官/腔隙感染一、SSI定義和分類二、SSI診斷標準——切口淺部感染
指術后30天內發(fā)生、僅累及皮膚及皮下組織的感染,并至少具備下述情況之一者:
1.切口淺層有膿性分泌物
2.切口淺層分泌物培養(yǎng)出細菌
3.具有下列癥狀體征之一:紅熱,腫脹,疼痛或壓痛,因而醫(yī)師將切口開放者(如培養(yǎng)陰性則不算感染)
4.由外科醫(yī)師診斷為切口淺部SSI
注意:縫線膿點及戳孔周圍感染不列為手術部位感染二、SSI診斷標準——切口深部感染
指術后30天內(如有人工植入物則為術后1年內)發(fā)生、累及切口深部筋膜及肌層的感染,并至少具備下述情況之一者:
1.切口深部流出膿液
2.切口深部自行裂開或由醫(yī)師主動打開,且具備下列癥狀體征之一:①體溫>38℃;②局部疼痛或壓痛
3.臨床或經手術或病理組織學或影像學診斷,發(fā)現(xiàn)切口深部有膿腫
4.外科醫(yī)師診斷為切口深部感染
注意:感染同時累及切口淺部及深部者,應列為深部感染
二、SSI診斷標準—器官/腔隙感染
指術后30天內(如有人工植入物★則術后1年內)、發(fā)生在手術曾涉及部位的器官或腔隙的感染,通過手術打開或其他手術處理,并至少具備以下情況之一者:
1.放置于器官/腔隙的引流管有膿性引流物
2.器官/腔隙的液體或組織培養(yǎng)有致病菌
3.經手術或病理組織學或影像學診斷器官/腔隙有膿腫
4.外科醫(yī)師診斷為器官/腔隙感染
★人工植入物:指人工心臟瓣膜、人工血管、人工關節(jié)等二、SSI診斷標準—器官/腔隙感染
不同種類手術部位的器官/腔隙感染有:
腹部:腹腔內感染(腹膜炎,腹腔膿腫)生殖道:子宮內膜炎、盆腔炎、盆腔膿腫血管:靜脈或動脈感染三、SSI的發(fā)生率美國1986年~1996年593344例手術中,發(fā)生SSI15523次,占2.62%英國1997年~2001年152所醫(yī)院報告在74734例手術中,發(fā)生SSI3151例,占4.22%中國?SSI占院內感染的14~16%,僅次于呼吸道感染和泌尿道感染三、SSI的發(fā)生率SSI與部位:非腹部手術為2%~5%腹部手術可高達20%SSI與病人:入住ICU的機會增加60%再次入院的機會是未感染者的5倍SSI與切口類型:清潔傷口 1%~2%清潔有植入物 <5%可染傷口<10%手術類別手術數(shù)SSI數(shù)感染率(%)小腸手術6466610.2大腸手術7116919.7子宮切除術71271722.4肝、膽管、胰手術1201512.5膽囊切除術8222.4不同種類手術的SSI發(fā)生率:三、SSI的發(fā)生率手術類別SSI數(shù)SSI類別(%)切口淺部切口深部器官/腔隙小腸手術6652.335.412.3大腸手術69158.426.315.3子宮切除術17278.813.57.6骨折開放復位12379.712.28.1不同種類手術的SSI類別:三、SSI的發(fā)生率延遲愈合疝內臟膨出膿腫,瘺形成。需要進一步處理這里感染將導致:延遲愈合疝內臟膨出膿腫、瘺形成需進一步處理四、SSI的后果四、SSI的后果在一些重大手術,器官/腔隙感染可占到1/3。SSI病人死亡的77%與感染有關,其中90%是器官/腔隙嚴重感染
——InfectControlandHospEpidemiol,1999,20(40:247-280SSI的死亡率是未感染者的2倍五、導致SSI的危險因素(1)病人因素:高齡、營養(yǎng)不良、糖尿病、肥胖、吸煙、其他部位有感染灶、已有細菌定植、免疫低下、低氧血癥五、導致SSI的危險因素(2)術前因素:術前住院時間過長用剃刀剃毛、剃毛過早手術野衛(wèi)生狀況差(術前未很好沐?。τ兄刚髡呶从每股仡A防五、導致SSI的危險因素(3)手術因素:手術時間長、術中發(fā)生明顯污染置入人工材料、組織創(chuàng)傷大止血不徹底、局部積血積液存在死腔和/或失活組織留置引流術中低血壓、大量輸血刷手不徹底、消毒液使用不當器械敷料滅菌不徹底等手術特定時間是指在大量同種手術中處于第75百分位的手術持續(xù)時間其因手術種類不同而存在差異超過T越多,SSI機會越大五、導致SSI的危險因素(4)SSI危險指數(shù)(美國國家醫(yī)院感染監(jiān)測系統(tǒng)制定):病人術前已有≥3種危險因素污染或污穢的手術切口手術持續(xù)時間超過該類手術的特定時間(T)
