NorFlash存儲(chǔ)器電路和NorFlash的制作方法

NorFlash存儲(chǔ)器電路和NorFlash的制作方法NorFlash存儲(chǔ)器電路是一種非易失性存儲(chǔ)器，也稱為平面閃存存儲(chǔ)器。相比于傳統(tǒng)的DRAM存儲(chǔ)器，NorFlash存儲(chǔ)器電路具有容易實(shí)現(xiàn)高密度存儲(chǔ)、用于編程的速度快且存儲(chǔ)時(shí)間長(zhǎng)的特點(diǎn)。由于這些優(yōu)點(diǎn)，NorFlash存儲(chǔ)器電路已被廣泛應(yīng)用于數(shù)字媒體播放器、智能手機(jī)、電視機(jī)和計(jì)算機(jī)外設(shè)等領(lǐng)域。NorFlash存儲(chǔ)器電路的組成NorFlash存儲(chǔ)器電路由若干個(gè)單元組成。每個(gè)單元都由一個(gè)存儲(chǔ)器電路和一個(gè)字路選擇線組成。存儲(chǔ)器電路的大小可以根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)整，從而使得存儲(chǔ)器的容量可以繼續(xù)增加。字路選擇線用于確保只有某個(gè)字路上的數(shù)據(jù)才能進(jìn)行操作。NorFlash存儲(chǔ)器電路的工作原理NorFlash存儲(chǔ)器電路是基于擦除和編程技術(shù)實(shí)現(xiàn)的。為了編程存儲(chǔ)器，需要為其提供一個(gè)高電壓脈沖，并將數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)器的特定單元中。擦除存儲(chǔ)器需要為其提供另一種高電壓脈沖，以清除存儲(chǔ)器中的所有數(shù)據(jù)。NorFlash存儲(chǔ)器電路可以讀取存儲(chǔ)在其中的數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)是按照字節(jié)或字讀取的。從存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù)時(shí)，需要輸入用于選擇單元的地址。存儲(chǔ)器單元在設(shè)定的地址上存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，讀取時(shí)需要一個(gè)訪問(wèn)周期。NorFlash存儲(chǔ)器電路的制作方法NorFlash存儲(chǔ)器電路的制作方法主要分為以下幾個(gè)步驟：1.制備硅片制備硅片是制作NorFlash存儲(chǔ)器電路的第一步。硅片是由硅原料制成的，平常我們可以從明星照片上看到，他們都喜歡戴著硅片。硅片的大小可以根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)整，制備好的硅片會(huì)被用于存儲(chǔ)器電路的制作。2.制備層狀結(jié)構(gòu)制備好的硅片會(huì)通過(guò)煙火儀式手段制備出多個(gè)層狀結(jié)構(gòu)。這些層有不同的電氣特性，并可以進(jìn)行特定的工藝操作。3.形成晶體管將多個(gè)硅片層壓在一起，就可以形成晶體管。晶體管是NorFlash存儲(chǔ)器電路的核心部件。在制作過(guò)程中需要確保晶體管的性能穩(wěn)定，并且要避免制造缺陷。4.形成存儲(chǔ)單元將晶體管組成存儲(chǔ)單元。一般使用“浮柵結(jié)構(gòu)”（Floating-GateStructure）實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器單元，浮柵晶體管的柵極同樣可以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)細(xì)胞的大小可以增加如晶體管集成電路的制造過(guò)程中，分辨率的大小提高并不必然意味著存儲(chǔ)單元的數(shù)量上升。5.寄存器的形成寄存器是用于控制NorFlash存儲(chǔ)器電路的一個(gè)組件。它包含不同的狀態(tài)寄存器，這些寄存器可以控制NorFlash存儲(chǔ)器電路的讀、寫和其他操作。寄存器需要在外部的控制電路中進(jìn)行初始化。6.測(cè)試存儲(chǔ)器電路測(cè)試存儲(chǔ)器電路是制作NorFlash存儲(chǔ)器電路過(guò)程的最后一步。在這個(gè)過(guò)程中，需要測(cè)試NorFlash存儲(chǔ)器電路的讀取和寫入速度以及其他性能參數(shù)。結(jié)論NorFlash存儲(chǔ)器電路是一種可編程的非易失性存儲(chǔ)器，可以實(shí)現(xiàn)高速和高密度的存儲(chǔ)。NorFlash存儲(chǔ)器電路的制作需要經(jīng)過(guò)多個(gè)步驟，包括硅片制備、層狀結(jié)構(gòu)制備、晶體管形成、存儲(chǔ)單元