電子行業(yè)半導(dǎo)體存儲專題：短期存儲周期有望見底中長期看好國產(chǎn)化加速

存儲芯片具有大宗商品屬性，其價格受市場供需情況波動，由于宏觀經(jīng)濟下行導(dǎo)致下游需求走弱，疊加產(chǎn)業(yè)鏈庫存水位高企，DRAMNANDFlash起開始迅速下探，部分存儲產(chǎn)品已跌破現(xiàn)金成本價。同時，觀察海外頭部廠商最新經(jīng)營數(shù)據(jù)，各大存儲芯片廠商的業(yè)績均受到較大沖擊，海力士和美光在凈利潤端均錄得不同程度的虧損。盡管供應(yīng)商全年庫存仍未恢復(fù)至健康水平，但整體來看DRAM和NANDFlash產(chǎn)品均價跌幅已呈現(xiàn)逐漸收斂態(tài)勢，根據(jù)TrendForce2023DRAM0-5%236119億美元，但是較上一季度虧損有所收窄，業(yè)績指引預(yù)計公司業(yè)績將逐步修復(fù)。以此同時，海力士最新財報顯示，F(xiàn)Y23Q2公44%7.3萬億韓元，其毛利率和營業(yè)利潤率均出現(xiàn)環(huán)比改善趨勢。3-423H2NORFlash龍頭兆易創(chuàng)新，建議關(guān)注國內(nèi)車載存儲領(lǐng)先企業(yè)北京君正、內(nèi)存SLCEEPROM供應(yīng)商東芯股份。風(fēng)險提示：收盤價（元）市值（億元）EPS（元）PE（倍）收盤價（元）市值（億元）EPS（元）PE（倍）股票簡稱 股票代碼 評級2023/8/152023/8/152022A2023E2024E2025E2022A2023E2024E2025E兆易創(chuàng)新 603986.SH97.75651.903.082.703.805.0031.736.225.719.6推薦北京君正 300223.SZ76.80369.851.641.812.423.0446.942.531.725.2未評級瀾起科技 688008.SH51.15582.091.140.971.682.2344.852.530.423.0未評級江波龍 301308.SZ76.51315.880.180.631.321.89433.9122.058.040.6未評級聚辰股份 688123.SH51.9981.992.243.224.335.1623.216.112.010.1未評級東芯股份 688110.SH31.99141.480.420.540.841.2276.358.938.226.3未評級正文目錄TOC\o"1-2"\h\z\u一、 半導(dǎo)體存儲：數(shù)字經(jīng)濟的底盤，集成電路第二大市場 6歷經(jīng)半個世紀(jì)發(fā)展演進，半導(dǎo)體存儲成為主流技術(shù) 6存儲市場空間廣闊，海外廠商高度壟斷 7供需情況持續(xù)改善，存儲周期有望見底 二、 和主導(dǎo)市場，NOR聚焦利基領(lǐng)域 12DRAM：技術(shù)演進以制程推進為主，頭部廠商向10nm制程逼近 NANDFLASH：3DNAND成主流發(fā)展趨勢，堆疊層數(shù)突破200層 NORFLASH：汽車、工業(yè)需求持續(xù)增長，國產(chǎn)廠商處于領(lǐng)先位置 三、 手機為存儲需求最大來源，服務(wù)器成存儲位元增速主驅(qū) 18服務(wù)器：存儲位元增速主要驅(qū)動力，AI浪潮帶動出貨量提升 手機：行業(yè)進入存量替換階段，單機存儲需求仍有提升空間 PC：需求持續(xù)走弱，出貨量不斷下探 四、 行業(yè)重點公司 24三星電子：全球最大存儲芯片供應(yīng)商，市場份額長年穩(wěn)居首位 SK海力士：全球知名存儲龍頭，AI存儲領(lǐng)域先行者 美光科技：全球最大存儲芯片供應(yīng)商之一，研發(fā)技術(shù)優(yōu)勢市場突出 兆易創(chuàng)新：全球NORFlash龍頭，利基型DRAM拓展有序 北京君正：國內(nèi)車載存儲龍頭，持續(xù)加強新品開拓 瀾起科技：內(nèi)存接口芯片龍頭，研發(fā)取得實質(zhì)性突破 江波龍：國內(nèi)存儲模組龍頭，產(chǎn)品矩陣持續(xù)擴充 深科技：國內(nèi)存儲芯片封裝龍頭，封測產(chǎn)能逐步攀升 聚辰股份：全球領(lǐng)先EEPROM供應(yīng)商，SPD、EEPROM產(chǎn)品持續(xù)放量 東芯股份：國內(nèi)SLCNAND龍頭，切入車載打開成長空間 五、 投資建議 35六、 風(fēng)險提示 36圖表目錄圖表1存儲媒介發(fā)展歷程 6圖表2半導(dǎo)體存儲分類 7圖表3半導(dǎo)體存儲產(chǎn)業(yè)鏈 7圖表42011-2023年全球存儲芯片市場規(guī)模情況 8圖表52021-2023年全球DRAM市場規(guī)模 8圖表62021-2023年全球NANDFlash市場規(guī)模 8圖表7全球DRAM下游應(yīng)用分布（按出貨量） 9圖表8全球NANDFlash下游需求分布（按出貨量） 9圖表92022年全球DRAM市場份額情況 9圖表102022年全球NANDFlash市場份額情況 