(或一般手術>2h)六、預防SSI干預方法根據(jù)指南使用預防性抗菌藥物正確脫毛方法縮短術前住院時間維持手術患者的正常體溫血糖控制氧療抗菌素的預防/治療預防
在污染細菌接觸宿主手術部位前給藥治療
在污染細菌接觸宿主手術部位后給藥
防患于未然六、預防SSI干預方法
——抗菌藥物的應用96預防和治療性抗菌素使用目的:清潔手術:防止可能的外源污染可染手術:減少粘膜定植細菌的數(shù)量污染手術:清除已經污染宿主的細菌六、預防SSI干預方法
——抗菌藥物的應用97需植入假體,心臟手術、神外手術、血管外科手術等六、預防SSI干預方法
——抗菌藥物的應用預防性抗菌素使用指征:可染傷口(Clean-contaminatedwound)污染傷口(Contaminatedwound)清潔傷口(Cleanwound)但存在感染風險六、預防SSI干預方法
——抗菌藥物的應用外科預防性抗生素的應用:預防性抗生素對哪些病人有用?什么時候開始用藥?抗生素種類選擇?使用單次還是多次?采用怎樣的給藥途徑?六、預防SSI干預方法
——抗菌藥物的應用預防性抗菌素顯示有效的手術有:婦產科手術胃腸道手術(包括闌尾炎)口咽部手術腹部和肢體血管手術心臟手術骨科假體植入術開顱手術某些“清潔”手術六、預防SSI干預方法
——抗菌藥物的應用外科預防性抗生素的應用:預防性抗生素對哪些病人有用?什么時候開始用藥?抗生素種類選擇?使用單次還是多次?采用怎樣的給藥途徑?六、預防SSI干預方法
——抗菌藥物的應用
理想的給藥時間?目前還沒有明確的證據(jù)表明最佳的給藥時機研究顯示:切皮前45~75min給藥,SSI發(fā)生率最低,且不建議在切皮前30min內給藥影響給藥時間的因素:所選藥物的代謝動力學特性手術中污染發(fā)生的可能時間病人的循環(huán)動力學狀態(tài)止血帶的使用剖宮產細菌在手術傷口接種后的生長動力學
手術過程
012345671hr2hrs6hrs1day3-5days細菌數(shù)logCFU/ml六、預防SSI干預方法
——抗菌藥物的應用103術后給藥,細菌在手術傷口接種的生長動力學無改變
手術過程抗生素血腫血漿六、預防SSI干預方法
——抗菌藥物的應用Antibioticsinclot
手術過程
血漿中抗生素予以抗生素血塊中抗生素血漿術前給藥,可以有效抑制細菌在手術傷口的生長六、預防SSI干預方法
——抗菌藥物的應用105ClassenDC,etal..NEnglJMed1992;326:281切開前時間切開后時間予以抗生素切開六、預防SSI干預方法
——抗菌藥物的應用不同給藥時間,手術傷口的感染率不同NEJM1992;326:281-6投藥時間感染數(shù)(%)相對危險度(95%CI)早期(切皮前2-24h)36914(3.8%)6.7(2.9-14.7)4.3手術前(切皮前45-75min)170810(0.9%)1.0圍手術期(切皮后3h內)2824(1.4%)2.4(0.9-7.9) 2.1手術后(切皮3h以上)48816(3.3%)5.8(2.6-12.3)
5.8全部284744(1.5%)似然比病人數(shù)六、預防SSI干預方法
——抗菌藥物的應用結論:抗生素在切皮前45-75min或麻醉誘導開始時給藥,預防SSI效果好107六、預防SSI干預方法
——抗菌藥物的應用切口切開后,局部抗生素分布將受阻必須在切口切開前給藥?。?!抗菌素應在切皮前45~75min給藥六、預防SSI干預方法
——抗菌藥物的應用外科預防性抗生素的應用:預防性抗生素對哪些病人有用?什么時候開始用藥?抗生素種類選擇?使用單次還是多次?采用怎樣的給藥途徑?有效安全殺菌劑半衰期長相對窄譜廉價六、預防SSI干預方法
