海思芯片HTOL老化測試技術(shù)規(guī)范

HTOL測試技術(shù)規(guī)范歷史版本記錄適用范圍:期上電運行的可靠性評估。本規(guī)范適用于量產(chǎn)芯片驗證測試階段的HTOL老化測試需求。試工程師需要依據(jù)實際情況選擇合適的模式完成HTOL測試。序號序號參考標準說明HTOL主要用于評估芯片的壽命和電路可靠性，需要項目SE、封裝工程師、可靠性工案、HTOL環(huán)境調(diào)試、HTOL測試流程執(zhí)行、測試結(jié)果分析、失效定位等。HTO種方式進行測試：DFT測試模式和EVB測試模式。際應(yīng)用場景，該模式下芯片各模塊一般按照真實的應(yīng)用場景并行運行。高低高中1、DFT:各模塊依次運行，動態(tài)時實現(xiàn)多芯片并行老化難依賴測試平臺，可在實驗室溫箱進行；TR4TR5廠SE廠工程師可靠性工程師硬件工程師封裝工程師FT測試工程師TR4TR5TR4功耗數(shù)據(jù)SE環(huán)境調(diào)試可靠性測試總體方案可靠性工程師芯片殼溫測試老化板調(diào)試高溫功耗測試老化環(huán)境溫度可靠性測試總體方案可靠性工程師芯片殼溫測試老化板調(diào)試高溫功耗測試老化環(huán)境溫度HTOL測試報告0hATE測試168hATE測試ATE測試1000hATE測試結(jié)果分析測試方案確定調(diào)試結(jié)果確認調(diào)試結(jié)果確認測試方案評審EVB原理EVB原理圖&PCB工程師芯片熱阻參數(shù)封裝尺寸芯片熱阻參數(shù)封裝尺寸圖工程師HTOL回測老化程序失效分析HTOLHTOL回測老化程序失效分析測試2.HTOL測試條件最低結(jié)溫Tj要求125℃,且結(jié)溫不得高于150℃。然而，對于沒有集成內(nèi)部溫度傳感器的IC，結(jié)溫?zé)o法直接測量，需要用公式推算：jcjc其中:，即芯片封裝外殼溫度，調(diào)試過程中可用傳感器實時監(jiān)測；θ溫度調(diào)試方法為，環(huán)境溫度升到125℃,測試芯片在該條件下的總功耗。然后由于結(jié)溫有范圍(125℃,150℃)，可通過T=T-θP反推特定結(jié)溫下要求的殼溫，通過升高或降cjjc低環(huán)境溫度，將殼溫調(diào)節(jié)到特定值。最終的環(huán)境溫度大概率不是125℃,且功耗P相對于125℃條件下會有些細微變化，但一般認為變化較小可忽略不計。抽樣檢驗的樣本量的取樣原則按下表所示：解釋為：若該批次抽樣45units且檢驗無失效，則老化時間需要綜合計算，以便抽樣測試的結(jié)果能滿足早期失效率要求(詳細細節(jié)參考溫度加速因子：AEQ\*jc3\*hps35\o\al(\s\up14(E),k)aT為正常使用條件下的結(jié)溫(單位：K)；uT為加速條件下的結(jié)溫(單位：K)；aau正常使用條件下等效使用時間：a9a)9-3ELF9ELF-3ELFaaa舉例說明如何計算一定條件下老化試驗的早期失效率和等效使用時間：γkNA=AT*AVtELFr1.8V測試時間下對應(yīng)的等效使用年限。高溫操作壽命HTOL及早期失效EFR計算公3.HTOL測試注意事項定芯片是否完好。在ATE測試過程中，我們會記錄各個模塊的關(guān)鍵參數(shù)，如logic和Memory電路的最高工作頻率FMAX和最低工作電壓VDDMIN，用于分析該參數(shù)在老轉(zhuǎn)化后的老化向量，可能需要返回前端進行仿真，確認老化向量出管腳并抓取波形，如果確認波形正確后，老化板調(diào)試才能結(jié)束并開始HTOL測試，試驗條件下測試準確殼溫和功耗，計算芯片的結(jié)溫。在HTOL測試前，將芯片至于高溫條件下（125℃),測試其功耗。計測試芯片表面溫度。相同，確認老化向量可以在高溫下運行。記錄每個芯片的關(guān)鍵參數(shù)，并保存datalog。EVB功能模式的老化同樣需要測試并記錄DFT模式下，測試機臺需求1）輸入通道數(shù)：老化機臺的輸入通道數(shù)為96個DFT模式下，老化向量覆蓋模塊需求：HTOL測試成員參考但不限于以下因素來確定老化向量覆蓋的模塊：1）IP/IO和工藝存在的風(fēng)險：如使用未經(jīng)過