9圖表112012-2023年集成電路及細(xì)分領(lǐng)域市場規(guī)模增速情況 圖表1212Q1-23Q2海力士和美光單季度營收增速和營業(yè)利潤率情況 圖表13全球DRAM資本支出情況（億美元） 圖表14全球NANDFlash資本支出情況（億美元） 圖表152012-2022年海力士和美光存貨情況 圖表1612Q1-23Q2海力士和美光存貨同比增速情況 圖表1723Q1-23Q3DRAM及NANDFlash產(chǎn)品價格環(huán)比跌幅預(yù)測 圖表18DRAM芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu) 圖表19DDR1-DDR5主要指標(biāo)比較 圖表20HBM內(nèi)部結(jié)構(gòu) 圖表21HBM與GDDR5對比 圖表22存儲廠商DRAM技術(shù)路線圖 圖表23NANDFlash內(nèi)部結(jié)構(gòu) 圖表24不同類型NANDFlash技術(shù)特點 圖表253DNAND內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖 圖表262DNAND與3DNAND的比較 圖表27存儲廠商3DNAND技術(shù)路線圖 圖表28SK海力士4DNAND發(fā)展路線圖 圖表294DNAND與3DNAND的比較 圖表302021年全球NORFlash市場規(guī)模 圖表312021年全球NORFlash市場份額 圖表322018-2023年全球服務(wù)器出貨量情況 圖表332022-2024年全球服務(wù)器DRAM季度需求量情況 圖表342022-2024年全球企業(yè)級SSD季度需求量情況 圖表3522Q1-23Q1全球智能手機季度出貨量情況 圖表36不同階段智能手機存儲方案 圖表372022-2024年全球手機DRAM季度需求量情況 圖表382022-2024年全球手機NAND季度需求量情況 圖表3921Q1-23Q1年全球PC季度出貨量情況 圖表402022-2024年全球PCDRAM季度需求量情況 圖表412022-2024年全球PCNAND季度需求量情況 圖表42三星DRAM發(fā)展路線圖 圖表43三星V-NAND發(fā)展路線圖 圖表442022年SK海力士科技創(chuàng)新成就 圖表4522Q1-23Q2海力士季度經(jīng)營業(yè)績情況 圖表4622Q1-23Q3美光科技季度經(jīng)營業(yè)績情況 圖表47兆易創(chuàng)新為全球NORFlash龍頭企業(yè) 圖表48兆易創(chuàng)新車規(guī)產(chǎn)品累計出貨一億顆 圖表49兆易創(chuàng)新推出DRAM利基市場產(chǎn)品 圖表502018-2022年兆易創(chuàng)新經(jīng)營業(yè)績情況 圖表512018-2022年兆易創(chuàng)新研發(fā)費用情況 圖表52北京矽成（ISSI）主營存儲產(chǎn)品 圖表532018-2022年北京君正經(jīng)營業(yè)績情況 圖表542022年北京君正營收構(gòu)成 圖表55瀾起科技主營業(yè)務(wù) 圖表562018-2022年瀾起科技經(jīng)營業(yè)績情況 圖表572018-2022年瀾起科技研發(fā)費用情況 圖表58江波龍發(fā)展歷程 圖表592018-2022年江波龍營收結(jié)構(gòu)變化情況（億元） 圖表602020-2022年深科技存儲半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收情況 圖表612022年公司EEPROM產(chǎn)品實現(xiàn)快速增長（億元） 圖表622018-2022年東芯股份營收結(jié)構(gòu)變化情況（億元） 圖表63重點公司盈利預(yù)測與評級 一、半導(dǎo)體存儲：數(shù)字經(jīng)濟的底盤，集成電路第二大市場歷經(jīng)半個世紀(jì)發(fā)展演進，半導(dǎo)體存儲成為主流技術(shù)在、、PB上升到DRAM和年IBM發(fā)明的DRAMDRAM片容量僅為，現(xiàn)在已擴容至年代初入市場的NAND4Mb40余年，2DNAND3DNAND技術(shù)路徑演進。圖表1存儲媒介發(fā)展歷程資料來源：中科院軟件研究所，dreamstime，三星，平安證券研究所RAM是與存數(shù)據(jù)，是非易失性存儲器，常用于存儲各種固定程序和數(shù)據(jù)。。相較于、中內(nèi)部L1/L2L2量只有幾十KbMb。、、、和等。Flash和是市場主流NANDFlashFlash閃存內(nèi)運行應(yīng)用程序，容量較小，讀取速度快，主要應(yīng)用于功能手機、TWS等小容量代碼存儲。圖表半導(dǎo)體存儲類資料來源：平安證券研究所圖表3半導(dǎo)體存儲產(chǎn)業(yè)鏈資料來源：江波龍招股書，平安證券研究所存儲市場空間廣闊，海外廠商高度壟斷、云計算以及AIWSTS年全球4799.9芯片。圖表年全球存儲片市場模情況 180016001400120010008006004002000