——抗菌藥物的應用抗生素的選擇原則:各類手術最易引起SSI的病原菌及預防用藥選擇六、預防SSI干預方法
——抗菌藥物的應用
手術最可能的病原菌預防用藥選擇膽道手術革蘭陰性桿菌,厭氧菌頭孢呋辛或頭孢哌酮或
(如脆弱類桿菌)頭孢曲松闌尾手術革蘭陰性桿菌,厭氧菌頭孢呋辛或頭孢噻肟;
(如脆弱類桿菌)+甲硝唑結、直腸手術革蘭陰性桿菌,厭氧菌頭孢呋辛或頭孢曲松或
(如脆弱類桿菌)頭孢噻肟;+甲硝唑泌尿外科手術革蘭陰性桿菌頭孢呋辛;環(huán)丙沙星婦產科手術革蘭陰性桿菌,腸球菌頭孢呋辛或頭孢曲松或
B族鏈球菌,厭氧菌頭孢噻肟;+甲硝唑莫西沙星(可單藥應用)注:各種手術切口感染都可能由葡萄球菌引起六、預防SSI干預方法
——抗菌藥物的應用外科預防性抗生素的應用:預防性抗生素對哪些病人有用?什么時候開始用藥?抗生素種類選擇?使用單次還是多次?采用怎樣的給藥途徑?六、預防SSI干預方法
——抗菌藥物的應用單次給藥還是多次給藥?沒有證據(jù)顯示多次給藥比單次給藥好傷口關閉后給藥沒有益處多數(shù)指南建議24小時內停藥沒有必要維持抗菌素治療直到撤除尿管和引流管手術時間延長或術中出血量較大時可重復給藥細菌污染定植感染一次性用藥用藥24h用藥4872h數(shù)小時從十數(shù)小時到數(shù)十小時六、預防SSI干預方法
——抗菌藥物的應用用藥時機不同,用藥期限也應不同短時間預防性應用抗生素的優(yōu)點:六、預防SSI干預方法
——抗菌藥物的應用減少毒副作用不易產生耐藥菌株不易引起微生態(tài)紊亂減輕病人負擔可以選用單價較高但效果較好的抗生素減少護理工作量藥品消耗增加抗菌素相關并發(fā)癥增加耐藥抗菌素種類增加易引起脆弱芽孢桿菌腸炎MRSA(耐甲氧西林金黃色葡萄球菌)定植六、預防SSI干預方法
——抗菌藥物的應用延長抗菌素使用的缺點:六、預防SSI干預方法
——抗菌藥物的應用外科預防性抗生素的應用:預防性抗生素對哪些病人有用?什么時候開始用藥?抗生素種類選擇?使用單次還是多次?采用怎樣的給藥途徑?正確的給藥方法:六、預防SSI干預方法
——抗菌藥物的應用應靜脈給藥,2030min滴完肌注、口服存在吸收上的個體差異,不能保證血液和組織的藥物濃度,不宜采用常用的-內酰胺類抗生素半衰期為12h,若手術超過34h,應給第2個劑量,必要時還可用第3次可能有損傷腸管的手術,術前用抗菌藥物準備腸道局部抗生素沖洗創(chuàng)腔或傷口無確切預防效果,不予提倡不應將日常全身性應用的抗生素應用于傷口局部(誘發(fā)高耐藥)必要時可用新霉素、桿菌肽等抗生素緩釋系統(tǒng)(PMMA—青大霉素骨水泥或膠原海綿)局部應用可能有一定益處六、預防SSI干預方法
——抗菌藥物的應用不提倡局部預防應用抗生素:時機不當時間太長選藥不當,缺乏針對性六、預防SSI干預方法
——抗菌藥物的應用預防用藥易犯的錯誤:在開刀前45-75min之內投藥按最新臨床指南選藥術后24小時內停藥擇期手術后一般無須繼續(xù)使用抗生素大量對比研究證明,手術后繼續(xù)用藥數(shù)次或數(shù)天并不能降低手術后感染率若病人有明顯感染高危因素或使用人工植入物,可再用1次或數(shù)次小結預防SSI干預方法
——正確的脫毛方法用脫毛劑、術前即刻備皮可有效減少SSI的發(fā)生手術部位脫毛方法與切口感染率的關系:備皮方法 剃毛備皮 5.6%
脫毛0.6%備皮時間 術前24小時前 >20%
術前24小時內 7.1%
術前即刻 3.1%方法/時間 術前即刻剪毛 1.8%
前1晚剪/剃毛 4.0%THANKYOUMagneticResonanceImagingPART01磁共振成像發(fā)生事件作者或公司磁共振發(fā)展史1946發(fā)現(xiàn)磁共振現(xiàn)象BlochPurcell1971發(fā)現(xiàn)腫瘤的T1、T2時間長Damadian1973做出兩個充水試管MR圖像Lauterbur1974活鼠的MR圖像Lauterbur等1976人體胸部的MR圖像Damadian1977初期的全身MR圖像