全球存儲芯片市場規(guī)模（億美元） 存儲芯片同比增

80%60%40%20%0%-20%-40% 來源：WSTS，平證券究所 根據(jù)場中DRAMNOR的市年全球DRAM年將同23%億美元。圖表年全球市場模 圖表年全球Flash市場規(guī)模全球NND全球NNDsh市場規(guī)模（）同比0

0%-20%-40%-60%

0

0%-20%-40% 資料來源平安券研所 源平安券研所 手機、服務(wù)器和PCAI的帶動下，服務(wù)器年將成為NAND圖表全球下游應(yīng)用布（按貨量） 圖表全球Flash下游需求分（按出量）100%

手機 服務(wù)器 PC 其他

手機PCSD企業(yè)級SSDUD/儲存卡游戲機100%80% 60% 40% 20% 0% 0% 資料來源平安券研所 來源平安券研所 90%。圖表年全球市份額情況 圖表年全球市場額情況 三星SK海力士美光其他

西部數(shù)據(jù)SK美光資料來源平安券研所 來源平安券研所 01NAND領(lǐng)域發(fā)3D3DNAND則重點攻克12年兆易創(chuàng)新在Flash供需情況持續(xù)改善，存儲周期有望見底向下時，存儲芯片同比跌幅同樣明顯大于其他細(xì)分領(lǐng)域。年）：大頭部廠商的新增產(chǎn)能逐步落地，市場供大于求導(dǎo)致價格下跌。年）：3D，導(dǎo)致DRAMPC年至今PCAI期間觸底。圖表112012-2023年集成電路及細(xì)分領(lǐng)域市場規(guī)模增速情況資料來源：WSTS，平安證券研究所FY23Q3236119FY23Q4AI圖表海力士和美光季度營增速和業(yè)利率情況 海力士營收同比增速 美光-營收同比增速000000 海力士營業(yè)利潤率 美光00000015105-5-10平安券研所由于光財時間同，美光據(jù)前一個度用同業(yè)較） 和NANDFlash的資本開支，縮減幅度在之間。圖表全球資本支出況（億元） 圖表全球Flash資本支出情（億美）MicronMicron0

0

Micron 2D2D3D資料來源：Omdia，平安券研所 券研所 PC圖表年海力士美光存情況 圖表海力士和美光貨同比速情況150%海力士-存貨同比增速美光-存貨同比增速100%0%-50%150%海力士-存貨同比增速美光-存貨同比增速100%0%-50%0資料來源：Wind，平安券研所 研究（于美財季間不將光數(shù)據(jù)前置一個季度用于業(yè)比） 自DRAM和NANDFlash0-5%區(qū)間，而NANDFlash3-8%圖表1723Q1-23Q3DRAM及NANDFlash產(chǎn)品價格環(huán)比跌幅預(yù)測23Q2E23Q3FDDR4：下跌15-20%DDR4：下跌3-8%PCDRAMDDR5：下跌13-18%DDR5：下跌0-5%混合均價：下跌15-20%混合均價：下跌0-5%DDR4：下跌18-23%DDR4：下跌3-8%DDR5：下跌13-18%DDR5：下跌0-5%混合均價：下跌15-20%混合均價：下跌0-5%手機DRAM下跌13-18%LPDDR4X：下降0-5%LPDDR5XwithHKMG：上漲0-5%DRAM整體下跌13-18%下降0-5%eMMCconsumer：下降8-13%consumer：基本持平UFSMobile：下降15-20%Mobile：下降8-13%NANDFlashEnterpriseSSD下跌13-18%下降5-10%ClientSSD下跌15-20%下降8-13%3DNANDWafer（TLC&QLC）下降8-13%上漲0-5%NANDFlash整體下跌10-15%下降3-8%資料來源：TrendForce，平安證券研究所二、和主導(dǎo)市場，NORFlash聚焦利基領(lǐng)域DRAM10nm制程逼近DRAM作為CPUPCDRAM年DRAM56%。圖表18DRAM芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)資料來源：中國大學(xué)mooc，平安證券研究所按照產(chǎn)品分類DRAM可以細(xì)分為DDR、LPDDR、GDDR、HBM等。）主要應(yīng)用于PC于年上市，2圖表19DDR1-DDR5主要指標(biāo)比較產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)DDR1DDR2DDR3DDR4DDR5發(fā)布時間2000年2003年2007年2012年2020年工作電壓2.5V1.8V1.5V1.2V1.1V顆粒容量128Mb-1Gb128Mb-4Gb512Mb-8Gb2Gb-16Gb8Gb-64Gb速度（MT/s）200-400400-800800-21331600-32003200-6400資料來源：全球半導(dǎo)體觀察，平安證券研究所）的基礎(chǔ)上誕生了，當(dāng)前發(fā)展到已發(fā)展至。（ghnidhmo是DAM（SVAMHBM圖表內(nèi)部結(jié)構(gòu) 圖表與對比 資料來源：電子與封裝平安券研所 研究所 當(dāng)前1α節(jié)點仍處于DRAMSK年為1β1βDRAM1β作為國產(chǎn)DRAM產(chǎn)品投產(chǎn)。圖表22存儲廠商DRAM技術(shù)路線圖資料來源：TechInsights，平安證券研究所光刻技術(shù)，而需EUV道年就導(dǎo)入了技術(shù)來生產(chǎn)DRAM年采用。盡管概念應(yīng)運而生。3DDRAMDRAM便是3DDRAMNANDFLASH：3DNAND200層NANDNANDPC年NAND41%。圖表23NANDFlash內(nèi)部結(jié)構(gòu)資料來源：PCEVA，平安證券研究所又可分為SLC和3SLC和為例，SLC相對于其他類型NAND閃存顆粒QLC命短、讀取速度慢，目前Flash主要以為主。圖表24不同類型NANDFlash技術(shù)特點資料來源：Micron，平安證券研究所3D為2D2DNAND微縮至?xí)r，2D2DNAND（3DNAND圖表3D內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖 圖表2D與3D的比較 資料來源：應(yīng)用材料，安證研究所 資料來源：海力士，平證券究所 3DV-NAND3DNAND層NAND3DNAND閃存38層DADK30層DAD3DNAND閃存產(chǎn)品。圖表27存儲廠商3DNAND技術(shù)路線圖資料來源：TechInsights，平安證券研究所3DNAND4D技術(shù)，4D3D年，SK4DNAND閃存。圖表SK海力士4D發(fā)展路線圖 圖表4D與3D的比較 資料來源：海力士，平證券究所 資料來源：海力士，平證券究所 NORFLASH：汽車、工業(yè)需求持續(xù)增長，國產(chǎn)廠商處于領(lǐng)先位置雖然和NAND都同屬于FlashNANDFlash5GInsights年Flash2%29因此國產(chǎn)位，國產(chǎn)圖表年全球市場規(guī)模 圖表年全球市場份額 全球NRFlash市場規(guī)模（億美元）35302520151050