Mallard1980磁共振裝置商品化1989
0.15T永磁商用磁共振設備中國安科
2003諾貝爾獎金LauterburMansfierd時間PART02MR成像基本原理實現(xiàn)人體磁共振成像的條件:人體內氫原子核是人體內最多的物質。最易受外加磁場的影響而發(fā)生磁共振現(xiàn)象(沒有核輻射)有一個穩(wěn)定的靜磁場(磁體)梯度場和射頻場:前者用于空間編碼和選層,后者施加特定頻率的射頻脈沖,使之形成磁共振現(xiàn)象信號接收裝置:各種線圈計算機系統(tǒng):完成信號采集、傳輸、圖像重建、后處理等
人體內的H核子可看作是自旋狀態(tài)下的小星球。自然狀態(tài)下,H核進動雜亂無章,磁性相互抵消zMyx進入靜磁場后,H核磁矩發(fā)生規(guī)律性排列(正負方向),正負方向的磁矢量相互抵消后,少數(shù)正向排列(低能態(tài))的H核合成總磁化矢量M,即為MR信號基礎ZZYYXB0XMZMXYA:施加90度RF脈沖前的磁化矢量MzB:施加90度RF脈沖后的磁化矢量Mxy.并以Larmor頻率橫向施進C:90度脈沖對磁化矢量的作用。即M以螺旋運動的形式傾倒到橫向平面ABC在這一過程中,產生能量
三、弛豫(Relaxation)回復“自由”的過程
1.
縱向弛豫(T1弛豫):
M0(MZ)的恢復,“量變”高能態(tài)1H→低能態(tài)1H自旋—晶格弛豫、熱弛豫
吸收RF光子能量(共振)低能態(tài)1H高能態(tài)1H
放出能量(光子,MRS)T1弛豫時間:
MZ恢復到M0的2/3所需的時間
T1愈小、M0恢復愈快T2弛豫時間:MXY喪失2/3所需的時間;T2愈大、同相位時間長MXY持續(xù)時間愈長MXY與ST1加權成像、T2加權成像
所謂的加權就是“突出”的意思
T1加權成像(T1WI)----突出組織T1弛豫(縱向弛豫)差別
T2加權成像(T2WI)----突出組織T2弛豫(橫向弛豫)差別。
磁共振診斷基于此兩種標準圖像磁共振常規(guī)h檢查必掃這兩種標準圖像.T1的長度在數(shù)百至數(shù)千毫秒(ms)范圍T2值的長度在數(shù)十至數(shù)千毫秒(ms)范圍
在同一個馳豫過程中,T2比T1短得多
如何觀看MR圖像:首先我們要分清圖像上的各種標示。分清掃描序列、掃描部位、掃描層面。正?;虍惓5乃诓课?--即在同一層面觀察、分析T1、T2加權像上信號改變。絕大部分病變T1WI是低信號、T2WI是高信號改變。只要熟悉掃描部位正常組織結構的信號表現(xiàn),通常病變與正常組織不會混淆。一般的規(guī)律是T1WI看解剖,T2WI看病變。磁共振成像技術--圖像空間分辨力,對比分辨力一、如何確定MRI的來源(一)層面的選擇1.MXY產生(1H共振)條件
RF=ω=γB02.梯度磁場Z(GZ)
GZ→B0→ω
不同頻率的RF
特定層面1H激勵、共振
3.層厚的影響因素
RF的帶寬↓
GZ的強度↑層厚↓〈二〉體素信號的確定1、頻率編碼2、相位編碼
M0↑--GZ、RF→相應層面MXY----------GY→沿Y方向1H有不同ω
各1H同相位MXY旋進速度不同同頻率一定時間后→→GX→沿X方向1H有不同ω沿Y方向不同1H的MXYMXY旋進頻率不同位置不同(相位不同)〈三〉空間定位及傅立葉轉換
GZ----某一層面產生MXYGX----MXY旋進頻率不同
GY----MXY旋進相位不同(不影響MXY大?。?/p>
↓某一層面不同的體素,有不同頻率、相位
MRS(FID)第三節(jié)、磁共振檢查技術檢查技術產生圖像的序列名產生圖像的脈沖序列技術名TRA、COR、SAGT1WT2WSETR、TE…….梯度回波FFE快速自旋回波FSE壓
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