其他資料來源：ICInsights，平安券研所 資料來源：ICInsights，平安券研所 Flash65nm，當(dāng)前最前沿的制程達到45nm3D3D3DFlash，預(yù)計采用三、手機為存儲需求最大來源，服務(wù)器成存儲位元增速主驅(qū)浪潮帶動出貨量提升萬臺。萬臺，在AI4%萬臺。圖表年全球服器出貨情況 2000

全球服務(wù)器出貨量（萬臺） 同比

12%1500 1000 500 0 -4%安證研究所 Sapphire支持、1.1（ComputeI/O和NANDChatGPT的面世引爆了，參數(shù)量達GPT提升，尤其是在AI、阿里和華為”AI年全球搭載的AI服務(wù)器出年CAGR服務(wù)器的DRAM需求量是常規(guī)服務(wù)器的8倍，NAND3倍。隨著AIHBM圖表年全球服器季度需量情況 3002502001501000

服務(wù)器DRAM需求（億Gb） 占整體DRAM比例

40%38%36%34%32%30% 資料來源：Omdia，平安證券研究所圖表342022-2024年全球企業(yè)級SSD季度需求量情況800

需求量（億GB） 占整體比例

40%60030%40020%2000 10%券研所 手機：行業(yè)進入存量替換階段，單機存儲需求仍有提升空間23Q12.812%（售價）。圖表全球智能手機度出貨情況 全球智能手機出貨量（百萬臺） 環(huán)比350 325 300 -2%275 -7%250 -12%資料來源：Counterpoint，平安證券研究所的發(fā)展。5GAI、4K圖表36不同階段智能手機存儲方案資料來源：CFM中國閃存市場，平安證券研究所除了CPUiPhone年發(fā)布的初代的，而最新的iPhone14ProMax采用的。圖表年全球手機季度需求情況 250

手機DRAM需求量（億Gb） 占整體DRAM比例

36%200 34%150 32%100 30%50 28%0 26%資料來源：Omdia，平安證券研究所圖表382022-2024年全球手機NAND季度需求量情況1000

手機需求量（億GB） 占整體比例

50%800600

40%400200

30%0 20%券研所 PC：需求持續(xù)走弱，出貨量不斷下探早前PCPC和Windows年P(guān)C圖表年全球季度出量情況 100008000600040002000

全球出貨量（萬臺） 環(huán)比

10%-5%-10%-15%0 -20%資料來源：IDC，平安證券研究所PC年P(guān)C年CAGR年平均單機搭載NANDFlash年CAGR15%。圖表402022-2024年全球PCDRAM季度需求量情況PCDRAM需求量（億Gb） 占整體DRAM比例0

15%14%13%12%11%10% 券研所 圖表年全球PC季度需求量況 7006005004003002001000

PC需求量（億GB） 占整體比例

30%25%20%15%10% 資料來源：Omdia，平安證券研究所四、行業(yè)重點公司三星電子：全球最大存儲芯片供應(yīng)商，市場份額長年穩(wěn)居首位DRAM和Flash年三星在DRAM和NAND43%33%64MbNAND3DV-NAND年量產(chǎn)8V-NAND圖表42三星DRAM發(fā)展路線圖資料來源：Forbes，平安證券研究所圖表43三星V-NAND發(fā)展路線圖資料來源：Forbes，平安證券研究所2080年代，在DRAM市場低迷20908SK存儲領(lǐng)域先行者SKNAND和DRAM全球NANDFlash市場排名第四。年SK16KbLG年成功研發(fā)NANDFlash年首次研發(fā)全球首款技術(shù)4D12DRAM采用了4DNAND3DNAND圖表442022年SK海力士科技創(chuàng)新成就資料來源：海力士，平安證券研究所SK2.88位元增長率環(huán)比。圖表45FY22Q1-FY23Q2海力士季度經(jīng)營業(yè)績情況營業(yè)收入（萬億韓元） 凈利潤（萬億韓元）9630-3-6資料來源：海力士官網(wǎng)平安券研所 美光科技：全球最大存儲芯片供應(yīng)商之一，研發(fā)技術(shù)優(yōu)勢市場突出美光科技于閃存、年美光科技在全球NAND市占率排名第五。DRAMDRAM，20211α節(jié)點1β節(jié)點DRAM階段，其EUV113DNAND層NAND產(chǎn)品出貨。F3Y3.5%+.%，19公司27比10環(huán)比下15%GAAP至-10%區(qū)間，對應(yīng)Non-GAAP-13%至。圖表美光科技度經(jīng)營績情況 營業(yè)收入（億美元） 凈利潤（億美元）1000-20-40平安券研所 年3兆易創(chuàng)新：全球Flash龍頭，利基型拓展有序年4供應(yīng)商，在圖表47兆易創(chuàng)新為全球NORFlash龍頭企業(yè)資料來源：兆易創(chuàng)新，平安證券研究所、拓展有序。公司全1億顆，NAND品已通過車規(guī)級認(rèn)證；DRAM方面，公司積極切入DRAM利基市場，并已量產(chǎn)1X節(jié)點DDR4、DDR3L產(chǎn)品。圖表兆易創(chuàng)新車產(chǎn)品累出貨億顆 圖表兆易創(chuàng)新推出利基市場品 資料來源：Wind，平安券研所 平安券研所 814821912%，公司技術(shù)人員占比約72%。圖表年兆易創(chuàng)經(jīng)營業(yè)情況 圖表年兆易創(chuàng)研發(fā)費情況 營業(yè)收入（億元）營收同比歸母凈利潤（億元）歸母凈利潤同比研發(fā)費用（億元） 研發(fā)費用率營業(yè)收入（億元）營收同比歸母凈利潤（億元）歸母凈利潤同比0

200% 10150% 8100% 650% 40% 2-50% 0

5%0% 資料來源：Wind，平安券研所 平安券研所 北京君正：國內(nèi)車載存儲龍頭，持續(xù)加強新品開拓成立于年公司完成對ISSI及其子公司Omdia年度公司、Flash存儲領(lǐng)域，公司SRAM、AsynchSRAM2G、4GFlash方面，公司已覆蓋Flash年公司車規(guī)產(chǎn)FlashFlash圖表52北京矽成（ISSI）主營存儲產(chǎn)品資料來源：ISSI，平安證券研究所54417.9單圖表年北京君經(jīng)營業(yè)情況 圖表年北京君正營構(gòu)成 營業(yè)收入（億元） 歸母凈利潤（億元）6050403020100

存儲芯片智能視頻芯片模擬與互聯(lián)芯片微處理器芯片其他資料來源：Wind，平安券研所 平安券研所 瀾起科技：內(nèi)存接口芯片龍頭，研發(fā)取得實質(zhì)性突破成立于?到/22的圖表55瀾起科技主營業(yè)務(wù)資料來源：瀾起科技，平安證券研究所59月發(fā)布12樣片。同時，公司在已應(yīng)用在公司2.0Retimer產(chǎn)品中。3713673%。圖表年瀾起科經(jīng)營業(yè)情況 圖表年瀾起科研發(fā)費情況 營業(yè)收入（億元）營收同比歸母凈利潤（億元）歸母凈利潤同比研發(fā)費用（億元） 研發(fā)費用率營業(yè)收入（億元）營收同比歸母凈利潤（億元）歸母凈利潤同比40 120% 6530 420 40% 3210 0%10 -40% 0

5%0% 資料來源：Wind，平安券研所 平安券研所 江波龍：國內(nèi)存儲模組龍頭，產(chǎn)品矩陣持續(xù)擴充及DRAM4Foresee品第一。據(jù)Omdia年Lexar//圖表58江波龍發(fā)展歷程資料來源：江波龍招股書，平安證券研究所SLC和年，公司的UFS和UFSUFSSLC固態(tài)硬盤：產(chǎn)品覆蓋和SSD，分別支持4.0和移動存儲：）ExpressMicroSDPYFxs（4及5系列規(guī)格，的產(chǎn)品。8344201536%40.7。圖表年江波龍收結(jié)構(gòu)化情（億元） 嵌入式存儲 移動存儲 固態(tài)硬盤 內(nèi)存條 其他1201000平安券研所 深科技：國內(nèi)存儲芯片封裝龍頭，封測產(chǎn)能逐步攀升深科技成立于、NAND、NAND蓋、、、、、和eMCP4、、、、的8。年6.6。圖表年深科技儲